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91. 发明专利

TWI566291B 切斷裝置、吸附機構及具備吸附機構之裝置有权
简体标题：切断设备、吸附机构及具备吸附机构之设备
公开(公告)号：TWI566291B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW104126196
申请日：2015-08-12
申请人：東和股份有限公司 , TOWA CORPORATION
发明人：岡本純 , OKAMOTO, JUN
IPC分类号： H01L21/304 , H01L23/12 , B23Q3/18

93. 发明专利

TWI560816B 嵌入式封裝及封裝方法有权
简体标题：嵌入式封装及封装方法
公开(公告)号：TWI560816B
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW103123370
申请日：2014-07-07
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：牛志強 , NIU, ZHIQIANG , 潘華 , PAN, HUA , 魯明朕 , LU, MING-CHEN , 何約瑟 , HO, YUEH-SE , 魯軍 , LU, JUN
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/28
CPC分类号： H01L2224/24 , H01L2224/40245

94. 发明专利

TW201642402A 電子封裝結構及其承載件审中-公开
简体标题：电子封装结构及其承载件
公开(公告)号：TW201642402A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW104117396
申请日：2015-05-29
申请人：矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：賴杰隆 , LAI, CHIEH LUNG , 戴瑞豐 , TAI, RUI FENG , 呂長倫 , LU, CHANG LUN , 葉懋華 , YEH, MAO HUA
IPC分类号： H01L23/28 , H01L23/12
CPC分类号： H01L2224/73253
摘要：一種電子封裝結構，係包括：具有擋牆及由該擋牆所圍繞成之凹陷區的承載件、形成於該凹陷區中之結合層、以及設於該結合層上之封裝件，該封裝件包含線路層、設於該線路層上之電子元件、及包覆該電子元件並接觸該結合層之封裝層，以當進行後續高溫之製程時，該結合層會受限於該擋牆，而無法隨該封裝層向外擴張，進而能避免發生該結合層溢膠所造成的氣室之問題。本發明復提供該承載件。
简体摘要：一种电子封装结构，系包括：具有挡墙及由该挡墙所围绕成之凹陷区的承载件、形成于该凹陷区中之结合层、以及设于该结合层上之封装件，该封装件包含线路层、设于该线路层上之电子组件、及包覆该电子组件并接触该结合层之封装层，以当进行后续高温之制程时，该结合层会受限于该挡墙，而无法随该封装层向外扩张，进而能避免发生该结合层溢胶所造成的气室之问题。本发明复提供该承载件。

95. 发明专利

TW201642291A 薄膜電容器之製造方法、積體電路搭載基板、及具備該基板之半導體裝置审中-公开
简体标题：薄膜电容器之制造方法、集成电路搭载基板、及具备该基板之半导体设备
公开(公告)号：TW201642291A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105107032
申请日：2016-03-08
申请人：野田士克林股份有限公司 , NODA SCREEN CO., LTD.
发明人：服部篤典 , HATTORI, ATSUNORI
IPC分类号： H01G4/38 , H01G4/30 , H01L23/12
CPC分类号： H05K3/303 , H01G4/33 , H01G4/38 , H01L23/49827 , H01L23/642 , H01L28/60 , H01L2224/16225 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H05K1/0298 , H05K1/162 , H05K3/002 , H05K3/32 , H05K3/46
摘要：本發明係一種薄膜電容器之製造方法，積體電路搭載基板，及具備該基板之半導體裝置，其中，製造薄膜電容器於電路基板之方法，包含：於加以形成於支持構件(31)表面之介電體膜(12M)上，以所需圖案而形成薄膜電容器之第1電極層(11)之第1電極形成工程(圖3(d))，和於介電體膜(12M)上及第1電極層(11)上，呈埋入在第1電極層(11)地加以形成電路基板之絕緣基材(16)之基材形成工程(圖3(e))，和除去支持構件(31)，使與介電體膜(12M)之第1電極層(11)相反側的面露出之除去工程，和由圖案化介電體膜(12M)者，而殘留重疊於第1電極層(11)之介電體層之同時，於其介電體層形成第1貫通孔而使第1電極層(11)之介電體層側的面之一部分露出之介電體圖案化工程，和於包含在第1貫通孔內之介電體層上，重疊薄膜電容器之第2電極層而形成之第2電極形成工程。
简体摘要：本发明系一种薄膜电容器之制造方法，集成电路搭载基板，及具备该基板之半导体设备，其中，制造薄膜电容器于电路基板之方法，包含：于加以形成于支持构件(31)表面之介电体膜(12M)上，以所需图案而形成薄膜电容器之第1电极层(11)之第1电极形成工程(图3(d))，和于介电体膜(12M)上及第1电极层(11)上，呈埋入在第1电极层(11)地加以形成电路基板之绝缘基材(16)之基材形成工程(图3(e))，和除去支持构件(31)，使与介电体膜(12M)之第1电极层(11)相反侧的面露出之除去工程，和由图案化介电体膜(12M)者，而残留重叠于第1电极层(11)之介电体层之同时，于其介电体层形成第1贯通孔而使第1电极层(11)之介电体层侧的面之一部分露出之介电体图案化工程，和于包含在第1贯通孔内之介电体层上，重叠薄膜电容器之第2电极层而形成之第2电极形成工程。

