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91. 发明专利

TW201349351A 於矽基板上形成ＩＩＩ／Ｖ族共形層之方法审中-公开
简体标题：于硅基板上形成ＩＩＩ／Ｖ族共形层之方法
公开(公告)号：TW201349351A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102110684
申请日：2013-03-26
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：包欣玉 , BAO, XINYU , 山契斯艾羅安東尼歐C , SANCHEZ, ERROL ANTONIO C. , 卡羅森大衛凱斯 , CARLSON, DAVID KEITH , 葉祉淵 , YE, ZHIYUAN
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L29/205 , H01L21/02381 , H01L21/02455 , H01L21/02538 , H01L21/0262 , H01L21/02694 , H01L29/267 , Y10T117/1008
摘要：一種在一矽基板上形成一共形III/V族層之方法及所產生的具有III/V族層形成在其上方的基板。該方法包含自該基板移除原生氧化物；將一基板在一處理腔室內定位；將該基板加熱至一第一溫度；將該基板冷卻至一第二溫度；將一III族前驅物流入該處理腔室；當將一III族前驅物和一V族前驅物流入該處理腔室時，維持該第二溫度直到形成一共形層；當停止該第二III族前驅物之流動時，將該處理腔室加熱至一退火溫度；及將該處理腔室冷卻至該第二溫度。III/V族層之沉積可以經由使用優先蝕刻介電質區域之鹵化物氣體而選擇性地進行。
简体摘要：一种在一硅基板上形成一共形III/V族层之方法及所产生的具有III/V族层形成在其上方的基板。该方法包含自该基板移除原生氧化物；将一基板在一处理腔室内定位；将该基板加热至一第一温度；将该基板冷却至一第二温度；将一III族前驱物流入该处理腔室；当将一III族前驱物和一V族前驱物流入该处理腔室时，维持该第二温度直到形成一共形层；当停止该第二III族前驱物之流动时，将该处理腔室加热至一退火温度；及将该处理腔室冷却至该第二温度。III/V族层之沉积可以经由使用优先蚀刻介电质区域之卤化物气体而选择性地进行。

92. 发明专利

TW201335080A 在矽熔體的表面上達成持續的非等向性晶體成長的裝置和方法审中-公开
简体标题：在硅熔体的表面上达成持续的非等向性晶体成长的设备和方法
公开(公告)号：TW201335080A
公开(公告)日：2013-09-01
申请号：TW101147586
申请日：2012-12-14
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：梅克英特許布萊恩H , MACKINTOSH, BRIAN H. , 凱樂門彼得L , KELLERMAN, PETER L. , 孫大為 , SUN, DAWEI
IPC分类号： C03B15/00 , C03B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/06 , C30B29/06 , Y10T117/1008 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068
摘要：一種用於自熔體成長晶體薄板的裝置，其包括冷塊組成。冷塊組成可包括冷塊以及圍繞冷塊的遮蔽，該遮蔽具有比冷塊的溫度更高的溫度，其中所述遮蔽定義出開口，所述開口沿著靠近熔體表面的所述冷塊的表面配置，從而定義出可以對靠近所述冷塊的所述熔體表面的第一區域進行局部冷卻的冷卻區域，所述冷卻區域包括沿著所述冷塊的第一方向的寬度。本發明裝置更包括當配置冷塊組成在熔體表面附近時，以垂直於第一方向的方向拉動晶種的晶拉器。
简体摘要：一种用于自熔体成长晶体薄板的设备，其包括冷块组成。冷块组成可包括冷块以及围绕冷块的屏蔽，该屏蔽具有比冷块的温度更高的温度，其中所述屏蔽定义出开口，所述开口沿着靠近熔体表面的所述冷块的表面配置，从而定义出可以对靠近所述冷块的所述熔体表面的第一区域进行局部冷却的冷却区域，所述冷却区域包括沿着所述冷块的第一方向的宽度。本发明设备更包括当配置冷块组成在熔体表面附近时，以垂直于第一方向的方向拉动晶种的晶拉器。

