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1. 发明专利

TWI691455B 包含接觸層的互補式金屬氧化半導體-微電子機械系統（ＣＭＯＳ-ＭＥＭＳ）積體裝置和製造方法有权
简体标题：包含接触层的互补式金属氧化半导体-微电子机械系统（ＣＭＯＳ-ＭＥＭＳ）积体设备和制造方法
公开(公告)号：TWI691455B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW105117340
申请日：2016-06-02
申请人：美商伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：李大成 , LEE, DAESUNG , 信裘沃 , SHIN, JONGWOO , 信二世中 , SHIN II, JONG , 史麥斯披特 , SMEYS, PETER
IPC分类号： B81C3/00

2. 发明专利

TWI676590B 具有雙腔壓力結構之半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：具有双腔压力结构之半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI676590B
公开(公告)日：2019-11-11
申请号：TW105108103
申请日：2016-03-16
申请人：美商伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：信二世強 , SHIN, II, JONG , 史梅斯彼得 , SMEYS, PETER , 李大成 , LEE, DAESUNG
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00

3. 发明专利

TWI621242B 具有紅外線吸收結構層的氮化鋁（ＡＩＮ）裝置有权
简体标题：具有红外线吸收结构层的氮化铝（ＡＩＮ）设备
公开(公告)号：TWI621242B
公开(公告)日：2018-04-11
申请号：TW103132242
申请日：2014-09-18
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：特沙朱麗絲米林 , TSAI, JULIUS MING-LIN , 丹曼麥可J , DANEMAN, MICHAEL J.
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/28

4. 发明专利

TW201805073A 超音波傳感器之裝置可安裝封裝审中-公开
简体标题：超音波传感器之设备可安装封装
公开(公告)号：TW201805073A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106114623
申请日：2017-05-03
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：蔡明霖 , TSAI, JULIUS MING LIN
IPC分类号： B06B1/02 , B06B1/06 , G06K9/00 , G10K11/30
CPC分类号： G06K9/0002 , B06B1/0292 , B06B1/06 , B06B1/0622 , G06K9/00053 , G06K9/0008 , G10K11/30
摘要：一種電子裝置，包含用於產生及接收超音波訊號之陣列的超音波傳感器，以及覆蓋於該陣列的超音波傳感器之上方之聲波耦合層，其中，該超音波訊號是透過該聲波耦合層而傳播。
简体摘要：一种电子设备，包含用于产生及接收超音波信号之数组的超音波传感器，以及覆盖于该数组的超音波传感器之上方之声波耦合层，其中，该超音波信号是透过该声波耦合层而传播。

5. 发明专利

TW201739074A 使用熔合結合工序在ＣＭＯＳ基板上整合ＡＩＮ超音波傳感器审中-公开
简体标题：使用熔合结合工序在ＣＭＯＳ基板上集成ＡＩＮ超音波传感器
公开(公告)号：TW201739074A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106108194
申请日：2017-03-13
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：信二世強 , SHIN, II, JONG , 史梅斯彼得 , SMEYS, PETER , 辛宗祐 , SHIN, JONGWOO
IPC分类号： H01L41/22
CPC分类号： B81C1/00301 , B06B1/06 , B81B7/007 , B81B2201/0271 , B81C1/00238 , B81C2203/036 , H01L41/113 , H01L41/1138 , H01L41/31
摘要：本文提供了一種方法，包含將在操作基板上的第一氧化物層結合到在互補式金屬氧化物半導體(“CMOS”)上的第二氧化物層，其中該熔合結合形成統一氧化物層，該統一氧化物層包含膜片，該膜片上覆在該CMOS上的空腔。該操作基板被移除離開該統一氧化物層。壓電膜堆疊沉積在該統一氧化物層上方。通孔形成在該壓電膜堆疊和該統一氧化物層中。電接觸層被沉積，其中，該電接觸層將該壓電膜堆疊電連接到在該CMOS上的電極。
简体摘要：本文提供了一种方法，包含将在操作基板上的第一氧化物层结合到在互补式金属氧化物半导体(“CMOS”)上的第二氧化物层，其中该熔合结合形成统一氧化物层，该统一氧化物层包含膜片，该膜片上覆在该CMOS上的空腔。该操作基板被移除离开该统一氧化物层。压电膜堆栈沉积在该统一氧化物层上方。通孔形成在该压电膜堆栈和该统一氧化物层中。电接触层被沉积，其中，该电接触层将该压电膜堆栈电连接到在该CMOS上的电极。

