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91. 发明专利

TW201511964A 具有軟且可修整硏磨層之多層化學機械硏磨墊堆疊體审中-公开
简体标题：具有软且可修整研磨层之多层化学机械研磨垫堆栈体
公开(公告)号：TW201511964A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103118946
申请日：2014-05-30
申请人：羅門哈斯電子材料CMP控股公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS CMP HOLDINGS, INC. , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：磨內詹姆士 , MURNANE, JAMES , 錢百年 , QIAN, BAINIAN , 挪蘭約翰G , NOWLAND, JOHN G. , 傑森米雪爾K , JENSEN, MICHELLE K. , 漢卓恩傑弗瑞詹姆士 , HENDRON, JEFFREY JAMES , 狄羅特馬提W , DEGROOT, MARTY W. , 詹姆斯大衛B , JAMES, DAVID B. , 葉逢薊 , YEH, FENGJI
IPC分类号： B32B7/12 , B32B7/02 , B24B37/22 , B24B37/24 , B24B53/017 , B24B37/04
CPC分类号： B24B37/245 , B24B37/22 , B24B37/24 , B24B53/017 , B24D11/001 , C08G18/3278 , C08G18/6644
摘要：所提供之多層化學機械研磨墊堆疊體係含有：研磨層；剛性層；以及，將該研磨層結合至該剛性層之熱熔性黏著劑；其中，該研磨層係顯現大於0.6g/cm3之密度；5至40之肖氏D(Shore D)硬度；100至450%之斷裂伸長率；以及，25至150μm/hr之切割速率；以及，其中，該研磨層係具有適用於研磨基板之研磨表面。
简体摘要：所提供之多层化学机械研磨垫堆栈体系含有：研磨层；刚性层；以及，将该研磨层结合至该刚性层之热熔性黏着剂；其中，该研磨层系显现大于0.6g/cm3之密度；5至40之肖氏D(Shore D)硬度；100至450%之断裂伸长率；以及，25至150μm/hr之切割速率；以及，其中，该研磨层系具有适用于研磨基板之研磨表面。

92. 发明专利

TWI470687B 用於對至少三個半導體晶圓的兩面同時進行材料去除處理的方法有权
简体标题：用于对至少三个半导体晶圆的两面同时进行材料去除处理的方法
公开(公告)号：TWI470687B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW100144146
申请日：2011-12-01
申请人：世創電子材料公司 , SILTRONIC AG
发明人：皮茲奇喬治 , PIETSCH, GEORG
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/04
CPC分类号： B24B7/17 , B24B7/228 , B24B37/08 , B24B37/28 , H01L21/02013 , H01L21/02024

93. 发明专利

TWI464125B 合成石英玻璃基板之製造方法有权
简体标题：合成石英玻璃基板之制造方法
公开(公告)号：TWI464125B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW099146107
申请日：2010-12-27
申请人：信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：原田大實 , HARADA, DAIJITSU , 竹內正樹 , TAKEUCHI, MASAKI
IPC分类号： C03B20/00 , C09K3/14 , C03C15/00 , B24B37/04
CPC分类号： C03C15/02 , C03C19/00 , C03C23/0075 , C09G1/02 , C09K3/1463

94. 发明专利

TWI460215B 樹脂被覆方法及樹脂被覆裝置（二）有权
简体标题：树脂被覆方法及树脂被覆设备（二）
公开(公告)号：TWI460215B
公开(公告)日：2014-11-11
申请号：TW098134603
申请日：2009-10-13
申请人：迪思科股份有限公司 , DISCO CORPORATION
发明人：關家一馬 , SEKIYA, KAZUMA , 小野寺寬 , ONODERA, HIROSHI , 下谷誠 , SHIMOTANI, MAKOTO
IPC分类号： C08J5/18 , C08J3/28 , B29C43/00 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号： B29C43/18