93. 发明专利

TW201319335A 用於多層間薄型晶圓熔爐的層間摻雜方法和裝置审中-公开
简体标题：用于多层间薄型晶圆熔炉的层间掺杂方法和设备
公开(公告)号：TW201319335A
公开(公告)日：2013-05-16
申请号：TW101131429
申请日：2012-08-29
申请人：馬斯艾拉公司 , MAX ERA, INC.
发明人：科南布萊恩D , KERNAN, BRIAN D.
IPC分类号： C30B15/04
CPC分类号： C30B15/04 , C30B15/007 , C30B29/06 , Y10T117/1008 , Y10T117/1032
摘要：一種形成薄型晶圓的方法和裝置，其將材料添加到一坩堝中，該坩堝具有一供料區和一去渣區，並且將該材料進行熔化以形成一晶圓生成區，其介於該供料區和該去渣區之間。該材料係被添加到該供料區並通過該去渣區被移除。該方法和裝置會從該生成區基本上同時地拉取出複數個薄型晶圓，並直接施加摻雜物到該生成區內熔化的材料中，藉此該摻雜物繞過該供料區，以對該生成區的至少一部份進行佈植。
简体摘要：一种形成薄型晶圆的方法和设备，其将材料添加到一坩埚中，该坩埚具有一供料区和一去渣区，并且将该材料进行熔化以形成一晶圆生成区，其介于该供料区和该去渣区之间。该材料系被添加到该供料区并通过该去渣区被移除。该方法和设备会从该生成区基本上同时地拉取出复数个薄型晶圆，并直接施加掺杂物到该生成区内熔化的材料中，借此该掺杂物绕过该供料区，以对该生成区的至少一部份进行布植。

94. 发明专利

TWI363109B 具有對流式散熱構造之長晶爐有权
简体标题：具有对流式散热构造之长晶炉
公开(公告)号：TWI363109B
公开(公告)日：2012-05-01
申请号：TW096149221
申请日：2007-12-21
申请人：綠能科技股份有限公司
发明人：呂秀正
IPC分类号： C30B , F27D
CPC分类号： C30B11/003 , C30B11/002 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1092
摘要：本發明係關於一種具有對流式散熱構造之長晶爐，其中，長晶爐之爐內空間容設有加熱室，加熱室有上隔板、數個側隔板、及下隔板。上隔板開設有上開口，下隔板開設有中央開口。矽漿冷凝時，透過下驅動器以驅動下閥門打開中央開口，使冷氣流經由中央開口流入加熱室下層，繼由上驅動器驅動上閥門打開上開口，使熱氣流經由上開口流出、並沿著冷卻之爐壁順流而下，由中央開口流回加熱室內。其自動對流式循環散熱流場，可快速散熱節省時間、提高生產效率。於冷卻過程中，自底部開始固化結晶循序往上，使矽晶碇無內應力及碎裂存在，矽晶碇品質優良。
简体摘要：本发明系关于一种具有对流式散热构造之长晶炉，其中，长晶炉之炉内空间容设有加热室，加热室有上隔板、数个侧隔板、及下隔板。上隔板开设有上开口，下隔板开设有中央开口。硅浆冷凝时，透过下驱动器以驱动下阀门打开中央开口，使冷气流经由中央开口流入加热室下层，继由上驱动器驱动上阀门打开上开口，使热气流经由上开口流出、并沿着冷却之炉壁顺流而下，由中央开口流回加热室内。其自动对流式循环散热流场，可快速散热节省时间、提高生产效率。于冷却过程中，自底部开始固化结晶循序往上，使硅晶碇无内应力及碎裂存在，硅晶碇品质优良。

