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1. 发明专利

TW201206634A ＣＭＰ漿流之閉迴路控制 CLOSED-LOOP CONTROL OF CMP SLURRY FLOW 审中-公开
简体标题：ＣＭＰ浆流之闭回路控制 CLOSED-LOOP CONTROL OF CMP SLURRY FLOW
公开(公告)号：TW201206634A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100121081
申请日：2011-06-16
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：敏克葛利格瑞E , 蔡東辰 , 趙詳J , 迪漢達潘尼席維庫瑪
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B37/26 , B24B37/005 , B24B37/042 , B24B57/02
摘要：本發明之實施例大體而言係關於用於化學機械研磨一基板之方法。該等方法一般包含以下步驟：量測一研磨墊之厚度，該研磨墊在一研磨表面上具有溝槽或其他的漿液傳送特徵部；一旦確定該研磨表面上之該等溝槽的深度，即可回應該確定之溝槽深度而調整一研磨漿液的一流量；在該研磨表面上研磨一預定數量之基板。可視情況而重複該方法。
简体摘要：本发明之实施例大体而言系关于用于化学机械研磨一基板之方法。该等方法一般包含以下步骤：量测一研磨垫之厚度，该研磨垫在一研磨表面上具有沟槽或其他的浆液发送特征部；一旦确定该研磨表面上之该等沟槽的深度，即可回应该确定之沟槽深度而调整一研磨浆液的一流量；在该研磨表面上研磨一预定数量之基板。可视情况而重复该方法。

2. 发明专利

TW201210745A 用於經改良的研磨墊外形之閉迴路控制 CLOSED-LOOP CONTROL FOR IMPROVED POLISHING PAD PROFILES 审中-公开
简体标题：用于经改良的研磨垫外形之闭回路控制 CLOSED-LOOP CONTROL FOR IMPROVED POLISHING PAD PROFILES
公开(公告)号：TW201210745A
公开(公告)日：2012-03-16
申请号：TW100113575
申请日：2011-04-19
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：迪漢達潘尼席維庫瑪 , 錢隽 , 可卡克里斯多夫D , 馮傑森哲謙 , 張壽松 , 蓋瑞森查爾斯C , 敏克葛利格瑞E , 蔡東辰
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B53/017 , B24B37/042
摘要：本文所描述之實施例使用調節拂掠之閉迴路控制(closed-loop control;CLC)，以在整個墊壽命期間賦能跨越該墊之均勻溝槽深度移除。整合至調節臂中之一感測器能現場且即時監控該墊堆疊厚度。自該厚度感測器之反饋用於修改跨越該墊表面之墊調節器駐留時間，而校正隨該墊及盤老化而可能出現的該墊外形中之漂移。墊外形CLC在連續調節情況下賦能溝槽深度之均勻縮減，進而提供較長的消耗品壽命及降低的操作成本。
简体摘要：本文所描述之实施例使用调节拂掠之闭回路控制(closed-loop control;CLC)，以在整个垫寿命期间赋能跨越该垫之均匀沟槽深度移除。集成至调节臂中之一传感器能现场且实时监控该垫堆栈厚度。自该厚度传感器之反馈用于修改跨越该垫表面之垫调节器驻留时间，而校正随该垫及盘老化而可能出现的该垫外形中之漂移。垫外形CLC在连续调节情况下赋能沟槽深度之均匀缩减，进而提供较长的消耗品寿命及降低的操作成本。

3. 发明专利

TWI511839B 用於經改良的研磨墊外形之閉迴路控制有权
简体标题：用于经改良的研磨垫外形之闭回路控制
公开(公告)号：TWI511839B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW100113575
申请日：2011-04-19
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：迪漢達潘尼席維庫瑪 , DHANDAPANI, SIVAKUMAR , 錢隽 , QIAN, JUN , 可卡克里斯多夫D , COCCA, CHRISTOPHER D. , 馮傑森哲謙 , FUNG, JASON GARCHEUNG , 張壽松 , CHANG, SHOU SUNG , 蓋瑞森查爾斯C , GARRETSON, CHARLES C. , 敏克葛利格瑞E , MENK, GREGORY E. , 蔡東辰 , TSAI, STAN D.
IPC分类号： B24B53/017 , B24B37/04
CPC分类号： B24B53/017 , B24B37/042

