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1. 发明专利

TWI670387B 選擇性地沉積鈷層的方法、用於形成無孔隙之特徵的選擇性地沉積鈷層的方法、及電腦可讀媒體有权
简体标题：选择性地沉积钴层的方法、用于形成无孔隙之特征的选择性地沉积钴层的方法、及电脑可读媒体
公开(公告)号：TWI670387B
公开(公告)日：2019-09-01
申请号：TW104136536
申请日：2015-11-05
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：艾華 , AI, HUA , 呂疆 , LU, JIANG , 傑拉多斯艾夫傑尼諾斯V , GELATOS, AVGERINOS V. , 馬伯方 , MA, PAUL F. , 柳尙澔 , YU, SANG HO , 劉鳳全 , LIU, FENG Q. , 傅新宇 , FU, XINYU , 葉偉峰 , YE, WEIFENG
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/06 , C23C16/02 , C23C16/54

2. 发明专利

TW201623668A 醇類輔助ＡＬＤ薄膜沉積审中-公开
简体标题：醇类辅助ＡＬＤ薄膜沉积
公开(公告)号：TW201623668A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104135111
申请日：2015-10-26
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉鳳全 , LIU, FENG Q. , 張鎂 , CHANG, MEI , 湯普森大衛 , THOMPSON, DAVID
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/06
CPC分类号： C23C16/18 , C23C16/0281 , C23C16/04 , C23C16/45534 , C23C16/45551 , C23C16/45553 , C23C16/4583 , H01L21/28562 , H01L21/76826 , H01L21/76849 , H01L21/76883
摘要：選擇性地沉積一金屬在一金屬表面上相對於在一介電質表面上的方法係被描述。方法包括還原一金屬氧化物表面成一金屬表面且保護一介電質表面以將介電質表面上的沉積予以最小化及暴露基材於一金屬前驅物與一醇類以沉積一薄膜。
简体摘要：选择性地沉积一金属在一金属表面上相对于在一介电质表面上的方法系被描述。方法包括还原一金属氧化物表面成一金属表面且保护一介电质表面以将介电质表面上的沉积予以最小化及暴露基材于一金属前驱物与一醇类以沉积一薄膜。

3. 发明专利

TW201614092A 利用醇選擇性還原及保護之選擇性沉積审中-公开
简体标题：利用醇选择性还原及保护之选择性沉积
公开(公告)号：TW201614092A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104126724
申请日：2015-08-17
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉鳳全 , LIU, FENG Q. , 馬伯方 , MA, PAUL F. , 艾華 , AI, HUA , 呂疆 , LU, JIANG , 張鎂 , CHANG, MEI , 湯普森大衛 , THOMPSON, DAVID
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/06
CPC分类号： H01L21/76826 , H01L21/02068 , H01L21/28562 , H01L21/3105 , H01L21/321 , H01L21/76849 , H01L21/76883
摘要：本發明為一種選擇性沉積方法，其是使金屬相對於介電質表面來選擇性地沉積在金屬表面。該方法包括下述步驟：將金屬氧化物表面還原成金屬表面之步驟；及保護介電質表面以使沉積在該介電質表面上之情況減少至最少。
简体摘要：本发明为一种选择性沉积方法，其是使金属相对于介电质表面来选择性地沉积在金属表面。该方法包括下述步骤：将金属氧化物表面还原成金属表面之步骤；及保护介电质表面以使沉积在该介电质表面上之情况减少至最少。

4. 发明专利

TW559928B 用於化學機械研磨阻障層材料之方法與組合物失效
简体标题：用于化学机械研磨阻障层材料之方法与组合物
公开(公告)号：TW559928B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW091115620
申请日：2002-07-12
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：蔡東辰 , 李實健 , 劉鳳全 , 孫立中 , 陳良毓 , 羅特森莫拉得
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B24B37/0056 , B24B37/044 , B24B49/006 , B24B49/16 , C09G1/02 , H01L21/3212
摘要：本發明大體上提供將一具有底層介電材質的基材平坦化的方法及組合物。本發明的態樣提供組合物及使用低研磨壓力，研磨組合物，不同研磨速度，選擇性研磨墊，及選擇性研磨溫度的組合藉由化學機械研磨技術來移除阻障層的方法以達到少的殘留物及最小的接縫損傷。本發明的態樣可藉由運用一多步驟處理來達成，該多步驟處理包括在低研磨壓力下依序的CMP用以移除被沉積之阻障層材質。
简体摘要：本发明大体上提供将一具有底层介电材质的基材平坦化的方法及组合物。本发明的态样提供组合物及使用低研磨压力，研磨组合物，不同研磨速度，选择性研磨垫，及选择性研磨温度的组合借由化学机械研磨技术来移除阻障层的方法以达到少的残留物及最小的接缝损伤。本发明的态样可借由运用一多步骤处理来达成，该多步骤处理包括在低研磨压力下依序的CMP用以移除被沉积之阻障层材质。