95. 发明专利

TW201436938A 用於化學機械拋光系統的載具頭审中-公开
简体标题：用于化学机械抛光系统的载具头
公开(公告)号：TW201436938A
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW102111608
申请日：2013-03-29
申请人：姜準模 , KANG, JOON MO
发明人：姜準模 , KANG, JOON MO
IPC分类号： B24B37/04
摘要：本發明公開的為用於化學機械拋光系統的載具頭。用於化學機械拋光系統的載具頭包括：基座。具有外表面倚靠所述外表面基板可被安裝的基板接收構件連接於基座的下側部分。在基板接收構件內側，至少兩個氣囊與基座的下側部分連接。所述至少兩個氣囊可通過膨脹和接觸內表面獨立的施加壓力於基板接收構件的內表面的預定區域。至少一個牆壁結構連接於基座的下側部分，其中所述至少一個牆壁結構可限制所述至少兩個氣囊的橫向膨脹。
简体摘要：本发明公开的为用于化学机械抛光系统的载具头。用于化学机械抛光系统的载具头包括：基座。具有外表面倚靠所述外表面基板可被安装的基板接收构件连接于基座的下侧部分。在基板接收构件内侧，至少两个气囊与基座的下侧部分连接。所述至少两个气囊可通过膨胀和接触内表面独立的施加压力于基板接收构件的内表面的预定区域。至少一个墙壁结构连接于基座的下侧部分，其中所述至少一个墙壁结构可限制所述至少两个气囊的横向膨胀。

96. 发明专利

TW201422370A 物件之表面處理的裝置及其相關方法审中-公开
简体标题：对象之表面处理的设备及其相关方法
公开(公告)号：TW201422370A
公开(公告)日：2014-06-16
申请号：TW102137049
申请日：2013-10-15
申请人：三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：李成哲 , LEE, SUNG-CHOUL , 朴喆奎 , PARK, CHOUL-GUE , 鄭起弘 , JUNG, KI-HONG
IPC分类号： B24B37/04
摘要：一種裝置，包含注入組件、傳輸組件、壓力供給組件、碰撞組件以及發射組件。經由注入組件注入物件。傳輸組件與注入組件相連，並於其多個點彎曲。物件通過傳輸組件。壓力供給組件與傳輸組件相連，且供給壓力進入傳輸組件來移動物件。碰撞組件與於傳輸組件中移動的物件碰撞而處理物件的表面。發射組件與傳輸組件相連，且經由發射組件發射表面經處理的物件。
简体摘要：一种设备，包含注入组件、传输组件、压力供给组件、碰撞组件以及发射组件。经由注入组件注入对象。传输组件与注入组件相连，并于其多个点弯曲。对象通过传输组件。压力供给组件与传输组件相连，且供给压力进入传输组件来移动对象。碰撞组件与于传输组件中移动的对象碰撞而处理对象的表面。发射组件与传输组件相连，且经由发射组件发射表面经处理的对象。

97. 发明专利

TW201417958A 玻璃基板之製造方法及玻璃基板研磨用磁性流動體审中-公开
简体标题：玻璃基板之制造方法及玻璃基板研磨用磁性流动体
公开(公告)号：TW201417958A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102138543
申请日：2013-10-24
申请人：安瀚視特控股股份有限公司 , AVANSTRATE INC.
发明人：板倉慧 , ITAKURA, SATORU , 三隅寶 , MISUMI, TAKARA
IPC分类号： B24B9/08 , B24B37/04 , C09K3/14
摘要：本發明可平滑地加工玻璃基板之端面、且較先前更加縮短加工時間。於研磨玻璃基板之端面之研磨步驟中使用研磨輪，該研磨輪包括：旋轉軸；磁場形成部，其具備由磁鐵構成，於上述旋轉軸之軸向上隔開間隔配置，且與上述旋轉軸一併旋轉之第1構件及第2構件；及磁性流動體，其係由磁性體研磨粒與液體構成，藉由於第1構件與第2構件之間形成之磁場而被保持。於上述研磨步驟中，將磁性流動體中之磁性體研磨粒之濃度調整為70%以上，於使旋轉軸旋轉之狀態下使磁性流動體與玻璃基板之端面接觸，並沿著要研磨之玻璃基板之端緣使研磨輪與上述玻璃基板相對移動。
简体摘要：本发明可平滑地加工玻璃基板之端面、且较先前更加缩短加工时间。于研磨玻璃基板之端面之研磨步骤中使用研磨轮，该研磨轮包括：旋转轴；磁场形成部，其具备由磁铁构成，于上述旋转轴之轴向上隔开间隔配置，且与上述旋转轴一并旋转之第1构件及第2构件；及磁性流动体，其系由磁性体研磨粒与液体构成，借由于第1构件与第2构件之间形成之磁场而被保持。于上述研磨步骤中，将磁性流动体中之磁性体研磨粒之浓度调整为70%以上，于使旋转轴旋转之状态下使磁性流动体与玻璃基板之端面接触，并沿着要研磨之玻璃基板之端缘使研磨轮与上述玻璃基板相对移动。

