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1. 发明专利

TWI427293B 加速度感測器元件及具有它的加速度感測器失效
简体标题：加速度传感器组件及具有它的加速度传感器
公开(公告)号：TWI427293B
公开(公告)日：2014-02-21
申请号：TW099116668
申请日：2010-05-25
申请人：特瑞仕半導體有限公司 , TOREX SEMICONDUCTOR LTD.
发明人：風間敦 , KAZAMA, ATSUSHI , 齋藤正勝 , SAITOH, MASAKATSU , 岡田亮二 , OKADA, RYOJI , 濱口康博 , HAMAGUCHI, YASUHIRO
IPC分类号： G01P15/12 , G01P15/18 , G01P15/08 , H01L29/84
CPC分类号： G01P15/0802 , G01P1/023 , G01P15/123 , G01P15/18

2. 发明专利

TW201336774A 微機械測量元件及用以製造微機械測量元件之方法审中-公开
简体标题：微机械测量组件及用以制造微机械测量组件之方法
公开(公告)号：TW201336774A
公开(公告)日：2013-09-16
申请号：TW102106170
申请日：2013-02-22
申请人： EPCOS AG集團股份公司 , EPCOS AG
发明人：希弗麥可 , SCHIFFER, MICHAEL , 佩施卡安德烈亞斯 , PESCHKA, ANDREAS , 扎普夫喬治 , 偉德納卡爾 , WEIDNER, KARL , 黑德勒哈里 , HEDLER, HARRY
IPC分类号： B81B3/00 , B81C1/00 , G01L9/08
CPC分类号： G01L19/14 , B23K1/0008 , B23K1/0016 , B81B7/007 , B81B2207/092 , B81B2207/096 , G01D11/245 , G01L19/147 , G01L19/148 , G01P1/023 , H01L2224/16225 , H01L2924/10155 , H01L2924/15151
摘要：本發明提供一種微機械測量元件(1)，其具有一感測元件(21)及一載體(3)。該感測元件(21)係藉由至少一第一及至少一第二焊料連接部(41、42)而被連接至該載體(3)，其中，該感測元件(21)係藉由該第一焊料連接部(41)而被電性地接觸。此外，該感測元件(21)、該載體(3)及該第二焊料連接部(42)形成一第一腔室(51)，該第一腔室具有一第一開口(61)。再者，本發明亦提供一種用於製造一微機械測量元件(1)之方法。
简体摘要：本发明提供一种微机械测量组件(1)，其具有一传感组件(21)及一载体(3)。该传感组件(21)系借由至少一第一及至少一第二焊料连接部(41、42)而被连接至该载体(3)，其中，该传感组件(21)系借由该第一焊料连接部(41)而被电性地接触。此外，该传感组件(21)、该载体(3)及该第二焊料连接部(42)形成一第一腔室(51)，该第一腔室具有一第一开口(61)。再者，本发明亦提供一种用于制造一微机械测量组件(1)之方法。

3. 发明专利

TW201209969A 埋設矽配線的玻璃基板及其製造方法 A BURIED SILICON WIRING GLASS SUBSTRATE AND A PROCESS OF MANUFACTURING THEREOF 审中-公开
简体标题：埋设硅配线的玻璃基板及其制造方法 A BURIED SILICON WIRING GLASS SUBSTRATE AND A PROCESS OF MANUFACTURING THEREOF
公开(公告)号：TW201209969A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100110633
申请日：2011-03-28
申请人：松下電工股份有限公司
发明人：奧村真 , 田浦巧 , 中谷友洋
IPC分类号： H01L , G01P
CPC分类号： G01P15/125 , G01P1/023 , G01P2015/0831 , G01P2015/0877 , H01L21/4803 , H01L23/15 , H01L23/5389 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2924/01067 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/00 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755
摘要：本發明提供可任意設定矽配線引出處之埋設矽配線的玻璃基板及其製造方法。該埋設矽配線的玻璃基板係具有反方向之第1主面與第2主面、及側面的埋設矽配線之玻璃基板,包含玻璃基部、及埋設於玻璃基部之內部的矽配線。其中,矽配線包含:第1引出部,露出至第1主面;第2引出部,露出至第1主面、該第2主面或該側面中之任1個面;及連接部,連接第1引出部與該第2引出部之間;且第1引出部與該第2引出部配置於從該第1主面之法線方向觀察為不同的位置。
简体摘要：本发明提供可任意设置硅配线引出处之埋设硅配线的玻璃基板及其制造方法。该埋设硅配线的玻璃基板系具有反方向之第1主面与第2主面、及侧面的埋设硅配线之玻璃基板,包含玻璃基部、及埋设于玻璃基部之内部的硅配线。其中,硅配线包含:第1引出部,露出至第1主面;第2引出部,露出至第1主面、该第2主面或该侧面中之任1个面;及连接部,连接第1引出部与该第2引出部之间;且第1引出部与该第2引出部配置于从该第1主面之法线方向观察为不同的位置。