5. 发明专利

TW201200583A 銅晶圓研磨之化學平坦化 CHEMICAL PLANARIZATION OF COPPER WAFER POLISHING 审中-公开
简体标题：铜晶圆研磨之化学平坦化 CHEMICAL PLANARIZATION OF COPPER WAFER POLISHING
公开(公告)号：TW201200583A
公开(公告)日：2012-01-01
申请号：TW100117440
申请日：2011-05-18
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：王友 , 涂文強 , 劉鳳全 , 王雨春 , 卡盧匹亞雷克須瑪南 , 麥克克林塔克威廉H , 秦貝瑞L
IPC分类号： C09K , C23F , H01L
CPC分类号： H01L21/3212 , B24B37/044 , C09G1/04 , H01L21/7684
摘要：本文所述實施例係關於自基板移除材料。更明確地，本文所述實施例係關於藉由化學機械研磨處理研磨或平坦化基板。一實施例中，提供基板的化學機械研磨(CMP)方法。方法包括將基板暴露於研磨液，基板上形成有導電材料層，且研磨液包括磷酸、一或更多螯合劑、一或更多腐蝕抑制劑與一或更多氧化劑；在導電材料層上形成鈍化層；在基板與研磨墊之間提供相對移動，並移除至少一部分的鈍化層以暴露一部分的下方導電材料層；及移除一部分的暴露導電材料層。
简体摘要：本文所述实施例系关于自基板移除材料。更明确地，本文所述实施例系关于借由化学机械研磨处理研磨或平坦化基板。一实施例中，提供基板的化学机械研磨(CMP)方法。方法包括将基板暴露于研磨液，基板上形成有导电材料层，且研磨液包括磷酸、一或更多螯合剂、一或更多腐蚀抑制剂与一或更多氧化剂；在导电材料层上形成钝化层；在基板与研磨垫之间提供相对移动，并移除至少一部分的钝化层以暴露一部分的下方导电材料层；及移除一部分的暴露导电材料层。

6. 发明专利

TW201140673A ＧＳＴ膜厚度監視 GST FILM THICKNESS MONITORING 审中-公开
简体标题：ＧＳＴ膜厚度监视 GST FILM THICKNESS MONITORING
公开(公告)号：TW201140673A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100101987
申请日：2011-01-19
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：許昆 , 劉鳳全 , 班維紐多明尼克J , 史威克柏格斯勞A , 王雨春 , 涂文強 , 卡盧匹亞雷克須
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L22/26 , B24B37/005 , B24B37/013 , B24B49/12 , C01G9/00 , G01B11/0625 , G01B11/0683 , H01L21/30625 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
摘要：研磨具GST層之基板的方法，GST層設置於一下層上，研磨期間，將非偏振光束引導至GST層上。非偏振光束從第一基板反射而產生具紅外線成分之反射光束。可產生反射光束之紅外線成分的一連串強度測量值，以及利用處理器，測定一連串測量值呈現預定特性的時間。
简体摘要：研磨具GST层之基板的方法，GST层设置于一下层上，研磨期间，将非偏振光束引导至GST层上。非偏振光束从第一基板反射而产生具红外线成分之反射光束。可产生反射光束之红外线成分的一连串强度测量值，以及利用处理器，测定一连串测量值呈现预定特性的时间。

7. 发明专利

TW528648B 於化學機械研磨過程中移除鉭失效
简体标题：于化学机械研磨过程中移除钽
公开(公告)号：TW528648B
公开(公告)日：2003-04-21
申请号：TW090133369
申请日：2001-12-31
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：孫立中 , 蔡東辰 , 李實健 , 劉鳳全
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02
摘要：本發明是有關於在化學機械研磨過程中選擇性移除阻障層的組成物及方法。在一觀點中，用於選擇性移除阻障層之組成物包括至少一還原劑、來自至少一過渡金屬之離子及水。組成物更可包括用於pH穩定性之至少一緩衝劑、用於提供起始pH之至少一pH調節劑、一腐蝕抗化劑、研磨微粒，及/或一金屬螯合劑。在另一實施例中，本發明是有關於在化學機械研磨過程中移除導電物質層與阻障層的組成物及方法。在一觀點中，用於移除導電物質層與阻障層的方法包括提供導電物質層選擇性組成物至研磨墊上，使用導電物質層選擇性組成物研磨基材，提供阻障層選擇性組成物至研磨墊上，以及使用阻障層選擇性組成物研磨基材。
简体摘要：本发明是有关于在化学机械研磨过程中选择性移除阻障层的组成物及方法。在一观点中，用于选择性移除阻障层之组成物包括至少一还原剂、来自至少一过渡金属之离子及水。组成物更可包括用于pH稳定性之至少一缓冲剂、用于提供起始pH之至少一pH调节剂、一腐蚀抗化剂、研磨微粒，及/或一金属螯合剂。在另一实施例中，本发明是有关于在化学机械研磨过程中移除导电物质层与阻障层的组成物及方法。在一观点中，用于移除导电物质层与阻障层的方法包括提供导电物质层选择性组成物至研磨垫上，使用导电物质层选择性组成物研磨基材，提供阻障层选择性组成物至研磨垫上，以及使用阻障层选择性组成物研磨基材。