98. 发明专利

TWI435848B 霧面玻璃製造方法有权
简体标题：雾面玻璃制造方法
公开(公告)号：TWI435848B
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：TW100140485
申请日：2011-11-07
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：劉咸柱 , LIU, SHYAN JUH , 陳鉅盛 , CHEN, CHU SHENG , 肖興榮 , XIAO, XING-RONG
IPC分类号： C03B27/03 , B24C1/06 , B24B37/04
CPC分类号： B24C1/10 , C03C21/002

99. 发明专利

TW201402732A 硏磨用組成物审中-公开
简体标题：研磨用组成物
公开(公告)号：TW201402732A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102108840
申请日：2013-03-13
申请人：福吉米股份有限公司 , FUJIMI INCORPORATED
发明人：井澤由裕 , IZAWA, YOSHIHIRO , 吉崎幸信 , YOSHIZAKI, YUKINOBU
IPC分类号： C09G1/02 , C09K3/14 , B24B37/04 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/044 , C23F1/30 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/30625 , H01L45/06 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要：本發明之研磨用組成物為使用於研磨具有相變合金之研磨對象物之用途之研磨用組成物，其特徵為含有選自於下述化合物之至少1種以上，而前述化合物為分子內所含有的2個羰基為鍵結於分子內的第1位及第3位之碳原子的化合物。
简体摘要：本发明之研磨用组成物为使用于研磨具有相变合金之研磨对象物之用途之研磨用组成物，其特征为含有选自于下述化合物之至少1种以上，而前述化合物为分子内所含有的2个羰基为键结于分子内的第1位及第3位之碳原子的化合物。

100. 发明专利

TW201341112A 拋光加工裝置审中-公开
简体标题：抛光加工设备
公开(公告)号：TW201341112A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101111727
申请日：2012-04-02
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：陳柏洲 , CHEN, PO CHOU
IPC分类号： B24B37/04 , B24B49/00
CPC分类号： B24B49/12 , B24B37/04
摘要：一種拋光加工裝置，用於對待拋光件進行拋光加工。所述拋光加工裝置包括一個可動座體以及一個拋光刀具。所述拋光刀具固定於所述可動座體上。所述可動座體用於帶動所述拋光刀具進行拋光加工。所述拋光加工裝置還包括一個平面度檢測單元，所述平面度檢測單元固定設置於所述可動座體上並且位於所述拋光刀具進行拋光加工之行進方向後方，用於循所述拋光刀具之拋光加工軌跡檢測拋光加工後所述拋光刀具之表面平面度。
简体摘要：一种抛光加工设备，用于对待抛光件进行抛光加工。所述抛光加工设备包括一个可动座体以及一个抛光刀具。所述抛光刀具固定于所述可动座体上。所述可动座体用于带动所述抛光刀具进行抛光加工。所述抛光加工设备还包括一个平面度检测单元，所述平面度检测单元固定设置于所述可动座体上并且位于所述抛光刀具进行抛光加工之行进方向后方，用于循所述抛光刀具之抛光加工轨迹检测抛光加工后所述抛光刀具之表面平面度。

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