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1. 发明专利

TW200921907A 固態攝影元件及其製造方法审中-公开
简体标题：固态摄影组件及其制造方法
公开(公告)号：TW200921907A
公开(公告)日：2009-05-16
申请号：TW097134051
申请日：2008-09-05
申请人：島津製作所股份有限公司 SHIMADZU CORPORATION , 國立大學法人東北大學 TOHOKU UNIVERSITY
发明人：須川成利 SUGAWA, SHIGETOSHI , 近藤泰志 KONDO, YASUSHI , 富永秀樹 TOMINAGA, HIDEKI
IPC分类号： H01L , H04N
CPC分类号： H04N5/335 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14645 , H01L27/14689 , H04N5/374 , H04N5/37452 , H04N5/378
摘要：本發明係將浮動擴散(331)形成於埋設型光電二極體(31)之受光面的大致中央,並以圍繞其之方式設置傳送電晶體(32)之閘極電極。藉由使光電二極體(31)之p^+型半導體區域、n型半導體區域、或p型井區域之雜質濃度(或深度)從周邊部向中央變化成傾斜狀,在將適當之偏壓電壓施加於pn接合時,即形成從周邊向中央下傾之電位梯度。藉由受光所產生之光電荷即依據電位梯度迅速聚集於中央。又,由於從光電二極體(31)之周邊至浮動擴散(331)的最大移動距離亦較短,因此在光電荷儲存時間較短之情況下,亦可以良好效率收集光電荷。以此方式,可以良好效率使用在光電二極體(31)所產生之光電荷,藉此提升檢測感度。
简体摘要：本发明系将浮动扩散(331)形成于埋设型光电二极管(31)之受光面的大致中央,并以围绕其之方式设置发送晶体管(32)之闸极电极。借由使光电二极管(31)之p^+型半导体区域、n型半导体区域、或p型井区域之杂质浓度(或深度)从周边部向中央变化成倾斜状,在将适当之偏压电压施加于pn接合时,即形成从周边向中央下倾之电位梯度。借由受光所产生之光电荷即依据电位梯度迅速聚集于中央。又,由于从光电二极管(31)之周边至浮动扩散(331)的最大移动距离亦较短,因此在光电荷存储时间较短之情况下,亦可以良好效率收集光电荷。以此方式,可以良好效率使用在光电二极管(31)所产生之光电荷,借此提升检测感度。

2. 发明专利

TWI309715B X光檢查裝置 X-RAY INSPECTION DEVICE 有权
简体标题： X光检查设备 X-RAY INSPECTION DEVICE
公开(公告)号：TWI309715B
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：TW095126905
申请日：2006-07-24
申请人：島津製作所股份有限公司 SHIMADZU CORPORATION
发明人：櫛引敬嗣 KUSHIBIKI, TAKASHI
IPC分类号： G01N
摘要：一種X光檢查裝置,可判斷平臺移動時被測定物與X光測定光學系統的碰撞危險性,並設法防止碰撞。該X光檢查裝置包括:平臺(14),用以載置被測定物,使被測定物位於X光源(11)與X光檢測器(12)之間;平臺驅動機構(15),與平臺並進及旋轉;光學相機(16),對載置於平臺(14)上的被測定物進行拍攝;碰撞危險區域設定部(32),根據一邊旋轉平臺(14)一邊利用光學相機(16)拍攝被測定物時,圖像數據中所包含的被測定物的軌跡數據,而設定被測定物與X光測定光學系統的碰撞危險區域;以及碰撞判定部(33),根據所設定的碰撞危險區域,判定平臺移動時的碰撞危險性。
简体摘要：一种X光检查设备,可判断平台移动时被测定物与X光测定光学系统的碰撞危险性,并设法防止碰撞。该X光检查设备包括:平台(14),用以载置被测定物,使被测定物位于X光源(11)与X光检测器(12)之间;平台驱动机构(15),与平台并进及旋转;光学相机(16),对载置于平台(14)上的被测定物进行拍摄;碰撞危险区域设置部(32),根据一边旋转平台(14)一边利用光学相机(16)拍摄被测定物时,图像数据中所包含的被测定物的轨迹数据,而设置被测定物与X光测定光学系统的碰撞危险区域;以及碰撞判定部(33),根据所设置的碰撞危险区域,判定平台移动时的碰撞危险性。

