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12. 发明专利

TWI552182B 低電感積體電容組件有权
简体标题：低电感积体电容组件
公开(公告)号：TWI552182B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW099145184
申请日：2010-12-22
申请人：世勘有限公司 , SPECSCAN SDN. BHD.
发明人：劉金生 , LOW, KUM SANG , 伍國富 , NG, ALBERT KOK FOO , 劉智雄 , LOW, CHEE HOONG , 劉金文 , LOW, KUM WAN , 馬哈戴文大衛 , MAHADEVAN, DAVID , 謝晉揚 , CHIA, CHIN YANG , 張鍵和 , CHEONG, KEAN PHOE
IPC分类号： H01G4/38
CPC分类号： H01G4/26 , H01G4/232 , H01G4/30 , H01G4/38

13. 发明专利

TW201535671A 在多晶片模組中用於提供電容之裝置及方法审中-公开
简体标题：在多芯片模块中用于提供电容之设备及方法
公开(公告)号：TW201535671A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW104118204
申请日：2013-01-25
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：荷利斯提摩西M , HOLLIS, TIMOTHY M.
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/52 , H01G4/38
CPC分类号： H03K3/013 , H01G4/228 , H01G4/33 , H01G4/38 , H01L23/481 , H01L23/5223 , H01L23/642 , H01L27/10852 , H01L28/40 , H01L2924/0002 , H05K7/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：本發明揭示在一多晶片模組中將電容提供至一電源供應器電壓之裝置、多晶片模組、電容晶片及方法。在一實例性多晶片模組中，一信號分佈組件可經組態以提供一電源供應器電壓。一電容晶片可耦合至該信號分佈組件且包含複數個電容單元。該電容晶片可經組態以將一電容提供至該電源供應器電壓。該複數個電容單元可由記憶體胞電容器形成。
简体摘要：本发明揭示在一多芯片模块中将电容提供至一电源供应器电压之设备、多芯片模块、电容芯片及方法。在一实例性多芯片模块中，一信号分布组件可经组态以提供一电源供应器电压。一电容芯片可耦合至该信号分布组件且包含复数个电容单元。该电容芯片可经组态以将一电容提供至该电源供应器电压。该复数个电容单元可由内存胞电容器形成。

14. 发明专利

TW201436246A 具有最小頂板寄生電容之可堆疊的高密度金屬－氧化物－金屬電容器审中-公开
简体标题：具有最小顶板寄生电容之可堆栈的高密度金属－氧化物－金属电容器
公开(公告)号：TW201436246A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102143279
申请日：2013-11-27
申请人：馬維爾國際貿易有限公司 , MARVELL WORLD TRADE LTD.
发明人：林宏昇 , LIN, HUNG-SHENG , 王曉悅 , WANG, XIAO-YUE
IPC分类号： H01L29/92
CPC分类号： H01L28/60 , H01G4/005 , H01G4/10 , H01G4/228 , H01G4/38 , H01L23/5223 , H01L28/82 , H01L28/87 , H01L28/91 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種可堆疊的高密度金屬-氧化物-金屬電容器，包含沿第一軸在基底上堆疊的複數個第一導體及第二導體。第一軸與基底落在其上的平面垂直。在複數個第一導體及第二導體中，每個導體由沿第一軸佈置的一個或多個第一過孔連接到相鄰導體。複數個第一導體及第二導體沿(i)與第一軸垂直且(ii)與基底落在其上的平面平行的第二軸平行佈置。複數個第一導體分別落在(i)與第一軸垂直且(ii)與基底落在其上的平面平行的複數個平面上。複數個第二導體分別落在複數個平面上。電容沿複數個平面形成於複數個第一導體與第二導體之間。
简体摘要：一种可堆栈的高密度金属-氧化物-金属电容器，包含沿第一轴在基底上堆栈的复数个第一导体及第二导体。第一轴与基底落在其上的平面垂直。在复数个第一导体及第二导体中，每个导体由沿第一轴布置的一个或多个第一过孔连接到相邻导体。复数个第一导体及第二导体沿(i)与第一轴垂直且(ii)与基底落在其上的平面平行的第二轴平行布置。复数个第一导体分别落在(i)与第一轴垂直且(ii)与基底落在其上的平面平行的复数个平面上。复数个第二导体分别落在复数个平面上。电容沿复数个平面形成于复数个第一导体与第二导体之间。

