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1. 发明专利

TWI494975B 在半導體處理系統中離子源之清洗有权
简体标题：在半导体处理系统中离子源之清洗
公开(公告)号：TWI494975B
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW098104345
申请日：2009-02-11
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：史威尼約瑟D , SWEENEY, JOSEPH D. , 葉達夫莎拉德N , YEDAVE, SHARAD N. , 拜歐利格 , BYL, OLEG , 金姆羅伯 , KAIM, ROBERT , 艾德瑞吉大衛 , ELDRIDGE, DAVID , 塞吉史蒂芬 , SERGI, STEVEN , 豐琳 , FENG, LIN , 畢夏普史蒂芬E , BISHOP, STEVEN E. , 歐蘭德W 卡爾 , OLANDER, W. KARL , 唐瀛 , TANG, YING
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/30
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J37/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J2237/082 , H01J2237/22

2. 发明专利

TW201724209A 在半導體處理系統中離子源之清洗审中-公开
简体标题：在半导体处理系统中离子源之清洗
公开(公告)号：TW201724209A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105140436
申请日：2009-02-11
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：史威尼約瑟D , SWEENEY, JOSEPH D. , 葉達夫莎拉德 , YEDAVE, SHARAD N. , 拜歐利格 , BYL, OLEG , 金姆羅伯 , KAIM, ROBERT , 艾德瑞吉大衛 , ELDRIDGE, DAVID , 塞吉史蒂芬 , SERGI, STEVEN , 豐琳 , FENG, LIN , 畢夏普史蒂芬E , BISHOP, STEVEN E. , 歐蘭德 W 卡爾 , OLANDER, W. KARL , 唐瀛 , TANG, YING
IPC分类号： H01L21/265 , C23C14/54
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J37/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J2237/082 , H01J2237/22
摘要：本發明涉及利用能夠生長/侵蝕在該電弧室之離子源內的絲極之反應性清洗劑籍由適當地控制電弧室內的溫度來清洗一離子植入系統或其部件，以便實現所希望的絲極之生長或替代的絲極之侵蝕。還描述了反應性氣體例如XeFx、WFx、AsFx、PFx以及TaFx之用途(其中x具有一化學計量地適當的值或值的範圍)，用於在環境溫度、升高的溫度或電漿條件下，以原位或離位清洗之安排來清洗離子植入機的區域或植入機之部件。在特別的反應性清洗劑中，BrF3被描述為對於以原位或離位之清洗安排來清洗離子植入系統或其一或多個部件係有用的。還描述了清洗一離子植入系統之前級管道以便從所述前級管道中至少部分地去除與電離作用有關的沉積物之方法，該方法包括將所述前級管道與一清洗氣進行接觸，其中所述清洗氣與所述沉積物具有化學反應性。還描述了改進一離子植入系統的性能並且延長其壽命之方法，該方法包括將陰極與一氣體混合物進行接觸。
简体摘要：本发明涉及利用能够生长/侵蚀在该电弧室之离子源内的丝极之反应性清洗剂籍由适当地控制电弧室内的温度来清洗一离子植入系统或其部件，以便实现所希望的丝极之生长或替代的丝极之侵蚀。还描述了反应性气体例如XeFx、WFx、AsFx、PFx以及TaFx之用途(其中x具有一化学计量地适当的值或值的范围)，用于在环境温度、升高的温度或等离子条件下，以原位或离位清洗之安排来清洗离子植入机的区域或植入机之部件。在特别的反应性清洗剂中，BrF3被描述为对于以原位或离位之清洗安排来清洗离子植入系统或其一或多个部件系有用的。还描述了清洗一离子植入系统之前级管道以便从所述前级管道中至少部分地去除与电离作用有关的沉积物之方法，该方法包括将所述前级管道与一清洗气进行接触，其中所述清洗气与所述沉积物具有化学反应性。还描述了改进一离子植入系统的性能并且延长其寿命之方法，该方法包括将阴极与一气体混合物进行接触。

3. 发明专利

TWI573179B 在半導體處理系統中離子源之清洗有权
简体标题：在半导体处理系统中离子源之清洗
公开(公告)号：TWI573179B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW104114198
申请日：2009-02-11
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：史威尼約瑟D , SWEENEY, JOSEPH D. , 葉達夫莎拉德 , YEDAVE, SHARAD N. , 拜歐利格 , BYL, OLEG , 金姆羅伯 , KAIM, ROBERT , 艾德瑞吉大衛 , ELDRIDGE, DAVID , 塞吉史蒂芬 , SERGI, STEVEN , 豐琳 , FENG, LIN , 畢夏普史蒂芬E , BISHOP, STEVEN E. , 歐蘭德 W 卡爾 , OLANDER, W. KARL , 唐瀛 , TANG, YING
IPC分类号： H01L21/265 , C23C14/54
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J37/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J2237/082 , H01J2237/22

