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1. 发明专利

TW201504772A 光阻組成物之製造方法审中-公开
简体标题：光阻组成物之制造方法
公开(公告)号：TW201504772A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103115987
申请日：2014-05-05
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 美谷島祐介 , BIYAJIMA, YUSUKE , 岩淵元亮 , IWABUCHI, MOTOAKI , 森澤拓 , MORISAWA, TAKU
IPC分类号： G03F7/26 , B01D37/00 , G03F7/004 , G03F7/075 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/004 , B01D61/14 , B01D61/145 , C08G77/04 , C08L83/04 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/095 , G03F7/11
摘要：本發明提供：減少用於浸潤曝光、雙重圖案化、有機溶劑顯影等的光阻組成物之塗佈缺陷，尤其減少含矽光阻下層膜之塗佈缺陷的光阻組成物製造方法。一種光阻組成物之製造方法，其係藉由將半導體裝置之製造步驟中使用的光阻組成物以濾器進行過濾而予以製造的方法，其特徵為：使用在利用有機溶劑之萃取中每單位濾器表面積(m2)之溶出物之重量為5mg以下之濾器作為該濾器而進行過濾。
简体摘要：本发明提供：减少用于浸润曝光、双重图案化、有机溶剂显影等的光阻组成物之涂布缺陷，尤其减少含硅光阻下层膜之涂布缺陷的光阻组成物制造方法。一种光阻组成物之制造方法，其系借由将半导体设备之制造步骤中使用的光阻组成物以滤器进行过滤而予以制造的方法，其特征为：使用在利用有机溶剂之萃取中每单位滤器表面积(m2)之溶出物之重量为5mg以下之滤器作为该滤器而进行过滤。

2. 发明专利

TWI465850B 正型阻劑材料及使用其之圖型形成方法有权
简体标题：正型阻剂材料及使用其之图型形成方法
公开(公告)号：TWI465850B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW101106281
申请日：2012-02-24
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：旱田山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 永田岳志 , NAGATA, TAKESHI , 森澤拓 , MORISAWA, TAKU
IPC分类号： G03F7/039 , C08L33/08 , C08L61/12 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/085 , H01L21/265

3. 发明专利

TW201641166A 微影用塗布膜之形成方法审中-公开
简体标题：微影用涂布膜之形成方法
公开(公告)号：TW201641166A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105110683
申请日：2016-04-06
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 森澤拓 , MORISAWA, TAKU
IPC分类号： B05C11/10 , B05D1/40 , B01D11/04
CPC分类号： B01D65/02 , G03F7/162 , H01L21/0271
摘要：本發明之課題為提供一種使用微影用塗布膜形成用組成物而形成塗布缺陷大幅減少之微影用塗布膜的方法。本發明提供一種微影用塗布膜之形成方法，係使用具備框體與過濾膜成為一體之一體型過濾器的旋轉塗布裝置，於半導體裝置製造用基板上旋轉塗布微影用塗布膜形成用組成物，並將該塗布有微影用塗布膜形成用組成物之半導體裝置製造用基板加熱，藉此於該半導體裝置製造用基板上形成微影用塗布膜；其特徵為：作為該一體型過濾器，係使用將有機溶劑以每分鐘10ml之速度循環24小時時所萃取之每一個過濾器之溶出物之重量為3mg以下者。
简体摘要：本发明之课题为提供一种使用微影用涂布膜形成用组成物而形成涂布缺陷大幅减少之微影用涂布膜的方法。本发明提供一种微影用涂布膜之形成方法，系使用具备框体与过滤膜成为一体之一体型过滤器的旋转涂布设备，于半导体设备制造用基板上旋转涂布微影用涂布膜形成用组成物，并将该涂布有微影用涂布膜形成用组成物之半导体设备制造用基板加热，借此于该半导体设备制造用基板上形成微影用涂布膜；其特征为：作为该一体型过滤器，系使用将有机溶剂以每分钟10ml之速度循环24小时时所萃取之每一个过滤器之溶出物之重量为3mg以下者。

