专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201542620A 末端具有胺基之窄分散聚烯烴二醇衍生物之製造方法审中-公开
简体标题：末端具有胺基之窄分散聚烯烃二醇衍生物之制造方法
公开(公告)号：TW201542620A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：TW104101320
申请日：2015-01-15
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：原田裕次 , HARADA, YUJI , 須賀祐輝 , SUKA, YUKI , 渡邊修 , WATANABE, OSAMU , 渡辺武 , WATANABE, TAKERU
IPC分类号： C08G65/26 , C08G65/333 , C07C213/02 , C07C217/08 , C07C41/03 , C07C253/30 , C07C209/48
CPC分类号： C07C213/02 , C07C29/60 , C07C29/70 , C07C29/705 , C07C213/10 , C07C253/30 , C08G65/322 , C08G65/333
摘要：本發明的課題為以溫和的條件下製造於末端具有胺基之窄分散聚烯烴二醇衍生物之製造方法。作為解決手段則為包含以下之步驟之一般式(1)CH3O(CH2CH2O)nCH2CH2CH2NH2(n為1~450之整數)之化合物之製造方法：[步驟1]從一般式(2)CH3O(CH2CH2O)kH(k為2~5之整數)之化合物得到一般式(3)CH3O(CH2CH2O)k-1CH2CH2O-M+之化合物的步驟；[步驟2]從一般式(3)之化合物得到一般式(4)CH3O(CH2CH2O)n-1CH2CH2O-M+之化合物的步驟；[步驟3]使一般式(4)之化合物與丙烯腈進行反應而得到一般式(5)CH3O(CH2CH2O)nCH2CH2CN之化合物的步驟；及[步驟4]還原一般式(5)之化合物，而得到一般式(1)之化合物的步驟。
简体摘要：本发明的课题为以温和的条件下制造于末端具有胺基之窄分散聚烯烃二醇衍生物之制造方法。作为解决手段则为包含以下之步骤之一般式(1)CH3O(CH2CH2O)nCH2CH2CH2NH2(n为1~450之整数)之化合物之制造方法：[步骤1]从一般式(2)CH3O(CH2CH2O)kH(k为2~5之整数)之化合物得到一般式(3)CH3O(CH2CH2O)k-1CH2CH2O-M+之化合物的步骤；[步骤2]从一般式(3)之化合物得到一般式(4)CH3O(CH2CH2O)n-1CH2CH2O-M+之化合物的步骤；[步骤3]使一般式(4)之化合物与丙烯腈进行反应而得到一般式(5)CH3O(CH2CH2O)nCH2CH2CN之化合物的步骤；及[步骤4]还原一般式(5)之化合物，而得到一般式(1)之化合物的步骤。

2. 发明专利

TWI506371B 光阻組成物、及使用此光阻組成物之圖案形成方法有权
简体标题：光阻组成物、及使用此光阻组成物之图案形成方法
公开(公告)号：TWI506371B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW101105079
申请日：2012-02-16
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO , 大澤洋一 , OHSAWA, YOUICHI , 原田裕次 , HARADA, YUJI , 須賀祐輝 , SUKA, YUKI
IPC分类号： G03F7/038 , C07C309/06 , C08F220/38 , C08F220/26 , C08F220/18 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041

3. 发明专利

TWI431420B 光阻材料及圖型之形成方法有权
简体标题：光阻材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI431420B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW098140989
申请日：2009-12-01
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：原田裕次 , HARADA, YUJI , 畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 前田和規 , MAEDA, KAZUNORI , 小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , C08F20/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041

