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11. 发明专利

TW201823333A 光阻材料及圖案形成方法审中-公开
简体标题：光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TW201823333A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106134104
申请日：2017-10-03
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI , 佐佐見武志 , SASAMI, TAKESHI
IPC分类号： C08K5/098 , C08K5/435 , G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要：本發明提供增感效果高，也具有抑制酸擴散之效果，解像性、LWR、CDU良好的光阻材料，及提供使用該光阻材料之圖案形成方法。一種光阻材料，包含基礎聚合物、與下式(A)表示之羧酸鹽或下式(B)表示之磺醯胺鹽。
简体摘要：本发明提供增感效果高，也具有抑制酸扩散之效果，解像性、LWR、CDU良好的光阻材料，及提供使用该光阻材料之图案形成方法。一种光阻材料，包含基础聚合物、与下式(A)表示之羧酸盐或下式(B)表示之磺酰胺盐。

12. 发明专利

TW201546557A 正型光阻組成物及圖案形成方法审中-公开
简体标题：正型光阻组成物及图案形成方法
公开(公告)号：TW201546557A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104108391
申请日：2015-03-17
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：船津顯之 , FUNATSU, KENJI , 關明寬 , SEKI, AKIHIRO , 佐佐見武志 , SASAMI, TAKESHI
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/027 , C08F220/18 , C08F220/32 , G03F7/028 , G03F7/20 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2041 , G03F7/0397 , G03F7/11
摘要：本發明之目的為提供解析度，尤其是焦點深度(DOF)特性優良而且能賦予LWR(line width roughness)良好的圖案之正型光阻組成物。本發明係提供一種正型光阻組成物，其特徵為含有：(A)具有將以下述通式(1)及下述通式(2)所表示的重複單元作為含酸不安定基的重複單元，且鹼溶解性因酸而提高的樹脂、(B)光酸產生劑、(C)下述通式(3)所表示的化合物，及(D)溶劑。
简体摘要：本发明之目的为提供分辨率，尤其是焦点深度(DOF)特性优良而且能赋予LWR(line width roughness)良好的图案之正型光阻组成物。本发明系提供一种正型光阻组成物，其特征为含有：(A)具有将以下述通式(1)及下述通式(2)所表示的重复单元作为含酸不安定基的重复单元，且碱溶解性因酸而提高的树脂、(B)光酸产生剂、(C)下述通式(3)所表示的化合物，及(D)溶剂。

13. 发明专利

TWI447127B 光阻材料及圖案形成方法有权
简体标题：光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TWI447127B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW100141083
申请日：2011-11-10
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 佐佐見武志 , SASAMI, TAKESHI , 原田裕次 , HARADA, YUJI , 森澤拓 , MORISAWA, TAKU
IPC分类号： C08F18/20 , C08F20/26 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041

14. 发明专利

TWI432464B 高分子化合物、光阻材料及圖案形成方法有权
简体标题：高分子化合物、光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TWI432464B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW099145548
申请日：2010-12-23
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：原田裕次 , HARADA, YUJI , 渡邊武 , WATANABE, TAKERU , 佐佐見武志 , SASAMI, TAKESHI , 須賀祐輝 , SUKA, YUKI , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI
IPC分类号： C08F220/18 , C08F220/28 , C08F220/32 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： C08F14/18 , C08F220/28 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , C08F2/00 , C08F220/24

15. 发明专利

TWI429632B 含氟單體、高分子化合物、光阻材料及圖案形成方法有权
简体标题：含氟单体、高分子化合物、光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TWI429632B
公开(公告)日：2014-03-11
申请号：TW100112058
申请日：2011-04-07
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：提箸正義 , SAGEHASHI, MASAYOSHI , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 佐佐見武志 , SASAMI, TAKESHI
IPC分类号： C07D317/34 , C07D317/72 , C08F20/28 , C08F22/20 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： C07C69/013 , C07C69/653 , C07D317/34 , C07D317/72 , C08F24/00 , C08F220/22 , C08F220/24 , C08F220/28 , C08F222/18 , C08F222/20 , C08F222/22 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/108 , Y10S430/111

