专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW202004173A 用於小角度X射線散射量測之X射線源光學件审中-公开
简体标题：用于小角度X射线散射量测之X射线源光学件
公开(公告)号：TW202004173A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108113315
申请日：2019-04-17
申请人：以色列商以色列布魯克JV有限公司 , BRUKER JV ISRAEL LTD.
发明人：沃明頓馬修 , WORMINGTON, MATTHEW , 卡莫亞歷山大 , KROKHMAL, ALEXANDER , 魏因施泰因尤莉 , VINSHTEIN, YURI
IPC分类号： G01N23/20025 , G01N23/201
摘要：一種X射線設備包含一安裝座、一X射線源、一偵測器及一限束器。該安裝座經組態以固持一平面樣本。該X射線源經組態以將X射線之一射束引導朝向該樣本之一第一側。該偵測器定位於該樣本之與該第一側相對之一第二側上，以便接收已透射穿過該樣本之該等X射線之至少一部分。該限束器定位於該樣本之該第一側上以便攔截該等X射線之該射束。該限束器包含第一葉片及第二葉片以及第一致動器及第二致動器。該第一葉片及該第二葉片具有相互接近定位以便在距該樣本之該第一側小於25 mm之一距離處界定該等X射線之該射束將穿過之一狹縫之各自第一邊緣及第二邊緣。該第一致動器及該第二致動器經組態以使該第一葉片及該第二葉片沿著各自第一平移軸及第二平移軸偏移以便調整該狹縫之一寬度。
简体摘要：一种X射线设备包含一安装座、一X射线源、一侦测器及一限束器。该安装座经组态以固持一平面样本。该X射线源经组态以将X射线之一射束引导朝向该样本之一第一侧。该侦测器定位于该样本之与该第一侧相对之一第二侧上，以便接收已透射穿过该样本之该等X射线之至少一部分。该限束器定位于该样本之该第一侧上以便拦截该等X射线之该射束。该限束器包含第一叶片及第二叶片以及第一致动器及第二致动器。该第一叶片及该第二叶片具有相互接近定位以便在距该样本之该第一侧小于25 mm之一距离处界定该等X射线之该射束将穿过之一狭缝之各自第一边缘及第二边缘。该第一致动器及该第二致动器经组态以使该第一叶片及该第二叶片沿着各自第一平移轴及第二平移轴偏移以便调整该狭缝之一宽度。

2. 发明专利

TW201730514A 用於高高寬比結構之X光散射測量計量审中-公开
简体标题：用于高高宽比结构之X光散射测量计量
公开(公告)号：TW201730514A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：TW105129968
申请日：2016-09-14
申请人：克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：佐拉陶德斯傑拉德 , DZIURA, THADDEUS GERARD , 吉里紐安東尼歐艾里昂 , GELLINEAU, ANTONIO ARION , 舒傑葛洛夫安德烈 V , SHCHEGROV, ANDREI V.
IPC分类号： G01B15/02 , G01N23/201 , G01N23/205
CPC分类号： G01B15/02 , G01B2210/56 , G01N23/201 , G01N23/2055
摘要：本發明描述用於使用透射小角度x光散射(T-SAXS)技術特性化高高寬比垂直製造裝置之尺寸及材料性質之方法及系統。例示性結構包含自旋轉移力矩隨機存取記憶體(STT-RAM)、垂直NAND記憶體(V-NAND)、動態隨機存取記憶體(DRAM)、三維快閃記憶體(3D-FLASH)、電阻性隨機存取記憶體(Re-RAM)及PC-RAM。在一項態樣中，依接近法向入射角較密集集中且依較遠離該法向入射角之定向較不密集集中之若干不同定向執行T-SAXS量測。在一進一步態樣中，使用T-SAXS量測資料以基於經偵測繞射級之經量測強度產生一經量測結構之一影像。在另一進一步態樣中，一計量系統經組態以產生針對組合的x光及光學量測分析之模型。
简体摘要：本发明描述用于使用透射小角度x光散射(T-SAXS)技术特性化高高宽比垂直制造设备之尺寸及材料性质之方法及系统。例示性结构包含自旋转移力矩随机存取内存(STT-RAM)、垂直NAND内存(V-NAND)、动态随机存取内存(DRAM)、三维闪存(3D-FLASH)、电阻性随机存取内存(Re-RAM)及PC-RAM。在一项态样中，依接近法向入射角较密集集中且依较远离该法向入射角之定向较不密集集中之若干不同定向运行T-SAXS量测。在一进一步态样中，使用T-SAXS量测数据以基于经侦测绕射级之经量测强度产生一经量测结构之一影像。在另一进一步态样中，一计量系统经组态以产生针对组合的x光及光学量测分析之模型。