4. 发明专利

TWI335250B 用於電化學機械研磨之墊組件 PAD ASSEMBLY FOR ELECTROCHEMICAL MECHANICAL PROCESSING 失效
简体标题：用于电化学机械研磨之垫组件 PAD ASSEMBLY FOR ELECTROCHEMICAL MECHANICAL PROCESSING
公开(公告)号：TWI335250B
公开(公告)日：2011-01-01
申请号：TW093136038
申请日：2004-11-23
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：胡永其 , 蔡東辰 , 王焱 , 劉鳳全 , 張壽松 , 陳良毓
IPC分类号： B23H , B24B
CPC分类号： B24B37/26 , B23H5/06 , B23H5/08 , B23H5/10 , B24B37/042 , B24B37/046 , B24B37/22 , B24B37/24 , B24B49/16 , B24B53/017 , C25D17/14 , H01L21/32125
摘要：本發明提供用以研磨一基材之一研磨墊組件的多種實施例。該研磨墊組件包括：一上層，其具有一研磨表面；和一電極，其具有與該上層連接之一頂面和與該頂面相對的一底面。一第一組孔洞係穿過該上層形成，以使該電極暴露在該研磨表面下。至少一孔隙係穿過該上層和電極形成。
简体摘要：本发明提供用以研磨一基材之一研磨垫组件的多种实施例。该研磨垫组件包括：一上层，其具有一研磨表面；和一电极，其具有与该上层连接之一顶面和与该顶面相对的一底面。一第一组孔洞系穿过该上层形成，以使该电极暴露在该研磨表面下。至少一孔隙系穿过该上层和电极形成。

5. 发明专利

TW201029798A 研磨墊邊緣延伸部 POLISHING PAD EDGE EXTENSION 审中-公开
简体标题：研磨垫边缘延伸部 POLISHING PAD EDGE EXTENSION
公开(公告)号：TW201029798A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098134519
申请日：2009-10-12
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：陳志宏 , 張壽松 , 蔡東辰
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B24B37/20 , B24B37/34
摘要：本發明提供一種用以調節研磨墊之方法與設備。該設備包括：一研磨墊，該研磨墊耦接到一平台之上表面，該研磨墊具有一研磨表面；一支撐構件，其耦接到該平台之一基部且鄰近該研磨墊之一周邊邊緣；以及一磨耗材料，其耦接到該支撐構件之上表面，該磨耗材料之上表面與該研磨墊之研磨表面共平面。該方法包括：使一調節碟片抵靠一研磨墊之一研磨表面；以一揮掃圖案將該調節碟片移動越過該研磨表面，該揮掃圖案包括延伸超過該研磨表面之一周邊邊緣的至少一部分該調節碟片；以及維持在該揮掃圖案期間由該調節碟片施加到該研磨表面之實質均等的壓力。
简体摘要：本发明提供一种用以调节研磨垫之方法与设备。该设备包括：一研磨垫，该研磨垫耦接到一平台之上表面，该研磨垫具有一研磨表面；一支撑构件，其耦接到该平台之一基部且邻近该研磨垫之一周边边缘；以及一磨耗材料，其耦接到该支撑构件之上表面，该磨耗材料之上表面与该研磨垫之研磨表面共平面。该方法包括：使一调节盘片抵靠一研磨垫之一研磨表面；以一挥扫图案将该调节盘片移动越过该研磨表面，该挥扫图案包括延伸超过该研磨表面之一周边边缘的至少一部分该调节盘片；以及维持在该挥扫图案期间由该调节盘片施加到该研磨表面之实质均等的压力。