6. 发明专利

TW201709449A 具有選擇性接合墊保護的ＣＭＯＳ－ＭＥＭＳ積體電路裝置审中-公开
简体标题：具有选择性接合垫保护的ＣＭＯＳ－ＭＥＭＳ集成电路设备
公开(公告)号：TW201709449A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105113254
申请日：2016-04-28
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：李大成 , LEE, DAESUNG
IPC分类号： H01L23/488 , B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00801 , B81B7/0025 , B81B2207/07 , B81C2201/053 , B81C2203/0785
摘要：揭露一種用來製備半導體晶圓的方法和系統。在第一態樣中，該方法包含：在該半導體晶圓上的圖案化頂部金屬上方設置鈍化層；使用第一掩膜蝕刻該鈍化層，以在該半導體晶圓中開啟接合墊；在該半導體晶圓上沉積保護層；使用第二掩膜圖案化該保護層；以及使用第三掩膜蝕刻該鈍化層，以在該半導體晶圓中開啟其它電極。該系統包含MEMS裝置，其還包含第一基板和接合至該第一基板的第二基板，其中，該第二基板是由該方法的前述步驟所製備。
简体摘要：揭露一种用来制备半导体晶圆的方法和系统。在第一态样中，该方法包含：在该半导体晶圆上的图案化顶部金属上方设置钝化层；使用第一掩膜蚀刻该钝化层，以在该半导体晶圆中打开接合垫；在该半导体晶圆上沉积保护层；使用第二掩膜图案化该保护层；以及使用第三掩膜蚀刻该钝化层，以在该半导体晶圆中打开其它电极。该系统包含MEMS设备，其还包含第一基板和接合至该第一基板的第二基板，其中，该第二基板是由该方法的前述步骤所制备。

7. 发明专利

TW201704143A 雙腔壓力結構审中-公开
简体标题：双腔压力结构
公开(公告)号：TW201704143A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105108103
申请日：2016-03-16
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：信二世強 , SHIN, II, JONG , 史梅斯彼得 , SMEYS, PETER , 李大成 , LEE, DAESUNG
IPC分类号： B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81B7/02 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2207/012 , B81C1/00214 , B81C1/00293 , B81C2203/0118 , B81C2203/035 , G01P15/0802
摘要：本文提供一種包括形成在處理基板中的溝槽，以及在該溝槽中形成溝槽襯裏的方法。第一腔室和第二腔室形成在該處理基板中，其中該第一腔室係連接到該溝槽。第一MEMS結構和該處理基板被密封以維持該溝槽和該第一腔室之內的第一壓力。第二MEMS結構和該處理基板被密封以維持該第二腔室之內的該第一壓力。該溝槽襯裏的一部分被露出，以及該第一壓力被改變成該第一腔室之內的第二壓力。該第一腔室和該溝槽被密封以維持該溝槽和與第一腔室之內的該第二壓力。
简体摘要：本文提供一种包括形成在处理基板中的沟槽，以及在该沟槽中形成沟槽衬里的方法。第一腔室和第二腔室形成在该处理基板中，其中该第一腔室系连接到该沟槽。第一MEMS结构和该处理基板被密封以维持该沟槽和该第一腔室之内的第一压力。第二MEMS结构和该处理基板被密封以维持该第二腔室之内的该第一压力。该沟槽衬里的一部分被露出，以及该第一压力被改变成该第一腔室之内的第二压力。该第一腔室和该沟槽被密封以维持该沟槽和与第一腔室之内的该第二压力。

8. 发明专利

TWI504281B 具有集成背空腔之微機電系統聲音感測器有权
简体标题：具有集成背空腔之微机电系统声音传感器
公开(公告)号：TWI504281B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW103107216
申请日：2014-03-04
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：阿塔伊爾漢波拉特坎 , ATA, ERHAN POLATKAN , 林馬汀 , LIM, MARTIN , 李翔 , LI, XIANG , 洛依德史戴芬 , LLOYD, STEPHEN , 戴恩曼麥可茱莉安 , DANEMAN, MICHAEL JULIAN
IPC分类号： H04R23/00 , B81B7/02
CPC分类号： B81B7/0061 , B81B3/001 , B81B2201/0257 , B81B2203/053 , B81B2203/058 , B81B2207/012 , H04R19/005