4. 发明专利

TW201012740A 封囊、具此封囊的微電機械系統，以及作選擇性封囊的方法 VERKAPSELUNG, MEMS SOWIE VERFAHREN ZUM SELEKTIVEN VERKAPSELN 审中-公开
简体标题：封囊、具此封囊的微电机械系统，以及作选择性封囊的方法 VERKAPSELUNG, MEMS SOWIE VERFAHREN ZUM SELEKTIVEN VERKAPSELN
公开(公告)号：TW201012740A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW098125138
申请日：2009-07-27
申请人：羅伯特博斯奇股份有限公司
发明人：羅塔契爾彼得
IPC分类号： B81B , H01L , B81C
CPC分类号： B81C1/00269 , B81C2203/0109 , B81C2203/019 , G01P1/023 , H01L23/3135 , H01L23/315 , H01L2924/0002 , H03H9/1057 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種用於一半導體基板（2）上之靈敏構件結構（3）的封裝，該封裝包括一覆蓋該構件結構（3）的薄膜（5）。根據本發明，該薄膜（5）中設有一用於該構件結構（3）的空穴（8）。本發明此外亦關於一種微電機械系統（1）及一種將一靈敏構件結構（3）封裝的方法。
简体摘要：本发明系关于一种用于一半导体基板（2）上之灵敏构件结构（3）的封装，该封装包括一覆盖该构件结构（3）的薄膜（5）。根据本发明，该薄膜（5）中设有一用于该构件结构（3）的空穴（8）。本发明此外亦关于一种微电机械系统（1）及一种将一灵敏构件结构（3）封装的方法。

5. 发明专利

TW200734645A 位移檢測裝置 DISPLACEMENT DETECTION DEVICE 失效
简体标题：位移检测设备 DISPLACEMENT DETECTION DEVICE
公开(公告)号：TW200734645A
公开(公告)日：2007-09-16
申请号：TW095133871
申请日：2006-09-13
申请人：日立金屬股份有限公司 HITACHI METALS, LTD.
发明人：高田良晶 TAKADA, YOSHIAKI , 落合秀行 OCHIAI, HIDEYUKI , 西野慶一 NISHINO, KEIICHI , 齋藤正勝 SAITOH, MASAKATSU
IPC分类号： G01P , H01L
CPC分类号： G01P1/023 , B81B2201/025 , B81C1/0023 , G01P15/0802 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H01L2924/10253 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明為限制板使用IC晶片的位移檢測裝置,於組裝作業中或使用中有時會有矽晶碎片從不完全缺損部份脫落而對位移檢測裝置的性能造成不良影響。將IC晶圓的背面磨削痕和IC晶片稜線的垂線形成的角度為未滿45度,更好是為10度至45度,如此一來就能夠使包括產生在IC晶片稜線上的不完全缺損在內的缺損減少。能夠避免限制板使用稜線具有碎屑未完全脫落缺損的IC晶片,能夠提供一種可靠性高的位移檢測裝置。
简体摘要：本发明为限制板使用IC芯片的位移检测设备,于组装作业中或使用中有时会有硅晶碎片从不完全缺损部份脱落而对位移检测设备的性能造成不良影响。将IC晶圆的背面磨削痕和IC芯片棱线的垂线形成的角度为未满45度,更好是为10度至45度,如此一来就能够使包括产生在IC芯片棱线上的不完全缺损在内的缺损减少。能够避免限制板使用棱线具有碎屑未完全脱落缺损的IC芯片,能够提供一种可靠性高的位移检测设备。

