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1. 发明专利

TW200413581A SOI晶圓及SOI晶圓的製造方法审中-公开
简体标题： SOI晶圆及SOI晶圆的制造方法
公开(公告)号：TW200413581A
公开(公告)日：2004-08-01
申请号：TW092129922
申请日：2003-10-28
申请人：信越半導體股份有限公司 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD.
发明人：櫻田昌弘 , 三田村伸晃 , 布施川泉 , 太田友彥
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/203 , C30B29/06 , C30B31/00 , C30B31/22 , C30B33/00 , H01L21/76254
摘要：一種SOI晶圓的製造方法，係從結合晶圓21的表面，離子注入氫離子等，而在晶圓內部形成離子注入層24，然後將該結合晶圓的被離子注入側的表面和基底晶圓22的表面，經由(隔著)氧化膜23或是直接地貼合之後，藉由熱處理將前述結合晶圓的一部，在前述離子注入層加以剝離，來形成SOI晶圓之SOI晶圓的製造方法，作為前述結合晶圓，係使用:藉由切克勞斯基法所育成的矽單結晶，為環狀地發生OSF之外側的N區域，且沒有藉由Cu沉積法而被檢測出來的缺陷區域存在的矽晶圓。藉此，例如即使是在形成厚度為20nm以下之極薄的SOI層27的情況，也不會由於氫氟酸洗淨等而產生微小凹坑，因而具有優異的電氣特性，而且提供一種不用增加製程步驟，便能夠製造出來的SOI晶圓。
简体摘要：一种SOI晶圆的制造方法，系从结合晶圆21的表面，离子注入氢离子等，而在晶圆内部形成离子注入层24，然后将该结合晶圆的被离子注入侧的表面和基底晶圆22的表面，经由(隔着)氧化膜23或是直接地贴合之后，借由热处理将前述结合晶圆的一部，在前述离子注入层加以剥离，来形成SOI晶圆之SOI晶圆的制造方法，作为前述结合晶圆，系使用:借由切克劳斯基法所育成的硅单结晶，为环状地发生OSF之外侧的N区域，且没有借由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域存在的硅晶圆。借此，例如即使是在形成厚度为20nm以下之极薄的SOI层27的情况，也不会由于氢氟酸洗净等而产生微小凹坑，因而具有优异的电气特性，而且提供一种不用增加制程步骤，便能够制造出来的SOI晶圆。

2. 发明专利

TWI307912B 低溫裝載與烘烤 LOW TEMPERATURE LOAD AND BAKE 有权
简体标题：低温装载与烘烤 LOW TEMPERATURE LOAD AND BAKE
公开(公告)号：TWI307912B
公开(公告)日：2009-03-21
申请号：TW091111438
申请日：2002-05-29
申请人： ASM美國股份有限公司 ASM AMERICA, INC.
发明人：保羅D 博拉班特 PAUL D. BRABANT , 喬P 伊塔利安諾 JOE P. KTALIANO
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4408 , C23C16/0209 , C23C16/0227 , C23C16/4405 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/30 , C30B31/00 , H01L21/02046 , H01L21/02052 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：一種低溫快速烘烤以在就地沈積前去除半導體表面雜質的方法。有利地,時間短、低溫方法消耗很少的熱預算,使得本方法更適合具淺接面之高密度電路,此外由於低溫烘烤,尤其合併烘烤前的低溫電漿清潔及低溫晶圓置入,以及烘烤後在低於傳統磊晶沈積溫度的溫度下沈積,能使產能大幅提昇。本發明能在半導體表面上磊晶沈積含矽層,尤其能在矽鍺基極層上進行磊晶沈積,利用低溫烘烤可以清潔矽鍺基極層,以更有助於磊晶沈積,然而矽鍺的受應力結晶結構不會鬆散。
简体摘要：一种低温快速烘烤以在就地沉积前去除半导体表面杂质的方法。有利地,时间短、低温方法消耗很少的热预算,使得本方法更适合具浅接面之高密度电路,此外由于低温烘烤,尤其合并烘烤前的低温等离子清洁及低温晶圆置入,以及烘烤后在低于传统磊晶沉积温度的温度下沉积,能使产能大幅提升。本发明能在半导体表面上磊晶沉积含硅层,尤其能在硅锗基极层上进行磊晶沉积,利用低温烘烤可以清洁硅锗基极层,以更有助于磊晶沉积,然而硅锗的受应力结晶结构不会松散。

