专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

11. 发明专利

TWI327770B 經覆蓋之感測器 CAPPED SENSOR 有权
简体标题：经覆盖之传感器 CAPPED SENSOR
公开(公告)号：TWI327770B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：TW094102387
申请日：2005-01-27
申请人：亞德諾公司
发明人：周顯良 , 費倫斯 , 秦約翰 , 朱麥克 , 馬約翰
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B81B7/0041 , B81B2201/0235 , B81C2203/0109 , B81C2203/0136 , B81C2203/019 , G01K1/08 , G01P1/023 , G01P15/008 , G01P15/0802
摘要：一感測器元件經結合或其他方式在一感測器元件上形成一蓋而被覆蓋。感測器可經由使用一氣密蓋及氣密結合材料或是經由施加一氣密塗層而被氣密地密封。該感測器可被充填一處於一升高壓力的氣體。該感測器可做另一選擇或是除上述之外更被充填一特殊氣體，譬如一具有約高於0.2之密度－黏度比的氣體。
简体摘要：一传感器组件经结合或其他方式在一传感器组件上形成一盖而被覆盖。传感器可经由使用一气密盖及气密结合材料或是经由施加一气密涂层而被气密地密封。该传感器可被充填一处于一升高压力的气体。该传感器可做另一选择或是除上述之外更被充填一特殊气体，譬如一具有约高于0.2之密度－黏度比的气体。

12. 发明专利

TWI320944B 製作可平衡氣體壓力之流道的方法 METHOD FOR FABRICATING FLOW CHANNEL CAPABLE OF BALANCING AIR PRESSURE 失效
简体标题：制作可平衡气体压力之流道的方法 METHOD FOR FABRICATING FLOW CHANNEL CAPABLE OF BALANCING AIR PRESSURE
公开(公告)号：TWI320944B
公开(公告)日：2010-02-21
申请号：TW095139015
申请日：2006-10-23
申请人：探微科技股份有限公司
发明人：張宏達
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B81B7/0051 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , Y10T29/49124
摘要：一種製作可平衡氣體壓力之流道的方法。首先提供一元件晶圓，並於元件晶圓之正面形成複數個腔體，且腔體之間未互相導通。隨後於元件晶圓之正面形成複數條流道，且腔體藉由流道而互相導通。接著將元件晶圓之正面貼附於一承載晶圓上，且藉由流道使腔體內之壓力與腔體外之壓力達到平衡。 A method for fabricating flow channel capable of balancing air pressure. A device wafer is provided, and a plurality of chambers not conducting to each other are formed on the front surface of the device wafer. Subsequently, a plurality of flow channels are formed on the front surface of the device wafer, and the chambers are conducting to each other by virtue of the flow channels. The front surface of the device wafer is then adhered to a carrier wafer. The pressure inside the chambers and that outside the chambers is therefore balanced. 【創作特點】本發明之目的之一在於提供一種製作可平衡氣體壓力之流道的方法，以提升雙面製程之良率。
根據本發明之一較佳實施例，係提供一種製作可平衡氣體壓力之流道的方法。首先提供一元件晶圓，該元件晶圓包含有一正面。接著對該元件晶圓進行一正面製程，該正面製程包含於該元件晶圓之該正面形成複數個腔體，且該等腔體之間未互相導通。隨後於該元件晶圓之該正面形成複數條流道，且該等腔體藉由該等流道而互相導通。接著提供一承載晶圓，並將該元件晶圓之該正面貼附於該承載晶圓上。該承載晶圓覆蓋於該元件晶圓之該等腔體上，且藉由該等流道使該等腔體內之壓力與該等腔體外之壓力達到平衡。
為了使貴審查委員能更近一步了解本發明之特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明之詳細說明與附圖。然而所附圖式僅供參考與輔助說明用，並非用來對本發明加以限制者。
简体摘要：一种制作可平衡气体压力之流道的方法。首先提供一组件晶圆，并于组件晶圆之正面形成复数个腔体，且腔体之间未互相导通。随后于组件晶圆之正面形成复数条流道，且腔体借由流道而互相导通。接着将组件晶圆之正面贴附于一承载晶圆上，且借由流道使腔体内之压力与腔体外之压力达到平衡。 A method for fabricating flow channel capable of balancing air pressure. A device wafer is provided, and a plurality of chambers not conducting to each other are formed on the front surface of the device wafer. Subsequently, a plurality of flow channels are formed on the front surface of the device wafer, and the chambers are conducting to each other by virtue of the flow channels. The front surface of the device wafer is then adhered to a carrier wafer. The pressure inside the chambers and that outside the chambers is therefore balanced. 【创作特点】本发明之目的之一在于提供一种制作可平衡气体压力之流道的方法，以提升双面制程之良率。根据本发明之一较佳实施例，系提供一种制作可平衡气体压力之流道的方法。首先提供一组件晶圆，该组件晶圆包含有一正面。接着对该组件晶圆进行一正面制程，该正面制程包含于该组件晶圆之该正面形成复数个腔体，且该等腔体之间未互相导通。随后于该组件晶圆之该正面形成复数条流道，且该等腔体借由该等流道而互相导通。接着提供一承载晶圆，并将该组件晶圆之该正面贴附于该承载晶圆上。该承载晶圆覆盖于该组件晶圆之该等腔体上，且借由该等流道使该等腔体内之压力与该等腔体外之压力达到平衡。为了使贵审查委员能更近一步了解本发明之特征及技术内容，请参阅以下有关本发明之详细说明与附图。然而所附图式仅供参考与辅助说明用，并非用来对本发明加以限制者。