95. 发明专利

TW201209375A 渦電流厚度測量裝置 EDDY CURRENT THICKNESS MEASUREMENT APPARATUS 审中-公开
简体标题：涡电流厚度测量设备 EDDY CURRENT THICKNESS MEASUREMENT APPARATUS
公开(公告)号：TW201209375A
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：TW100125448
申请日：2011-07-19
申请人：瓦里安半導體設備公司
发明人：羅森蓋瑞J , 辛克萊法蘭克 , 蘇考夫亞歷山大 , 貝福詹姆士S
IPC分类号： G01B
CPC分类号： C30B11/00 , B22D11/1206 , B22D11/143 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/36 , C30B29/406 , C30B29/64 , C30B35/00 , G01B7/105 , G01B7/107 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1032 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
摘要：一種材質的薄板配置在相同材質的熔融物中。在一實例中，此薄板是利用冷卻板來形成。激發線圈和感測線圈配置在冷卻板的下游。此激發線圈和感測線圈使用渦電流來測定位於熔融物頂部的固體薄板的厚度。
简体摘要：一种材质的薄板配置在相同材质的熔融物中。在一实例中，此薄板是利用冷却板来形成。激发线圈和传感线圈配置在冷却板的下游。此激发线圈和传感线圈使用涡电流来测定位于熔融物顶部的固体薄板的厚度。

96. 发明专利

TWI332682B 光束均勻器，雷射照射裝置，和半導體裝置之製造方法 BEAM HOMOGENIZER AND LASER IRRADIATION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
简体标题：光束均匀器，激光照射设备，和半导体设备之制造方法 BEAM HOMOGENIZER AND LASER IRRADIATION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
公开(公告)号：TWI332682B
公开(公告)日：2010-11-01
申请号：TW092125751
申请日：2003-09-18
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：田中幸一郎
IPC分类号： H01L
CPC分类号： G02B27/0927 , B23K26/064 , B23K26/0648 , B23K26/0732 , B23K26/0738 , G02B27/09 , G02B27/0994 , Y10T117/1008
摘要：在照射表面上束斑處的不均勻能量分佈是由形成光學系統的柱面透鏡陣列的結構問題以及加工精度所引起的。根據本發明，在形成矩形束斑的光學系統中，用光導來代替用來均化照射表面上矩形雷射光束斑短邊方向的能量分佈的光學系統。此光導是一種能夠將發射的光束限制在一定區域內並平行於其光路軸引導和傳輸其能量流的通路。
简体摘要：在照射表面上束斑处的不均匀能量分布是由形成光学系统的柱面透镜数组的结构问题以及加工精度所引起的。根据本发明，在形成矩形束斑的光学系统中，用光导来代替用来均化照射表面上矩形激光光束斑短边方向的能量分布的光学系统。此光导是一种能够将发射的光束限制在一定区域内并平行于其光路轴引导和传输其能量流的通路。

97. 发明专利

TW201009133A 於生長製程中用於控制矽晶錠直徑的方法與設備 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING DIAMETER OF A SILICON CRYSTAL INGOT IN A GROWTH PROCESS 审中-公开
简体标题：于生长制程中用于控制硅晶锭直径的方法与设备 METHOD AND APPARATUS FOR CONTROLLING DIAMETER OF A SILICON CRYSTAL INGOT IN A GROWTH PROCESS
公开(公告)号：TW201009133A
公开(公告)日：2010-03-01
申请号：TW098121375
申请日：2009-06-25
申请人：勝高鳳凰城股份有限公司 , 勝高股份有限公司
发明人：歐夏畢諾 , 濟斯喬 , 高梨啟一 , 泰特沃克
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032
摘要：本發明係有關根據CZ製程由矽熔融物生長單晶矽錠的改良方法與設備。此改良方法進行定義彎月面的目標錐度與測量錐度之間的誤差，且將該錐度誤差轉換為對於該矽錠的牽引速度之反饋調整。用於控制該CZ製程的習用控制模式仰賴線性控制(PID)，其控制直徑與該牽引速度之間的時域所定義之二次關係的非線性系統。本發明將該直徑與該牽引速度之間的時域之二次關係轉換為該錠的彎月面錐度與該牽引速度之間的長度域(length domain)之直喻(simile)線性關係。本發明應用於長度域操作的線性控制(修正PID)，且控制在該長度域的錠錐度與牽引速度之間具有線性關係的系統以控制正在生長矽錠的直徑。
简体摘要：本发明系有关根据CZ制程由硅熔融物生长单晶硅锭的改良方法与设备。此改良方法进行定义弯月面的目标锥度与测量锥度之间的误差，且将该锥度误差转换为对于该硅锭的牵引速度之反馈调整。用于控制该CZ制程的习用控制模式仰赖线性控制(PID)，其控制直径与该牵引速度之间的时域所定义之二次关系的非线性系统。本发明将该直径与该牵引速度之间的时域之二次关系转换为该锭的弯月面锥度与该牵引速度之间的长度域(length domain)之直喻(simile)线性关系。本发明应用于长度域操作的线性控制(修正PID)，且控制在该长度域的锭锥度与牵引速度之间具有线性关系的系统以控制正在生长硅锭的直径。

