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1. 发明专利

TWI567775B 離子植入系統及其操作方法有权
简体标题：离子植入系统及其操作方法
公开(公告)号：TWI567775B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW103120759
申请日：2009-08-13
申请人：安特格利斯公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：史威尼約瑟D , SWEENEY, JOSEPH D. , 葉達夫莎拉德 , YEDAVE, SHARAD N. , 拜歐利格 , BYL, OLEG , 金姆羅伯 , KAIM, ROBERT , 艾德瑞吉大衛 , ELDRIDGE, DAVID , 豐琳 , FENG, LIN , 畢夏普史蒂芬E , BISHOP, STEVEN E. , 歐蘭德 W 卡爾 , OLANDER, W. KARL , 唐瀛 , TANG, YING
IPC分类号： H01J37/08 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/08 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J27/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/3171 , H01J37/32862 , H01J2237/0209 , H01J2237/022 , H01J2237/082 , H01J2237/22

2. 发明专利

TW201530624A 在半導體處理系統中離子源之清洗审中-公开
简体标题：在半导体处理系统中离子源之清洗
公开(公告)号：TW201530624A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW104114198
申请日：2009-02-11
申请人：先進科技材料公司 , ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC.
发明人：史威尼約瑟D , SWEENEY, JOSEPH D. , 葉達夫莎拉德 , YEDAVE, SHARAD N. , 拜歐利格 , BYL, OLEG , 金姆羅伯 , KAIM, ROBERT , 艾德瑞吉大衛 , ELDRIDGE, DAVID , 塞吉史蒂芬 , SERGI, STEVEN , 豐琳 , FENG, LIN , 畢夏普史蒂芬E , BISHOP, STEVEN E. , 歐蘭德 W 卡爾 , OLANDER, W. KARL , 唐瀛 , TANG, YING
IPC分类号： H01L21/265 , C23C14/54
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J37/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J2237/082 , H01J2237/22
摘要：本發明涉及利用能夠生長/侵蝕在該電弧室之離子源內的絲極之反應性清洗劑籍由適當地控制電弧室內的溫度來清洗一離子植入系統或其部件，以便實現所希望的絲極之生長或替代的絲極之侵蝕。還描述了反應性氣體例如XeFx、WFx、AsFx、PFx以及TaFx之用途(其中x具有一化學計量地適當的值或值的範圍)，用於在環境溫度、升高的溫度或電漿條件下，以原位或離位清洗之安排來清洗離子植入機的區域或植入機之部件。在特別的反應性清洗劑中，BrF3被描述為對於以原位或離位之清洗安排來清洗離子植入系統或其一或多個部件係有用的。還描述了清洗一離子植入系統之前級管道以便從所述前級管道中至少部分地去除與電離作用有關的沉積物之方法，該方法包括將所述前級管道與一清洗氣進行接觸，其中所述清洗氣與所述沉積物具有化學反應性。還描述了改進一離子植入系統的性能並且延長其壽命之方法，該方法包括將陰極與一氣體混合物進行接觸。
简体摘要：本发明涉及利用能够生长/侵蚀在该电弧室之离子源内的丝极之反应性清洗剂籍由适当地控制电弧室内的温度来清洗一离子植入系统或其部件，以便实现所希望的丝极之生长或替代的丝极之侵蚀。还描述了反应性气体例如XeFx、WFx、AsFx、PFx以及TaFx之用途(其中x具有一化学计量地适当的值或值的范围)，用于在环境温度、升高的温度或等离子条件下，以原位或离位清洗之安排来清洗离子植入机的区域或植入机之部件。在特别的反应性清洗剂中，BrF3被描述为对于以原位或离位之清洗安排来清洗离子植入系统或其一或多个部件系有用的。还描述了清洗一离子植入系统之前级管道以便从所述前级管道中至少部分地去除与电离作用有关的沉积物之方法，该方法包括将所述前级管道与一清洗气进行接触，其中所述清洗气与所述沉积物具有化学反应性。还描述了改进一离子植入系统的性能并且延长其寿命之方法，该方法包括将阴极与一气体混合物进行接触。

