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1. 发明公开

KR1020100137627A 다공성 산화막 속에 형성된 나노와이어 네트워크 단원계 상변화층을 갖는 상변화 메모리 및 형성 방법 有权
标题翻译：具有纳米网络的单相单相变化层的相变存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100137627A
公开(公告)日：2010-12-31
申请号：KR1020090055763
申请日：2009-06-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이태연
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1246 , H01L45/148 , H01L45/1616 , H01L45/1683 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , Y10S977/778 , H01L45/143 , H01L45/144
摘要： PURPOSE: A phase change memory device and a method for manufacturing the same are provided to ensure fine contact area in a phase change layer by forming nano-wire network using a porous oxide layer. CONSTITUTION: An interlayer insulating layer(100) is formed on a semiconductor substrate. A lower electrode(110) is formed on the interlayer insulating layer. A porous insulating layer(120) is formed on the lower electrode. A single element-based phase change layer(130) is formed on the porous insulating layer. An upper electrode(140) is formed on the phase change layer. In case of the formation of the single element-based phase change layer, a nano-wire network phase change layer is simultaneously formed in the porous insulating film.
摘要翻译：目的：提供一种相变存储器件及其制造方法，以通过使用多孔氧化物层形成纳米线网来确保相变层中的良好的接触面积。构成：在半导体衬底上形成层间绝缘层（100）。在层间绝缘层上形成下电极（110）。在下电极上形成多孔绝缘层（120）。在多孔绝缘层上形成单个元件基相变层（130）。在相变层上形成上电极（140）。在形成单元素相变层的情况下，在多孔绝缘膜中同时形成纳米线网络相变层。

2. 发明公开

KR1020090127194A 나노구조체 및 나노와이어의 제조 방법 및 그로부터 제조되는 디바이스 有权
标题翻译：制造纳米结构的方法和纳米结构及其制备的器件
公开(公告)号：KR1020090127194A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：KR1020097023682
申请日：2002-03-29
申请人： 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
发明人： 마줌다르애런 , 샤쿠리알리 , 샌즈티모시디. , 양페이동 , 마오새뮤엘에스. , 루소리차드이. , 파익헤닝 , 킨트한네스 , 웨버에익알. , 후앙마이클 , 얀하오콴 , 우이잉 , 팬롱
IPC分类号： H01L29/06 , B82B1/00 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G02B6/107 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02554 , H01L21/02603 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L24/45 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/12 , H01L29/125 , H01L31/0352 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L35/00 , H01L41/094 , H01L41/18 , H01L41/183 , H01L2224/45565 , H01L2224/45599 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01058 , H01L2924/0106 , H01L2924/01061 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01084 , H01L2924/04953 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01S5/341 , H01S5/3412 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , Y10S977/764 , Y10S977/765 , Y10S977/951 , Y10T428/24994 , Y10T428/249949 , Y10T428/29 , Y10T428/2913 , Y10T428/2916 , Y10T428/292 , Y10T428/2933 , Y10T428/2958 , Y10T428/2973 , Y10T428/298 , H01L2924/00011 , H01L2924/00 , H01L2224/48
摘要： One-dimensional nanostructures having uniform diameters of less than approximately 200 nm. These inventive nanostructures, which we refer to as 'nanowires', include single- crystalline homostructures as well as heterostructures of at least two single-crystalline materials having different chemical compositions. Because single-crystalline materials are used to form the heterostructure, the resultant heterostructure will be single-crystalline as well. The nanowire heterostructures are generally based on a semiconducting wire wherein the doping and composition are controlled in either the longitudinal or radial directions, or in both directions, to yield a wire that comprises different materials. Examples of resulting nanowire heterostructures include a longitudinal heterostructure nanowire (LOHN) and a coaxial heterostructure nanowire (COHN).
摘要翻译：具有小于约200nm的均匀直径的一维纳米结构。我们称之为“纳米线”的这些本发明的纳米结构包括具有不同化学组成的至少两种单晶材料的单晶同构结构以及异质结构。由于使用单晶材料来形成异质结构，所以得到的异质结构也将是单晶的。纳米线异质结构通常基于半导体导线，其中掺杂和组成在纵向或径向方向或两个方向上被控制，以产生包括不同材料的导线。所得纳米线异质结构的实例包括纵向异质结构纳米线（LOHN）和同轴异质结构纳米线（COHN）。