16. 发明专利

TW201324051A 氟化氬浸潤式曝光用化學增幅正型光阻材料及圖案形成方法审中-公开
简体标题：氟化氩浸润式曝光用化学增幅正型光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TW201324051A
公开(公告)日：2013-06-16
申请号：TW101139348
申请日：2012-10-24
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：大澤洋一 , OHSAWA, YOUICHI , 大橋正樹 , OHASHI, MASAKI , 佐佐見武志 , SASAMI, TAKESHI , 旱田山潤 , HATAKEYAMA, JUN
IPC分类号： G03F7/039 , C07C381/12 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/027 , G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/028 , G03F7/039 , G03F7/0397 , G03F7/20 , G03F7/2041 , G03F7/26 , Y10S430/109 , Y10S430/122 , Y10S430/126
摘要：本發明提供一種氟化氬浸潤式曝光用化學增幅正型光阻材料，其係包含：(A)式(1-1)表示之2,3,3,3-四氟-2-(1,1,2,2,3,3,3-七氟丙氧基)丙酸=三芳基鋶、(B)式(1-2)表示之酸產生劑、(C)基礎樹脂、(D)有機溶劑。 (Ar為芳基。) (R1為烷基、烯基或芳烷基。R2為氫原子或三氟甲基。Ar為芳基。)依照本發明，由於疏水性高、對浸潤水之溶出低、能控制酸擴散，所以能構建高解像性的圖案輪廓。
简体摘要：本发明提供一种氟化氩浸润式曝光用化学增幅正型光阻材料，其系包含：(A)式(1-1)表示之2,3,3,3-四氟-2-(1,1,2,2,3,3,3-七氟丙氧基)丙酸=三芳基锍、(B)式(1-2)表示之酸产生剂、(C)基础树脂、(D)有机溶剂。 (Ar为芳基。) (R1为烷基、烯基或芳烷基。R2为氢原子或三氟甲基。Ar为芳基。)依照本发明，由于疏水性高、对浸润水之溶出低、能控制酸扩散，所以能构建高解像性的图案轮廓。

17. 发明专利

TW201211016A 含氟單體、高分子化合物、光阻材料及圖案形成方法 FLUORINATED MONOMER, POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：含氟单体、高分子化合物、光阻材料及图案形成方法 FLUORINATED MONOMER, POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201211016A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100112058
申请日：2011-04-07
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：提箸正義 , 長谷川幸士 , 佐佐見武志
IPC分类号： C07D , C08F , G03F , H01L
CPC分类号： C07C69/013 , C07C69/653 , C07D317/34 , C07D317/72 , C08F24/00 , C08F220/22 , C08F220/24 , C08F220/28 , C08F222/18 , C08F222/20 , C08F222/22 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , Y10S430/108 , Y10S430/111
摘要：一種以通式(1)表示之含氟單體：
(R 1 代表H、F、甲基或三氟甲基。R 2 、R 3 為H或C1~15之1價烴基。R 2 、R 3 也可彼此鍵結而與此等所鍵結之碳原子一起形成非芳香環。R 4 ~R 6 為C1~6之氟化1價烴基。A為C1~10之2價烴基。k 1 為0~2之整數。)本發明之含氟單體，當作機能性材料、醫藥‧農藥等的原料為有用，且當作用於製造對於波長500nm以下的放射線具有優異的透明性，且顯影缺陷少的感放射線光阻材料的添加劑用樹脂的單體非常有用。由上述單體獲得之高分子化合物，可利用樹脂之構造選擇而調整撥水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、水解性等各種性能。
简体摘要：一种以通式(1)表示之含氟单体： (R 1 代表H、F、甲基或三氟甲基。R 2 、R 3 为H或C1~15之1价烃基。R 2 、R 3 也可彼此键结而与此等所键结之碳原子一起形成非芳香环。R 4 ~R 6 为C1~6之氟化1价烃基。A为C1~10之2价烃基。k 1 为0~2之整数。)本发明之含氟单体，当作机能性材料、医药‧农药等的原料为有用，且当作用于制造对于波长500nm以下的放射线具有优异的透明性，且显影缺陷少的感放射线光阻材料的添加剂用树脂的单体非常有用。由上述单体获得之高分子化合物，可利用树脂之构造选择而调整拨水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、水解性等各种性能。

18. 发明专利

TW201237030A 含氟酯單體及其製造方法、含氟酯高分子化合物及二氟羥基羧酸化合物 FLUORINATED ESTER MONOMER, MAKING METHOD, FLUORINATED ESTER POLYMER, AND DIFLUOROHYDROXYCARBOXYLIC ACID 有权
简体标题：含氟酯单体及其制造方法、含氟酯高分子化合物及二氟羟基羧酸化合物 FLUORINATED ESTER MONOMER, MAKING METHOD, FLUORINATED ESTER POLYMER, AND DIFLUOROHYDROXYCARBOXYLIC ACID
公开(公告)号：TW201237030A
公开(公告)日：2012-09-16
申请号：TW100132291
申请日：2011-09-07
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：金生剛 , 須賀祐輝 , 原田裕次 , 長谷川幸士 , 佐佐見武志
IPC分类号： C07C , C08F , G03F
CPC分类号： G03F7/038 , C07C51/00 , C07C69/73 , C08F220/22 , C08F222/18 , C08F2220/283 , G03F7/027 , C07C59/115
摘要：本發明提供以通式(1)表示之含氟酯單體。
(R 1 為H、CH3或CF3。R 2 、R 3 代表H或一價烴基、或代表R 2 與R 3 形成烴環之二價之基、R 4 代表一價烴基。k為0或1)。藉由將本發明之單體當做原料單體使用，可獲得對於波長200nm以下之放射線具有優異透明性且具適當鹼水解性，同時，可藉由結構選擇而調整撥水性、滑水性、表面不平均分布性等各種性能且構成例如光阻用添加劑或保護膜材料等水浸液ArF雷射曝光微影材料的高分子化合物。
简体摘要：本发明提供以通式(1)表示之含氟酯单体。 (R 1 为H、CH3或CF3。R 2 、R 3 代表H或一价烃基、或代表R 2 与R 3 形成烃环之二价之基、R 4 代表一价烃基。k为0或1)。借由将本发明之单体当做原料单体使用，可获得对于波长200nm以下之放射线具有优异透明性且具适当碱水解性，同时，可借由结构选择而调整拨水性、滑水性、表面不平均分布性等各种性能且构成例如光阻用添加剂或保护膜材料等水浸液ArF激光曝光微影材料的高分子化合物。