15. 发明专利

TWI450290B 電子零件有权
简体标题：电子零件
公开(公告)号：TWI450290B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW101129333
申请日：2012-02-10
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：佐佐木宏幸 , SASAKI, HIROYUKI , 田丸育生 , TAMARU, IKUO
IPC分类号： H01G4/40 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/30 , H01G4/38 , H03H7/0115 , H03H7/075 , H03H7/1708 , H03H7/1775 , H03H2001/0085 , H05K1/162

16. 发明专利

TW201432750A 電容器堆以及電氣組件之形成方法和多層式陶瓷電容器之形成方法审中-公开
简体标题：电容器堆以及电气组件之形成方法和多层式陶瓷电容器之形成方法
公开(公告)号：TW201432750A
公开(公告)日：2014-08-16
申请号：TW102142746
申请日：2013-11-25
申请人：凱邁特電子公司 , KEMET ELECTRONICS CORPORATION
发明人：麥康奈爾約翰 , MCCONNELL, JOHN E. , 巴堤圖德約翰 , BULTITUDE, JOHN , 希爾亞倫 , HILL, R. ALLEN , 雷諾蓋瑞 , RENNER, GARRRY L.
IPC分类号： H01G4/38 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC分类号： H01G4/12 , H01G4/232 , H01G4/2325 , H01G4/30 , H01G4/38
摘要：本案提供成堆之MLCC電容器，其中電容器堆包括多層式陶瓷電容器，其中各多層式陶瓷電容器包括第一電極和第二電極，呈交錯堆，在各第一電極和各相鄰第二電極間有介電質。第一電極到第一側終止，而第二電極到第二側。第一暫態液相燒結導電層在第一側，與各第一電極呈電氣接觸；而第二暫態液相導電層在第二側，與各第二電極呈電氣接觸。
简体摘要：本案提供成堆之MLCC电容器，其中电容器堆包括多层式陶瓷电容器，其中各多层式陶瓷电容器包括第一电极和第二电极，呈交错堆，在各第一电极和各相邻第二电极间有介电质。第一电极到第一侧终止，而第二电极到第二侧。第一暂态液相烧结导电层在第一侧，与各第一电极呈电气接触；而第二暂态液相导电层在第二侧，与各第二电极呈电气接触。

17. 发明专利

TWI442428B 可堆疊電容及具有該可堆疊電容的電容堆疊結構失效
简体标题：可堆栈电容及具有该可堆栈电容的电容堆栈结构
公开(公告)号：TWI442428B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW100112105
申请日：2011-04-07
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：賴俊安 , LAI, CHUN AN
IPC分类号： H01G4/002 , H01G4/38
CPC分类号： H01G2/06 , H01G4/30 , H01G4/38 , H01G9/14 , H01G11/12 , H05K1/181 , H05K3/301 , H05K2201/10015 , H05K2201/10515 , H05K2203/167 , Y02E60/13 , Y02P70/611

18. 发明专利

TWI384511B 低電感電容，組裝低電感電容之方法及含有低電感電容之系統有权
简体标题：低电感电容，组装低电感电容之方法及含有低电感电容之系统
公开(公告)号：TWI384511B
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW096123564
申请日：2007-06-28
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：萊理摩斯利 , MOSELY, LARRY E. , 克里夫韓瑞克 , HENDRICKS, CLIVE R.
IPC分类号： H01G4/30
CPC分类号： H01G4/38 , H01G4/232 , H01G4/30 , H01G4/35 , H01L2224/0554 , H01L2224/0557 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/16225 , H01L2924/00014 , H01L2924/01019 , H01L2924/19105 , H01L2924/3011 , H05K1/0231 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556