3. 发明授权

KR101147053B1 나노구조체 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：纳米结构及其制造方法
公开(公告)号：KR101147053B1
公开(公告)日：2012-05-17
申请号：KR1020057000392
申请日：2003-07-08
申请人： 큐나노에이비
发明人： 사무엘슨라르스이바르 , 올슨요나스뵈른
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L31/035227 , B82Y10/00 , C30B11/00 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/20 , H01L29/66318 , H01L29/7371 , H01L29/882 , H01L31/022466 , H01L31/048 , H01L31/068 , H01L33/04 , Y02E10/547 , Y10S977/762 , Y10S977/763
摘要： 공명 터널링 다이오드, 여타의 1차원 전자, 광자 구조체, 및 전자기계 MEMS 디바이스는, 상이한 밴드갭을 갖는 상이한 재료들로 위스커의 길이 세그먼트들을 형성하는 나노위스커내에 헤테로구조체로서 형성된다. 따라서, 양자 감금 효과를 나타내도록, 공명 터널링 다이오드는 나노미터 치수를 갖는 일정한 직경의 컬럼 및 일 단부에 시드 입자를 갖는 나노위스커를 포함하고, 상기 컬럼은 제1반도체 부분과 제2반도체 부분사이에 배치된, 에미터 및 콜렉터를 각각 포함하는 제1 및 제2반도체 부분, 제1 및 제2반도체 부분의 그것과 상이한 밴드 갭을 가지는 재료로 된 제3 및 제4부분, 및 제3부분과 제4부분 사이에 배치되고 양자 웰을 형성하는, 제3 및 제4부분의 그것과 상이한 밴드 갭을 가지는 반도체 재료로 된 제5중심부를 포함한다. RTD는 기판상에 시드 입자를 증착하는 단계, 및 시드 입자를 갖는 용융물을 형성하도록 온도 및 압력의 제어된 조건들 하에서 시드 입자를 재료들에 노출시키는 단계를 포함하는 방법에 의해 만들어지며, 시드 입자는 컬럼의 최상부상에서 생성되어 나노위스커를 형성하고, 나노위스커의 컬럼은 나노미터 치수의 일정한 직경을 가진다; 컬럼의 성장 중에, 상기 가스들의 조성들을 선택적으로 변화시켜 그 길이를 따른 영역들에서의 컬럼의 재료의 조성을 급격히 변화시켜 에피택셜 성장을 유지하는 한편, 상기 부분들의 재료들 사이의 격자 오정합은 경계부들에서 위스커의 반경반향 바깥쪽으로의 팽창에 의해 수용된다.
摘要翻译：通过用具有不同带隙的不同材料形成晶须的长度段，在纳米晶须中形成共振隧道二极管和其它一维电子，光子结构和机电MEMS器件作为异质结构。因此，共振隧道二极管包括在一端具有种子颗粒熔体的纳米晶须和具有纳米尺寸的恒定直径的柱，例如显示量子限制效应，所述柱包括第一和第二半导体部分，分别包括发射极和集电体，并且设置在第一和第二半导体部分之间，具有与第一和第二半导体部分的带隙不同的带隙的材料的第三和第四部分，以及与第一和第二半导体部分具有不同带隙的半导体材料的第五中心部分第三部分和第四部分的第三部分和第四部分之间，设置在第三部分和第四部分之间并且形成量子裂纹。 RTD通过包括在基底上沉积种子颗粒并将种子颗粒暴露于温度和压力受控条件下的材料的方法制成，例如与种子颗粒形成熔体，使得种子颗粒在形成纳米晶须的柱，纳米晶须柱具有恒定直径的纳米尺寸; 在柱的生长期间，选择性地改变所述气体的组成，从而在保持外延生长的同时保持外延生长，突然改变柱的材料在其长度的区域的组成，其中部分的材料之间的晶格失配由径向在晶界向外膨胀的边界。

