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11. 发明专利

TW200404374A 波長選擇偵測器 WAVELENGTH SELECTIVE DETECTOR 失效
简体标题：波长选择侦测器 WAVELENGTH SELECTIVE DETECTOR
公开(公告)号：TW200404374A
公开(公告)日：2004-03-16
申请号：TW092115228
申请日：2003-06-05
申请人：哈尼威爾國際公司 HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
发明人：詹姆士K 古德 JAMES K. GUENTER , 羅夫H 强生 RALPH H. JOHNSON
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/101 , H01L31/02161 , H01L31/02164
摘要：一種波長選擇偵測器，其具有一第一吸收層，用於吸收波長低於一下頻帶截止點之光、一第二吸收層，位於該第一吸收層之後，用於吸收波長低於一上頻帶截止點之光，以及一位於該第一、第二吸收層之間的限制層。該上下頻帶截止點可以藉由控制該第一、第二吸收層之能帶隙及／或厚度來設定。本發明之波長選擇偵測器具有良好之帶外抑制、窄光譜響應及高帶內響應。另外，該波長選擇偵測器可以較為容易地利用傳統的積體電路製造技術製造。
简体摘要：一种波长选择侦测器，其具有一第一吸收层，用于吸收波长低于一下频带截止点之光、一第二吸收层，位于该第一吸收层之后，用于吸收波长低于一上频带截止点之光，以及一位于该第一、第二吸收层之间的限制层。该上下频带截止点可以借由控制该第一、第二吸收层之能带隙及／或厚度来设置。本发明之波长选择侦测器具有良好之带外抑制、窄光谱响应及高带内响应。另外，该波长选择侦测器可以较为容易地利用传统的集成电路制造技术制造。

12. 发明专利

TW407295B 三維裝置失效
简体标题：三维设备
公开(公告)号：TW407295B
公开(公告)日：2000-10-01
申请号：TW088103006
申请日：1999-02-26
申请人：精工愛普生股份有限公司
发明人：井上聰 , 下田
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1266 , H01L21/6835 , H01L21/76251 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L23/48 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0694 , H01L27/1108 , H01L27/12 , H01L29/78603 , H01L29/78675 , H01L29/78678 , H01L31/101 , H01L2221/68359 , H01L2221/68363 , H01L2221/68368 , H01L2225/06513 , H01L2225/06565 , H01L2924/0002 , H01L2924/12044 , H01L2924/30105 , H01L2924/3025 , Y10S438/977 , H01L2924/00
摘要：記憶體ＩＣ１０ａ係具有基板(轉印側基板)21，及疊層於該基板21上的記憶格陣列71，及記憶格陣列，及記憶格陣列73，各記憶格陣列71，72及73係分別介經薄膜構造之轉印法，以該順序從第21圖中下側被疊層。上述轉印法係經由分離層在原基板上形成薄膜裝層(記憶格陣列)之後，在上述分離層照射照射光，而在上述分離層之層內及/或界面產生剝離，並將上述原基板上之薄膜裝置層轉印至基板21側者。
简体摘要：内存ＩＣ１０ａ系具有基板(转印侧基板)21，及叠层于该基板21上的记忆格数组71，及记忆格数组，及记忆格数组73，各记忆格数组71，72及73系分别介经薄膜构造之转印法，以该顺序从第21图中下侧被叠层。上述转印法系经由分离层在原基板上形成薄膜装层(记忆格数组)之后，在上述分离层照射照射光，而在上述分离层之层内及/或界面产生剥离，并将上述原基板上之薄膜设备层转印至基板21侧者。

13. 发明专利

TWI616647B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI616647B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW102147434
申请日：2013-12-20
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司 , ROBERT BOSCH GMBH
发明人：波爾克法比昂 , PURKL, FABIAN , 亞馬蓋瑞 , YAMA, GARY , 菲安道拉斯 , FEYH, ANDO LARS
IPC分类号： G01J5/02 , G01J5/20
CPC分类号： H01L31/101 , G01J5/0853 , G01J5/20 , H01L31/02327

