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11. 发明专利

TWI494975B 在半導體處理系統中離子源之清洗有权
简体标题：在半导体处理系统中离子源之清洗
公开(公告)号：TWI494975B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW098104345
申请日：2009-02-11
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：史威尼約瑟D , SWEENEY, JOSEPH D. , 葉達夫莎拉德N , YEDAVE, SHARAD N. , 拜歐利格 , BYL, OLEG , 金姆羅伯 , KAIM, ROBERT , 艾德瑞吉大衛 , ELDRIDGE, DAVID , 塞吉史蒂芬 , SERGI, STEVEN , 豐琳 , FENG, LIN , 畢夏普史蒂芬E , BISHOP, STEVEN E. , 歐蘭德W 卡爾 , OLANDER, W. KARL , 唐瀛 , TANG, YING
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/30
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J37/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J2237/082 , H01J2237/22

12. 发明专利

TW201435143A 用以移除蝕刻後殘餘物之液體清洗劑审中-公开
简体标题：用以移除蚀刻后残余物之液体清洗剂
公开(公告)号：TW201435143A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW103119145
申请日：2007-12-21
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：維辛汀潘蜜拉M , VISINTIN, PAMELA M. , 蔣平 , JIANG, PING , 柯珊斯基麥可B , KORZENSKI, MICHAEL B. , 民斯克大衛W , MINSEK, DAVID W. , 庫柏艾曼紐I , COOPER, EMANUEL I. , 許銘案 , HSU, MING ANN (ROBERT) , 佛列契克里斯丁A , FLETCHER, KRISTIN A.
IPC分类号： C23F1/26 , C23F11/04 , C11D7/00 , H01L21/306
CPC分类号： C11D3/0073 , C09K13/00 , C09K13/08 , C11D1/62 , C11D3/042 , C11D3/245 , C11D3/43 , C11D7/08 , C11D7/28 , C11D7/5004 , C11D11/0047 , H01L21/02063
摘要：本發明提供用於自一其上具有電漿蝕刻後殘餘物之微電子設備清洗該殘餘物的清洗組合物及過程。該組合物達成對殘餘物材料(包括來自微電子設備之含鈦、含銅、含鎢及/或含鈷蝕刻後殘餘物)的非常有效之清洗，而同時不會損害亦存在於微電子設備上之層間介電質、金屬互連材料及/或覆蓋層。另外，該組合物可用於自一其上具有氮化鈦層之微電子設備移除該等氮化鈦層。
简体摘要：本发明提供用于自一其上具有等离子蚀刻后残余物之微电子设备清洗该残余物的清洗组合物及过程。该组合物达成对残余物材料(包括来自微电子设备之含钛、含铜、含钨及/或含钴蚀刻后残余物)的非常有效之清洗，而同时不会损害亦存在于微电子设备上之层间介电质、金属互连材料及/或覆盖层。另外，该组合物可用于自一其上具有氮化钛层之微电子设备移除该等氮化钛层。

13. 发明专利

TW201042029A 光刻工具原位清潔調配物 LITHOGRAPHIC TOOL IN SITU CLEAN FORMULATIONS 审中-公开
简体标题：光刻工具原位清洁调配物 LITHOGRAPHIC TOOL IN SITU CLEAN FORMULATIONS
公开(公告)号：TW201042029A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：TW099102448
申请日：2010-01-28
申请人：先進科技材料公司
发明人：陳天牛 , 畢迪歐史蒂芬 , 巴葛斯卡爾E , 蔣平 , 柯珊斯基麥可B , 默斯喬治 , 凡波卡爾金
IPC分类号： C11D , H01L
CPC分类号： C11D11/0041 , C11D1/66 , C11D1/667 , C11D1/825 , C11D3/2072 , C11D3/2093 , C11D3/43 , C11D11/0047 , G03F7/70341 , G03F7/70925
摘要：本發明係關於一種組合物及使用該組合物之方法，該方法係自表面移除聚合物材料，較佳為自一光刻設備清除污染物堆積物而不必完全拆卸該設備。
简体摘要：本发明系关于一种组合物及使用该组合物之方法，该方法系自表面移除聚合物材料，较佳为自一光刻设备清除污染物堆积物而不必完全拆卸该设备。