98. 发明专利

TWI307912B 低溫裝載與烘烤 LOW TEMPERATURE LOAD AND BAKE 有权
简体标题：低温装载与烘烤 LOW TEMPERATURE LOAD AND BAKE
公开(公告)号：TWI307912B
公开(公告)日：2009-03-21
申请号：TW091111438
申请日：2002-05-29
申请人： ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.
发明人：保羅D 博拉班特 PAUL D. BRABANT , 喬P 伊塔利安諾 JOE P. KTALIANO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4408 , C23C16/0209 , C23C16/0227 , C23C16/4405 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/30 , C30B31/00 , H01L21/02046 , H01L21/02052 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：一種低溫快速烘烤以在就地沈積前去除半導體表面雜質的方法。有利地,時間短、低溫方法消耗很少的熱預算,使得本方法更適合具淺接面之高密度電路,此外由於低溫烘烤,尤其合併烘烤前的低溫電漿清潔及低溫晶圓置入,以及烘烤後在低於傳統磊晶沈積溫度的溫度下沈積,能使產能大幅提昇。本發明能在半導體表面上磊晶沈積含矽層,尤其能在矽鍺基極層上進行磊晶沈積,利用低溫烘烤可以清潔矽鍺基極層,以更有助於磊晶沈積,然而矽鍺的受應力結晶結構不會鬆散。
简体摘要：一种低温快速烘烤以在就地沉积前去除半导体表面杂质的方法。有利地,时间短、低温方法消耗很少的热预算,使得本方法更适合具浅接面之高密度电路,此外由于低温烘烤,尤其合并烘烤前的低温等离子清洁及低温晶圆置入,以及烘烤后在低于传统磊晶沉积温度的温度下沉积,能使产能大幅提升。本发明能在半导体表面上磊晶沉积含硅层,尤其能在硅锗基极层上进行磊晶沉积,利用低温烘烤可以清洁硅锗基极层,以更有助于磊晶沉积,然而硅锗的受应力结晶结构不会松散。