14. 发明专利

TW201448189A 製造生長於背側照明影像感測器上之奈米線光偵測器审中-公开
简体标题：制造生长于背侧照明影像传感器上之奈米线光侦测器
公开(公告)号：TW201448189A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103131815
申请日：2010-12-08
申请人：立那工業股份有限公司 , ZENA TECHNOLOGIES, INC.
发明人：狄恩彼得 , DUANE, PETER , 兪榮濬 , YU, YOUNG-JUNE , 伍伯慕尼 , WOBER, MUNIB
IPC分类号： H01L27/146
CPC分类号： H01L31/0352 , G01J1/42 , G01J5/20 , H01L21/02381 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L21/02664 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14665 , H01L27/14669 , H01L27/14683 , H01L31/02327 , H01L31/035227 , H01L31/101 , H01L31/103 , H01L31/105 , H01L31/18 , Y10S977/762
摘要：一實施例係關於製造一裝置之一方法，該裝置包括：一基板，其具有一前側及一背側；一奈米線，其安置於該背側上；及一影像感測電路，其安置於該前側上，其中將該奈米線組態為用以傳輸高達一選擇性波長之波長之一通道及用以偵測傳輸穿過該奈米線之高達該選擇性波長之該等波長之一主動元件兩者。
简体摘要：一实施例系关于制造一设备之一方法，该设备包括：一基板，其具有一前侧及一背侧；一奈米线，其安置于该背侧上；及一影像传感电路，其安置于该前侧上，其中将该奈米线组态为用以传输高达一选择性波长之波长之一信道及用以侦测传输穿过该奈米线之高达该选择性波长之该等波长之一主动组件两者。

15. 发明专利

TW201413965A 自旋偏極電晶體元件审中-公开
简体标题：自旋偏极晶体管组件
公开(公告)号：TW201413965A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102128785
申请日：2013-08-12
申请人：獨立行政法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY , 約克大學 , UNIVERSITY OF YORK
发明人：廣畑貴文 , HIROHATA, ATSUFUMI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28
CPC分类号： H01L29/66984 , H01L27/228 , H01L29/20 , H01L29/778 , H01L29/82 , H01L31/101
摘要：本發明係具備：源極部，由於第1方向磁化之強磁性體所構成；汲極部，與源極部分離地並列設置且由於第1方向磁化之強磁性體所構成；通道部，配置於源極部與汲極部之間，且直接或經由穿隧層接合於源極部及汲極部；及圓偏光照射部，將用於控制通道部的自旋位向之圓偏光朝通道部照射。
简体摘要：本发明系具备：源极部，由于第1方向磁化之强磁性体所构成；汲极部，与源极部分离地并列设置且由于第1方向磁化之强磁性体所构成；信道部，配置于源极部与汲极部之间，且直接或经由穿隧层接合于源极部及汲极部；及圆偏光照射部，将用于控制信道部的自旋位向之圆偏光朝信道部照射。

16. 发明专利

TW201205047A 具有改良之電源供應抑制比的光二極體前級 PHOTODIODE FRONT END WITH IMPROVED POWER SUPPLY REJECTION RATIO (PSRR) 审中-公开
简体标题：具有改良之电源供应抑制比的光二极管前级 PHOTODIODE FRONT END WITH IMPROVED POWER SUPPLY REJECTION RATIO (PSRR)
公开(公告)号：TW201205047A
公开(公告)日：2012-02-01
申请号：TW100103042
申请日：2011-01-27
申请人：英特希爾美國公司
发明人：瑞特大衛W , 枸登菲利普 , 吉比艾倫 , 克雷達克卡爾華倫
IPC分类号： G01J , G01S
CPC分类号： G01N21/55 , G01J1/46 , G01J9/00 , G01S17/08 , H01L31/101
摘要：本發明提供一種用於在光學感測器前級中改良電源供應抑制比(PSRR)之節省面積的系統與方法。再者，還提供一低通濾波器，其會讓該光學感測器之前級中的參考電壓和被該感測器運用的基板相同的基板產生關聯。於其中一範例中，該LPF包含一電容器，其會利用一深N井(DNW)空乏電容器來實施，其會被用來將該參考電壓連接至該相同的基板。除此之外，該DNW還讓該LPF有節省面積的實現方式。本文中所揭示的系統與方法會在5MHz調變中改良該PSRR約40dB。
简体摘要：本发明提供一种用于在光学传感器前级中改良电源供应抑制比(PSRR)之节省面积的系统与方法。再者，还提供一低通滤波器，其会让该光学传感器之前级中的参考电压和被该传感器运用的基板相同的基板产生关联。于其中一范例中，该LPF包含一电容器，其会利用一深N井(DNW)空乏电容器来实施，其会被用来将该参考电压连接至该相同的基板。除此之外，该DNW还让该LPF有节省面积的实现方式。本文中所揭示的系统与方法会在5MHz调制中改良该PSRR约40dB。

