基本信息:
- 专利标题： 나노구조체 및 나노와이어의 제조 방법 및 그로부터제조되는 디바이스
- 专利标题（英）：Methods of fabricating nanostructures and nanowires and devices fabricated therefrom
- 专利标题（中）：空值
- 申请号：KR1020037012856 申请日：2002-03-29
- 公开(公告)号：KR1020040000418A 公开(公告)日：2004-01-03
- 发明人： 마줌다르애런 , 샤쿠리알리 , 샌즈티모시디. , 양페이동 , 마오새뮤엘에스. , 루소리차드이. , 파익헤닝 , 킨트한네스 , 웨버에익알. , 후앙마이클 , 얀하오콴 , 우이잉 , 팬롱
- 申请人： 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
- 申请人地址： 미합중국 캘리포니아 *****-**** 오클랜드 프랭클린 스트리트 ****
- 专利权人： 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
- 当前专利权人： 더 리전트 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아
- 当前专利权人地址： 미합중국 캘리포니아 *****-**** 오클랜드 프랭클린 스트리트 ****
- 代理人： 유미특허법인
- 优先权： US60/280,676 2001-03-30; US60/349,206 2002-01-15
- 国际申请： PCT/US2002/010002 2002-03-29
- 国际公布： WO2002080280 2002-10-10
- 主分类号： H01L29/06
- IPC分类号： H01L29/06 ; B82Y10/00
The present invention provides a one-dimensional nanostructures having uniform diameters of less than about 200 nm. "Nanowire" La referred these nanostructures of the present invention comprises a single crystal structure and the same type and chemical composition of at least two different release structures of the single crystal material. Since the single crystal material is used for the formation of the release structure, and will be also release structure obtained single crystal. Nanowire release structure is usually based on semiconductor, and the wire, to yield a wire that comprises a different material, the doping and composition are longitudinally or radially, or is controlled in two directions. Examples of release is obtained nanowire structure comprises a longitudinal release structure nanowire (LOHN) and coaxial release structure nanowire (COHN).