13. 发明专利

TW200921861A 微機電系統封裝結構 MEMES PACKAGE STRUCTURE 审中-公开
简体标题：微机电系统封装结构 MEMES PACKAGE STRUCTURE
公开(公告)号：TW200921861A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW096142074
申请日：2007-11-07
申请人：日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.
发明人：洪立群 HONG, LI CHING
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B81B7/0041 , B81B2201/047 , B81C2203/0109 , B81C2203/0136 , B81C2203/019 , H01L2224/48091 , H01L2224/8592 , H01L2924/16235 , H01L2924/00014
摘要：一種微機電系統封裝結構,其包括一晶片、一蓋體、一基板、多條導線、一封膠體以及一抗濕氣材料層。晶片具有一作用區,而晶片於作用區設有至少一微機電元件。蓋體覆蓋於晶片上,而基板用以承載晶片以及蓋體。多條導線電性連接基板與晶片之間,而封膠體密封於蓋體之周圍,並顯露蓋體的上表面。抗濕氣材料層覆蓋於封膠體之上,以提高封膠體的密封性及抗濕氣性。
简体摘要：一种微机电系统封装结构,其包括一芯片、一盖体、一基板、多条导线、一封胶体以及一抗湿气材料层。芯片具有一作用区,而芯片于作用区设有至少一微机电组件。盖体覆盖于芯片上,而基板用以承载芯片以及盖体。多条导线电性连接基板与芯片之间,而封胶体密封于盖体之周围,并显露盖体的上表面。抗湿气材料层覆盖于封胶体之上,以提高封胶体的密封性及抗湿气性。

14. 发明专利

TW200733318A 晶圓級封裝結構及其製造方法 WAFER-LEVEL PACKAGE STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR 审中-公开
简体标题：晶圆级封装结构及其制造方法 WAFER-LEVEL PACKAGE STRUCTURE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
公开(公告)号：TW200733318A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095143570
申请日：2006-11-24
申请人：松下電工股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC WORKS, LTD.
发明人：奧戶崇史 OKUDO, TAKAFUMI , 鈴木裕二 SUZUKI, YUJI , 竹川宜志 TAKEGAWA, YOSHIYUKI , 馬場徹 BABA, TORU , 後藤浩嗣 GOTOU, KOUJI , 宮島久和 MIYAJIMA, HISAKAZU , 片岡万士 KATAOKA, KAZUSHI , 西條隆司 SAIJO, TAKASHI
IPC分类号： H01L , B81C
CPC分类号： G01P15/0802 , B81B7/0048 , B81B7/0051 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00269 , B81C2203/0109 , B81C2203/019 , B81C2203/038 , G01P1/023 , G01P15/123 , G01P15/125 , G01P15/18 , G01P2015/0842 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L2224/83895 , H01L2224/83896 , H01L2924/0002 , H01L2924/01079 , H01L2924/00
摘要：本發明可提供一種形成有複數個感測特性之誤差較少的小型感測裝置之晶圓級封裝結構及其製造方法。該晶圓級封裝結構,包含有:具有複數個感測單元之半導體晶圓、及接合於半導體晶圓表面之封裝晶圓;半導體晶圓具有形成於各個感測單元之第一金屬層;封裝晶圓係在與第一金屬層對向之位置具有接合金屬層。半導體晶圓與封裝晶圓之間的接合部,係藉由在常溫下將第一金屬層之活性化表面與接合金屬層之活性化表面間直接接合所形成,所以,可防止因接合部之殘留應力而於感測特性上產生誤差。
简体摘要：本发明可提供一种形成有复数个传感特性之误差较少的小型传感设备之晶圆级封装结构及其制造方法。该晶圆级封装结构,包含有:具有复数个传感单元之半导体晶圆、及接合于半导体晶圆表面之封装晶圆;半导体晶圆具有形成于各个传感单元之第一金属层;封装晶圆系在与第一金属层对向之位置具有接合金属层。半导体晶圆与封装晶圆之间的接合部,系借由在常温下将第一金属层之活性化表面与接合金属层之活性化表面间直接接合所形成,所以,可防止因接合部之残留应力而于传感特性上产生误差。