9. 发明专利

TW201517246A 具有紅外線吸收結構層的氮化鋁（ＡＩＮ）裝置审中-公开
简体标题：具有红外线吸收结构层的氮化铝（ＡＩＮ）设备
公开(公告)号：TW201517246A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103132242
申请日：2014-09-18
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：特沙朱麗絲米林 , TSAI, JULIUS MING-LIN , 丹曼麥可J , DANEMAN, MICHAEL J.
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/28
摘要：揭露一種微機電系統裝置，其包含第一矽基板，該第一矽基板包含：操作層，該操作層包含第一表面和第二表面，該第二表面包含腔孔；絕緣層，沉積在該操作層的該第二表面上方；裝置層，具有第三表面和第四表面，其中，該第三表面接合於該絕緣層；壓電層，沉積於該裝置層的該第四表面上方；金屬導電層，設置在該壓電層上方；接合層，設置在一部分該金屬導電層上方；以及間隔，形成在該第一矽基板上；其中，該第一矽基板是接合至第二矽基板，該第二矽基板包含：金屬電極，組構用以在該第一矽基板上所形成的該金屬導電層與該第二矽基板之間形成電性連接。
简体摘要：揭露一种微机电系统设备，其包含第一硅基板，该第一硅基板包含：操作层，该操作层包含第一表面和第二表面，该第二表面包含腔孔；绝缘层，沉积在该操作层的该第二表面上方；设备层，具有第三表面和第四表面，其中，该第三表面接合于该绝缘层；压电层，沉积于该设备层的该第四表面上方；金属导电层，设置在该压电层上方；接合层，设置在一部分该金属导电层上方；以及间隔，形成在该第一硅基板上；其中，该第一硅基板是接合至第二硅基板，该第二硅基板包含：金属电极，组构用以在该第一硅基板上所形成的该金属导电层与该第二硅基板之间形成电性连接。

10. 发明专利

TW201448608A 具有集成背空腔之微機電系統聲音感測器审中-公开
简体标题：具有集成背空腔之微机电系统声音传感器
公开(公告)号：TW201448608A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103107216
申请日：2014-03-04
申请人：伊凡聖斯股份有限公司 , INVENSENSE, INC.
发明人：阿塔伊爾漢波拉特坎 , ATA, ERHAN POLATKAN , 林馬汀 , LIM, MARTIN , 李翔 , LI, XIANG , 洛依德史戴芬 , LLOYD, STEPHEN , 戴恩曼麥可茱莉安 , DANEMAN, MICHAEL JULIAN
IPC分类号： H04R23/00 , B81B7/02
CPC分类号： B81B7/0061 , B81B3/001 , B81B2201/0257 , B81B2203/053 , B81B2203/058 , B81B2207/012 , H04R19/005
摘要：在此揭露了一種微機電系統(micro electro mechanical systems,MEMS)元件。該MEMS元件包括：一具有第一表面和第二表面的第一極板；以及一附接到第一基板上的錨點。該MEMS元件更包括一具有附接到該第一極板上的第三表面和第四表面的第二極板。連接機構將該錨點連接到該第一極板上，其中，在該第一極板的第一表面和第二表面之間存在一聲壓差情況下，該第一極板和第二極板移位。該第一極板、第二極板、連接機構和錨點全都包含在由該第一基板和一第二基板形成的一圍場內，其中，該第一基板和第二基板其中之一包含一通口以使該一極板的該第一表面暴露在環境下。
简体摘要：在此揭露了一种微机电系统(micro electro mechanical systems,MEMS)组件。该MEMS组件包括：一具有第一表面和第二表面的第一极板；以及一附接到第一基板上的锚点。该MEMS组件更包括一具有附接到该第一极板上的第三表面和第四表面的第二极板。连接机构将该锚点连接到该第一极板上，其中，在该第一极板的第一表面和第二表面之间存在一声压差情况下，该第一极板和第二极板移位。该第一极板、第二极板、连接机构和锚点全都包含在由该第一基板和一第二基板形成的一围场内，其中，该第一基板和第二基板其中之一包含一通口以使该一极板的该第一表面暴露在环境下。

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