17. 发明专利

TW201101523A 平面顯示面板、紫外光感測器及其製造方法 FLAT DISPLAY PANEL, UV SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：平面显示皮肤、紫外光传感器及其制造方法 FLAT DISPLAY PANEL, UV SENSOR AND FABRICATION METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201101523A
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW098121817
申请日：2009-06-29
申请人：友達光電股份有限公司
发明人：卓恩宗 , 盛姿華 , 羅瑞良 , 劉婉懿 , 孫偉珉 , 洪集茂 , 陳俊雄 , 黃偉明
IPC分类号： H01L , G09F
CPC分类号： H01L31/101 , G02F1/13318 , G02F1/13454 , G02F2001/133388 , H01L27/3227
摘要：本發明提供一種UV光感測器,其係以折射率範圍為約1.7至約2.5之富矽介電層當作感光材料,設於UV光感測下電極與UV光感測上電極之間。本發明UV光感測器之製作方法可整合於半導體或平面顯示面板之製程中。
简体摘要：本发明提供一种UV光传感器,其系以折射率范围为约1.7至约2.5之富硅介电层当作感光材料,设于UV光传感下电极与UV光传感上电极之间。本发明UV光传感器之制作方法可集成于半导体或平面显示皮肤之制程中。

18. 发明专利

TW200945566A 光偵測半導體裝置、光偵測器及影像顯示裝置 PHOTODETECTION SEMICONDUCTOR DEVICE, PHOTODETECTOR, AND IMAGE DISPLAY DEVICE 审中-公开
简体标题：光侦测半导体设备、光侦测器及影像显示设备 PHOTODETECTION SEMICONDUCTOR DEVICE, PHOTODETECTOR, AND IMAGE DISPLAY DEVICE
公开(公告)号：TW200945566A
公开(公告)日：2009-11-01
申请号：TW097150273
申请日：2008-12-23
申请人：精工電子有限公司
发明人：近江俊彥 , 中田太郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/101 , G01J1/02 , G01J1/0209 , G01J1/0214 , G01J1/04 , G01J1/0437 , G01J1/0488 , G01J1/18 , G01J1/4228 , G01J1/46 , H01L27/14645
摘要：使要被偵測的光透射以及具有導電率的屏蔽係配置於光二極體（1及2）的光接收表面上，以及防止從外界進入的電磁波對光二極體（1及2）感應出電荷。二種具有視光波長而定的透光率之濾光器係分別設置於光二極體（1及2）的光接收表面上，以取得它們的光譜特性之間的差異。舉例而言，屏蔽及濾光器可以由多晶矽或具有給定導電率型的半導體薄膜所製成，並且可以藉由將這些製程併入半導體製程中而很容易地製造屏蔽及濾光器。
简体摘要：使要被侦测的光透射以及具有导电率的屏蔽系配置于光二极管（1及2）的光接收表面上，以及防止从外界进入的电磁波对光二极管（1及2）感应出电荷。二种具有视光波长而定的透光率之滤光器系分别设置于光二极管（1及2）的光接收表面上，以取得它们的光谱特性之间的差异。举例而言，屏蔽及滤光器可以由多晶硅或具有给定导电率型的半导体薄膜所制成，并且可以借由将这些制程并入半导体制程中而很容易地制造屏蔽及滤光器。