4. 发明专利

TW201316125A 圖案形成方法及光阻組成物审中-公开
简体标题：图案形成方法及光阻组成物
公开(公告)号：TW201316125A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101132356
申请日：2012-09-05
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：小林知洋 , KOBAYASHI, TOMOHIRO , 旱田山潤 , HATAKEYAMA, JUN , 飯尾匡史 , LIO, MASASHI , 須賀祐輝 , SUKA, YUKI , 長谷川幸士 , HASEGAWA, KOJI , 原田裕次 , HARADA, YUJI
IPC分类号： G03F7/038 , C08L33/14 , C08L33/16 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325
摘要：本發明的負型圖案形成方法，其特徵在於：將光阻組成物塗佈在基板上，並將塗佈後進行加熱處理而製作的光阻膜以高能量射線曝光，且在曝光後實施加熱處理之後，利用含有有機溶劑之顯影液選擇性地溶解光阻膜之未曝光部分；該光阻組成物同時包含：含有具有利用酸不穩定基保護羥基的結構之重複單元的高分子化合物、光酸產生劑、有機溶劑、具有1個以上氟原子的重複單元，而且未包含羥基的高分子添加劑；該高分子添加劑的含量相對於全部高分子化合物的含量為1~30質量%。本發明的光阻組成物展現可浸潤曝光的高後退接觸角，同時藉由與有機溶劑負顯影組合而展現高解析性、微細溝槽圖案或孔圖案之寬廣的聚焦深度，且可提高線圖案側壁的垂直性，並提升圖案崩塌耐性。
简体摘要：本发明的负型图案形成方法，其特征在于：将光阻组成物涂布在基板上，并将涂布后进行加热处理而制作的光阻膜以高能量射线曝光，且在曝光后实施加热处理之后，利用含有有机溶剂之显影液选择性地溶解光阻膜之未曝光部分；该光阻组成物同时包含：含有具有利用酸不稳定基保护羟基的结构之重复单元的高分子化合物、光酸产生剂、有机溶剂、具有1个以上氟原子的重复单元，而且未包含羟基的高分子添加剂；该高分子添加剂的含量相对于全部高分子化合物的含量为1~30质量%。本发明的光阻组成物展现可浸润曝光的高后退接触角，同时借由与有机溶剂负显影组合而展现高解析性、微细沟槽图案或孔图案之宽广的聚焦深度，且可提高线图案侧壁的垂直性，并提升图案崩塌耐性。

5. 发明专利

TWI390357B 光阻保護膜材料及圖型之形成方法有权
简体标题：光阻保护膜材料及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI390357B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW096123092
申请日：2007-06-26
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：原田裕次 , HARADA, YUJI , 畠山潤 , HATAKEYAMA, JUN
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/027 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08F2/38 , C08F20/18 , C08F220/18 , C08F220/22 , C08F220/28 , C08F232/08 , G03F7/0046 , G03F7/2041 , Y10S430/106 , Y10S430/108

6. 发明专利

TW201211698A 光阻保護膜材料及圖案形成方法 RESIST TOP COAT COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：光阻保护膜材料及图案形成方法 RESIST TOP COAT COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201211698A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100119090
申请日：2011-05-31
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：原田裕次 , 森澤拓 , 渡邊武 , 須賀祐輝
IPC分类号： G03F , C08F , H01L
CPC分类号： G03F7/2041 , C08F220/20 , C08F220/22 , C08K5/05 , C08K5/06 , G03F7/11 , C08F222/1006 , C08F228/02
摘要：本發明之目的在於提供一種斥水性與滑水性優異、顯影缺陷少且顯影後之光阻圖案形狀良好之浸潤式微影用光阻保護膜材料，更提供一種利用該材料之圖案形成方法。本發明之光阻保護膜材料，其特徵在於至少包含含有下述通式(1a)、(1b-1)及(1c)表示之重複單元，且重量平均分子量在1,000～500,000之範圍內的高分子化合物(P1-1)。【化1】
简体摘要：本发明之目的在于提供一种斥水性与滑水性优异、显影缺陷少且显影后之光阻图案形状良好之浸润式微影用光阻保护膜材料，更提供一种利用该材料之图案形成方法。本发明之光阻保护膜材料，其特征在于至少包含含有下述通式(1a)、(1b-1)及(1c)表示之重复单元，且重量平均分子量在1,000～500,000之范围内的高分子化合物(P1-1)。【化1】