3. 发明专利

TW201528319A 冷剝除器、串列加速器與產生高能離子束的方法审中-公开
简体标题：冷剥除器、串行加速器与产生高能离子束的方法
公开(公告)号：TW201528319A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103143186
申请日：2014-12-11
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：常勝武 , CHANG, SHENGWU
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/02
CPC分类号： G21K1/14 , H01J37/3171 , H01J2237/002 , H01J2237/0048 , H01J2237/047 , H01J2237/061 , H01J2237/082 , H01L21/265 , H05H5/063 , H05H2007/088
摘要：提供一種用於高能離子植入器系統的冷剝除器。所述冷剝除器包含：剝除器管，所述剝除器管具有中空空腔；所述剝除器管中的用於將帶正電的離子的離子束導入到所述中空空腔中的第一孔隙和所述剝除器管中的用於將所述離子束從所述中空空腔排出的第二孔隙；氣體泵，所述氣體泵耦接到所述中空空腔以將氣體引入到所述中空空腔中；所述剝除器管中的一個或多於一個冷卻通路；以及冷卻劑泵，所述冷卻劑泵耦接到所述一個或多於一個冷卻通路以使冷卻劑在所述一個或多於一個冷卻通路中循環。
简体摘要：提供一种用于高能离子植入器系统的冷剥除器。所述冷剥除器包含：剥除器管，所述剥除器管具有中空空腔；所述剥除器管中的用于将带正电的离子的离子束导入到所述中空空腔中的第一孔隙和所述剥除器管中的用于将所述离子束从所述中空空腔排出的第二孔隙；气体泵，所述气体泵耦接到所述中空空腔以将气体引入到所述中空空腔中；所述剥除器管中的一个或多于一个冷却通路；以及冷却剂泵，所述冷却剂泵耦接到所述一个或多于一个冷却通路以使冷却剂在所述一个或多于一个冷却通路中循环。

4. 发明专利

TW201526067A 支撐結構及使用該支撐結構之離子產生裝置审中-公开
简体标题：支撑结构及使用该支撑结构之离子产生设备
公开(公告)号：TW201526067A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103144507
申请日：2014-12-19
申请人：斯伊恩股份有限公司 , SEN CORPORATION
发明人：佐藤正輝 , SATO, MASATERU
IPC分类号： H01J37/04 , H01J37/20
CPC分类号： H01J27/08 , H01J27/022 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/082
摘要：提供能夠減少反射極的絕緣性降低之支撐結構及離子產生裝置。離子產生裝置(10)具備：電弧腔室 (12)；反射極(62)，其具有設置於電弧腔室內之反射板(64)、及插通於連通電弧腔室(12)內外之貫通孔(60)之反射極延長部(66)；以及支撐結構(70)，其設置於電弧腔室(12)的外側，並支撐反射極成得以確保反射極延長部(66)與貫通孔(60)的內壁之間的間隙(60a)。支撐結構(70)具有：蓋構件(80)，其在電弧腔室(12)的外部劃分與間隙(60a)連通之小室(88)；以及絕緣構件(72)，其將電弧腔室(12)與反射極(62)之間電絕緣。
简体摘要：提供能够减少反射极的绝缘性降低之支撑结构及离子产生设备。离子产生设备(10)具备：电弧腔室 (12)；反射极(62)，其具有设置于电弧腔室内之反射板(64)、及插通于连通电弧腔室(12)内外之贯通孔(60)之反射极延长部(66)；以及支撑结构(70)，其设置于电弧腔室(12)的外侧，并支撑反射极成得以确保反射极延长部(66)与贯通孔(60)的内壁之间的间隙(60a)。支撑结构(70)具有：盖构件(80)，其在电弧腔室(12)的外部划分与间隙(60a)连通之小室(88)；以及绝缘构件(72)，其将电弧腔室(12)与反射极(62)之间电绝缘。