19. 发明专利

TW200943568A 光檢測裝置及影像顯示裝置审中-公开
简体标题：光检测设备及影像显示设备
公开(公告)号：TW200943568A
公开(公告)日：2009-10-16
申请号：TW097150684
申请日：2008-12-25
申请人：精工電子有限公司
发明人：近江俊彥 , 中田太郎
IPC分类号： H01L , G01J
CPC分类号： H01L31/101 , G01J1/02 , G01J1/0209 , G01J1/0214 , G01J1/0488 , G01J1/18 , G01J1/32 , G01J1/4204 , G01J1/4228 , G01J1/44 , G02F2201/58
摘要：提供一種小型且感度良好的光檢測裝置。光檢測裝置（10），係將分光特性相異之光電二極體（1）、（2）之陰極（cathode）端子、或設置濾光器之光電二極體（1）與設置遮光層之光電二極體（2）設為開放端狀態，由一定時間之間在該等被蓄積之電荷之差分檢測出所要求之波長區域之光強度。光電二極體（1）、（2），因為蓄積電荷之方式，即使光電流小也能夠得到蓄積該處供檢測所必要之電荷，且能謀求形成光電二極體（1）、（2）之半導體裝置之小型化．高檢知能力化。此外，隨光強度使電荷之蓄積時間成為可變一面能實現較廣的動態範圍，一面可使差分檢測在差分檢測時間歇驅動必要的要素以抑制電力消耗量，或者，能夠平均化輸出減低閃爍（flicker）之影響。
简体摘要：提供一种小型且感度良好的光检测设备。光检测设备（10），系将分光特性相异之光电二极管（1）、（2）之阴极（cathode）端子、或设置滤光器之光电二极管（1）与设置遮光层之光电二极管（2）设为开放端状态，由一定时间之间在该等被蓄积之电荷之差分检测出所要求之波长区域之光强度。光电二极管（1）、（2），因为蓄积电荷之方式，即使光电流小也能够得到蓄积该处供检测所必要之电荷，且能谋求形成光电二极管（1）、（2）之半导体设备之小型化．高检知能力化。此外，随光强度使电荷之蓄积时间成为可变一面能实现较广的动态范围，一面可使差分检测在差分检测时间歇驱动必要的要素以抑制电力消耗量，或者，能够平均化输出减低闪烁（flicker）之影响。

20. 发明专利

TW200717785A 低雜訊半導體光感測器 LOW-NOISE SEMICONDUCTOR PHOTODETECTORS 审中-公开
简体标题：低噪声半导体光传感器 LOW-NOISE SEMICONDUCTOR PHOTODETECTORS
公开(公告)号：TW200717785A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW095131023
申请日：2006-08-23
申请人：諾伯裝置科技公司 NOBLE DEVICE TECHNOLOGIES CORP.
发明人：科諾S 雷弗堤 RAFFERTY, CONOR S. , 克里弗德亞倫金 KING, CLIFFORD ALAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0352 , H01L27/14649 , H01L31/03529 , H01L31/101 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種光感測器,其係由一實質上為介電表面所包圍之半導體材料主體所形成。對至少一表面實施一鈍化處理,以減少於該表面上載子產生與復合的速率。光電流係從至少一電性接點讀出,該電性接點係形成於一摻雜區域上,其之表面全部位於一鈍化表面上。來自未經鈍化表面之不需要的洩漏電流係透過以下方法的其中一者而減輕。(a)該未經鈍化表面係以至少二接面而與該光收集接點分離;(b)使該未經鈍化表面經摻雜而達一極高之位準,其至少與該半導體狀態之導電帶或價能帶密度相等;以及(c)藉由施加一電場而於該未經鈍化表面上形成一累積或反轉層。對所有摻雜區域製造電性接點,並施加偏壓,使得一反向偏壓在全部接面上得以維持。
简体摘要：本发明揭示一种光传感器,其系由一实质上为介电表面所包围之半导体材料主体所形成。对至少一表面实施一钝化处理,以减少于该表面上载子产生与复合的速率。光电流系从至少一电性接点读出,该电性接点系形成于一掺杂区域上,其之表面全部位于一钝化表面上。来自未经钝化表面之不需要的泄漏电流系透过以下方法的其中一者而减轻。(a)该未经钝化表面系以至少二接面而与该光收集接点分离;(b)使该未经钝化表面经掺杂而达一极高之位准,其至少与该半导体状态之导电带或价能带密度相等;以及(c)借由施加一电场而于该未经钝化表面上形成一累积或反转层。对所有掺杂区域制造电性接点,并施加偏压,使得一反向偏压在全部接面上得以维持。

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