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1. 发明专利

TW200739929A 具增加響應及降低雜散光之半導體光子裝置 SEMICONDUCTOR PHOTONIC DEVICES WITH ENHANCED RESPONSIVITY AND REDUCED STRAY LIGHT 审中-公开
简体标题：具增加响应及降低杂散光之半导体光子设备 SEMICONDUCTOR PHOTONIC DEVICES WITH ENHANCED RESPONSIVITY AND REDUCED STRAY LIGHT
公开(公告)号：TW200739929A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW096104927
申请日：2007-02-09
申请人：諾伯裝置科技公司 NOBLE DEVICE TECHNOLOGIES CORP.
发明人：科諾S 雷弗堤 RAFFERTY, CONOR S. , 克里弗德亞倫金 KING, CLIFFORD ALAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/14623 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L27/14685 , H01L31/02164
摘要：本發明揭示一種具增加響應及降低雜散光之半導體光子裝置。依據本發明,一光子裝置包含一半導體基板,該半導體基板包括:至少一電路組件,其包含一金屬矽化物層;以及一覆蓋層,其包括至少一光響應組件。該金屬矽化物層係置放於該電路組件與該光響應組件之間以防止穿透該光響應組件的光進入該電路組件。該矽化物層有利地將該光反射回進入該光響應元件。此外,該覆蓋層可包括一或多個反射層以減少進入該光響應組件的斜射光。在一有利的具體實施例中,該基板包含:單晶矽,其包括一或多個絕緣閘極場效電晶體(IGFET);及/或電容器,而該光響應元件包含以磊晶方式由該矽上的晶種生長之鍺及/或鍺合金。該金屬矽化物層可包含該IGFET之閘極及/或該電容器之一電極。
简体摘要：本发明揭示一种具增加响应及降低杂散光之半导体光子设备。依据本发明,一光子设备包含一半导体基板,该半导体基板包括:至少一电路组件,其包含一金属硅化物层;以及一覆盖层,其包括至少一光响应组件。该金属硅化物层系置放于该电路组件与该光响应组件之间以防止穿透该光响应组件的光进入该电路组件。该硅化物层有利地将该光反射回进入该光响应组件。此外,该覆盖层可包括一或多个反射层以减少进入该光响应组件的斜射光。在一有利的具体实施例中,该基板包含:单晶硅,其包括一或多个绝缘闸极场效应管(IGFET);及/或电容器,而该光响应组件包含以磊晶方式由该硅上的晶种生长之锗及/或锗合金。该金属硅化物层可包含该IGFET之闸极及/或该电容器之一电极。

2. 发明专利

TW200717785A 低雜訊半導體光感測器 LOW-NOISE SEMICONDUCTOR PHOTODETECTORS 审中-公开
简体标题：低噪声半导体光传感器 LOW-NOISE SEMICONDUCTOR PHOTODETECTORS
公开(公告)号：TW200717785A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW095131023
申请日：2006-08-23
申请人：諾伯裝置科技公司 NOBLE DEVICE TECHNOLOGIES CORP.
发明人：科諾S 雷弗堤 RAFFERTY, CONOR S. , 克里弗德亞倫金 KING, CLIFFORD ALAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/0352 , H01L27/14649 , H01L31/03529 , H01L31/101 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示一種光感測器,其係由一實質上為介電表面所包圍之半導體材料主體所形成。對至少一表面實施一鈍化處理,以減少於該表面上載子產生與復合的速率。光電流係從至少一電性接點讀出,該電性接點係形成於一摻雜區域上,其之表面全部位於一鈍化表面上。來自未經鈍化表面之不需要的洩漏電流係透過以下方法的其中一者而減輕。(a)該未經鈍化表面係以至少二接面而與該光收集接點分離;(b)使該未經鈍化表面經摻雜而達一極高之位準,其至少與該半導體狀態之導電帶或價能帶密度相等;以及(c)藉由施加一電場而於該未經鈍化表面上形成一累積或反轉層。對所有摻雜區域製造電性接點,並施加偏壓,使得一反向偏壓在全部接面上得以維持。
简体摘要：本发明揭示一种光传感器,其系由一实质上为介电表面所包围之半导体材料主体所形成。对至少一表面实施一钝化处理,以减少于该表面上载子产生与复合的速率。光电流系从至少一电性接点读出,该电性接点系形成于一掺杂区域上,其之表面全部位于一钝化表面上。来自未经钝化表面之不需要的泄漏电流系透过以下方法的其中一者而减轻。(a)该未经钝化表面系以至少二接面而与该光收集接点分离;(b)使该未经钝化表面经掺杂而达一极高之位准,其至少与该半导体状态之导电带或价能带密度相等;以及(c)借由施加一电场而于该未经钝化表面上形成一累积或反转层。对所有掺杂区域制造电性接点,并施加偏压,使得一反向偏压在全部接面上得以维持。