4. 发明专利

TW201530624A 在半導體處理系統中離子源之清洗审中-公开
简体标题：在半导体处理系统中离子源之清洗
公开(公告)号：TW201530624A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW104114198
申请日：2009-02-11
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：史威尼約瑟D , SWEENEY, JOSEPH D. , 葉達夫莎拉德 , YEDAVE, SHARAD N. , 拜歐利格 , BYL, OLEG , 金姆羅伯 , KAIM, ROBERT , 艾德瑞吉大衛 , ELDRIDGE, DAVID , 塞吉史蒂芬 , SERGI, STEVEN , 豐琳 , FENG, LIN , 畢夏普史蒂芬E , BISHOP, STEVEN E. , 歐蘭德 W 卡爾 , OLANDER, W. KARL , 唐瀛 , TANG, YING
IPC分类号： H01L21/265 , C23C14/54
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J37/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J2237/082 , H01J2237/22
摘要：本發明涉及利用能夠生長/侵蝕在該電弧室之離子源內的絲極之反應性清洗劑籍由適當地控制電弧室內的溫度來清洗一離子植入系統或其部件，以便實現所希望的絲極之生長或替代的絲極之侵蝕。還描述了反應性氣體例如XeFx、WFx、AsFx、PFx以及TaFx之用途(其中x具有一化學計量地適當的值或值的範圍)，用於在環境溫度、升高的溫度或電漿條件下，以原位或離位清洗之安排來清洗離子植入機的區域或植入機之部件。在特別的反應性清洗劑中，BrF3被描述為對於以原位或離位之清洗安排來清洗離子植入系統或其一或多個部件係有用的。還描述了清洗一離子植入系統之前級管道以便從所述前級管道中至少部分地去除與電離作用有關的沉積物之方法，該方法包括將所述前級管道與一清洗氣進行接觸，其中所述清洗氣與所述沉積物具有化學反應性。還描述了改進一離子植入系統的性能並且延長其壽命之方法，該方法包括將陰極與一氣體混合物進行接觸。
简体摘要：本发明涉及利用能够生长/侵蚀在该电弧室之离子源内的丝极之反应性清洗剂籍由适当地控制电弧室内的温度来清洗一离子植入系统或其部件，以便实现所希望的丝极之生长或替代的丝极之侵蚀。还描述了反应性气体例如XeFx、WFx、AsFx、PFx以及TaFx之用途(其中x具有一化学计量地适当的值或值的范围)，用于在环境温度、升高的温度或等离子条件下，以原位或离位清洗之安排来清洗离子植入机的区域或植入机之部件。在特别的反应性清洗剂中，BrF3被描述为对于以原位或离位之清洗安排来清洗离子植入系统或其一或多个部件系有用的。还描述了清洗一离子植入系统之前级管道以便从所述前级管道中至少部分地去除与电离作用有关的沉积物之方法，该方法包括将所述前级管道与一清洗气进行接触，其中所述清洗气与所述沉积物具有化学反应性。还描述了改进一离子植入系统的性能并且延长其寿命之方法，该方法包括将阴极与一气体混合物进行接触。

5. 发明专利

TWI463516B 在半導體處理系統中離子源之清洗之方法有权
简体标题：在半导体处理系统中离子源之清洗之方法
公开(公告)号：TWI463516B
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW098127518
申请日：2009-08-13
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：史威尼約瑟D , SWEENEY, JOSEPH D. , 葉達夫莎拉德 , YEDAVE, SHARAD N. , 拜歐利格 , BYL, OLEG , 金姆羅伯 , KAIM, ROBERT , 艾德瑞吉大衛 , ELDRIDGE, DAVID , 豐琳 , FENG, LIN , 畢夏普史蒂芬E , BISHOP, STEVEN E. , 歐蘭德 W 卡爾 , OLANDER, W. KARL , 唐瀛 , TANG, YING
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J27/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/3171 , H01J37/32862 , H01J2237/0209 , H01J2237/022 , H01J2237/082 , H01J2237/22

6. 发明专利

TW201438052A 在半導體處理系統中離子源之清洗审中-公开
简体标题：在半导体处理系统中离子源之清洗
公开(公告)号：TW201438052A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW103120759
申请日：2009-08-13
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：史威尼約瑟D , SWEENEY, JOSEPH D. , 葉達夫莎拉德 , YEDAVE, SHARAD N. , 拜歐利格 , BYL, OLEG , 金姆羅伯 , KAIM, ROBERT , 艾德瑞吉大衛 , ELDRIDGE, DAVID , 豐琳 , FENG, LIN , 畢夏普史蒂芬E , BISHOP, STEVEN E. , 歐蘭德 W 卡爾 , OLANDER, W. KARL , 唐瀛 , TANG, YING
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J27/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/3171 , H01J37/32862 , H01J2237/0209 , H01J2237/022 , H01J2237/082 , H01J2237/22
摘要：本發明係關於藉由監測陰極偏壓功率且取決於比較值採取校正動作而藉由利用能夠生長/蝕刻在一離子植入系統之間接加熱的陰極中之該陰極的溫度及/或反應性清洗試劑來蝕刻或再生長該陰極以清洗一離子植入系統或其部件。
简体摘要：本发明系关于借由监测阴极偏压功率且取决于比较值采取校正动作而借由利用能够生长/蚀刻在一离子植入系统之间接加热的阴极中之该阴极的温度及/或反应性清洗试剂来蚀刻或再生长该阴极以清洗一离子植入系统或其部件。