3. 发明专利

TW200917308A X射線管裝置 X-RAY TUBE ASSEMBLY 失效
简体标题： X射线管设备 X-RAY TUBE ASSEMBLY
公开(公告)号：TW200917308A
公开(公告)日：2009-04-16
申请号：TW097129984
申请日：2008-08-07
申请人：島津製作所股份有限公司 SHIMADZU CORPORATION
发明人：富田定 TOMITA. SADAMU , 林茂樹 HAYASHI, SHIGEKI
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J35/14 , H01J35/16 , H01J35/305 , H01J2235/1212 , H01J2235/1216 , H01J2235/162
摘要：習知技術係將磁場產生器4配設成與電子束B之軸O垂直相交者,而本發明之X射線管裝置係使磁場產生器4相對於與電子束B之軸O垂直相交之軸V傾斜配設。具體言之,係使相對於與電子束B之軸O垂直相交之軸V而傾斜配設之磁場產生器4在截至比起聚焦、偏向之電子束B更靠近陰極2側為止之範圍傾斜配設。當傾斜至與陰極2側相反之側的陽極5側時,會有已縮小之X射線源徑增大之虞,但藉由使磁場產生器4在截至比起聚焦、偏向之電子束B更靠近陰極2側為止之範圍傾斜配設,可縮小X射線源徑。
简体摘要：习知技术系将磁场产生器4配设成与电子束B之轴O垂直相交者,而本发明之X射线管设备系使磁场产生器4相对于与电子束B之轴O垂直相交之轴V倾斜配设。具体言之,系使相对于与电子束B之轴O垂直相交之轴V而倾斜配设之磁场产生器4在截至比起聚焦、偏向之电子束B更靠近阴极2侧为止之范围倾斜配设。当倾斜至与阴极2侧相反之侧的阳极5侧时,会有已缩小之X射线源径增大之虞,但借由使磁场产生器4在截至比起聚焦、偏向之电子束B更靠近阴极2侧为止之范围倾斜配设,可缩小X射线源径。

4. 发明专利

TW200908058A 二次電子檢測器 SECONDARY ELECTRON DETECTOR 审中-公开
简体标题：二次电子检测器 SECONDARY ELECTRON DETECTOR
公开(公告)号：TW200908058A
公开(公告)日：2009-02-16
申请号：TW097102469
申请日：2008-01-23
申请人：島津製作所股份有限公司 SHIMADZU CORPORATION
发明人：今井大輔 IMAI, DAISUKE
IPC分类号： H01J
CPC分类号： H01J37/244 , H01J2237/2443 , H01J2237/2445 , H01J2237/2448 , H01J2237/28
摘要：本發明提供一種可抑制二次電子的檢測量的減少的二次電子檢測器。本發明的二次電子檢測器20包括:閃爍體22,吸收自被照射了一次帶電粒子的試樣表面發出的二次電子,並將該二次電子轉換為光;以及光電轉換裝置26,將通過導光體24而導出的光轉換為電子後放大。閃爍體22包括:基板2,配置於導光體24上且對光為透明;導電膜4,設置於基板2上,被施加著吸引二次電子的電壓,且對光為透明;以及發光膜6,設置於導電膜4上,藉由二次電子的射入而發出光。
简体摘要：本发明提供一种可抑制二次电子的检测量的减少的二次电子检测器。本发明的二次电子检测器20包括:闪烁体22,吸收自被照射了一次带电粒子的试样表面发出的二次电子,并将该二次电子转换为光;以及光电转换设备26,将通过导光体24而导出的光转换为电子后放大。闪烁体22包括:基板2,配置于导光体24上且对光为透明;导电膜4,设置于基板2上,被施加着吸引二次电子的电压,且对光为透明;以及发光膜6,设置于导电膜4上,借由二次电子的射入而发出光。