3. 发明专利

TW200501433A 藉中子遷變摻雜製造之半絕緣碳化矽 SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE PRODUCED BY NEUTRON TRANSMUTATION DOPING 审中-公开
简体标题：藉中子迁变掺杂制造之半绝缘碳化硅 SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE PRODUCED BY NEUTRON TRANSMUTATION DOPING
公开(公告)号：TW200501433A
公开(公告)日：2005-01-01
申请号：TW093109803
申请日：2004-04-08
申请人：克立公司 CREE, INC.
发明人：維力F 史維寇福 TSVETKOV, VALERI F. , 赫德森麥克道德赫伯各 HOBGOOD, HUDSON MCDONALD , 凱文H 卡特二世 CARTER, JR., CALVIN H. , 傑森雷德傑尼 JENNY, JASON RONALD
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0445 , C30B29/36 , C30B31/00 , C30B31/20 , H01L21/263 , Y10S438/931
摘要：本發明揭示一種在供半導體應用之單晶碳化矽內產生高度均勻半絕緣特性之方法，該方法包括：使用中子輻照一具有淨p–型摻雜及若干深能級之碳化矽單晶，直至^31p之濃度等於或超過該原始淨p–型摻雜同時保持等於或小於該原始淨p–型摻雜與該等深能級之濃度之總和。
简体摘要：本发明揭示一种在供半导体应用之单晶碳化硅内产生高度均匀半绝缘特性之方法，该方法包括：使用中子辐照一具有净p–型掺杂及若干深能级之碳化硅单晶，直至^31p之浓度等于或超过该原始净p–型掺杂同时保持等于或小于该原始净p–型掺杂与该等深能级之浓度之总和。

4. 发明专利

TWI338058B ＳＯＩ晶圓及ＳＯＩ晶圓的製造方法有权
简体标题：ＳＯＩ晶圆及ＳＯＩ晶圆的制造方法
公开(公告)号：TWI338058B
公开(公告)日：2011-03-01
申请号：TW092129922
申请日：2003-10-28
申请人：信越半導體股份有限公司
发明人：櫻田昌弘 , 三田村伸晃 , 布施川泉 , 太田友彥
IPC分类号： C30B
CPC分类号： C30B15/203 , C30B29/06 , C30B31/00 , C30B31/22 , C30B33/00 , H01L21/76254
摘要：一種SOI晶圓的製造方法，係從結合晶圓21的表面，離子注入氫離子等，而在晶圓內部形成離子注入層24，然後將該結合晶圓的被離子注入側的表面和基底晶圓22的表面，經由(隔著)氧化膜23或是直接地貼合之後，藉由熱處理將前述結合晶圓的一部，在前述離子注入層加以剝離，來形成SOI晶圓之SOI晶圓的製造方法，作為前述結合晶圓，係使用：藉由切克勞斯基法所育成的矽單結晶，為環狀地發生OSF之外側的N區域，且沒有藉由Cu沉積法而被檢測出來的缺陷區域存在的矽晶圓。藉此，例如即使是在形成厚度為20nm以下之極薄的SOI層27的情況，也不會由於氫氟酸洗淨等而產生微小凹坑，因而具有優異的電氣特性，而且提供一種不用增加製程步驟，便能夠製造出來的SOI晶圓。
简体摘要：一种SOI晶圆的制造方法，系从结合晶圆21的表面，离子注入氢离子等，而在晶圆内部形成离子注入层24，然后将该结合晶圆的被离子注入侧的表面和基底晶圆22的表面，经由(隔着)氧化膜23或是直接地贴合之后，借由热处理将前述结合晶圆的一部，在前述离子注入层加以剥离，来形成SOI晶圆之SOI晶圆的制造方法，作为前述结合晶圆，系使用：借由切克劳斯基法所育成的硅单结晶，为环状地发生OSF之外侧的N区域，且没有借由Cu沉积法而被检测出来的缺陷区域存在的硅晶圆。借此，例如即使是在形成厚度为20nm以下之极薄的SOI层27的情况，也不会由于氢氟酸洗净等而产生微小凹坑，因而具有优异的电气特性，而且提供一种不用增加制程步骤，便能够制造出来的SOI晶圆。