7. 发明专利

TW201030792A 半導體製造系統中之離子源清潔法 ION SOURCE CLEANING IN SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEMS 审中-公开
简体标题：半导体制造系统中之离子源清洁法 ION SOURCE CLEANING IN SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEMS
公开(公告)号：TW201030792A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098127518
申请日：2009-08-13
申请人：先進科技材料公司
发明人：史威尼約瑟D , 葉達夫莎拉德 , 拜歐利格 , 金姆羅伯 , 艾德瑞吉大衛 , 豐琳 , 畢夏普史蒂芬E , 歐蘭德 W 卡爾 , 唐瀛
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/08 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J27/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/3171 , H01J37/32862 , H01J2237/0209 , H01J2237/022 , H01J2237/082 , H01J2237/22
摘要：本發明係關於藉由監測陰極偏壓功率且取決於比較値採取校正動作而藉由利用能夠生長/蝕刻在一離子植入系統之間接加熱的陰極中之該陰極的溫度及/或反應性清洗試劑來蝕刻或再生長該陰極以清洗一離子植入系統或其部件。
简体摘要：本发明系关于借由监测阴极偏压功率且取决于比较値采取校正动作而借由利用能够生长/蚀刻在一离子植入系统之间接加热的阴极中之该阴极的温度及/或反应性清洗试剂来蚀刻或再生长该阴极以清洗一离子植入系统或其部件。

8. 发明专利

TW201005806A 在半導體處理系統中離子源之清洗 ION SOURCE CLEANING IN SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEMS 审中-公开
简体标题：在半导体处理系统中离子源之清洗 ION SOURCE CLEANING IN SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEMS
公开(公告)号：TW201005806A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098104345
申请日：2009-02-11
申请人：先進科技材料公司
发明人：史威尼約瑟D , 葉達夫莎拉德N , 拜歐利格 , 金姆羅伯 , 艾德瑞吉大衛 , 塞吉史蒂芬 , 豐琳 , 畢夏普史蒂芬E , 歐蘭德W 卡爾 , 唐瀛
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J37/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J2237/082 , H01J2237/22
摘要：本發明涉及利用能夠生長/侵蝕在該電弧室之離子源內的絲極之反應性清洗劑籍由適當地控制電弧室內的溫度來清洗一離子植入系統或其部件，以便實現所希望的絲極之生長或替代的絲極之侵蝕。還描述了反應性氣體例如XeFx、WFx、AsFx、PFx以及TaFx之用途(其中x具有一化學計量地適當的值或值的範圍)，用於在環境溫度、升高的溫度或電漿條件下，以原位或離位清洗之安排來清洗離子植入機的區域或植入機之部件。在特別的反應性清洗劑中，BrF3被描述為對於以原位或離位之清洗安排來清洗離子植入系統或其一或多個部件係有用的。還描述了清洗一離子植入系統之前級管道以便從所述前級管道中至少部分地去除與電離作用有關的沉積物之方法，該方法包括將所述前級管道與一清洗氣進行接觸，其中所述清洗氣與所述沉積物具有化學反應性。還描述了改進一離子植入系統的性能並且延長其壽命之方法，該方法包括將陰極與一氣體混合物進行接觸。
简体摘要：本发明涉及利用能够生长/侵蚀在该电弧室之离子源内的丝极之反应性清洗剂籍由适当地控制电弧室内的温度来清洗一离子植入系统或其部件，以便实现所希望的丝极之生长或替代的丝极之侵蚀。还描述了反应性气体例如XeFx、WFx、AsFx、PFx以及TaFx之用途(其中x具有一化学计量地适当的值或值的范围)，用于在环境温度、升高的温度或等离子条件下，以原位或离位清洗之安排来清洗离子植入机的区域或植入机之部件。在特别的反应性清洗剂中，BrF3被描述为对于以原位或离位之清洗安排来清洗离子植入系统或其一或多个部件系有用的。还描述了清洗一离子植入系统之前级管道以便从所述前级管道中至少部分地去除与电离作用有关的沉积物之方法，该方法包括将所述前级管道与一清洗气进行接触，其中所述清洗气与所述沉积物具有化学反应性。还描述了改进一离子植入系统的性能并且延长其寿命之方法，该方法包括将阴极与一气体混合物进行接触。

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