7. 发明专利

TW201035679A 光阻材料及圖型之形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：光阻材料及图型之形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201035679A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW098140989
申请日：2009-12-01
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：原田裕次 , 畠山潤 , 長谷川幸士 , 前田和規 , 小林知洋
IPC分类号： G03F , C08F , H01L
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要：本發明係關於一種光阻材料,其為含有(A)具有一般式(1)所示重複單位之高分子化合物、(B)具有來自內酯環及/或羥基及/或馬來酸酐之骨架,藉由酸之作用變的可溶於鹼性顯像液之高分子化合物、(C)藉由高能量線之曝光而產生酸之化合物、(D)有機溶劑。

(R1為H、甲基或三氟甲基。R2a及R2b為H、或烷基,R2a與R2b彼此結合與彼等所結合之碳原子同時亦可形成環。R3為單鍵、或伸烷基。R4為烷基或氟化烷基,亦可含有-O-或-C(=O)-。)本發明的光阻材料對於波長200nm以下之放射線具有優良的透明性,藉由樹脂結構之選擇可調整液浸平版印刷術中之各種性能,亦可由容易入手及處理的原料來製造。
简体摘要：本发明系关于一种光阻材料,其为含有(A)具有一般式(1)所示重复单位之高分子化合物、(B)具有来自内酯环及/或羟基及/或马来酸酐之骨架,借由酸之作用变的可溶于碱性显像液之高分子化合物、(C)借由高能量线之曝光而产生酸之化合物、(D)有机溶剂。 (R1为H、甲基或三氟甲基。R2a及R2b为H、或烷基,R2a与R2b彼此结合与彼等所结合之碳原子同时亦可形成环。R3为单键、或伸烷基。R4为烷基或氟化烷基,亦可含有-O-或-C(=O)-。)本发明的光阻材料对于波长200nm以下之放射线具有优良的透明性,借由树脂结构之选择可调整液浸平版印刷术中之各种性能,亦可由容易入手及处理的原料来制造。

8. 发明专利

TW201035065A 具有環狀縮醛構造之含氟單體、高分子化合物、光阻保護膜材料、光阻材料、圖型之形成方法 FLUORINATED MONOMER OF CYCLIC ACETAL STRUCTURE, POLYMER, RESIST PROTECTIVE COATING COMPOSITION, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：具有环状缩醛构造之含氟单体、高分子化合物、光阻保护膜材料、光阻材料、图型之形成方法 FLUORINATED MONOMER OF CYCLIC ACETAL STRUCTURE, POLYMER, RESIST PROTECTIVE COATING COMPOSITION, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201035065A
公开(公告)日：2010-10-01
申请号：TW098136701
申请日：2009-10-29
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：渡邊武 , 品地敏 , 金生剛 , 長谷川幸士 , 原田裕次 , 畠山潤 , 前田和規 , 小林知洋
IPC分类号： C07D , C08F , G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/11 , C07D307/04 , C07D307/77 , C07D315/00 , C07D319/06 , C08F14/18 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , C08F2/00
摘要：本發明其解決手段係式（1）所表示之具有環狀縮醛構造的含氟單體。
（R為氫原子的一部分可被鹵素原子取代，或，甲撐基的一部分可被氧原子或羰基取代之碳數1~20的直鏈狀、分支狀或環狀的烷基；Z係與兩端所鍵結的烷撐基氧基一起形成五員環或六員環，含聚合性不飽和基之二價的有機基）藉由本發明，提供適合作為光機能性材料、塗佈材料等之原料的具有環狀縮醛構造之新穎含氟單體。其中，使用該單體的聚合物係相對於波長200nm以下的放射線具有優異的透明性，又具有優異的撥水性，同時藉由構造的選擇而可調整撥水性、脂溶性、酸分解性、水解性等各種性能。
简体摘要：本发明其解决手段系式（1）所表示之具有环状缩醛构造的含氟单体。（R为氢原子的一部分可被卤素原子取代，或，甲撑基的一部分可被氧原子或羰基取代之碳数1~20的直链状、分支状或环状的烷基；Z系与两端所键结的烷撑基氧基一起形成五员环或六员环，含聚合性不饱和基之二价的有机基）借由本发明，提供适合作为光机能性材料、涂布材料等之原料的具有环状缩醛构造之新颖含氟单体。其中，使用该单体的聚合物系相对于波长200nm以下的放射线具有优异的透明性，又具有优异的拨水性，同时借由构造的选择而可调整拨水性、脂溶性、酸分解性、水解性等各种性能。