4. 发明公开

KR1020070027482A 집적 회로 마이크로-냉각기의 설계 및 제조시 자체-조합된나노 구조물을 이용하는 시스템 및 방법 无效
标题翻译：使用自组装纳米结构在集成电路微型冷却器的设计和制造中的系统和方法
公开(公告)号：KR1020070027482A
公开(公告)日：2007-03-09
申请号：KR1020067003778
申请日：2004-08-25
申请人： 나노컨덕션, 인코포레이티드
发明人： 단겔로,칼로스
IPC分类号： H01L23/36 , B82Y30/00
CPC分类号： H01L23/473 , B82Y10/00 , H01L23/373 , H01L25/0652 , H01L2224/16 , H01L2224/73253 , H01L2924/01019 , H01L2924/01057 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/10253 , Y10S977/742 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , H01L2924/00
摘要： Heat sink structures employing carbon nanotube or nanowire arrays to reduce the thermal interface resistance between an integrated circuit chip and the heat sink are disclosed. Carbon nanotube arrays are combined with a thermally conductive metal filler disposed between the nanotubes. This structure produces a thermal interface with high axial and lateral thermal conductivities. ® KIPO & WIPO 2007
摘要翻译：公开了使用碳纳米管或纳米线阵列来降低集成电路芯片和散热片之间的热界面电阻的散热结构。碳纳米管阵列与布置在纳米管之间的导热金属填料结合。该结构产生具有高轴向和横向热导率的热界面。 ®KIPO＆WIPO 2007

5. 发明授权

KR100254842B1 고강도 고인성 강선 및 그 제조방법 失效
标题翻译：高强度和高韧性钢丝及其制造方法
公开(公告)号：KR100254842B1
公开(公告)日：2000-05-01
申请号：KR1019970039896
申请日：1997-08-21
申请人： 가부시키가이샤 고베 세이코쇼
发明人： 마키이고이치 , 야구치히로시 , 이바라키노부히코 , 미나미다다카아키 , 카이소마사토
IPC分类号： C22C38/00 , C21D8/06 , B82Y40/00
CPC分类号： C21D8/06 , C21D2201/03 , C21D2211/003 , Y10S977/763
摘要： 층상세멘타이트가 나노결정인 강선보다도, 고강도를 발휘하는 동시에 고인성을 나타내어 꼬임시 등에 종할을 발생시키지 않는 고강도 고인성강선 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 미세퍼얼라이트 및/또는 유사퍼얼라이트를 주체로 하는 강선으로서, 조직중의 층상세멘타이트가 비정질인 것을 요지로 하고, 또한 베이나이트를 주체로 하는 강선의 경우에는, 조직중의 세멘타이트가 비정질인 것을 요지로 한다. 이들 강선을 제조함에 있어서는, 파텐팅처리 및 냉간신선을 여러번 반복하는 강선의 제조방법으로서, 진 스트레인의 값이 2.0 이상이고, 냉각을 행해가면서 최종신선을 행하는 방법을 채용하면 좋다.

6. 发明授权

KR101675322B1 다공성 산화막 속에 형성된 나노와이어 네트워크 단원계 상변화층을 갖는 상변화 메모리 및 형성 방법 有权
标题翻译：具有纳米网络的单相单相变化层的相变存储器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101675322B1
公开(公告)日：2016-11-14
申请号：KR1020090055763
申请日：2009-06-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 이태연
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/1246 , H01L45/148 , H01L45/1616 , H01L45/1683 , Y10S438/962 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , Y10S977/778
摘要： 다공성절연막기공안에나노와이어네트워크형태의단원계상변화층을갖는상변화메모리반도체를제공한다. 상기다공성절연막기공안에나노와이어네트워크형태의단원계상변화층을갖는상변화메모리는반도체기판에소자분리막으로구분된활성영역과비활성영역, 상기활성영역상에형성된 제 1 층간절연막에형성된다수의다이오드및 트랜지스터, 상기다이오드상에형성된하부전극, 상기하부전극상에형성된다공성절연막, 상기다공성절연막다공속에형성된나노와이어네트워크형태의단원계상변화층, 상기상변화층상에형성된상부전극, 상기상부전극및 트랜지스터상에형성된다수의금속배선이형성된것이특징이다.