5. 发明专利

TW201030792A 半導體製造系統中之離子源清潔法 ION SOURCE CLEANING IN SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEMS 审中-公开
简体标题：半导体制造系统中之离子源清洁法 ION SOURCE CLEANING IN SEMICONDUCTOR PROCESSING SYSTEMS
公开(公告)号：TW201030792A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098127518
申请日：2009-08-13
申请人：先進科技材料公司
发明人：史威尼約瑟D , 葉達夫莎拉德 , 拜歐利格 , 金姆羅伯 , 艾德瑞吉大衛 , 豐琳 , 畢夏普史蒂芬E , 歐蘭德 W 卡爾 , 唐瀛
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/08 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J27/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J37/3171 , H01J37/32862 , H01J2237/0209 , H01J2237/022 , H01J2237/082 , H01J2237/22
摘要：本發明係關於藉由監測陰極偏壓功率且取決於比較値採取校正動作而藉由利用能夠生長/蝕刻在一離子植入系統之間接加熱的陰極中之該陰極的溫度及/或反應性清洗試劑來蝕刻或再生長該陰極以清洗一離子植入系統或其部件。
简体摘要：本发明系关于借由监测阴极偏压功率且取决于比较値采取校正动作而借由利用能够生长/蚀刻在一离子植入系统之间接加热的阴极中之该阴极的温度及/或反应性清洗试剂来蚀刻或再生长该阴极以清洗一离子植入系统或其部件。

6. 发明专利

TW200947495A 離子源氣體反應器 ION SOURCE GAS REACTOR 失效
简体标题：离子源气体反应器 ION SOURCE GAS REACTOR
公开(公告)号：TW200947495A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098102269
申请日：2009-01-21
申请人：山米奎普公司
发明人：麥克英泰瑞艾德華 , 高登伯格理查
IPC分类号： H01J , B01J
CPC分类号： H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/006 , H01J2237/061 , H01J2237/082 , H01J2237/0827
摘要：本發明揭示一種包含一氣體反應室之離子源。本發明亦包含一種藉由向該氣體反應室供應一氣態饋給材料，而將該饋給材料轉化成一四聚物、二聚物、其他分子或原子物種之方法，其中該饋給材料係經轉化成待供應給離子源且經離子化之適當氣體物種。更特定言之，該氣體反應室係經組態成接收呈氣體形式的氫化物及其他饋給材料，諸如AsH3或PH3，及產生迄今未知之各種用於離子佈植之分子及原子物種。在本發明之一實施例中，該氣體被相對均勻地加熱以對產生的分子或原子物種提供相當準確的控制。在本發明之另一實施例中，該氣體反應室使用一催化表面以將該饋給氣體轉化成佈植所需之不同源氣體物種，諸如，將氫化物轉化成四聚物分子。在本發明之又另一實施例中，該氣體反應室係經組態使得在一經提高至一適當溫度之適當材料的存在下發生催化(或熱解)反應，該適當材料包含玻璃或諸如鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)之金屬、不銹鋼、陶瓷、氮化硼或其他難熔金屬。
简体摘要：本发明揭示一种包含一气体反应室之离子源。本发明亦包含一种借由向该气体反应室供应一气态馈给材料，而将该馈给材料转化成一四聚物、二聚物、其他分子或原子物种之方法，其中该馈给材料系经转化成待供应给离子源且经离子化之适当气体物种。更特定言之，该气体反应室系经组态成接收呈气体形式的氢化物及其他馈给材料，诸如AsH3或PH3，及产生迄今未知之各种用于离子布植之分子及原子物种。在本发明之一实施例中，该气体被相对均匀地加热以对产生的分子或原子物种提供相当准确的控制。在本发明之另一实施例中，该气体反应室使用一催化表面以将该馈给气体转化成布植所需之不同源气体物种，诸如，将氢化物转化成四聚物分子。在本发明之又另一实施例中，该气体反应室系经组态使得在一经提高至一适当温度之适当材料的存在下发生催化(或热解)反应，该适当材料包含玻璃或诸如钨(W)、钽(Ta)、钼(Mo)之金属、不锈钢、陶瓷、氮化硼或其他难熔金属。

