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1. 发明专利

TWI382439B 驅動一開關之方法及裝置有权
简体标题：驱动一开关之方法及设备
公开(公告)号：TWI382439B
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：TW096149157
申请日：2007-12-21
申请人：亞德諾公司 , ANALOG DEVICES, INC.
发明人：艾丹尼 , ELLIS, DENIS , 古瑞莫 , GOGGIN, RAYMOND
IPC分类号： H01H36/00
CPC分类号： H01H59/0009 , H01H47/001

2. 发明专利

TWI368598B 使厚多晶矽薄膜應用在微機電中為可行之多晶矽沈積及退火過程 POLYSILICON DEPOSITION AND ANNEAL PROCESS ENABLING THICK POLYSILICON FILMS FOR MEMS APPLICATIONS 有权
简体标题：使厚多晶硅薄膜应用在微机电中为可行之多晶硅沉积及退火过程 POLYSILICON DEPOSITION AND ANNEAL PROCESS ENABLING THICK POLYSILICON FILMS FOR MEMS APPLICATIONS
公开(公告)号：TWI368598B
公开(公告)日：2012-07-21
申请号：TW097112551
申请日：2008-04-07
申请人：亞德諾公司
发明人：湯瑪斯
IPC分类号： B81C , H01L
CPC分类号： B81C1/00666 , B81B2201/025 , B81C2201/0164 , B81C2201/0167 , B81C2201/0169
摘要：一種用於微機電元件慣性感測器之形成厚多晶矽薄膜的方法，該方法包含於高溫環境下持續一段時間以在基材上形成第一多晶矽薄膜，至少使接近基材的部分非結晶型多晶矽薄膜進行結晶化及晶粒生長(grain growth)；該方法亦包含在第一多晶矽薄膜形成一氧化層，在約1100℃或更高溫度的環境下對第一非結晶型多晶矽薄膜進行退火以生成一結晶型多晶矽薄膜，並且移除該氧化層；最終，該方法包含於高溫環境下持續一段時間以在該結晶型多晶矽薄膜的表面上形成第二非結晶型多晶矽薄膜，至少使接近該結晶型多晶矽薄膜表面的部分非結晶型多晶矽薄膜進行結晶化及晶粒生長。
简体摘要：一种用于微机电组件惯性传感器之形成厚多晶硅薄膜的方法，该方法包含于高温环境下持续一段时间以在基材上形成第一多晶硅薄膜，至少使接近基材的部分非结晶型多晶硅薄膜进行结晶化及晶粒生长(grain growth)；该方法亦包含在第一多晶硅薄膜形成一氧化层，在约1100℃或更高温度的环境下对第一非结晶型多晶硅薄膜进行退火以生成一结晶型多晶硅薄膜，并且移除该氧化层；最终，该方法包含于高温环境下持续一段时间以在该结晶型多晶硅薄膜的表面上形成第二非结晶型多晶硅薄膜，至少使接近该结晶型多晶硅薄膜表面的部分非结晶型多晶硅薄膜进行结晶化及晶粒生长。