4. 发明专利

TWI515517B 含矽光阻下層膜形成用組成物之製造方法有权
简体标题：含硅光阻下层膜形成用组成物之制造方法
公开(公告)号：TWI515517B
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW103115987
申请日：2014-05-05
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 美谷島祐介 , BIYAJIMA, YUSUKE , 岩淵元亮 , IWABUCHI, MOTOAKI , 森澤拓 , MORISAWA, TAKU
IPC分类号： G03F7/26 , B01D37/00 , G03F7/004 , G03F7/075 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/004 , B01D61/14 , B01D61/145 , C08G77/04 , C08L83/04 , C09D183/04 , G03F7/0752 , G03F7/09 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/095 , G03F7/11

5. 发明专利

TWI583453B 微影用塗布膜之形成方法有权
简体标题：微影用涂布膜之形成方法
公开(公告)号：TWI583453B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW105110683
申请日：2016-04-06
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 森澤拓 , MORISAWA, TAKU
IPC分类号： B05C11/10 , B05D1/40 , B01D11/04
CPC分类号： B01D65/02 , G03F7/162 , H01L21/0271

6. 发明专利

TWI503310B 含氟單體、含氟高分子化合物、光阻材料及圖案形成方法有权
简体标题：含氟单体、含氟高分子化合物、光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TWI503310B
公开(公告)日：2015-10-11
申请号：TW099140550
申请日：2010-11-24
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 提箸正義 , SAGEHASHI, MASAYOSHI , 森澤拓 , MORISAWA, TAKU , 原田裕次 , HARADA, YUJI , 吉原隆夫 , YOSHIHARA, TAKAO
IPC分类号： C07C69/34 , C08F14/18 , C08F20/24 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： C07C69/73 , C08F220/22 , C08F220/24 , C08F220/26 , C08F222/18 , C08F222/22 , C08K5/36 , C08L33/14 , C08L33/16 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , C08L2666/04

7. 发明专利

TWI447127B 光阻材料及圖案形成方法有权
简体标题：光阻材料及图案形成方法
公开(公告)号：TWI447127B
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW100141083
申请日：2011-11-10
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 佐佐見武志 , SASAMI, TAKESHI , 原田裕次 , HARADA, YUJI , 森澤拓 , MORISAWA, TAKU
IPC分类号： C08F18/20 , C08F20/26 , G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041

8. 发明专利

TW201211698A 光阻保護膜材料及圖案形成方法 RESIST TOP COAT COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：光阻保护膜材料及图案形成方法 RESIST TOP COAT COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201211698A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100119090
申请日：2011-05-31
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：原田裕次 , 森澤拓 , 渡邊武 , 須賀祐輝
IPC分类号： G03F , C08F , H01L
CPC分类号： G03F7/2041 , C08F220/20 , C08F220/22 , C08K5/05 , C08K5/06 , G03F7/11 , C08F222/1006 , C08F228/02
摘要：本發明之目的在於提供一種斥水性與滑水性優異、顯影缺陷少且顯影後之光阻圖案形狀良好之浸潤式微影用光阻保護膜材料，更提供一種利用該材料之圖案形成方法。本發明之光阻保護膜材料，其特徵在於至少包含含有下述通式(1a)、(1b-1)及(1c)表示之重複單元，且重量平均分子量在1,000～500,000之範圍內的高分子化合物(P1-1)。【化1】
简体摘要：本发明之目的在于提供一种斥水性与滑水性优异、显影缺陷少且显影后之光阻图案形状良好之浸润式微影用光阻保护膜材料，更提供一种利用该材料之图案形成方法。本发明之光阻保护膜材料，其特征在于至少包含含有下述通式(1a)、(1b-1)及(1c)表示之重复单元，且重量平均分子量在1,000～500,000之范围内的高分子化合物(P1-1)。【化1】