7. 发明授权

KR101008294B1 나노구조체 및 나노와이어의 제조 방법 및 그로부터 제조되는 디바이스 有权
标题翻译：制造纳米结构的方法和纳米结构及其制备的器件
公开(公告)号：KR101008294B1
公开(公告)日：2011-01-13
申请号：KR1020097023682
申请日：2002-03-29
申请人： 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
发明人： 마줌다르애런 , 샤쿠리알리 , 샌즈티모시디. , 양페이동 , 마오새뮤엘에스. , 루소리차드이. , 파익헤닝 , 킨트한네스 , 웨버에익알. , 후앙마이클 , 얀하오콴 , 우이잉 , 팬롱
IPC分类号： H01L29/06 , B82B1/00 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G02B6/107 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02554 , H01L21/02603 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L24/45 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/12 , H01L29/125 , H01L31/0352 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L35/00 , H01L41/094 , H01L41/18 , H01L41/183 , H01L2224/45565 , H01L2224/45599 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01058 , H01L2924/0106 , H01L2924/01061 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01084 , H01L2924/04953 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01S5/341 , H01S5/3412 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , Y10S977/764 , Y10S977/765 , Y10S977/951 , Y10T428/24994 , Y10T428/249949 , Y10T428/29 , Y10T428/2913 , Y10T428/2916 , Y10T428/292 , Y10T428/2933 , Y10T428/2958 , Y10T428/2973 , Y10T428/298 , H01L2924/00011 , H01L2924/00 , H01L2224/48
摘要： 본 발명은 약 200 nm 미만의 균일한 직경을 갖는 1차원 나노구조체를 제공한다. "나노와이어"라 칭하는 이러한 본 발명의 나노구조체는 단결정 동형구조체 및 화학적 조성이 상이한 최소한 2개의 단결정 물질의 이형구조체를 포함한다. 단결정 물질이 이형구조체의 형성에 이용되기 때문에, 얻어지는 이형구조체도 단결정일 것이다. 나노와이어 이형구조체는 일반적으로 반도체 와이어를 기초로 하며, 상이한 물질을 포함하는 와이어를 산출하도록, 도핑 및 조성이 길이방향이나 반경방향으로, 또는 그 두 방향으로 제어된다. 얻어지는 나노와이어 이형구조체의 예로는 길이방향 이형구조체 나노와이어(LOHN) 및 동축 이형구조체 나노와이어(COHN)가 포함된다.
나노구조체, 나노와이어, 이형구조체, 동형구조체, 초격자, 양자 도트, 이형접합, 에피택셜 성장, 에너지 전환
摘要翻译：一种纳米线，包括：包含第一材料的芯; 以及至少一个鞘，其包含围绕所述芯的至少一部分的第一护套，其中所述第一护套包括与所述第一材料成分不同的第二材料。

