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1. 发明授权

KR101878127B1 광전 반도체 소자 有权
公开(公告)号：KR101878127B1
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：KR1020187005274
申请日：2011-06-10
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 람헨요한 , 라체츠다피트 , 갈마이어한스-크리슈토프 , 그뢰츠슈테판 , 예레빅지몬
IPC分类号： H01L33/60 , H01L33/62 , H01L33/54 , H01L33/46
CPC分类号： H01L33/60 , H01L23/295 , H01L23/3121 , H01L23/60 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/0753 , H01L25/167 , H01L31/0232 , H01L33/46 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48471 , H01L2224/48479 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/01013 , H01L2924/01023 , H01L2924/01079 , H01L2924/05032 , H01L2924/05432 , H01L2924/12036 , H01L2924/181 , H01L2924/207 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
摘要： 광전반도체소자(1)의적어도하나의실시형태에서, 광전반도체소자(1)는캐리어(2) 및캐리어상면(20)에부착되는적어도하나의광전반도체칩(3)을포함한다. 또한, 반도체소자(1)는반도체칩(3)을전기적으로접촉시키는적어도하나의본딩와이어(4) 및주 방사측면(30) 상에부착되고본딩와이어(4)를넘어돌출하는적어도하나의커버체(5)를포함한다. 적어도하나의반사글롭톱(6)이측방방향으로반도체칩(3)을에워싸고, 적어도반도체칩(3)의주 방사측면(30)까지이른다. 본딩와이어(4)는반사글롭톱(6)에의해완전히또는커버체(5)와함께반사글롭톱(6)에의해완전히덮인다.

2. 发明公开

KR20180018314A 전자 장치 审中-公开
标题翻译：电子设备
公开(公告)号：KR20180018314A
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：KR20170085766
申请日：2017-07-06
申请人： RENESAS ELECTRONICS CORP
发明人： BANDO KOJI , MUTO AKIRA
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/58 , H01L25/065
CPC分类号： H01L23/053 , H01L23/057 , H01L23/3107 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/50 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/115 , H01L25/18 , H01L29/7395 , H01L29/7802 , H01L29/8611 , H01L2224/05554 , H01L2224/32245 , H01L2224/33181 , H01L2224/40101 , H01L2224/40137 , H01L2224/48091 , H01L2224/48175 , H01L2224/73213 , H01L2224/73215 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2924/12036 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H02M7/003
摘要： 본발명은, 반도체장치의성능을향상시키는것을과제로한다. 기판 WB 위에탑재되는반도체장치 PAC1 및반도체장치 PAC2의각각은, 반도체칩 CHP1의표면전극과전기적으로접속되고, 반도체칩 CHP1의표면측에위치하는밀봉체의주면으로부터노출되는이미터단자 ET를갖고있다. 또한, 반도체장치 PAC1 및반도체장치 PAC2의각각은, 반도체칩 CHP1의이면전극과전기적으로접속되고, 반도체칩 CHP1의이면측에위치하는밀봉체의주면으로부터노출되는콜렉터단자 CT를갖고있다. 또한, 반도체장치 PAC1의콜렉터단자 CT는, 기판 WB의상면 WBt에형성된도체패턴 MP1을통해반도체장치 PAC2의이미터단자 ET와전기적으로접속되어있다.
摘要翻译：安装在基板上的第一半导体器件和第二半导体器件中的每一个包括与半导体芯片的正面电极电连接并且从位于半导体芯片的正面侧的密封体的主表面暴露的发射极端子。第一半导体器件和第二半导体器件中的每一个包括与半导体芯片的背面电极电连接并且从位于半导体芯片的背面侧的密封体的主表面暴露的集电极端子。第一半导体器件的集电极端子经由形成在基板的上表面上的导体图案与第二半导体器件的发射极端子电连接。

3. 发明授权

KR101818556B1 이면측 바디 연결을 가진 반도체-온-절연체 有权
标题翻译：带背面本体连接的绝缘体上半导体
公开(公告)号：KR101818556B1
公开(公告)日：2018-01-15
申请号：KR1020127002164
申请日：2010-07-14
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 스투버,마이클에이. , 모린,스튜어트비. , 니가아르드,폴에이.
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/78 , H01L21/84 , H01L23/36 , H01L23/367 , H01L29/786 , H01L21/762 , H01L23/00
CPC分类号： H01L27/1207 , H01L21/76256 , H01L21/78 , H01L21/84 , H01L23/36 , H01L23/3677 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/94 , H01L27/1203 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L2221/6834 , H01L2221/6835 , H01L2221/68377 , H01L2224/03002 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03464 , H01L2224/0401 , H01L2224/11002 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/94 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/14 , H01L2924/3011 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/11 , H01L2924/00
摘要： 본발명의실시예들은반도체-온-절연체(SOI) 구조들에서능동디바이스들의바디로부터과잉캐리어들의제거를제공한다. 일실시예에서, 집적회로제조방법이개시된다. 하나의단계에서, 능동디바이스가반도체-온-절연체웨이퍼의활성층내에형성된다. 또다른단계에서, 기판물질은 SOI 웨이퍼의이면측상에배치된기판층으로부터제거된다. 또다른단계에서, 절연체물질이 SOI 웨이퍼의이면측으로부터제거되어내강절연체영역을형성한다. 또다른단계에서, 전도층이내강절연체영역상에피착된다. 전도층을피착하는단계는전기적전도층을내강절연체영역의제 1 부분내 능동디바이스의바디와물리적으로접촉시킨다. 전도층은바디를내강절연체영역의제 2 분리된부분내 콘택에결합한다.
摘要翻译：本发明的实施例提供从绝缘体上半导体（SOI）结构中的有源器件的主体去除过量载流子。在一个实施例中，公开了一种集成电路制造方法。在一个步骤中，在绝缘体上半导体晶片的有源层中形成有源器件。在又一步骤中，将衬底材料从设置在SOI晶片的背侧上的衬底层去除。在又一步骤中，绝缘体材料从SOI晶片的背侧移除以形成内腔介电区域。在另一个步骤中，将导电层沉积在腔体绝缘体区域上。沉积导电层的步骤在具有导电层的腔体绝缘体区域的第一部分中物理接触有源器件的本体。导电层将本体耦合到内腔绝缘体区域的第二隔离部分中的触点。