5. 发明专利

TWI235500B 藉中子遷變摻雜製造之半絕緣碳化矽 SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE PRODUCED BY NEUTRON TRANSMUTATION DOPING 有权
简体标题：藉中子迁变掺杂制造之半绝缘碳化硅 SEMI-INSULATING SILICON CARBIDE PRODUCED BY NEUTRON TRANSMUTATION DOPING
公开(公告)号：TWI235500B
公开(公告)日：2005-07-01
申请号：TW093109803
申请日：2004-04-08
申请人：克立公司 CREE, INC.
发明人：維力F. 史維寇福 TSVETKOV, VALERI F. , 赫德森麥克道德赫伯各 HOBGOOD, HUDSON MCDONALD , 凱文H. 卡特二世 CARTER, JR., CALVIN H. , 傑森雷德傑尼 JENNY, JASON RONALD
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0445 , C30B29/36 , C30B31/00 , C30B31/20 , H01L21/263 , Y10S438/931
摘要：本發明揭示一種在供半導體應用之單晶碳化矽內產生高度均勻半絕緣特性之方法，該方法包括：使用中子輻照一具有淨p-型摻雜及若干深能級之碳化矽單晶，直至31P之濃度等於或超過該原始淨p-型摻雜同時保持等於或小於該原始淨p-型摻雜與該等深能級之濃度之總和。
简体摘要：本发明揭示一种在供半导体应用之单晶碳化硅内产生高度均匀半绝缘特性之方法，该方法包括：使用中子辐照一具有净p-型掺杂及若干深能级之碳化硅单晶，直至31P之浓度等于或超过该原始净p-型掺杂同时保持等于或小于该原始净p-型掺杂与该等深能级之浓度之总和。

6. 发明专利

TW201443108A 用於矽晶圓之污染物去疵的氧化物介質审中-公开
简体标题：用于硅晶圆之污染物去疵的氧化物介质
公开(公告)号：TW201443108A
公开(公告)日：2014-11-16
申请号：TW102148894
申请日：2013-12-27
申请人：馬克專利公司 , MERCK PATENT GMBH
发明人：寇勒印格 , KOEHLER, INGO , 多爾奧利佛 , DOLL, OLIVER , 巴斯賽巴絲汀 , BARTH, SEBASTIAN
IPC分类号： C08G77/00 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/186 , C30B29/06 , C30B31/00 , H01L21/02112 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/2225 , H01L21/2255 , H01L21/3221 , H01L31/02167 , H01L31/02363 , H01L31/0288 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明係關於一種用於製備可印刷的低至高黏度氧化物介質之新穎方法，及其在太陽能電池生產中之用途，及使用此等新穎介質生產之具有改良壽命的產品。
简体摘要：本发明系关于一种用于制备可印刷的低至高黏度氧化物介质之新颖方法，及其在太阳能电池生产中之用途，及使用此等新颖介质生产之具有改良寿命的产品。

7. 发明专利

TW201439372A 用於矽晶圓之局部掺雜之液體掺雜介質审中-公开
简体标题：用于硅晶圆之局部掺杂之液体掺杂介质
公开(公告)号：TW201439372A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102148895
申请日：2013-12-27
申请人：馬克專利公司 , MERCK PATENT GMBH
发明人：寇勒印格 , KOEHLER, INGO , 多爾奧利佛 , DOLL, OLIVER , 巴斯賽巴絲汀 , BARTH, SEBASTIAN
IPC分类号： C23C18/12
CPC分类号： H01L29/167 , C09D1/00 , C30B29/06 , C30B31/00 , C30B31/04 , H01L21/2256 , H01L21/324 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本發明係關於一種用於製備可印刷的低黏度氧化物介質之新穎方法，及其在太陽能電池生產中之用途。
简体摘要：本发明系关于一种用于制备可印刷的低黏度氧化物介质之新颖方法，及其在太阳能电池生产中之用途。

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