8. 发明公开

KR1020050042774A 나노구조체 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：纳米结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020050042774A
公开(公告)日：2005-05-10
申请号：KR1020057000392
申请日：2003-07-08
申请人： 큐나노에이비
发明人： 사무엘슨라르스이바르 , 올슨요나스뵈른
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L31/035227 , B82Y10/00 , C30B11/00 , C30B11/12 , C30B25/00 , C30B25/02 , C30B25/14 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , C30B29/605 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L29/20 , H01L29/66318 , H01L29/7371 , H01L29/882 , H01L31/022466 , H01L31/048 , H01L31/068 , H01L33/04 , Y02E10/547 , Y10S977/762 , Y10S977/763
摘要： The invention comprises a method of forming nanowhiskers, one-dimensional semiconductor nanocrystals, in which segments of the whisker have different compositions, for example indium arsenide whiskers containing segments of indium phosphide, wherein conditions for growth allow the formation of abrupt interfaces and heterostructure barriers of thickness from a few monolayers to hundreds of nanometers, thus creating a one-dimensional landscape along which electrons can move. In a preferred method of chemical beam epitaxy method (CBE), rapid alteration of the composition is controlled by the supply of precursor atoms into a eutectic melt of seed particle and substrate, supplied as molecular beams into the ultra high vacuum chamber. The rapid switching between different compositions is obtained via a sequence where growth is interrupted or at least reduced to an insignificant amount, and supersaturation conditions for growth are reestablished; at least, change of composition and supersaturation is changed faster than any appreciable growth. With abrupt changes in material of the whisker, stresses and strains arising from lattice mismatch are accommodated by radial outward bulging of the whisker, or at least by lateral displacement of the atoms in the lattice planes near the junction.
摘要翻译：本发明包括形成纳米晶须，一维半导体纳米晶体的方法，其中晶须的部分具有不同的组成，例如含有磷化铟段的砷化铟晶须，其中生长条件允许形成突变界面和异质结构屏障从几个单层到几百纳米的厚度，从而产生电子可以移动的一维景观。在化学束外延法（CBE）的优选方法中，通过将前体原子供应到作为分子束提供到超高真空室中的种子颗粒和基底的共熔熔体中来控制组成的快速改变。不同组合物之间的快速切换通过生长被中断或至少减少到不显着的量的序列获得，并且重新建立用于生长的过饱和条件; 至少，组成和过饱和度的变化比任何明显的增长都改变得更快。随着晶须的材料突然变化，由晶格失配引起的应力和应变由晶须的径向向外膨胀，或者至少通过接合点附近的晶格面中的原子的横向位移来适应。

9. 发明公开

KR1020040000418A 나노구조체 및 나노와이어의 제조 방법 및 그로부터제조되는 디바이스 无效
标题翻译：空值
公开(公告)号：KR1020040000418A
公开(公告)日：2004-01-03
申请号：KR1020037012856
申请日：2002-03-29
申请人： 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
发明人： 마줌다르애런 , 샤쿠리알리 , 샌즈티모시디. , 양페이동 , 마오새뮤엘에스. , 루소리차드이. , 파익헤닝 , 킨트한네스 , 웨버에익알. , 후앙마이클 , 얀하오콴 , 우이잉 , 팬롱
IPC分类号： H01L29/06 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , G02B6/107 , H01L21/0237 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02521 , H01L21/02532 , H01L21/02554 , H01L21/02603 , H01L21/02645 , H01L21/02653 , H01L24/45 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/12 , H01L29/125 , H01L31/0352 , H01L33/06 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L35/00 , H01L41/094 , H01L41/18 , H01L41/183 , H01L2224/45565 , H01L2224/45599 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/0101 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01018 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01039 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01052 , H01L2924/01058 , H01L2924/0106 , H01L2924/01061 , H01L2924/01068 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01077 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01084 , H01L2924/04953 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30107 , H01S5/341 , H01S5/3412 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , Y10S977/764 , Y10S977/765 , Y10S977/951 , Y10T428/24994 , Y10T428/249949 , Y10T428/29 , Y10T428/2913 , Y10T428/2916 , Y10T428/292 , Y10T428/2933 , Y10T428/2958 , Y10T428/2973 , Y10T428/298 , H01L2924/00011 , H01L2924/00 , H01L2224/48
摘要： 본 발명은 약 200 nm 미만의 균일한 직경을 갖는 1차원 나노구조체를 제공한다. "나노와이어"라 칭하는 이러한 본 발명의 나노구조체는 단결정 동형구조체 및 화학적 조성이 상이한 최소한 2개의 단결정 물질의 이형구조체를 포함한다. 단결정 물질이 이형구조체의 형성에 이용되기 때문에, 얻어지는 이형구조체도 단결정일 것이다. 나노와이어 이형구조체는 일반적으로 반도체 와이어를 기초로 하며, 상이한 물질을 포함하는 와이어를 산출하도록, 도핑 및 조성이 길이방향이나 반경방향으로, 또는 그 두 방향으로 제어된다. 얻어지는 나노와이어 이형구조체의 예로는 길이방향 이형구조체 나노와이어(LOHN) 및 동축 이형구조체 나노와이어(COHN)가 포함된다.
摘要翻译：一种纳米线，包括：包含第一材料的芯; 以及至少一个鞘，其包含围绕所述芯的至少一部分的第一护套，其中所述第一护套包括与所述第一材料成分不同的第二材料。

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