15. 发明专利

TW200733264A 晶圓級封裝結構之製造方法 METHOD OF PRODUCING UAFER-LEVEL PACKAGE STRUCTURE 审中-公开
简体标题：晶圆级封装结构之制造方法 METHOD OF PRODUCING UAFER-LEVEL PACKAGE STRUCTURE
公开(公告)号：TW200733264A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095143580
申请日：2006-11-24
申请人：松下電工股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC WORKS, LTD.
发明人：奧戶崇史 OKUDO, TAKAFUMI , 鈴木裕二 SUZUKI, YUJI , 竹川宜志 TAKEGAWA, YOSHIYUKI , 馬場徹 BABA, TORU , 後藤浩嗣 GOTOU, KOUJI , 宮島久和 MIYAJIMA, HISAKAZU , 片岡万士 KATAOKA, KAZUSHI , 西條隆司 SAIJO, TAKASHI
IPC分类号： H01L , B81C
CPC分类号： G01P1/023 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81C1/00269 , B81C2203/0109 , B81C2203/019 , B81C2203/038 , G01C19/56 , G01P15/0802 , G01P15/123 , G01P15/18 , G01P2015/0842
摘要：本發明係一種內部形成複數個如加速度感測器及旋轉感測器之小型感測器之晶圓級封裝結構之製造方法。晶圓級封裝結構係由形成複數個感測器單元之半導體晶圓及接合於感測器晶圓之表面之封裝晶圓所構成。利用惰性氣體之電漿、離子束、或原子束於感測器晶圓及封裝晶圓之表面形成表面活性化區域後,在常溫下直接接合半導體晶圓及封裝晶圓之表面活性化區域間,可以防止接合界面之殘留應力所導致之感測器特性誤差。
简体摘要：本发明系一种内部形成复数个如加速度传感器及旋转传感器之小型传感器之晶圆级封装结构之制造方法。晶圆级封装结构系由形成复数个传感器单元之半导体晶圆及接合于传感器晶圆之表面之封装晶圆所构成。利用惰性气体之等离子、离子束、或原子束于传感器晶圆及封装晶圆之表面形成表面活性化区域后,在常温下直接接合半导体晶圆及封装晶圆之表面活性化区域间,可以防止接合界面之残留应力所导致之传感器特性误差。

16. 发明专利

TW200701410A 不透氣密封蓋及其製造方法 HERMETIC SEAL COVER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：不透气密封盖及其制造方法 HERMETIC SEAL COVER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200701410A
公开(公告)日：2007-01-01
申请号：TW095107759
申请日：2006-03-08
申请人：田中貴金屬工業股份有限公司 TANAKA KIKINZOKU KOGYO K. K.
发明人：宮崎兼一 MIYAZAKI, KENICHI , 真野典 MANO, SHINSUKE
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/10 , B81C1/00269 , B81C2203/019 , H01L23/04 , H01L2924/0002 , H01L2924/01079 , Y10T428/12222 , H01L2924/00
摘要：本發明係一種包括密封蓋本體、與在該密封蓋本體表面融接金(Au)-錫(Sn)焊材之不透氣密封蓋,其特徵在於:前述密封蓋本體之被融接金-錫系焊材之面之根據JIS B0601所規定之表面粗細度,係0.005-0.25��m。在此,藉由金-錫焊材最好是在密封蓋本體進行電鍍金之後而被融接,且作成電鍍金之厚度在0.003-0.05��m,而能夠形成在密封時不會發生焊材往封裝內部流入之密封蓋。
简体摘要：本发明系一种包括密封盖本体、与在该密封盖本体表面融接金(Au)-锡(Sn)焊材之不透气密封盖,其特征在于:前述密封盖本体之被融接金-锡系焊材之面之根据JIS B0601所规定之表面粗细度,系0.005-0.25��m。在此,借由金-锡焊材最好是在密封盖本体进行电镀金之后而被融接,且作成电镀金之厚度在0.003-0.05��m,而能够形成在密封时不会发生焊材往封装内部流入之密封盖。