14. 发明专利

TW201022148A 使用界面活化劑／消泡劑混合物以增強矽基板之金屬負載及表面鈍化作用 USE OF SURFACTANT/DEFOAMER MIXTURES FOR ENHANCED METALS LOADING AND SURFACE PASSIVATION OF SILICON SUBSTRATES 审中-公开
简体标题：使用界面活化剂／消泡剂混合物以增强硅基板之金属负载及表面钝化作用 USE OF SURFACTANT/DEFOAMER MIXTURES FOR ENHANCED METALS LOADING AND SURFACE PASSIVATION OF SILICON SUBSTRATES
公开(公告)号：TW201022148A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：TW098133617
申请日：2009-10-02
申请人：先進科技材料公司
发明人：柯珊斯基麥可B , 蔣平 , 畢爾查爾斯 , 貝羅佩夫里克米可
IPC分类号： C01B , H01L
CPC分类号： H01L21/31111 , C09K13/08 , C11D1/00 , C11D1/008 , C11D1/72 , C11D1/78 , C11D3/0026 , C11D3/042 , C11D3/2068 , C11D3/37 , C11D3/3707 , C11D11/0047 , C23F1/18 , H01L21/02032 , H01L21/32134
摘要：本發明係關於用於將至少一個材料層自其上具有該材料層之不合格微電子裝置結構移除之移除組合物及方法。該移除組合物包括氫氟酸。該組合物在不損壞欲保留層的同時達成欲移除材料之實質移除以回收、再加工、再循環利用及/或再使用該結構。
简体摘要：本发明系关于用于将至少一个材料层自其上具有该材料层之不合格微电子设备结构移除之移除组合物及方法。该移除组合物包括氢氟酸。该组合物在不损坏欲保留层的同时达成欲移除材料之实质移除以回收、再加工、再循环利用及/或再使用该结构。

15. 发明专利

TW200934865A 用於清潔記憶裝置結構之調配物 FORMULATIONS FOR CLEANING MEMORY DEVICE STRUCTURES 审中-公开
简体标题：用于清洁记忆设备结构之调配物 FORMULATIONS FOR CLEANING MEMORY DEVICE STRUCTURES
公开(公告)号：TW200934865A
公开(公告)日：2009-08-16
申请号：TW097146506
申请日：2008-11-28
申请人：先進科技材料公司 ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：劉俊 LIU, JUN , 張鵬 ZHANG, PENG
IPC分类号： C11D , C09K , H01L
CPC分类号： C09K13/08 , G03F7/423 , G03F7/425
摘要：本發明係關於一種用於自上面具有聚合保護塗層之微電子裝置移除該等塗層之移除組合物及方法。移除組合物在單一步驟中在大體上不移除下伏層的情況下自裝置移除聚合保護塗層。
简体摘要：本发明系关于一种用于自上面具有聚合保护涂层之微电子设备移除该等涂层之移除组合物及方法。移除组合物在单一步骤中在大体上不移除下伏层的情况下自设备移除聚合保护涂层。