99. 发明专利

TW200847228A 結晶裝置以及結晶方法 CRYSTALLIZATION DEVICE AND CRYSTALLIZATION METHOD 审中-公开
简体标题：结晶设备以及结晶方法 CRYSTALLIZATION DEVICE AND CRYSTALLIZATION METHOD
公开(公告)号：TW200847228A
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：TW096139834
申请日：2007-10-24
申请人：島津製作所股份有限公司 SHIMADZU CORPORATION
发明人：秋田典孝 AKITA, NORITAKA , 高見芳夫 TAKAMI, YOSHIO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B23K26/067 , B23K26/0613 , H01L21/02675 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：本發明提供一種結晶裝置,在此結晶裝置中,提供可以獲得高能量密度的輸出的可見光源。可見光照射系統是由二維陣列排列的多個可見光雷射光束源形成的。可見光照射系統包括:光强度分佈形成裝置,使從各可見光雷射光束源發出的多道可見光雷射光束的光强度分佈圖案化;以及成像光學系統,使經所述光强度分佈形成裝置圖案化的光强度分佈的光,成像在被處理基板上的照射區域中。將多個固體雷射器或半導體雷射器發出的各可見雷射光束,重疊到符合被處理基板與光軸上的成像位置關係的光强度分佈形成裝置。當重疊準分子雷射光束與可見光雷射光束時,重疊從多個可見光的雷射光束源發出的多道可見光雷射光束,藉由重疊所述可見光雷射光束所形成的可見光雷射光束的光强度分佈來形成晶體成長。
简体摘要：本发明提供一种结晶设备,在此结晶设备中,提供可以获得高能量密度的输出的可见光源。可见光照射系统是由二维数组排列的多个可见光激光光束源形成的。可见光照射系统包括:光强度分布形成设备,使从各可见光激光光束源发出的多道可见光激光光束的光强度分布图案化;以及成像光学系统,使经所述光强度分布形成设备图案化的光强度分布的光,成像在被处理基板上的照射区域中。将多个固体激光器或半导体激光器发出的各可见激光光束,重叠到符合被处理基板与光轴上的成像位置关系的光强度分布形成设备。当重叠准分子激光光束与可见光激光光束时,重叠从多个可见光的激光光束源发出的多道可见光激光光束,借由重叠所述可见光激光光束所形成的可见光激光光束的光强度分布来形成晶体成长。

100. 发明专利

TWI300579B 結晶化裝置、使用於結晶化裝置之光學構件、結晶化方法、薄膜電晶體、及顯示器 CRYSTALLIZATION APPARATUS, OPTICAL MEMBER FOR USE IN CRYSTALLIZATION APPARATUS, CRYSTALLIZATION METHOD, THIN FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY 失效
简体标题：结晶化设备、使用于结晶化设备之光学构件、结晶化方法、薄膜晶体管、及显示器 CRYSTALLIZATION APPARATUS, OPTICAL MEMBER FOR USE IN CRYSTALLIZATION APPARATUS, CRYSTALLIZATION METHOD, THIN FILM TRANSISTOR, AND DISPLAY
公开(公告)号：TWI300579B
公开(公告)日：2008-09-01
申请号：TW092117034
申请日：2003-06-23
申请人：液晶先端技術開發中心股份有限公司 ADVANCED LCD TECHNOLOGIES DEVELOPMENT CENTER CO., LTD.
发明人：谷口幸夫 TANIGUCHI, YUKIO , 松村正清 MASAKIYO MATSUMURA , 山口弘高 HIROTAKA YAMAGUCHI , 西谷幹彥 MIKIHIKO NISHITANI , 川晉 SUSUMU TSUJIKAWA , 木村嘉伸 YOSHINOBU KIMURA , 十文字正之 MASAYUKI JYUMONJI
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0268 , B23K26/066 , B23K26/073 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/2026 , H01L29/66757 , H01L29/78675 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1012
摘要：一種結晶化裝置,包括一照明光學系統以照明一相移掩膜,其以一具有反向峰値型强度分布之光束輻照一非晶形半導體薄膜,該型光束在對應相移掩膜之相移部分之一點有一最小之光强度,以產生結晶化半導體薄膜。一收斂/發散元件配置在照明光學系統與相移掩膜間之光路徑上。收斂/發散元件將自照明光學系統供應之光束轉換為具有向上凹面强度分布之光束,其中之光强度在相移部分為最小,其中之光强度隨著遠離相移部分而增加,以輻照相移掩膜。
简体摘要：一种结晶化设备,包括一照明光学系统以照明一相移掩膜,其以一具有反向峰値型强度分布之光束辐照一非晶形半导体薄膜,该型光束在对应相移掩膜之相移部分之一点有一最小之光强度,以产生结晶化半导体薄膜。一收敛/发散组件配置在照明光学系统与相移掩膜间之光路径上。收敛/发散组件将自照明光学系统供应之光束转换为具有向上凹面强度分布之光束,其中之光强度在相移部分为最小,其中之光强度随着远离相移部分而增加,以辐照相移掩膜。

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