6. 发明专利

TW200504367A 半導體裝置 SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
简体标题：半导体设备 SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TW200504367A
公开(公告)日：2005-02-01
申请号：TW093104543
申请日：2004-02-24
申请人：三菱電機股份有限公司 MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA
发明人：大谷浩 OTANI, HIROSHI
IPC分类号： G01P , H01L
CPC分类号： H01L23/60 , B81B7/007 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H01L23/552 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/04042 , H01L2224/05 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83805 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/10161 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：本發明提供一種將晶片小型化，並減少因外部干擾之影響而產生之靜電電容變化的半導體裝置。該半導體裝置係將第一半導體裝置(3)以圍住由上基板(1)和下基板(11)間所夾持之區域周緣的方式形成外周框狀，並將第一半導體基板(3)之電位導出部(31)形成於角隅部。將包含該電位導出部(31)之第一半導體基板(3)之角隅部的面積設定為等於或小於其他半導體基板(5、7、9)之電位導出部(36a、36b、40)的面積，以將晶片尺寸小型化。在上基板(1)的表面上等形成導電層，將該導電層固定於接地電位等之固定電位。藉由導電層等遮蔽各半導體基板以免被其他物質之接近或靜電等或電波干擾等之外部干擾所影響。
简体摘要：本发明提供一种将芯片小型化，并减少因外部干扰之影响而产生之静电电容变化的半导体设备。该半导体设备系将第一半导体设备(3)以围住由上基板(1)和下基板(11)间所夹持之区域周缘的方式形成外周框状，并将第一半导体基板(3)之电位导出部(31)形成于角隅部。将包含该电位导出部(31)之第一半导体基板(3)之角隅部的面积设置为等于或小于其他半导体基板(5、7、9)之电位导出部(36a、36b、40)的面积，以将芯片尺寸小型化。在上基板(1)的表面上等形成导电层，将该导电层固定于接地电位等之固定电位。借由导电层等屏蔽各半导体基板以免被其他物质之接近或静电等或电波干扰等之外部干扰所影响。

7. 发明专利

TW200414409A 加速度計之製造方法 METHOD OF MANUFACTURING AN ACCELEROMETER 失效
简体标题：加速度计之制造方法 METHOD OF MANUFACTURING AN ACCELEROMETER
公开(公告)号：TW200414409A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092102358
申请日：2003-01-29
申请人：森法巴股份有限公司 SENSFAB PTE LTD
发明人：崇衛慕 CHONG WAI MUN , 喬金彭丹尼爾 CHIR KIM PONG DANIEL , 卡可奇特衛 KOK KITT WAI , 凱瑟葛馬尚德倫蘇律可馬 KATHIRGAMASUNDARAM SOORIAKUMAR , 布萊恩凱斯巴慕德 BRYAN KEITH PATMON
IPC分类号： H01L , G01P
CPC分类号： B81C1/00269 , B81C2203/0118 , B81C2203/019 , B81C2203/032 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：對於製作在晶圓上之裝置的封裝，是藉由形成結合環圖案在一蓋晶圓上，並在熱壓下將兩晶圓對準結合在一起，使各裝置(20)的操作部分(22)被各自的結合環(21)包圍，又該結合環填滿任何位在裝置頂面並與環交叉的溝槽(25)或舉如導電軌道(23)等其他分隔物以提供封裝；關於加速度計的製造，是對基板(1)頂部作蝕刻以形成至少一個凹穴(5)，後在基板頂部結合一材料中間層(6)，接著於中間層上沉積金屬層(7)，然後蝕刻該金屬層與中間層用以在各凹穴上形成懸垂的感測器構造，又沉積在基板(30)上之較低金屬層的導電軌道(31，32)是呈無電氣連結的交叉於沉積在中間層(35，36)頂部之軌道(37，38)下方，而在中間層下方藉由形成凹穴(33，34)製作橋以提供接納較低的軌道。
简体摘要：对于制作在晶圆上之设备的封装，是借由形成结合环图案在一盖晶圆上，并在热压下将两晶圆对准结合在一起，使各设备(20)的操作部分(22)被各自的结合环(21)包围，又该结合环填满任何位在设备顶面并与环交叉的沟槽(25)或举如导电轨道(23)等其他分隔物以提供封装；关于加速度计的制造，是对基板(1)顶部作蚀刻以形成至少一个凹穴(5)，后在基板顶部结合一材料中间层(6)，接着于中间层上沉积金属层(7)，然后蚀刻该金属层与中间层用以在各凹穴上形成悬垂的传感器构造，又沉积在基板(30)上之较低金属层的导电轨道(31，32)是呈无电气链接的交叉于沉积在中间层(35，36)顶部之轨道(37，38)下方，而在中间层下方借由形成凹穴(33，34)制作桥以提供接纳较低的轨道。