9. 发明专利

TW201009494A 光阻材料及圖型之形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：光阻材料及图型之形成方法 RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW201009494A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098115552
申请日：2009-05-11
申请人：信越化學工業股份有限公司
发明人：原田裕次 , 畠山潤 , 前田和規 , 長谷川幸士 , 品地敏
IPC分类号： G03F , C08F , H01L
CPC分类号： G03F7/0395 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要：本發明係關於一種含有由一般式（1a）、（1b）、（2a）及（2b）所示重複單位所構成之高分子化合物（PA）的光阻材料。
（R 1a 及R 1b 為氫原子、或烷基，R 1a 與R 1b 結合並與彼等所結合之碳原子共同可形成非芳香環。R 2 為氫原子、甲基或三氟代甲基。R 3 為氫原子或酸不安定基。R 4a ～R 4c 為氫原子或烷基。R 5 為烷基。0＜a1＜1、0≦a2＜1、0≦b1＜1、0≦b2＜1、0＜a1+a2＜1、0＜b1+b2＜1、0＜a1+a2+b1+b2≦1）。使用高分子化合物（PA）之光阻材料於濕浸式微影技術（Immersion Lithography）中之撥水性與滑水性優良，可實現顯像缺陷較少的良好微影術性能。
简体摘要：本发明系关于一种含有由一般式（1a）、（1b）、（2a）及（2b）所示重复单位所构成之高分子化合物（PA）的光阻材料。（R 1a 及R 1b 为氢原子、或烷基，R 1a 与R 1b 结合并与彼等所结合之碳原子共同可形成非芳香环。R 2 为氢原子、甲基或三氟代甲基。R 3 为氢原子或酸不安定基。R 4a ～R 4c 为氢原子或烷基。R 5 为烷基。0＜a1＜1、0≦a2＜1、0≦b1＜1、0≦b2＜1、0＜a1+a2＜1、0＜b1+b2＜1、0＜a1+a2+b1+b2≦1）。使用高分子化合物（PA）之光阻材料于湿浸式微影技术（Immersion Lithography）中之拨水性与滑水性优良，可实现显像缺陷较少的良好微影术性能。

10. 发明专利

TW200305585A 聚合物,光阻組成物及形成圖案之方法 POLYMERS, RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS 审中-公开
简体标题：聚合物,光阻组成物及形成图案之方法 POLYMERS, RESIST COMPOSITIONS AND PATTERNING PROCESS
公开(公告)号：TW200305585A
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW092106652
申请日：2003-03-25
申请人：信越化學工業股份有限公司 SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. , 松下電器產業股份有限公司 MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. , 中央硝子股份有限公司 CENTRAL GLASS CO., LTD.
发明人：原田裕次 , 山潤 , 河合義夫 , 子勝 MASARU SASAGO , 遠藤政孝 , 岸村真治 , 前田一彥 , 大谷充孝 , 小森谷治彥
IPC分类号： C08F , G03F
CPC分类号： G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , Y10S430/106 , Y10S430/108 , Y10S430/111 , Y10S430/115
摘要：一種光阻組成物，其包含帶有氟化磺酸鹽或氟化的基材聚合物，其係敏感於低於300nm的高能量輻射線，具有卓越的透明度、對比及黏性，且適合於光刻技術的微加工。
简体摘要：一种光阻组成物，其包含带有氟化磺酸盐或氟化的基材聚合物，其系敏感于低于300nm的高能量辐射线，具有卓越的透明度、对比及黏性，且适合于光刻技术的微加工。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式