3. 发明专利

TW201116477A 用於ＭＥＭＳ裝置製造之抗粘著塗層的選擇性紫外光臭氧乾蝕刻 SELECTIVE UV-OZONE DRY ETCHING OF ANTI-STICTION COATINGS FOR MEMS DEVICE FABRICATION 审中-公开
简体标题：用于ＭＥＭＳ设备制造之抗粘着涂层的选择性紫外光臭氧干蚀刻 SELECTIVE UV-OZONE DRY ETCHING OF ANTI-STICTION COATINGS FOR MEMS DEVICE FABRICATION
公开(公告)号：TW201116477A
公开(公告)日：2011-05-16
申请号：TW099119219
申请日：2010-06-14
申请人：亞德諾公司
发明人：哈塞梅米特
IPC分类号： B81C , H01L , B81B
CPC分类号： B81C1/00269 , B81C2201/0181 , B81C2201/112 , B81C2203/0118
摘要：本發明揭露一種有機抗粘著塗層，譬如例如用溶劑或經由化學蒸汽沈積來施加之以碳氫化合物與氟碳化合物為主的自組性有機矽烷與矽氧烷，其係可使用紫外光臭氧（UVO）乾蝕刻技術被選擇性蝕刻，其中欲被蝕刻的有機抗粘著塗層部分則同時被暴露於數波長的紫外光，其係從抗粘著塗層激發並且解離有機分子並且從分子氧與臭氧產生原子氧，以致於有機分子能夠與原子氧反應以形成被耗散的揮發性產品，以造成抗粘著塗層之暴露部分的移除。使用熱、後面接著紫外光臭氧曝光的混合蝕刻製程則可被使用。陰影遮罩（例如玻璃或石英製）、保護性材料層、或其他機制，其係可被使用來選擇性曝露抗粘著塗層部分，以被紫外光臭氧蝕刻。此選擇性紫外光臭氧蝕刻可例如被使用來在晶圓對晶圓粘結以前暴露晶圓粘結線，以便增加粘結切變與附著強度，以暴露粘結襯墊，以準備用於電性或其他連接，或者用於將抗粘著塗層材料從金屬或其他材料表面一般性移除。一種特定實施例使用兩種波長的紫外光，一個大約184.9nm，且另一個大約253.7nm。
简体摘要：本发明揭露一种有机抗粘着涂层，譬如例如用溶剂或经由化学蒸汽沉积来施加之以碳氢化合物与氟碳化合物为主的自组性有机硅烷与硅氧烷，其系可使用紫外光臭氧（UVO）干蚀刻技术被选择性蚀刻，其中欲被蚀刻的有机抗粘着涂层部分则同时被暴露于数波长的紫外光，其系从抗粘着涂层激发并且解离有机分子并且从分子氧与臭氧产生原子氧，以致于有机分子能够与原子氧反应以形成被耗散的挥发性产品，以造成抗粘着涂层之暴露部分的移除。使用热、后面接着紫外光臭氧曝光的混合蚀刻制程则可被使用。阴影遮罩（例如玻璃或石英制）、保护性材料层、或其他机制，其系可被使用来选择性曝露抗粘着涂层部分，以被紫外光臭氧蚀刻。此选择性紫外光臭氧蚀刻可例如被使用来在晶圆对晶圆粘结以前暴露晶圆粘结线，以便增加粘结切变与附着强度，以暴露粘结衬垫，以准备用于电性或其他连接，或者用于将抗粘着涂层材料从金属或其他材料表面一般性移除。一种特定实施例使用两种波长的紫外光，一个大约184.9nm，且另一个大约253.7nm。

4. 发明专利

TW201017913A 內嵌式鍺二極體 RECESSED GERMANIUM (GE) DIODE 审中-公开
简体标题：内嵌式锗二极管 RECESSED GERMANIUM (GE) DIODE
公开(公告)号：TW201017913A
公开(公告)日：2010-05-01
申请号：TW098123005
申请日：2009-07-08
申请人：亞德諾公司
发明人：亞沙提斯約翰 , 洛威爾羅倫斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L31/18 , H01L27/1443 , H01L31/074
摘要：光二極體係形成於矽(Si)基材中之內嵌式鍺(Ge)區域中。Ge區域可經由蝕刻一孔通過該Si基材上之鈍化層並進入該Si基材，並接著經由選擇性磊晶製程而於該孔中生長Ge而予以製造。Ge在該孔中選擇性地生長顯較在Si或氧化物表面上為佳。Ge可形成該孔的部分或全部之鈍化側壁以共形地填充該孔，並產生約與該基材之表面齊平的內嵌式Ge區域，而沒有台面(mesa)之特殊傾斜側面。該孔可蝕刻地夠深使得該光二極體夠厚而獲得對於進入該光二極體的垂直式自由空間光線之良好耦合效率。
简体摘要：光二极管系形成于硅(Si)基材中之内嵌式锗(Ge)区域中。Ge区域可经由蚀刻一孔通过该Si基材上之钝化层并进入该Si基材，并接着经由选择性磊晶制程而于该孔中生长Ge而予以制造。Ge在该孔中选择性地生长显较在Si或氧化物表面上为佳。Ge可形成该孔的部分或全部之钝化侧壁以共形地填充该孔，并产生约与该基材之表面齐平的内嵌式Ge区域，而没有台面(mesa)之特殊倾斜侧面。该孔可蚀刻地够深使得该光二极管够厚而获得对于进入该光二极管的垂直式自由空间光线之良好耦合效率。