3. 发明专利

TWI395943B 用於分析具有一表面層之一樣品之裝置及方法，及用於生產微電子器件之叢集工具及裝置有权
简体标题：用于分析具有一表面层之一样品之设备及方法，及用于生产微电子器件之集群工具及设备
公开(公告)号：TWI395943B
公开(公告)日：2013-05-11
申请号：TW094131352
申请日：2005-09-12
申请人：喬丹菲利應用放射有限公司 , JORDAN VALLEY APPLIED RADIATION LTD.
发明人：伯瑞斯約辛 , YOKHIN, BORIS , 伊沙克馬瑟 , MAZOR, ISAAC , 撒奇拉法里 , RAFAELI, TZACHI
IPC分类号： G01N23/201 , H01L21/66
CPC分类号： G01N23/20008

4. 发明专利

TW202007958A 相位顯示光學及X射線半導體量測审中-公开
简体标题：相位显示光学及X射线半导体量测
公开(公告)号：TW202007958A
公开(公告)日：2020-02-16
申请号：TW108124425
申请日：2019-07-11
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：漢琪約翰 , HENCH, JOHN , 維德曼安德烈 , VELDMAN, ANDREI
IPC分类号： G01N23/044 , G01N23/201 , G01N23/2055 , H01L21/66
摘要：本文中所揭示之實施例可實現一半導體晶圓上之一目標重建及/或成像。使用一晶圓量測工具來度量一半導體晶圓上之一目標之一表面。該表面之一體素圖經確定以匹配幾何形狀度量且使用預期材料之散射密度。可發生所有確定表面體素之散射密度之一致換算。
简体摘要：本文中所揭示之实施例可实现一半导体晶圆上之一目标重建及/或成像。使用一晶圆量测工具来度量一半导体晶圆上之一目标之一表面。该表面之一体素图经确定以匹配几何形状度量且使用预期材料之散射密度。可发生所有确定表面体素之散射密度之一致换算。

5. 发明专利

TW201827785A 用於經圖案化晶圓特性化之混合度量审中-公开
简体标题：用于经图案化晶圆特性化之混合度量
公开(公告)号：TW201827785A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106136163
申请日：2017-10-20
申请人：美商克萊譚克公司 , KLA-TENCOR CORPORATION
发明人：陳博學 , CHEN, BOXUE , 維德曼安德烈 , VELDMAN, ANDREI , 庫茲尼斯夫亞歷山大 , KUZNETSOV, ALEXANDER , 舒傑葛洛夫安德烈 V , SHCHEGROV, ANDREI V.
IPC分类号： G01B11/02 , G01B15/00 , G01N21/95 , G01N21/956 , G01N23/201 , G01N23/225
摘要：本發明呈現用於評估圖案化結構之幾何特性之方法及系統。更特定言之，根據一混合度量方法藉由兩個或兩個以上度量系統量測由一或多個圖案化程序產生之幾何結構。將來自一個度量系統之一量測結果傳送至至少一個其他度量系統以增大接收系統之量測效能。類似地，將來自該接收度量系統之一量測結果傳送回至發送度量系統以增大該發送系統之量測效能。以此方式，基於自其他協作度量系統接收之量測結果來改良自各度量系統獲得之量測結果。在一些實例中，擴展度量能力以量測先前無法藉由獨立操作之各度量系統量測之所關注參數。在其他實例中，改良量測敏感度且減小參數相關性。
简体摘要：本发明呈现用于评估图案化结构之几何特性之方法及系统。更特定言之，根据一混合度量方法借由两个或两个以上度量系统量测由一或多个图案化进程产生之几何结构。将来自一个度量系统之一量测结果发送至至少一个其他度量系统以增大接收系统之量测性能。类似地，将来自该接收度量系统之一量测结果发送回至发送度量系统以增大该发送系统之量测性能。以此方式，基于自其他协作度量系统接收之量测结果来改良自各度量系统获得之量测结果。在一些实例中，扩展度量能力以量测先前无法借由独立操作之各度量系统量测之所关注参数。在其他实例中，改良量测敏感度且减小参数相关性。