6. 发明专利

TW201206629A 墊片狀態化掃略力矩模型化以達成恆定移除率 PAD CONDITIONING SWEEP TORQUE MODELING TO ACHIEVE CONSTANT REMOVAL RATE 审中-公开
简体标题：垫片状态化扫略力矩模型化以达成恒定移除率 PAD CONDITIONING SWEEP TORQUE MODELING TO ACHIEVE CONSTANT REMOVAL RATE
公开(公告)号：TW201206629A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100114706
申请日：2011-04-27
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：迪漢達潘尼席維庫瑪 , 敏克葛利格瑞E , 趙詳J , 馮傑森哲謙 , 可卡克里斯多夫D , 蔡東辰 , 張壽松 , 蓋瑞森查爾斯
IPC分类号： B24B
CPC分类号： B24B53/017 , B24B37/042
摘要：提供了一種用於調整CMP系統中之拋光墊片的方法與設備。在一具體實施例中，一種用於調整拋光墊片的方法包含：對調整盤施加向下力，該向下力推進該調整盤抵住該拋光墊片；測量使該調整盤掃略該拋光墊片所需之力矩；比較所測量之力矩與模式化力輪廓(MFP)，藉以決定向下力之變化量；以及回應所決定之變化量，調整該調整盤施抵該拋光墊片之向下力。
简体摘要：提供了一种用于调整CMP系统中之抛光垫片的方法与设备。在一具体实施例中，一种用于调整抛光垫片的方法包含：对调整盘施加向下力，该向下力推进该调整盘抵住该抛光垫片；测量使该调整盘扫略该抛光垫片所需之力矩；比较所测量之力矩与模式化力轮廓(MFP)，借以决定向下力之变化量；以及回应所决定之变化量，调整该调整盘施抵该抛光垫片之向下力。

7. 发明专利

TWI342249B 電壓模式電流控制 VOLTAGE MODE CURRENT CONTROL 失效
简体标题：电压模式电流控制 VOLTAGE MODE CURRENT CONTROL
公开(公告)号：TWI342249B
公开(公告)日：2011-05-21
申请号：TW095139784
申请日：2006-10-27
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：蔡東辰 , 卡盧匹亞雷克須瑪南
IPC分类号： B23H
CPC分类号： B23H5/08 , B24B37/042 , B24B49/10
摘要：本發明揭示了電壓模式電流控制的方法和設備。一種電腦執行的方法包括：(a)在基材的一導電薄膜上開始ECMP抛光步驟；(b)設定一電壓源的目前輸出電壓，所述目前輸出電壓根據ECMP抛光步驟的程式進行設定；(c)測量通過所述導電薄膜的電流；(d)基於所述測量的電流計算一目前抛光速率；(e)基於一目標抛光速率，決定是否需要調整目前輸出電壓；以及(f)當決定需要調整時，計算並實現對所述目前輸出電壓的調整。
简体摘要：本发明揭示了电压模式电流控制的方法和设备。一种电脑运行的方法包括：(a)在基材的一导电薄膜上开始ECMP抛光步骤；(b)设置一电压源的目前输出电压，所述目前输出电压根据ECMP抛光步骤的进程进行设置；(c)测量通过所述导电薄膜的电流；(d)基于所述测量的电流计算一目前抛光速率；(e)基于一目标抛光速率，决定是否需要调整目前输出电压；以及(f)当决定需要调整时，计算并实现对所述目前输出电压的调整。