17. 发明专利

TWI233317B 光電裝置之製造方法及製造裝置、光電裝置、電子機器失效
简体标题：光电设备之制造方法及制造设备、光电设备、电子机器
公开(公告)号：TWI233317B
公开(公告)日：2005-05-21
申请号：TW092102780
申请日：2003-02-11
申请人：精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：林建二 HAYASHI, KENJI , 田中繁樹 , 小林英和 KOBAYASHI, HIDEKAZU , 中楯真 NAKADATE, MAKOTO
IPC分类号： H05B
CPC分类号： B81C1/00269 , B81B2201/047 , B81C2203/0109 , B81C2203/019 , B81C2203/032 , G02F1/1339 , H01L51/5246
摘要：本發明係一種光電裝置之製造方法及製造裝置、光電裝置、電子機器，具有配置光電元件之第1之構件，和被覆前述光電元件之第2之構件的光電裝置之製造方法，其中具有以下之工程
(a)於為接合前述第1之構成和前述第2之構件的接合部之第1之範圍及第2之範圍，賦予黏著材料的工程，
和(b)將前述第1之構件和前述第2之構件，藉由前述黏著材料加以接合的工程，
和(c)硬化賦予在前述接合部之前述第1之範圍的前述黏著材料的工程，
和(d)於工程(c)之後，硬化賦予在前述接合部之前述第2之範圍的前述黏著材料的工程；
由此，實現生產性高之光電裝置之製造方法。
简体摘要：本发明系一种光电设备之制造方法及制造设备、光电设备、电子机器，具有配置光电组件之第1之构件，和被覆前述光电组件之第2之构件的光电设备之制造方法，其中具有以下之工程 (a)于为接合前述第1之构成和前述第2之构件的接合部之第1之范围及第2之范围，赋予黏着材料的工程，和(b)将前述第1之构件和前述第2之构件，借由前述黏着材料加以接合的工程，和(c)硬化赋予在前述接合部之前述第1之范围的前述黏着材料的工程，和(d)于工程(c)之后，硬化赋予在前述接合部之前述第2之范围的前述黏着材料的工程；由此，实现生产性高之光电设备之制造方法。

18. 发明专利

TWI611531B 封閉的ＭＥＭＳ裝置之內部電接觸有权
简体标题：封闭的ＭＥＭＳ设备之内部电接触
公开(公告)号：TWI611531B
公开(公告)日：2018-01-11
申请号：TW103103179
申请日：2014-01-28
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：黃克剛 , HUANG, KEGANG , 辛宗祐 , SHIN, JONGWOO , 林馬汀 , LIM, MARTIN , 戴恩曼麥可茱莉安 , DANEMAN, MICHAEL JULIAN , 席格喬瑟夫 , SEEGER, JOSEPH
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： B81C1/00301 , B81B7/0064 , B81B2207/098 , B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/031

19. 发明专利

TWI544581B 氣密封裝包裝的構件及其製造方法與使用該氣密封裝包裝的構件之氣密封裝包裝的製造方法有权
简体标题：气密封装包装的构件及其制造方法与使用该气密封装包装的构件之气密封装包装的制造方法
公开(公告)号：TWI544581B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW103145435
申请日：2014-12-25
申请人：田中貴金屬工業股份有限公司 , TANAKA KIKINZOKU KOGYO K. K.
发明人：小柏俊典 , OGASHIWA, TOSHINORI , 佐佐木裕矢 , SASAKI, YUYA , 宮入正幸 , MIYAIRI, MASAYUKI
IPC分类号： H01L23/10 , H01L23/29
CPC分类号： B81B7/0045 , B81C1/00269 , B81C1/00325 , B81C2203/019 , H01B1/02 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L23/00 , H01L23/10 , H01L24/94 , H01L51/5243 , H01L51/5246 , H01L2924/0002 , H01L2924/10253 , H01L2924/16235 , H01L2924/16598 , H01L2924/167 , H01L2924/00

20. 发明专利

TWI541999B 半導體裝置與其製法有权
简体标题：半导体设备与其制法
公开(公告)号：TWI541999B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW103145408
申请日：2014-12-25
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：張凱峯 , CHANG, KAI FUNG , 蔡連堯 , TSAI, LIEN YAO , 呂聯沂 , LEU, LEN YI
IPC分类号： H01L29/66 , H01L29/84
CPC分类号： B81C1/00269 , B81B3/0051 , B81C2203/0109 , B81C2203/019

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式