7. 发明专利

TW200913020A 離子植入裝置及由碳硼烷聚集物離子衍生之離子植入的半導體製造方法 AN ION IMPLANTATION DEVICE AND A METHOD OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING BY THE IMPLANTATION OF IONS DERIVED FROM CARBORANE CLUSTER IONS 失效
简体标题：离子植入设备及由碳硼烷聚集物离子衍生之离子植入的半导体制造方法 AN ION IMPLANTATION DEVICE AND A METHOD OF SEMICONDUCTOR MANUFACTURING BY THE IMPLANTATION OF IONS DERIVED FROM CARBORANE CLUSTER IONS
公开(公告)号：TW200913020A
公开(公告)日：2009-03-16
申请号：TW097121438
申请日：2008-06-09
申请人：山米奎普公司 SEMEQUIP, INC.
发明人：湯馬士N 賀斯基 HORSKY, THOMAS N. , 達爾C 傑寇森 JACOBSON, DALE C.
IPC分类号： H01L , H01J
CPC分类号： H01L21/26513 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J2237/08 , H01J2237/0815 , H01J2237/082 , H01L21/2658 , H01L29/6659 , H01L29/7833
摘要：本發明揭示一種離子植入裝置及製造一半導體裝置之方法,其中將離子化的碳硼烷聚集物離子植入半導體基板以實行該基板之摻雜。該等碳硼烷聚集物離子具有化學形式C2B10Hx^+、C2B8Hx^+及C4B18Hx^+,而且係由形式C2B10H12、C2B10H10及C4B18H22之碳硼烷聚集物分子形成。此類碳硼烷分子聚集物之使用產生在較低植入能量下之較高摻雜濃度,以提供高劑量低能量植入物。依據本發明之一態樣,可藉由直接電子撞擊離子化或藉由一電漿來將該等碳硼烷聚集物分子離子化。
简体摘要：本发明揭示一种离子植入设备及制造一半导体设备之方法,其中将离子化的碳硼烷聚集物离子植入半导体基板以实行该基板之掺杂。该等碳硼烷聚集物离子具有化学形式C2B10Hx^+、C2B8Hx^+及C4B18Hx^+,而且系由形式C2B10H12、C2B10H10及C4B18H22之碳硼烷聚集物分子形成。此类碳硼烷分子聚集物之使用产生在较低植入能量下之较高掺杂浓度,以提供高剂量低能量植入物。依据本发明之一态样,可借由直接电子撞击离子化或借由一等离子来将该等碳硼烷聚集物分子离子化。

8. 发明专利

TW200903554A 具有電子生成與聚焦溝之陰極、離子源及其方法 CATHODE HAVING ELECTRON PRODUCTION AND FOCUSING GROOVES, ION SOURCE AND RELATED METHOD 审中-公开
简体标题：具有电子生成与聚焦沟之阴极、离子源及其方法 CATHODE HAVING ELECTRON PRODUCTION AND FOCUSING GROOVES, ION SOURCE AND RELATED METHOD
公开(公告)号：TW200903554A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：TW097123377
申请日：2008-06-23
申请人：瓦里安半導體設備公司 VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：巴森奈爾J BASSOM, NEIL J.
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/08 , H01J27/205 , H01J2237/061 , H01J2237/082 , H01J2237/31701
摘要：揭露一種用於離子植入器系統之離子源之具有電子生成與聚焦溝的陰極、離子源及其方法。在一個實施例中,所述陰極包括工作表面,所述工作表面中定位有多個電子生成與聚焦溝。所述離子源之反射極可以類似方式構造。
简体摘要：揭露一种用于离子植入器系统之离子源之具有电子生成与聚焦沟的阴极、离子源及其方法。在一个实施例中,所述阴极包括工作表面,所述工作表面中定位有多个电子生成与聚焦沟。所述离子源之反射极可以类似方式构造。