16. 发明专利

TW200511318A 用以利用非揮發性浮動閘極記憶體單元以模擬電氣可抹除可程式化唯讀記憶體之方法及裝置 METHOD AND APPARATUS FOR EMULATING AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) USING NON-VOLATILE FLOATING GATE MEMORY CELLS 审中-公开
简体标题：用以利用非挥发性浮动闸极内存单元以仿真电气可抹除可进程化唯读内存之方法及设备 METHOD AND APPARATUS FOR EMULATING AN ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM) USING NON-VOLATILE FLOATING GATE MEMORY CELLS
公开(公告)号：TW200511318A
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：TW093100538
申请日：2004-01-09
申请人：先進科技材料公司 ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：大衛蘇沃德 SOWARDS, DAVID , 特利弗比利斯 BLYTH, TREVOR , 珊尼C 哈默 HOLLMER, SHANE C.
IPC分类号： G11C
CPC分类号： G11C16/0408 , G11C16/0425 , G11C16/08
摘要：本發明揭示一種基於非揮發性浮動閘極記憶體單元(譬如快閃記憶體單元(Flash cell))的模擬EEPROM(電氣可抹除可程式化唯讀記憶體)記憶體陣列，其中一小組位元群共用一共同源極線及多條共同列線，如此以使得該小組位元群可在程式及抹除模式期間充當一用以控制程式干擾及有效持續時間之問題的位元群。共同使用該共用源極線之該等位元構成模擬之EEPROM頁面，該頁面為無需干擾其他位元即可被抹除及重新程式化的最小單元。將該記憶體陣列實體上分成多個行群。一實施例使用四個記憶體陣列，每個陣列由32行及512個頁面列組成(所有四個陣列提供之頁面總數為1024個，其中每個頁面具有8個位元組或64個位元)。一全域列解碼器(global row decoder)對主要列進行解碼，且一頁面列驅動器及一頁面源極驅動器啟用構成一特定陣列的個別列及源極。基於待存取之位址及存取模式(抹除、程式或讀取)，藉由一頁面列/源極供給解碼器對該等列驅動器及頁面源極驅動器進行解碼。
简体摘要：本发明揭示一种基于非挥发性浮动闸极内存单元(譬如闪存单元(Flash cell))的仿真EEPROM(电气可抹除可进程化唯读内存)内存数组，其中一小组比特群共享一共同源极线及多条共同列线，如此以使得该小组比特群可在进程及抹除模式期间充当一用以控制进程干扰及有效持续时间之问题的比特群。共同使用该共享源极线之该等比特构成仿真之EEPROM页面，该页面为无需干扰其他比特即可被抹除及重新进程化的最小单元。将该内存数组实体上分成多个行群。一实施例使用四个内存数组，每个数组由32行及512个页面列组成(所有四个数组提供之页面总数为1024个，其中每个页面具有8个字节或64个比特)。一全域列译码器(global row decoder)对主要列进行译码，且一页面列驱动器及一页面源极驱动器激活构成一特定数组的个别列及源极。基于待存取之位址及存取模式(抹除、进程或读取)，借由一页面列/源极供给译码器对该等列驱动器及页面源极驱动器进行译码。

17. 发明专利

TW579386B 包括氟化鹽、螯合劑及二醇溶劑之選擇性氧化矽蝕刻劑調配物有权
简体标题：包括氟化盐、螯合剂及二醇溶剂之选择性氧化硅蚀刻剂调配物
公开(公告)号：TW579386B
公开(公告)日：2004-03-11
申请号：TW087121277
申请日：1998-12-19
申请人：先進科技材料公司 ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：威廉A 渥特寇札克 WILLIAM A. WOJTCZAK , 龍恩古顏 LONG NGUYEN , 史帝芬A 凡 STEPHEN A. FINE
IPC分类号： C09K
CPC分类号： H01L21/31111 , C09K13/00
摘要：本發明的調配物以速率大於或等於未摻雜之氧化矽(例如熱氧化物)之蝕刻速率蝕刻經摻雜之氧化矽化合物，例如BPSG和PSG層。這些調配物具有螯合劑的一般組成，較佳為弱至中度酸性(0.1-10%；較佳為0.2-2.8%)；氟化鹽，其可為氟化銨，或氟化銨或聚氟化銨的有機衍生物(1.65-7%)；較佳為2.25-7%)；二元醇溶劑(71-98%；較佳為90-98%)；和選用之胺。
简体摘要：本发明的调配物以速率大于或等于未掺杂之氧化硅(例如热氧化物)之蚀刻速率蚀刻经掺杂之氧化硅化合物，例如BPSG和PSG层。这些调配物具有螯合剂的一般组成，较佳为弱至中度酸性(0.1-10%；较佳为0.2-2.8%)；氟化盐，其可为氟化铵，或氟化铵或聚氟化铵的有机衍生物(1.65-7%)；较佳为2.25-7%)；二元醇溶剂(71-98%；较佳为90-98%)；和选用之胺。