3. 发明专利

TW200731789A 適應性固態影像感測器 ADAPTIVE SOLID STATE IMAGE SENSOR 审中-公开
简体标题：适应性固态影像传感器 ADAPTIVE SOLID STATE IMAGE SENSOR
公开(公告)号：TW200731789A
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：TW095130513
申请日：2006-08-18
申请人：諾伯裝置科技公司 NOBLE DEVICE TECHNOLOGIES CORP.
发明人：布萊恩D 艾克蘭德 ACKLAND, BRYAN D. , 克萊弗德艾倫金 KING, CLIFFORD ALAN , 科諾S 雷弗堤 RAFFERTY, CONOR S.
IPC分类号： H04N
CPC分类号： H04N5/33 , H04N5/332 , H04N9/045
摘要：本發明揭示一種改良型單石固態成像器,其包含:複數個分別為不同種類像素之子陣列;一可選的濾色片鑲嵌圖案,其包含濾色片與透明元件;以及電路,其係用於處理該等像素之輸出。該等不同種類的像素分別回應不同的光譜範圍。有利的係,該等不同種類的像素可選自:1)SWIR像素,其回應在約800至1800 nm範圍內之短波長紅外線(SWIR);2)規則像素,其回應可見光及NIR輻射(400至1000 nm);以及3)寬頻像素,其回應可見光、NIR及SWIR輻射。
简体摘要：本发明揭示一种改良型单石固态成像器,其包含:复数个分别为不同种类像素之子数组;一可选的滤色片镶嵌图案,其包含滤色片与透明组件;以及电路,其系用于处理该等像素之输出。该等不同种类的像素分别回应不同的光谱范围。有利的系,该等不同种类的像素可选自:1)SWIR像素,其回应在约800至1800 nm范围内之短波长红外线(SWIR);2)守则像素,其回应可见光及NIR辐射(400至1000 nm);以及3)宽带像素,其回应可见光、NIR及SWIR辐射。

4. 发明专利

TW200717773A 用於使用雙半導體形成積體電路之方法 METHOD FOR FORMING INTEGRATED CIRCUIT UTILIZING DUAL SEMICONDUCTORS 审中-公开
简体标题：用于使用双半导体形成集成电路之方法 METHOD FOR FORMING INTEGRATED CIRCUIT UTILIZING DUAL SEMICONDUCTORS
公开(公告)号：TW200717773A
公开(公告)日：2007-05-01
申请号：TW095133098
申请日：2006-09-07
申请人：諾伯裝置科技公司 NOBLE DEVICE TECHNOLOGIES CORP.
发明人：科諾S 雷弗堤 RAFFERTY, CONOR S. , 克里弗德亞倫金 KING, CLIFFORD ALAN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8221 , H01L27/0688
摘要：本發明揭示一種使用藉由一介電層分離之二不同半導體層之單石積體電子電路。在該上半導體層內所形成之電晶體係經由傳統佈線而連接至在該下半導體層內所形成之電晶體。較佳的係,一電晶體層為一極性,N型或P型,而第二電晶體層為相反極性。
简体摘要：本发明揭示一种使用借由一介电层分离之二不同半导体层之单石积体电子电路。在该上半导体层内所形成之晶体管系经由传统布线而连接至在该下半导体层内所形成之晶体管。较佳的系,一晶体管层为一极性,N型或P型,而第二晶体管层为相反极性。

5. 发明专利

TW200822707A 用於高動態範圍讀取之混合式類比及數位像素 MIXED ANALOG AND DIGITAL PIXEL FOR HIGH DYNAMIC RANGE READOUT 审中-公开
简体标题：用于高动态范围读取之混合式模拟及数码像素 MIXED ANALOG AND DIGITAL PIXEL FOR HIGH DYNAMIC RANGE READOUT
公开(公告)号：TW200822707A
公开(公告)日：2008-05-16
申请号：TW096123924
申请日：2007-06-28
申请人：美商諾伯裝置科技公司 NOBLE DEVICE TECHNOLOGIES CORP.
发明人：布萊恩D 艾克蘭德 ACKLAND, BRYAN D.
IPC分类号： H04N
CPC分类号： H04N5/3742 , H04N5/3559 , H04N5/3745
摘要：本發明提供一種經改良CMOS像素,其具有類比與數位讀取之組合,以藉由使用一比較器在一系列成指數增加的暴露時間處測試累積電荷之値來提供一大的像素動態範圍,而不損害低光效能。該測試用以在累積類比電壓已達到一預定臨限値時停止光電流之整合。在成指數增加的暴露週期中之每一者下讀取(數位地)像素之測試的1位元輸出値。在整合週期之末期,使用習知CMOS有效像素讀取電路讀取儲存於整合電容器上之類比値。
简体摘要：本发明提供一种经改良CMOS像素,其具有模拟与数码读取之组合,以借由使用一比较器在一系列成指数增加的暴露时间处测试累积电荷之値来提供一大的像素动态范围,而不损害低光性能。该测试用以在累积模拟电压已达到一预定临限値时停止光电流之集成。在成指数增加的暴露周期中之每一者下读取(数码地)像素之测试的1比特输出値。在集成周期之末期,使用习知CMOS有效像素读取电路读取存储于集成电容器上之模拟値。

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