8. 发明专利

TW536450B 電化學機械研磨所用之導電研磨物失效
简体标题：电化学机械研磨所用之导电研磨物
公开(公告)号：TW536450B
公开(公告)日：2003-06-11
申请号：TW091108392
申请日：2002-04-23
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：陳良毓 , 王雨春 , 王彥 , 艾倫杜布斯特 , 丹尼爾A 卡爾 , 拉爾夫維登斯韋勒 , 曼伍卻爾拜藍 , 保羅B 巴特菲爾德 , 勒士德梅夫利佛 , 蔡東辰
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： B23H5/08
摘要：一種製造物及設備被提供來將一基材表面平坦化。在一態樣中，一製造物被提供來研磨一包括研磨物之基材，該研磨物包含一本體，其具有至少一部分導電的表面用來研磨該基材及一安裝表面。該研磨物上形成有多個穿孔以供物質從其間流過。在另一態樣中，一用來研磨一基材的研磨物包括一本體其具有一研磨表面及一設置於其被的導電元件。該導電元件具有一接觸面其延伸超過一由該研磨表面所界定的平面。該研磨表面具有一或多個凹坑形成於其上。該導電元件可被設置在每一研磨凹坑內。
简体摘要：一种制造物及设备被提供来将一基材表面平坦化。在一态样中，一制造物被提供来研磨一包括研磨物之基材，该研磨物包含一本体，其具有至少一部分导电的表面用来研磨该基材及一安装表面。该研磨物上形成有多个穿孔以供物质从其间流过。在另一态样中，一用来研磨一基材的研磨物包括一本体其具有一研磨表面及一设置于其被的导电组件。该导电组件具有一接触面其延伸超过一由该研磨表面所界定的平面。该研磨表面具有一或多个凹坑形成于其上。该导电组件可被设置在每一研磨凹坑内。

9. 发明专利

TW528648B 於化學機械研磨過程中移除鉭失效
简体标题：于化学机械研磨过程中移除钽
公开(公告)号：TW528648B
公开(公告)日：2003-04-21
申请号：TW090133369
申请日：2001-12-31
申请人：應用材料股份有限公司
发明人：孫立中 , 蔡東辰 , 李實健 , 劉鳳全
IPC分类号： B24B , H01L
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02
摘要：本發明是有關於在化學機械研磨過程中選擇性移除阻障層的組成物及方法。在一觀點中，用於選擇性移除阻障層之組成物包括至少一還原劑、來自至少一過渡金屬之離子及水。組成物更可包括用於pH穩定性之至少一緩衝劑、用於提供起始pH之至少一pH調節劑、一腐蝕抗化劑、研磨微粒，及/或一金屬螯合劑。在另一實施例中，本發明是有關於在化學機械研磨過程中移除導電物質層與阻障層的組成物及方法。在一觀點中，用於移除導電物質層與阻障層的方法包括提供導電物質層選擇性組成物至研磨墊上，使用導電物質層選擇性組成物研磨基材，提供阻障層選擇性組成物至研磨墊上，以及使用阻障層選擇性組成物研磨基材。
简体摘要：本发明是有关于在化学机械研磨过程中选择性移除阻障层的组成物及方法。在一观点中，用于选择性移除阻障层之组成物包括至少一还原剂、来自至少一过渡金属之离子及水。组成物更可包括用于pH稳定性之至少一缓冲剂、用于提供起始pH之至少一pH调节剂、一腐蚀抗化剂、研磨微粒，及/或一金属螯合剂。在另一实施例中，本发明是有关于在化学机械研磨过程中移除导电物质层与阻障层的组成物及方法。在一观点中，用于移除导电物质层与阻障层的方法包括提供导电物质层选择性组成物至研磨垫上，使用导电物质层选择性组成物研磨基材，提供阻障层选择性组成物至研磨垫上，以及使用阻障层选择性组成物研磨基材。

10. 发明专利

TWI568534B 墊片狀態化掃略力矩模式化以達成恆定移除率有权
简体标题：垫片状态化扫略力矩模式化以达成恒定移除率
公开(公告)号：TWI568534B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW100114706
申请日：2011-04-27
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：迪漢達潘尼席維庫瑪 , DHANDAPANI, SIVAKUMAR , 敏克葛利格瑞E , MENK, GREGORY E. , 趙詳J , CHO, SANG J. , 馮傑森哲謙 , FUNG, JASON GARCHEUNG , 可卡克里斯多夫D , COCCA, CHRISTOPHER D. , 蔡東辰 , TSAI, STAN D. , 張壽松 , CHANG, SHOU SUNG , 蓋瑞森查爾斯 , GARRETSON, CHARLES
IPC分类号： B24B37/10 , B24B53/017
CPC分类号： B24B53/017 , B24B37/042

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