6. 发明专利

TW201732279A 用於X光散射術之方法及設備审中-公开
简体标题：用于X光散射术之方法及设备
公开(公告)号：TW201732279A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW106100864
申请日：2017-01-11
申请人：以色列布魯克JV有限公司 , BRUKER JV ISRAEL LTD.
发明人：卡莫艾力克斯 , KROKHMAL, ALEX , 迪可波謝夫艾力克斯 , DIKOPOLTSEV, ALEX , 文史丁朱利 , VINSHTEIN, JURI
IPC分类号： G01N23/201 , G01N23/20 , G01N23/083
CPC分类号： G01N23/201 , G01B2210/56 , G01N2223/051 , G01N2223/6116 , H01L22/12
摘要：一種用於X光散射術之方法，其包含接收自一樣本散射之一X光光束之一第一分佈。該第一分佈展現相對於一參考軸之不對稱性。將一校正應用至該第一分佈，以產生其中該不對稱性之一位準相對於該第一分佈減小之一第二分佈。基於該第二分佈估計該樣本之一或多個參數。
简体摘要：一种用于X光散射术之方法，其包含接收自一样本散射之一X光光束之一第一分布。该第一分布展现相对于一参考轴之不对称性。将一校正应用至该第一分布，以产生其中该不对称性之一位准相对于该第一分布减小之一第二分布。基于该第二分布估计该样本之一或多个参数。

7. 发明专利

TW201816393A X光刀緣之封閉迴路控制审中-公开
简体标题： X光刀缘之封闭回路控制
公开(公告)号：TW201816393A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106133498
申请日：2017-09-29
申请人：以色列商以色列布魯克JV有限公司 , BRUKER JV ISRAEL LTD.
发明人：馬瑟艾薩克 , MAZOR, ISAAC , 魏因施泰因尤莉 , VINSHTEIN, YURI , 沃明頓馬修 , WORMINGTON, MATTHEW , 卡斯柏尼古拉 , KASPER, NIKOLAI
IPC分类号： G01N23/20 , G01N23/201 , G01N23/223 , G01N23/083
摘要：本發明揭示用於X光散射量測之設備，其包含引導一X光射束以按一掠射角入射於一樣本之一表面之一區域上之一X光源，且一X光偵測器量測自該區域散射之X光。一刀緣經配置為在鄰近該區域之一位置中平行於該樣本之該表面以便界定該表面與該刀緣之間之一間隙且阻擋未通過該間隙之該X光射束之一部分。一馬達垂直於該表面移動該刀緣以便控制該間隙之一大小。一光學測距儀接收自該表面反射之光學輻射且輸出指示該刀緣距該表面之一距離之一信號。控制電路回應於該信號而驅動該馬達以便調節該間隙之該大小。
简体摘要：本发明揭示用于X光散射量测之设备，其包含引导一X光射束以按一掠射角入射于一样本之一表面之一区域上之一X光源，且一X光侦测器量测自该区域散射之X光。一刀缘经配置为在邻近该区域之一位置中平行于该样本之该表面以便界定该表面与该刀缘之间之一间隙且阻挡未通过该间隙之该X光射束之一部分。一马达垂直于该表面移动该刀缘以便控制该间隙之一大小。一光学测距仪接收自该表面反射之光学辐射且输出指示该刀缘距该表面之一距离之一信号。控制电路回应于该信号而驱动该马达以便调节该间隙之该大小。