5. 发明专利

TW200841024A TFT陣列檢查裝置 TFT ARRAY INSPECTION DEVICE 失效
简体标题： TFT数组检查设备 TFT ARRAY INSPECTION DEVICE
公开(公告)号：TW200841024A
公开(公告)日：2008-10-16
申请号：TW096112242
申请日：2007-04-09
申请人：島津製作所股份有限公司 SHIMADZU CORPORATION
发明人：岡本英樹 OKAMOTO, HIDEKI
IPC分类号： G01R , G02F
摘要：本發明的目的在於,於TFT陣列檢查裝置中,使主腔體(MC)小型化,並且提高玻璃基板在Z方向上的移動速度,從而獲得良好的處理量。本發明的TFT陣列檢查裝置具備玻璃基板用平臺2、平臺驅動機構、及設置於主腔體1上方的電子槍單元3。玻璃基板檢查用平臺2設於主腔體1內,且將平臺驅動機構所具備的Z平臺驅動機構7中的至少驅動馬達7a設置於主腔體1外。Z平臺驅動機構是由設置於主腔體1外部的Z軸驅動用馬達7a而驅動,使設置於主腔體1內的Z平臺2d在Z方向上移動。藉由將驅動馬達設置於主腔體的外部,可使用具有較大輸出扭矩的驅動馬達,從而可提高Z平臺的驅動速度,且可提高玻璃基板檢查的處理量。
简体摘要：本发明的目的在于,于TFT数组检查设备中,使主腔体(MC)小型化,并且提高玻璃基板在Z方向上的移动速度,从而获得良好的处理量。本发明的TFT数组检查设备具备玻璃基板用平台2、平台驱动机构、及设置于主腔体1上方的电子枪单元3。玻璃基板检查用平台2设于主腔体1内,且将平台驱动机构所具备的Z平台驱动机构7中的至少驱动马达7a设置于主腔体1外。Z平台驱动机构是由设置于主腔体1外部的Z轴驱动用马达7a而驱动,使设置于主腔体1内的Z平台2d在Z方向上移动。借由将驱动马达设置于主腔体的外部,可使用具有较大输出扭矩的驱动马达,从而可提高Z平台的驱动速度,且可提高玻璃基板检查的处理量。

6. 发明专利

TWI301886B 電子秤 ELECTRON BALANCE 失效
简体标题：电子秤 ELECTRON BALANCE
公开(公告)号：TWI301886B
公开(公告)日：2008-10-11
申请号：TW095143492
申请日：2006-11-24
申请人：島津製作所股份有限公司 SHIMADZU CORPORATION
发明人： 本弘 HAMAMOTO, HIROSHI
IPC分类号： G01G
CPC分类号： G01G23/00
摘要：本發明的電子秤,於合併有基本選單列表資訊與用戶選單列表資訊的選單列表之中,其中基本選單列表資訊,使預先所規定的多個選單項目為樹狀結構,用戶選單列表資訊,將使用者對頻繁地利用的運算功能等進行任意地登錄,存儲至非揮發性記憶體,可按照規定的鍵進行操作,一方面依次在同層上移動、向下層移行,另一方面選擇所期望的選單項目。使用者頻繁利用的選單項目、例如功能8的設定/解除由於存在於優先度高的我的選單的下層,因此與按照選單群組2→功能8,依次對樹狀結構進行搜尋及選擇的場合相比,可以較少的鍵操作次數來進行選擇。藉此,由於可實現作業的效率化,並且操作簡單,故而即使不看說明書亦可操作。又,於用戶選單列表29以外的基本選單列表中無順序的變更等,因此對此種列表中的選單項目進行選擇時,進行與先前相同的操作即可。
简体摘要：本发明的电子秤,于合并有基本菜单列表信息与用户菜单列表信息的菜单列表之中,其中基本菜单列表信息,使预先所规定的多个菜单项目为树状结构,用户菜单列表信息,将用户对频繁地利用的运算功能等进行任意地登录,存储至非挥发性内存,可按照规定的键进行操作,一方面依次在同层上移动、向下层移行,另一方面选择所期望的菜单项目。用户频繁利用的菜单项目、例如功能8的设置/解除由于存在于优先度高的我的菜单的下层,因此与按照菜单群组2→功能8,依次对树状结构进行搜索及选择的场合相比,可以较少的键操作次数来进行选择。借此,由于可实现作业的效率化,并且操作简单,故而即使不看说明书亦可操作。又,于用户菜单列表29以外的基本菜单列表中无顺序的变更等,因此对此种列表中的菜单项目进行选择时,进行与先前相同的操作即可。