5. 发明专利

TW201014783A 微機電靜磨擦測試裝置及方法 MEMS STICTION TESTING APPARATUS AND METHOD 审中-公开
简体标题：微机电静磨擦测试设备及方法 MEMS STICTION TESTING APPARATUS AND METHOD
公开(公告)号：TW201014783A
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：TW098121286
申请日：2009-06-25
申请人：亞德諾公司
发明人：沙慕拉費拉斯 , 索依爾威廉 , 楊光隆
IPC分类号： B81C , G01N
CPC分类号： B81C99/0045
摘要：一種微機電黏滯測試方法將一第一電氣信號施加至具有兩個對向表面之一微機電裝置以致使兩個對向表面作物理接觸。兩個對向表面在處於物理接觸時產生一第二電氣信號。然後，此方法在偵測第二電氣信號已達到一指定最大值之後實質上緩和第一電氣信號。
简体摘要：一种微机电黏滞测试方法将一第一电气信号施加至具有两个对向表面之一微机电设备以致使两个对向表面作物理接触。两个对向表面在处于物理接触时产生一第二电气信号。然后，此方法在侦测第二电气信号已达到一指定最大值之后实质上缓和第一电气信号。

6. 发明专利

TW200915526A 封裝微晶片的方法 METHOD OF PACKAGING A MICROCHIP 审中-公开
简体标题：封装微芯片的方法 METHOD OF PACKAGING A MICROCHIP
公开(公告)号：TW200915526A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：TW097121024
申请日：2008-06-06
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：梁在珌 YANG, JAE PIL
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/5389 , H01L23/3128 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16 , H01L2224/24226 , H01L2224/274 , H01L2224/73267 , H01L2224/83 , H01L2224/97 , H01L2924/01033 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01087 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要：一種用以封裝一積體電路的方法,分離成型(singulates)一晶圓以形成一積體電路,將該積體電路放置在一載體上,以及在將該積體電路放置在該載體上之後鈍化(passivates)該積體電路。此時,該積體電路被固定在該載體上。該方法也將該積體電路以電性連接至複數個外露的導體上。
简体摘要：一种用以封装一集成电路的方法,分离成型(singulates)一晶圆以形成一集成电路,将该集成电路放置在一载体上,以及在将该集成电路放置在该载体上之后钝化(passivates)该集成电路。此时,该集成电路被固定在该载体上。该方法也将该集成电路以电性连接至复数个外露的导体上。

7. 发明专利

TW200847827A 具有固定於封裝蓋的矽麥克風的麥克風系統 MICROPHONE SYSTEM WITH SILICON MICROPHONE SECURED TO PACKAGE LID 审中-公开
简体标题：具有固定于封装盖的硅麦克风的麦克风系统 MICROPHONE SYSTEM WITH SILICON MICROPHONE SECURED TO PACKAGE LID
公开(公告)号：TW200847827A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW096145452
申请日：2007-11-29
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：羅卡爾 ROBERTS, CARL M. , 哈凱倫 HARNEY, KIERAN P. , 古艾爾 GRUSBY, AL , 施狄帕 SENGUPTA, DIPAK , 蘇里察 SULLIVAN, RICHARD J.
IPC分类号： H04R
CPC分类号： H04R19/005 , B81B2201/0257 , B81B2207/012 , B81C1/00269 , B81C2203/0109 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/01079 , H01L2924/01087 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/3025 , H04R19/04 , H04R2499/11 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：一種麥克風系統具有一底座,該底座具備用以與一外界裝置電連通的至少一電埠口。該系統亦有一耦接於該底座藉以形成一內部隔室的實心金屬蓋,及一在該隔室內固定於該蓋的矽麥克風。該蓋有一用以接收一聲音訊號的孔隙,同時該麥克風電連接於該底座之電埠口。
简体摘要：一种麦克风系统具有一底座,该底座具备用以与一外界设备电连通的至少一电端口口。该系统亦有一耦接于该底座借以形成一内部隔室的实心金属盖,及一在该隔室内固定于该盖的硅麦克风。该盖有一用以接收一声音频号的孔隙,同时该麦克风电连接于该底座之电端口口。