18. 发明专利

TWI573179B 在半導體處理系統中離子源之清洗有权
简体标题：在半导体处理系统中离子源之清洗
公开(公告)号：TWI573179B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104114198
申请日：2009-02-11
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：史威尼約瑟D , SWEENEY, JOSEPH D. , 葉達夫莎拉德 , YEDAVE, SHARAD N. , 拜歐利格 , BYL, OLEG , 金姆羅伯 , KAIM, ROBERT , 艾德瑞吉大衛 , ELDRIDGE, DAVID , 塞吉史蒂芬 , SERGI, STEVEN , 豐琳 , FENG, LIN , 畢夏普史蒂芬E , BISHOP, STEVEN E. , 歐蘭德 W 卡爾 , OLANDER, W. KARL , 唐瀛 , TANG, YING
IPC分类号： H01L21/265 , C23C14/54
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J37/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J2237/082 , H01J2237/22

19. 发明专利

TW201546330A 與ＮｉＧｅ及Ｇｅ相容之Ｎｉ選擇性蝕刻組成物审中-公开
简体标题：与ＮｉＧｅ及Ｇｅ兼容之Ｎｉ选择性蚀刻组成物
公开(公告)号：TW201546330A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104113873
申请日：2015-04-30
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：巴尼斯傑佛里 , BARNES, JEFFREY A. , 庫帕艾曼紐 , COOPER, EMANUEL I.
IPC分类号： C23F1/44 , C23F1/28 , H01L21/322 , H01L21/28 , H01L21/321
CPC分类号： H01L21/32134 , H01L29/665
摘要：本發明係關於用於自其上具有未反應金屬材料(例如，未反應的鎳)之微電子裝置相對於金屬鍺化物(例如，NiGe)選擇性地移除該等材料之組成物及方法。該等組成物實質上可與存在於微電子裝置上之其他材料諸如低k介電質及氮化矽相容。
简体摘要：本发明系关于用于自其上具有未反应金属材料(例如，未反应的镍)之微电子设备相对于金属锗化物(例如，NiGe)选择性地移除该等材料之组成物及方法。该等组成物实质上可与存在于微电子设备上之其他材料诸如低k介电质及氮化硅兼容。

20. 发明专利

TW201504424A 用於自表面移除鈰氧粒子之組成物及方法审中-公开
简体标题：用于自表面移除铈氧粒子之组成物及方法
公开(公告)号：TW201504424A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103117316
申请日：2014-05-16
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：劉俊 , LIU, JUN , 孫來生 , SUN, LAISHENG
IPC分类号： C11D1/00 , C11D3/26 , C11D3/20 , B08B3/08 , H01L21/67
CPC分类号： C11D11/0047 , C11D1/008 , C11D3/0042 , C11D3/2072 , C11D3/2086 , C11D3/2096 , C11D3/30 , C11D3/33 , H01L21/02057 , H01L21/02065
摘要：本發明係關於一種用於自其上具有化學機械拋光(CMP)後污染物及鈰氧粒子之微電子裝置清潔該等粒子及污染物之移除組成物及方法。該等移除組成物包括至少一種界面活性劑。該組成物達成鈰氧粒子及CMP污染物材料自微電子裝置表面之高度有效的移除，而不損及低k介電質、氮化矽、或含鎢材料。
简体摘要：本发明系关于一种用于自其上具有化学机械抛光(CMP)后污染物及铈氧粒子之微电子设备清洁该等粒子及污染物之移除组成物及方法。该等移除组成物包括至少一种界面活性剂。该组成物达成铈氧粒子及CMP污染物材料自微电子设备表面之高度有效的移除，而不损及低k介电质、氮化硅、或含钨材料。

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