7. 发明专利

TW200838613A 離子化裝置审中-公开
简体标题：离子化设备
公开(公告)号：TW200838613A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096148876
申请日：2007-12-20
申请人：島津製作所股份有限公司 SHIMADZU CORPORATION
发明人：奧田大二 OKUDA, DAIJI , 木本成 KIMOTO, SHIGERU , 奧田浩史 OKUDA, HIROSHI , 足立元明 ADACHI, MOTOAKI
IPC分类号： B03C
CPC分类号： G01N15/0266
摘要：本發明具備離子化室1及與其不同之另一荷電室20。離子化室1於具有離子化氣體導入口14之筐體內部4具有放電電極6及對向電極10,於對向電極10之與放電電極6前端相對向之位置,形成通往外部之小孔8。荷電室20係相鄰配置於離子化室1之小孔8側。荷電室20之荷電對象物導入部的導入口28係配置成接近小孔8之出口。關於小孔8之尺寸及離子化室1與荷電室20間之壓力,小孔8之尺寸,係設定為能藉由將包含離子之氣體自小孔8之出口噴往荷電室20所產生之負壓將荷電對象物送入,且離子化室1之壓力高於荷電室20之壓力。
简体摘要：本发明具备离子化室1及与其不同之另一荷电室20。离子化室1于具有离子化气体导入口14之筐体内部4具有放电电极6及对向电极10,于对向电极10之与放电电极6前端相对向之位置,形成通往外部之小孔8。荷电室20系相邻配置于离子化室1之小孔8侧。荷电室20之荷电对象物导入部的导入口28系配置成接近小孔8之出口。关于小孔8之尺寸及离子化室1与荷电室20间之压力,小孔8之尺寸,系设置为能借由将包含离子之气体自小孔8之出口喷往荷电室20所产生之负压将荷电对象物送入,且离子化室1之压力高于荷电室20之压力。

8. 发明专利

TW200838612A 離子化裝置审中-公开
简体标题：离子化设备
公开(公告)号：TW200838612A
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：TW096148862
申请日：2007-12-20
申请人：島津製作所股份有限公司 SHIMADZU CORPORATION
发明人：奧田大二 OKUDA, DAIJI , 木本成 KIMOTO, SHIGERU , 奧田浩史 OKUDA, HIROSHI
IPC分类号： B03C
CPC分类号： G01N15/0266
摘要：本發明可抑制荷電對象物損壞或產生目標外粒子且能提高荷電效率。本發明具備離子化室1及與其不同之另一荷電室20。離子化室1於具有離子化氣體導入口14之筐體內部4具有放電電極6及對向電極10,於對向電極10之與放電電極6前端相對向之位置,形成通往外部之小孔8。荷電室20係相鄰配置於離子化室1之小孔8側。荷電室20之荷電對象物導入部的導入口28係呈狹縫狀,並配置成在接近小孔8之出口之位置圍繞小孔8之出口。小孔8之尺寸,係設定為將包含離子之氣體自小孔8之出口噴往荷電室20時,能產生將荷電對象物自導入口28送入至荷電室20之大小的負壓,且離子化室1之壓力高於荷電室20之壓力。
简体摘要：本发明可抑制荷电对象物损坏或产生目标外粒子且能提高荷电效率。本发明具备离子化室1及与其不同之另一荷电室20。离子化室1于具有离子化气体导入口14之筐体内部4具有放电电极6及对向电极10,于对向电极10之与放电电极6前端相对向之位置,形成通往外部之小孔8。荷电室20系相邻配置于离子化室1之小孔8侧。荷电室20之荷电对象物导入部的导入口28系呈狭缝状,并配置成在接近小孔8之出口之位置围绕小孔8之出口。小孔8之尺寸,系设置为将包含离子之气体自小孔8之出口喷往荷电室20时,能产生将荷电对象物自导入口28送入至荷电室20之大小的负压,且离子化室1之压力高于荷电室20之压力。