8. 发明专利

TWI292818B 四聯交叉並垂直耦合之慣性感應器 CROSS-QUAD AND VERTICALLY COUPLED INERTIAL SENSORS 有权
简体标题：四联交叉并垂直耦合之惯性感应器 CROSS-QUAD AND VERTICALLY COUPLED INERTIAL SENSORS
公开(公告)号：TWI292818B
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：TW095113088
申请日：2006-04-13
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：葛約翰 GEEN, JOHN A. , 鄺錦波 KUANG, JINBO
IPC分类号： G01C , G01P
CPC分类号： G01C19/574
摘要：一慣性感應器包括一種四個互連感應器元件的四聯交叉組態。每一感應器元件具有一框架及一懸吊於該框架內的共振器。該等感應器元件被安排為致使相鄰感測器元件之框架被允許相互以反相移動但實質上被阻止相互以同相移動。該等感應器元件可被以一水平耦合排列、一垂直耦合排列、或一完全耦合排列建構。一感應器元件對可被垂直地耦合。
简体摘要：一惯性感应器包括一种四个互连感应器组件的四联交叉组态。每一感应器组件具有一框架及一悬吊于该框架内的共振器。该等感应器组件被安排为致使相邻传感器组件之框架被允许相互以反相移动但实质上被阻止相互以同相移动。该等感应器组件可被以一水平耦合排列、一垂直耦合排列、或一完全耦合排列建构。一感应器组件对可被垂直地耦合。

9. 发明专利

TWI289669B 連續感測器自測試方法 METHOD FOR CONTINUOUS SENSOR SELF-TEST 有权
简体标题：连续传感器自测试方法 METHOD FOR CONTINUOUS SENSOR SELF-TEST
公开(公告)号：TWI289669B
公开(公告)日：2007-11-11
申请号：TW094102963
申请日：2005-02-01
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：威哈飛 WEINBERG, HARVEY , 秦約翰 GEEN, JOHN A.
IPC分类号： G01P
CPC分类号： G01D3/08 , G01D18/002 , G01D21/00
摘要：本發明揭示一種感測器自測試方法及裝置。該方法包含以異於預期感測參數信號頻率之頻率產生感測器輸出之信號刺激感測器。濾波感測器輸出以移除刺激輸入之效應，產生感測參數信號。比較未濾波之感測器輸出與具刺激輸入之預期感測器輸出。藉由該比較可偵測初故障感測器並接著採行適當措施。
简体摘要：本发明揭示一种传感器自测试方法及设备。该方法包含以异于预期传感参数信号频率之频率产生传感器输出之信号刺激传感器。滤波传感器输出以移除刺激输入之效应，产生传感参数信号。比较未滤波之传感器输出与具刺激输入之预期传感器输出。借由该比较可侦测初故障传感器并接着采行适当措施。

10. 发明专利

TW200624812A 多軸加速感測器 MULTIPLE AXIS ACCELERATION SENSOR 失效
简体标题：多轴加速传感器 MULTIPLE AXIS ACCELERATION SENSOR
公开(公告)号：TW200624812A
公开(公告)日：2006-07-16
申请号：TW094127786
申请日：2005-08-16
申请人：亞德諾公司 ANALOG DEVICES, INC.
发明人：曼約翰 MEMISHIAN, JOHN
IPC分类号： G01P
CPC分类号： G01P15/18 , G01P15/125 , G01P2015/082
摘要：本發明揭露出一個或更多個固定感應電極，其係被用來感應在質塊／電極平面內與沿著垂直於該平面之軸兩者的質塊運動。為了測量沿著垂直於該平面之軸的質塊運動，在固定感應電極與下面傳導面之間測量一參考電容，且在質塊與下面傳導面之間測量一測量電容。可計算一值Cv－KCf，在此Cf是參考電容，Cv是測量電容，且K是預定常數。根據本發明某些實施例，測量平面內之質塊運動的標準一或兩軸加速度感應器，其係亦可被使用來測量在垂直於平面之軸的質塊運動。
简体摘要：本发明揭露出一个或更多个固定感应电极，其系被用来感应在质块／电极平面内与沿着垂直于该平面之轴两者的质块运动。为了测量沿着垂直于该平面之轴的质块运动，在固定感应电极与下面传导面之间测量一参考电容，且在质块与下面传导面之间测量一测量电容。可计算一值Cv－KCf，在此Cf是参考电容，Cv是测量电容，且K是预定常数。根据本发明某些实施例，测量平面内之质块运动的标准一或两轴加速度感应器，其系亦可被使用来测量在垂直于平面之轴的质块运动。

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