19. 发明专利

TW201235362A 光阻材料及圖案形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：光阻材料及图案形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201235362A
公开(公告)日：2012-09-01
申请号：TW100141083
申请日：2011-11-10
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：長谷川幸士 , 佐佐見武志 , 原田裕次 , 森澤拓
IPC分类号： C08F , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041
摘要：本發明提供一種光阻材料，其包含:(A)具有以式(1a)表示之重複單元之高分子化合物、(B)當做基礎樹脂，具有來自於內酯環之骨架及/或具羥基之骨架及/或來自於馬來酸酐之骨架，且因為酸作用成為可溶於鹼顯影液之高分子化合物、(C)因為高能量射線曝光產生酸之化合物、及(D)有機溶劑;
(R 1 表示氫原子、或1價烴基，為1價烴基時，構成之-CH2-也可取代為-O-或-C(=O)-;R 2 表示氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基;Aa為(k 1 +1)價之烴基或氟化烴基。Ab表示2價烴基;k 1 為1～3之整數;k 2 為0或1)。使用本發明之光阻材料形成之光阻膜，由於對於水具有良好的阻隔性能，故能抑制光阻材料溶出到水中，故能減少由於溶出物導致的圖案形狀變化。
简体摘要：本发明提供一种光阻材料，其包含:(A)具有以式(1a)表示之重复单元之高分子化合物、(B)当做基础树脂，具有来自于内酯环之骨架及/或具羟基之骨架及/或来自于马来酸酐之骨架，且因为酸作用成为可溶于碱显影液之高分子化合物、(C)因为高能量射线曝光产生酸之化合物、及(D)有机溶剂; (R 1 表示氢原子、或1价烃基，为1价烃基时，构成之-CH2-也可取代为-O-或-C(=O)-;R 2 表示氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基;Aa为(k 1 +1)价之烃基或氟化烃基。Ab表示2价烃基;k 1 为1～3之整数;k 2 为0或1)。使用本发明之光阻材料形成之光阻膜，由于对于水具有良好的阻隔性能，故能抑制光阻材料溶出到水中，故能减少由于溶出物导致的图案形状变化。

20. 发明专利

TW201136954A 高分子化合物、光阻材料及圖案形成方法 POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：高分子化合物、光阻材料及图案形成方法 POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201136954A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099145548
申请日：2010-12-23
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：原田裕次 , 渡邊武 , 佐佐見武志 , 須賀祐輝 , 長谷川幸士
IPC分类号： C08F , G03F , H01L
CPC分类号： C08F14/18 , C08F220/28 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , C08F2/00 , C08F220/24
摘要：一種高分子化合物，具有以一般式(1)表示之重複單元，藉由鹼顯影液的作用增加鹼顯影液溶解性。
(R 1 為H、F、甲基、或三氟甲基。R 2 為C1～10的氟化1價烴基。An為C1～15之(n+1)價的烴基或氟化烴基。n為1~3的整數。)藉由本發明可提供重複單元內具有含氟烷羰氧基，藉由鹼顯影液的作用增加鹼顯影液溶解性之新穎高分子化合物及以其為添加劑使用之光阻材料。此高分子材料在波長200nm以下之放射線具有優液的透明性，藉由樹脂構造的選擇，可調整斥水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、水解性等各種性能，可由容易取得及操作的原料製造。
简体摘要：一种高分子化合物，具有以一般式(1)表示之重复单元，借由碱显影液的作用增加碱显影液溶解性。 (R 1 为H、F、甲基、或三氟甲基。R 2 为C1～10的氟化1价烃基。An为C1～15之(n+1)价的烃基或氟化烃基。n为1~3的整数。)借由本发明可提供重复单元内具有含氟烷羰氧基，借由碱显影液的作用增加碱显影液溶解性之新颖高分子化合物及以其为添加剂使用之光阻材料。此高分子材料在波长200nm以下之放射线具有优液的透明性，借由树脂构造的选择，可调整斥水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、水解性等各种性能，可由容易取得及操作的原料制造。

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