8. 发明专利

TWI683917B 醇類輔助ＡＬＤ薄膜沉積有权
简体标题：醇类辅助ＡＬＤ薄膜沉积
公开(公告)号：TWI683917B
公开(公告)日：2020-02-01
申请号：TW104135111
申请日：2015-10-26
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：劉鳳全 , LIU, FENG Q. , 張鎂 , CHANG, MEI , 湯普森大衛 , THOMPSON, DAVID
IPC分类号： C23C16/02 , C23C16/44 , C23C16/455 , C23C16/52 , C23C16/06

9. 发明专利

TW201619425A 熱形成選擇性鈷層的方法审中-公开
简体标题：热形成选择性钴层的方法
公开(公告)号：TW201619425A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：TW104136536
申请日：2015-11-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：艾華 , AI, HUA , 呂疆 , LU, JIANG , 傑拉多斯艾夫傑尼諾斯V , GELATOS, AVGERINOS V. , 馬伯方 , MA, PAUL F. , 柳尙澔 , YU, SANG HO , 劉鳳全 , LIU, FENG Q. , 傅新宇 , FU, XINYU , 葉偉峰 , YE, WEIFENG
IPC分类号： C23C16/04 , C23C16/06 , C23C16/02 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/76879 , C23C16/04 , C23C16/06 , H01L21/02068 , H01L21/28562 , H01L21/3105 , H01L21/76814 , H01L21/76826 , H01L21/76834 , H01L21/76849 , H01L21/76883 , H01L23/53209 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：用以選擇性地沉積一鈷層的方法在此被提供。在一些實施例中，一種用以選擇性地沉積一鈷層的方法包括以下步驟：暴露一基材於一第一製程氣體以鈍化一暴露介電質表面，其中該基材包含一介電質層與一金屬層，該介電質層具有一暴露介電質表面，該金屬層具有一暴露金屬表面；及使用一熱沉積製程來選擇性地沉積一鈷層於該暴露金屬表面上。
简体摘要：用以选择性地沉积一钴层的方法在此被提供。在一些实施例中，一种用以选择性地沉积一钴层的方法包括以下步骤：暴露一基材于一第一制程气体以钝化一暴露介电质表面，其中该基材包含一介电质层与一金属层，该介电质层具有一暴露介电质表面，该金属层具有一暴露金属表面；及使用一热沉积制程来选择性地沉积一钴层于该暴露金属表面上。

10. 发明专利

TW201223703A 利用清除狀況的光檢測之研磨的反饋控制 FEEDBACK CONTROL OF POLISHING USING OPTICAL DETECTION OF CLEARANCE 审中-公开
简体标题：利用清除状况的光检测之研磨的反馈控制 FEEDBACK CONTROL OF POLISHING USING OPTICAL DETECTION OF CLEARANCE
公开(公告)号：TW201223703A
公开(公告)日：2012-06-16
申请号：TW100129577
申请日：2011-08-18
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：許昆 , 卡爾森伊格馬 , 劉鳳全 , 蓋奇大衛麥斯威爾 , 王友 , 班維紐多明尼克J , 史威克柏格斯勞A , 王雨春 , 方塔任斯基皮耶 , 涂文強 , 卡盧匹亞雷克須瑪南
IPC分类号： B24B , H01L
摘要：本發明係關於一種控制研磨的方法，控制研磨的方法包含以下步驟：研磨步驟，研磨一第一基板，第一基板在一下層或層結構上具有一覆蓋層。在研磨期間，使用一原處(in-situ)監控系統來監控基板以產生連串之測量。將測量分類為群組，每一群組與基板上多個區域之一個不同區域相關聯。針對每一群組，基於來自相關聯群組之測量，決定清除覆蓋層之時間。基於研磨基板期間施加在至少一個區域之壓力、用於至少一個區域之時間、及用於其他區域之時間，計算至少一個區域之至少一個第二個經調整研磨壓力。使用至少一個調整後之研磨壓力來研磨第二基板。
简体摘要：本发明系关于一种控制研磨的方法，控制研磨的方法包含以下步骤：研磨步骤，研磨一第一基板，第一基板在一下层或层结构上具有一覆盖层。在研磨期间，使用一原处(in-situ)监控系统来监控基板以产生连串之测量。将测量分类为群组，每一群组与基板上多个区域之一个不同区域相关联。针对每一群组，基于来自相关联群组之测量，决定清除覆盖层之时间。基于研磨基板期间施加在至少一个区域之压力、用于至少一个区域之时间、及用于其他区域之时间，计算至少一个区域之至少一个第二个经调整研磨压力。使用至少一个调整后之研磨压力来研磨第二基板。

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