9. 发明专利

TWI297167B 檢查裝置,以及檢查方法 INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION METHOD 有权
简体标题：检查设备,以及检查方法 INSPECTION APPARATUS AND INSPECTION METHOD
公开(公告)号：TWI297167B
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：TW094128163
申请日：2001-06-27
申请人：荏原製作所股份有限公司 EBARA CORPORATION
发明人：中筋護 NAKASUJI, MAMORU , 野路伸治 NOJI, NOBUHARU , 佐竹徹 SATAKE, TOHRU , 曾布川拓司 SOBUKAWA, HIROSI , 吉川省二 YOSHIKAWA, SHOJI , 金馬利文 KIMBA, TOSHIFUMI , 狩努 KARIMATA, TSUTOMU , 大和田伸 OOWADA, SHIN , 西藤睦 SAITO, MUTSUMI , 濱島宗樹 HAMASHIMA, MUNEKI , 高木徹 TAKAGI, TORU
IPC分类号： H01J
CPC分类号： G03F7/70616 , G01N23/225 , H01J37/05 , H01J37/06 , H01J37/073 , H01J37/075 , H01J37/185 , H01J37/20 , H01J37/222 , H01J37/226 , H01J37/244 , H01J37/28 , H01J2237/0435 , H01J2237/057 , H01J2237/06316 , H01J2237/082 , H01J2237/202 , H01J2237/20228 , H01J2237/204 , H01J2237/22 , H01J2237/2446 , H01J2237/24485 , H01J2237/24564 , H01J2237/248 , H01J2237/2482 , H01J2237/2806 , H01J2237/2816 , H01J2237/2817
摘要：本發明關於檢查裝置及使用該裝置之半導體裝置的製造方法。本檢查裝置使用於對晶圓等之試件實行缺陷檢查、線幅測定、表面電位測定等。本檢查裝置由一次光學系對試件射入複數之帶電粒子，將試件放出之二次帶電粒子由一次光學系分離，並經由二次光學系導入檢測器。帶電粒子之照射為於移動試件中實行。帶電粒子照射點為依試件移動方向的N行及與其成直角方向之M列配置。帶電粒子照射點之各行為對試件移動方向之直角方向順次以預定量偏移。[本文中之行為/row，列為column]
简体摘要：本发明关于检查设备及使用该设备之半导体设备的制造方法。本检查设备使用于对晶圆等之试件实行缺陷检查、线幅测定、表面电位测定等。本检查设备由一次光学系对试件射入复数之带电粒子，将试件放出之二次带电粒子由一次光学系分离，并经由二次光学系导入检测器。带电粒子之照射为于移动试件中实行。带电粒子照射点为依试件移动方向的N行及与其成直角方向之M列配置。带电粒子照射点之各行为对试件移动方向之直角方向顺次以预定量偏移。[本文中之行为/row，列为column]

10. 发明专利

TWI619153B 在半導體處理系統中離子源之清洗有权
简体标题：在半导体处理系统中离子源之清洗
公开(公告)号：TWI619153B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW105140436
申请日：2009-02-11
申请人：恩特葛瑞斯股份有限公司 , ENTEGRIS, INC.
发明人：史威尼約瑟D , SWEENEY, JOSEPH D. , 葉達夫莎拉德 , YEDAVE, SHARAD N. , 拜歐利格 , BYL, OLEG , 金姆羅伯 , KAIM, ROBERT , 艾德瑞吉大衛 , ELDRIDGE, DAVID , 塞吉史蒂芬 , SERGI, STEVEN , 豐琳 , FENG, LIN , 畢夏普史蒂芬E , BISHOP, STEVEN E. , 歐蘭德 W 卡爾 , OLANDER, W. KARL , 唐瀛 , TANG, YING
IPC分类号： H01L21/265 , C23C14/54
CPC分类号： H01J37/3171 , C23C14/48 , C23C14/54 , C23C14/564 , H01J37/08 , H01J37/16 , H01J37/18 , H01J2237/082 , H01J2237/22

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