8. 实用新型

TW299898U 加速偵測器失效
简体标题：加速侦测器
公开(公告)号：TW299898U
公开(公告)日：1997-03-01
申请号：TW085201424
申请日：1994-11-18
申请人：松下電工股份有限公司
发明人：小堂正博 , 田中博久 , 竹山英俊 , 西村廣海 , 高見宏之 , 福園秀樹 , ?紀公
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G01P15/18 , G01P1/023 , G01P15/0922 , G01P2015/0828
摘要：施加於選定裝置例如磁碟機系統的加速度可藉著使用具有至少一壓電加速感測器單元的加速偵測器被偵測。感測器單元包括壓電元件，壓電元件的支撐構件，及二電引線。壓電元件具有一對由壓電陶瓷製成的延長片及置於延長片之間的中間絕緣層，以反應於加速偵測器的加速度在延長片之間產生瞬時電壓差。支撐構件是由電絕緣樹脂製成，具有由側壁，底壁，及頂部開口所形成的凹部。側壁設置有縫隙，壓電元件被緊密嚙合於縫隙中，因而將凹部分成二敝開室且由支撐構件以懸臂形式支撐。電引線延伸進入凹部，以造成延長片與電引線之間的電連接。在本發明中，因為可藉著將壓電元件插入縫隙內而將壓電元件以預定方向精確地附著於支撐構件，所以可穩定地供應具有優異的加速度靈敏度的加速偵測器，而不會造成加速度偵測方向的變化。
简体摘要：施加于选定设备例如磁盘机系统的加速度可借着使用具有至少一压电加速传感器单元的加速侦测器被侦测。传感器单元包括压电组件，压电组件的支撑构件，及二电引线。压电组件具有一对由压电陶瓷制成的延长片及置于延长片之间的中间绝缘层，以反应于加速侦测器的加速度在延长片之间产生瞬时电压差。支撑构件是由电绝缘树脂制成，具有由侧壁，底壁，及顶部开口所形成的凹部。侧壁设置有缝隙，压电组件被紧密啮合于缝隙中，因而将凹部分成二敝开室且由支撑构件以悬臂形式支撑。电引线延伸进入凹部，以造成延长片与电引线之间的电连接。在本发明中，因为可借着将压电组件插入缝隙内而将压电组件以预定方向精确地附着于支撑构件，所以可稳定地供应具有优异的加速度灵敏度的加速侦测器，而不会造成加速度侦测方向的变化。

9. 发明专利

TWI506249B 微機電感測裝置有权
简体标题：微机电传感设备
公开(公告)号：TWI506249B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW100113226
申请日：2011-04-15
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：陳榮泰 , CHEN, LUNG TAI , 許郁文 , HSU, YU WEN , 何宗哲 , HO, TZONG CHE , 潘力齊 , PAN, LI CHI
IPC分类号： G01D11/24 , B81B7/00 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00293 , B81C2203/0118 , G01D11/245 , G01L19/0092 , G01L19/147 , G01P1/023 , H01L23/315 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

10. 发明专利

TWI446502B 半導體裝置之製造方法失效
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI446502B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW096136919
申请日：2007-10-02
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：田中茂樹 , TANAKA, SHIGEKI
IPC分类号： H01L23/495 , H01L21/60
CPC分类号： G01P1/023 , G01P15/0802 , H01L21/565 , H01L23/3107 , H01L23/49548 , H01L23/49575 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/85 , H01L2224/48247 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/85 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/181 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

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