9. 发明专利

TWI301313B TFT基板的加熱方法、TFT基板的溫度測量方法以及TFT基板的溫度控制方法 HEATING METHOD OF TFT SUBSTRATE, TEMPERATURE MEASURING METHOD OF TFT SUBSTRATE AND TEMPERATURE CONTROLLING METHOD OF TFT SUBSTRATE 失效
简体标题： TFT基板的加热方法、TFT基板的温度测量方法以及TFT基板的温度控制方法 HEATING METHOD OF TFT SUBSTRATE, TEMPERATURE MEASURING METHOD OF TFT SUBSTRATE AND TEMPERATURE CONTROLLING METHOD OF TFT SUBSTRATE
公开(公告)号：TWI301313B
公开(公告)日：2008-09-21
申请号：TW095105005
申请日：2006-02-15
申请人：島津製作所股份有限公司 SHIMADZU CORPORATION
发明人：小山內克豊 OSANAI, KATSUTOYO , 松橋潤 MATSUHASHI, JUN
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1214 , G01K7/16 , G01K7/183 , H01L21/324 , H01L29/78603 , H01L2924/0002 , H05B1/0294 , H05B3/28 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種TFT基板的加熱方法、TFT基板的溫
度測量方法以及TFT基板的溫度控制方法,本發明之TFT
基板的加熱方法,是於TFT基板的一側之面上設置電阻膜
圖案,於該電阻膜圖案上施加電壓並流通電流以作為熱
源,由該熱源直接加熱TFT基板,藉此使基板溫度分佈相
同,並提高基板之加熱效率。又,TFT基板的溫度測定方
法,是於TFT基板的一側之面上設置電阻膜圖案,於該電
阻膜圖案上施加電壓並流通電流,並檢測該施加電壓與流
通於電阻膜圖案之電流,根據該施加電壓與檢測電流與溫
度係數之關係,計算求出電阻膜圖案之溫度,該溫度係數
是表示相對於該電阻膜圖案的電阻變化之溫度變化關係,
並且測定已求出之電阻膜圖案之溫度作為TFT基板之溫
度。藉此無需檢測基板溫度之溫度感測器即可測定溫度。
简体摘要：本发明提供一种TFT基板的加热方法、TFT基板的温度测量方法以及TFT基板的温度控制方法,本发明之TFT 基板的加热方法,是于TFT基板的一侧之面上设置电阻膜图案,于该电阻膜图案上施加电压并流通电流以作为热源,由该热源直接加热TFT基板,借此使基板温度分布相同,并提高基板之加热效率。又,TFT基板的温度测定方法,是于TFT基板的一侧之面上设置电阻膜图案,于该电阻膜图案上施加电压并流通电流,并检测该施加电压与流通于电阻膜图案之电流,根据该施加电压与检测电流与温度系数之关系,计算求出电阻膜图案之温度,该温度系数是表示相对于该电阻膜图案的电阻变化之温度变化关系, 并且测定已求出之电阻膜图案之温度作为TFT基板之温度。借此无需检测基板温度之温度传感器即可测定温度。

10. 发明专利

TW200819737A 基板檢查裝置 SUBSTRATE INSPECTING APPARATUS 审中-公开
简体标题：基板检查设备 SUBSTRATE INSPECTING APPARATUS
公开(公告)号：TW200819737A
公开(公告)日：2008-05-01
申请号：TW096124669
申请日：2007-07-06
申请人：島津製作所股份有限公司 SHIMADZU CORPORATION
发明人：岡本英樹 OKAMOTO, HIDEKI , 棚順一郎 TANASE, JUNICHIROU , 黑田一 KURODA, SHIN-ICHI
IPC分类号： G01N
摘要：一種基板檢查裝置,其藉由設置探測器框儲料器而防止佔據面積的增大。該基板檢查裝置1包括:主室2,其在真空狀態下進行基板的檢查;負載固定室3,其在與大氣側之間及與主室之間進行基板的搬入搬出;探測器框儲料器4,其用於儲存與基板進行電性接觸並施加檢查信號的探測器框20;而且,探測器框儲料器4配置在負載固定室3或主室2的上部。藉由採用將探測器框儲料器4配置在負載固定室3上或主室2上的構成,而使探測器框儲料器4所需的佔據面積,可直接利用負載固定室3或主室2的佔據面積,能夠防止佔據面積的增大。
简体摘要：一种基板检查设备,其借由设置探测器框储料器而防止占据面积的增大。该基板检查设备1包括:主室2,其在真空状态下进行基板的检查;负载固定室3,其在与大气侧之间及与主室之间进行基板的搬入搬出;探测器框储料器4,其用于存储与基板进行电性接触并施加检查信号的探测器框20;而且,探测器框储料器4配置在负载固定室3或主室2的上部。借由采用将探测器框储料器4配置在负载固定室3上或主室2上的构成,而使探测器框储料器4所需的占据面积,可直接利用负载固定室3或主室2的占据面积,能够防止占据面积的增大。

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