9. 发明专利

TW201139364A 含氟單體、含氟高分子化合物、光阻材料及圖案形成方法 FLUORINATED MONOMER, FLUORINATED POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：含氟单体、含氟高分子化合物、光阻材料及图案形成方法 FLUORINATED MONOMER, FLUORINATED POLYMER, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201139364A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099140550
申请日：2010-11-24
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：長谷川幸士 , 提箸正義 , 森澤拓 , 原田裕次 , 吉原隆夫
IPC分类号： C07C , C08F , G03F , H01L
CPC分类号： C07C69/73 , C08F220/22 , C08F220/24 , C08F220/26 , C08F222/18 , C08F222/22 , C08K5/36 , C08L33/14 , C08L33/16 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , C08L2666/04
摘要：一種以通式(1)表示之含氟單體：
(R 1 表示氫原子、氟原子、甲基或三氟甲基。R 2 表示也可具有鹵素原子或氧原子的碳數1~15的直鏈狀、分支狀或環狀的1價烴基。A表示碳數1~6的直鏈狀、分支狀或環狀的2價烴基。k 1 為0~2的整數。)本發明之含氟單體，當做機能性材料、醫藥‧農藥等的原料為有用，其中又以當做用於製造對於波長500nm以下，尤其波長300nm以下的放射線具有優異的透明性，且顯影缺陷極少的感放射線光阻材料的添加劑用樹脂的單體非常有用。又，本發明之高分子化合物，可利用樹脂之構造選擇而調整撥水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、水解性等各種性能，且可從容易取得及操作的原料製造。
简体摘要：一种以通式(1)表示之含氟单体： (R 1 表示氢原子、氟原子、甲基或三氟甲基。R 2 表示也可具有卤素原子或氧原子的碳数1~15的直链状、分支状或环状的1价烃基。A表示碳数1~6的直链状、分支状或环状的2价烃基。k 1 为0~2的整数。)本发明之含氟单体，当做机能性材料、医药‧农药等的原料为有用，其中又以当做用于制造对于波长500nm以下，尤其波长300nm以下的放射线具有优异的透明性，且显影缺陷极少的感放射线光阻材料的添加剂用树脂的单体非常有用。又，本发明之高分子化合物，可利用树脂之构造选择而调整拨水性、滑水性、脂溶性、酸分解性、水解性等各种性能，且可从容易取得及操作的原料制造。

10. 发明专利

TW201248328A 正型阻劑材料及使用其之圖型形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：正型阻剂材料及使用其之图型形成方法 POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201248328A
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW101106281
申请日：2012-02-24
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：旱田山潤 , 永田岳志 , 森澤拓
IPC分类号： G03F , C08L , H01L
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/085 , H01L21/265
摘要：一種正型阻劑材料,其係含有:含有羧基之氫原子經具有環構造之酸不安定基取代之(甲基)丙烯酸酯的重複單元之重量平均分子量為1,000~500,000之範圍的高分子化合物、二羥基之酚醛清漆樹脂、與光酸產生劑。本發明之正型阻劑材料,在高反射之段差基板上之解像性、埋入特性、與密合性優良,具有高解像性,曝光後之圖型形狀與邊緣粗糙度良好。因此,能夠得到特別適合作為超LSI製造用或EB描繪之光罩的微細圖型形成材料之正型阻劑材料、特別是化學增幅正型阻劑材料。
简体摘要：一种正型阻剂材料,其系含有:含有羧基之氢原子经具有环构造之酸不安定基取代之(甲基)丙烯酸酯的重复单元之重量平均分子量为1,000~500,000之范围的高分子化合物、二羟基之酚醛清漆树脂、与光酸产生剂。本发明之正型阻剂材料,在高反射之段差基板上之解像性、埋入特性、与密合性优良,具有高解像性,曝光后之图型形状与边缘粗糙度良好。因此,能够得到特别适合作为超LSI制造用或EB描绘之光罩的微细图型形成材料之正型阻剂材料、特别是化学增幅正型阻剂材料。

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