96. 发明专利

TWI557852B 系統級封裝模組及其製造方法有权
简体标题：系统级封装模块及其制造方法
公开(公告)号：TWI557852B
公开(公告)日：2016-11-11
申请号：TW103108594
申请日：2014-03-12
申请人：廣達電腦股份有限公司 , QUANTA COMPUTER INCORPORATED
发明人：沈里正 , SHEN, LI CHENG
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/58
CPC分类号： H01L23/433 , H01L23/367 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/40137 , H01L2224/73267 , H01L2224/75745 , H01L2224/83191 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/1421 , H01L2924/15321 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/37001 , H01L2224/19 , H01L2224/37099

97. 发明专利

TWI556366B 薄膜覆晶封裝結構及其可撓性線路載板有权
简体标题：薄膜覆晶封装结构及其可挠性线路载板
公开(公告)号：TWI556366B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW103118292
申请日：2014-05-26
申请人：南茂科技股份有限公司 , CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：林士熙 , LIN, SHIH HSI
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/28
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/73204

98. 发明专利

TWI556364B 晶片封裝結構及其製作方法有权
简体标题：芯片封装结构及其制作方法
公开(公告)号：TWI556364B
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW103112581
申请日：2014-04-03
申请人：南茂科技股份有限公司 , CHIPMOS TECHNOLOGIES INC.
发明人：潘玉堂 , PAN, YU TANG , 周世文 , CHOU, SHIH WEN
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/34
CPC分类号： H01L23/49568 , H01L21/4828 , H01L21/4871 , H01L21/4875 , H01L21/56 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3736 , H01L23/49503 , H01L23/49524 , H01L23/49541 , H01L23/49586 , H01L23/49861 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/04042 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

99. 发明专利

TW201639089A 晶片封裝結構的製作方法审中-公开
简体标题：芯片封装结构的制作方法
公开(公告)号：TW201639089A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：TW104113605
申请日：2015-04-28
申请人：臻鼎科技股份有限公司 , ZHEN DING TECHNOLOGY CO., LTD.
发明人：黃昱程 , HUANG, YU-CHENG , 禹龍夏 , WOO, YONG HA
IPC分类号： H01L23/12 , H01L23/28 , H01L21/56
CPC分类号： H01L2224/16225 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要：本發明涉及一種晶片封裝基板，其包括：助焊層，第一導電線路層、導電柱與防焊層，所述防焊層包括多個第一開口，所述助焊層與所述第一導電線路層均形成在多個所述第一開口中，所述第一導電線路層形成在所述助焊層的表面，所述導電柱形成於所述第一導電線路層的表面，並向遠離所述第一導電線路層的表面延伸。本發明還提供一種晶片封裝結構及一種晶片封裝結構的製作方法。
简体摘要：本发明涉及一种芯片封装基板，其包括：助焊层，第一导电线路层、导电柱与防焊层，所述防焊层包括多个第一开口，所述助焊层与所述第一导电线路层均形成在多个所述第一开口中，所述第一导电线路层形成在所述助焊层的表面，所述导电柱形成于所述第一导电线路层的表面，并向远离所述第一导电线路层的表面延伸。本发明还提供一种芯片封装结构及一种芯片封装结构的制作方法。

100. 发明专利

TW201637139A 電子封裝結構及電子封裝件之製法审中-公开
简体标题：电子封装结构及电子封装件之制法
公开(公告)号：TW201637139A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW104111896
申请日：2015-04-14
申请人：矽品精密工業股份有限公司 , SILICONWARE PRECISION INDUSTRIES CO., LTD.
发明人：陳賢文 , CHEN, HSIENWEN , 陳仕卿 , CHEN, SHIH CHING , 黃曉君 , HUANG, HSIAO CHUN , 馬光華 , MA, GUANG HWA
IPC分类号： H01L23/12 , H01L21/58
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3128 , H01L2221/68318 , H01L2221/68359 , H01L2221/68381 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要：一種電子封裝結構，係包括：線路部、設於該線路部上側之電子元件、以及設於該線路部下側上之玻璃承載件，故能利用離形膜將該玻璃承載件結合至該線路部上，而無需使用黏著層，以利於後續製程中能快速移除該玻璃承載件，因而節省製程時間，俾增加產能。本發明復提供電子封裝件之製法。
简体摘要：一种电子封装结构，系包括：线路部、设于该线路部上侧之电子组件、以及设于该线路部下侧上之玻璃承载件，故能利用离形膜将该玻璃承载件结合至该线路部上，而无需使用黏着层，以利于后续制程中能快速移除该玻璃承载件，因而节省制程时间，俾增加产能。本发明复提供电子封装件之制法。

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