8. 发明专利

TW201723424A 用於模擬輻射與結構互動之方法及設備、度量衡方法及設備、元件製造方法审中-公开
简体标题：用于仿真辐射与结构交互之方法及设备、度量衡方法及设备、组件制造方法
公开(公告)号：TW201723424A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105132717
申请日：2016-10-11
申请人： ASML荷蘭公司 , ASML NETHERLANDS B.V.
发明人：帕薩瑞可馬克辛 , PISARENCO, MAXIM , 昆塔尼哈李察 , QUINTANILHA, RICHARD , 凡可拉吉馬可斯傑拉度馬堤司瑪麗亞 , VAN KRAAIJ, MARKUS GERARDUS MARTINUS MARIA
IPC分类号： G01B15/00 , G01N23/201 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70625 , G01B15/00 , G01N23/201 , G01N2223/501 , G03F7/705
摘要：運用例如在x射線或EUV波帶內之輻射來輻照一所關注結構，且藉由一偵測器(306)偵測散射輻射。一處理器(308)藉由模擬輻射與一結構互動且比較該經模擬互動與該經偵測輻射來計算諸如線寬(CD)之一屬性。在一數值方法中使用一分層結構模型(600、610)以表示該結構。該結構模型針對該結構之每一層定義一均質背景電容率且針對至少一個層定義一非均質對比度電容率。該方法將馬克士威方程式用於波恩近似中，藉此該對比度電容率與總場之一乘積係藉由該對比度電容率與背景場之一乘積近似。一計算複雜度相比於已知方法縮減若干數量級。
简体摘要：运用例如在x射线或EUV波带内之辐射来辐照一所关注结构，且借由一侦测器(306)侦测散射辐射。一处理器(308)借由仿真辐射与一结构交互且比较该经仿真交互与该经侦测辐射来计算诸如线宽(CD)之一属性。在一数值方法中使用一分层结构模型(600、610)以表示该结构。该结构模型针对该结构之每一层定义一均质背景电容率且针对至少一个层定义一非均质对比度电容率。该方法将马克士威方进程用于波恩近似中，借此该对比度电容率与总场之一乘积系借由该对比度电容率与背景场之一乘积近似。一计算复杂度相比于已知方法缩减若干数量级。

9. 发明专利

TWI449904B Ｘ射線散射測定裝置及Ｘ射線散射測定方法有权
简体标题：Ｘ射线散射测定设备及Ｘ射线散射测定方法
公开(公告)号：TWI449904B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW099113049
申请日：2010-04-26
申请人：理學股份有限公司 , RIGAKU C0RPORATION
发明人：表和彥 , OMOTE, KAZUHIKO
IPC分类号： G01N23/20 , G01N23/201
CPC分类号： G21K1/06 , G01N23/201

10. 发明专利

TWI444589B 用於分析樣本之裝置及方法有权
简体标题：用于分析样本之设备及方法
公开(公告)号：TWI444589B
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：TW101141383
申请日：2005-09-21
申请人：喬丹菲利應用放射有限公司 , JORDAN VALLEY APPLIED RADIATION LTD.
发明人：約辛伯瑞斯 , YOKHIN, BORIS , 克洛克摩亞力山大 , KROKHMAL, ALEXANDER , 拉法里撒奇 , RAFAELI, TZACHI , 馬瑟伊沙克 , MAZOR, ISAAC , 格維茲曼阿摩司 , GVIRTZMAN, AMOS
IPC分类号： G01B15/02 , G01N23/201
CPC分类号： G01N23/20008

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式