19. 发明专利

TW201250984A 電容陣列基板 CAPACITOR ARRAY SUBSTRATE 审中-公开
简体标题：电容数组基板 CAPACITOR ARRAY SUBSTRATE
公开(公告)号：TW201250984A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW100119880
申请日：2011-06-07
申请人：聯詠科技股份有限公司
发明人：鄧永佳 , 林清淳 , 黃浩然 , 盧佑宗 , 蔡竣傑 , 張岑瑋
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01G4/38 , H01G2/02
摘要：一種電容陣列基板,包括一基板、多條第一走線、多條第二走線、多個電容器、多條連接線以及多條訊號線。基板具有一第一側、一第二側與一第三側。第一側連接第二側。第一側連接第三側。第一走線互相平行地配置於基板。各第一走線不垂直也不平行第一側。第二走線互相平行地配置於基板。電容器配置於基板,位於第一走線與第二走線的交會處,且連接第一走線與第二走線。連接線配置於基板的第二側與第三側,每條連接線連接一條第一走線與一條第二走線。訊號線配置於基板。每條訊號線連接一條第一走線或一條第二走線,並從第一側傳輸訊號。
简体摘要：一种电容数组基板,包括一基板、多条第一走线、多条第二走线、多个电容器、多条连接线以及多条信号线。基板具有一第一侧、一第二侧与一第三侧。第一侧连接第二侧。第一侧连接第三侧。第一走线互相平行地配置于基板。各第一走线不垂直也不平行第一侧。第二走线互相平行地配置于基板。电容器配置于基板,位于第一走线与第二走线的交会处,且连接第一走线与第二走线。连接线配置于基板的第二侧与第三侧,每条连接线连接一条第一走线与一条第二走线。信号线配置于基板。每条信号线连接一条第一走线或一条第二走线,并从第一侧传输信号。

20. 发明专利

TW201027577A 平行板磁性電容器 PARALLEL PLATE MAGNETIC CAPACITOR 审中-公开
简体标题：平行板磁性电容器 PARALLEL PLATE MAGNETIC CAPACITOR
公开(公告)号：TW201027577A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW099100586
申请日：2010-01-11
申请人：北極光股份有限公司
发明人：賴錡
IPC分类号： H01G
CPC分类号： H01G4/30 , H01G4/008 , H01G4/38
摘要：一種平行板磁性電容器包含:一第一導電磁性金屬具有一第一上指狀結構位於一上平面,以及一第一下指狀結構位於一下平面,一第二導電磁性金屬具有一第二上指狀結構以及一第二下指狀結構。該第二上指狀結構位於該上平面且係位於該第一上指狀結構旁而形成一第一界面,並位於該第一下指狀結構之上而形成一第二界面。該第二下指狀結構位於該下平面且係位於該第一下指狀結構旁而形成一第三界面,並位於該第一上指狀結構之下而形成一第四界面。一介電層位於該第一界面、該第二界面、該第三界面以及該第四界面之中。
简体摘要：一种平行板磁性电容器包含:一第一导电磁性金属具有一第一上指状结构位于一上平面,以及一第一下指状结构位于一下平面,一第二导电磁性金属具有一第二上指状结构以及一第二下指状结构。该第二上指状结构位于该上平面且系位于该第一上指状结构旁而形成一第一界面,并位于该第一下指状结构之上而形成一第二界面。该第二下指状结构位于该下平面且系位于该第一下指状结构旁而形成一第三界面,并位于该第一上指状结构之下而形成一第四界面。一介电层位于该第一界面、该第二界面、该第三界面以及该第四界面之中。

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