4. 发明公开

KR1020170018112A 변형가능 및 반투과 디스플레이를 위한 초박형, 미세구조 무기발광다이오드의 인쇄 어셈블리 审中-实审
标题翻译：用于可变形和半透明显示器的超薄微型无机发光二极管的印刷组件
公开(公告)号：KR1020170018112A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：KR1020177003480
申请日：2010-05-12
申请人： 더 보드 오브 트러스티즈 오브 더 유니버시티 오브 일리노이
发明人： 로저스,존에이. , 누조,랄프 , 김훈식 , 브륵크너,에릭 , 박상일 , 김락환
IPC分类号： H01L21/683 , H01L23/00 , H01L25/075 , H01L33/00 , H01L33/62 , H01L25/00 , H01L33/48 , H01L33/50 , H01L33/54
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L21/6835 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L25/50 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/486 , H01L33/507 , H01L33/54 , H01L33/62 , H01L2221/68322 , H01L2221/6835 , H01L2221/68354 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2224/8312 , H01L2224/83868 , H01L2224/83871 , H01L2224/83874 , H01L2224/95085 , H01L2924/01322 , H01L2924/05432 , H01L2924/06 , H01L2924/12033 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/2064 , H01L2924/20641 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , Y10S438/977 , H01L2924/00
摘要： 본발명은인쇄가능한구조물및 전자소자를제조, 조립및 배열(arranging)하는방법에관한것이다. 본발명의몇몇방법들은하나또는그 이상의소자부품들이고분자내로삽입된전자소자의조립에유용하다. 상기고분자는삽입공정중 소자부품사이의전기적배선을위한트렌치(trench)를통해패터닝된다. 본발명의몇몇방법들은프린팅법에의한전자소자조립에유용하다. 또한, 예를들어, 디스플레이또는조명시스템을위한 GaN 발광다이오드및 이의제조및 배열하는방법을제공한다.
摘要翻译：这里描述了用于制造，组装和布置电子设备的可打印结构和方法。本文描述的许多方法对于组装电子器件是有用的，其中一个或多个器件部件被嵌入在嵌入过程中被图案化的聚合物中，其中沟槽用于器件部件之间的电互连。本文描述的一些方法可用于通过印刷方法组装电子装置，例如通过干式转印接触印刷方法。本文还描述了GaN发光二极管以及用于制造和布置GaN发光二极管的方法，例如用于显示器或照明系统。

5. 发明公开

KR1020140105369A 신호 포트의 커패시턴스 감소에 관한 방법들 및 장치들 审中-实审
标题翻译：与信号端口减少电容相关的方法和装置
公开(公告)号：KR1020140105369A
公开(公告)日：2014-09-01
申请号：KR1020140013216
申请日：2014-02-05
申请人： 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션
发明人： 스노우돈케네스피.
IPC分类号： H01L27/108
CPC分类号： H01L27/101 , H01L23/49816 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L27/016 , H01L29/66174 , H01L29/66189 , H01L29/94 , H01L2224/0401 , H01L2224/05567 , H01L2224/056 , H01L2224/131 , H01L2924/12036 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要： In a general aspect, a device comprises a first capacitor limited by a dielectric arranged in an area between a bump metal and a first conductivity type; and a second capacitor connected with the first capacitor in series, and limited by PN junction including the area of the first conductivity type and an area of a second conductivity type. The area of the first conductivity type can be constituted to connect to a first node having first voltage, and the area of the second conductivity type can be constituted to connect to a second node having second voltage different from the first voltage.
摘要翻译：在一般方面，一种器件包括由布置在凸块金属和第一导电类型之间的区域中的电介质限制的第一电容器; 以及与第一电容器串联连接并由包括第一导电类型的面积和第二导电类型的面积的PN结限制的第二电容器。第一导电类型的区域可以被构造成连接到具有第一电压的第一节点，并且第二导电类型的面积可以被构造成连接到具有不同于第一电压的第二电压的第二节点。

6. 发明授权

KR101419105B1 발광 다이오드, 발광 다이오드 램프 및 조명 장치 有权
标题翻译：发光二极管，发光二极管灯和照明装置
公开(公告)号：KR101419105B1
公开(公告)日：2014-07-11
申请号：KR1020117022869
申请日：2010-03-03
申请人： 쇼와 덴코 가부시키가이샤
发明人： 세오노리요시 , 마쯔무라아쯔시 , 다께우찌료오이찌
IPC分类号： H01L33/30 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/30 , F21V7/0083 , F21V7/09 , F21Y2105/10 , F21Y2115/10 , H01L24/06 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/0603 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/01322 , H01L2924/10158 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 본 발명은, pn 접합형의 발광부와, 상기 발광부에 적층된 왜곡 조정층을 적어도 포함하는 화합물 반도체층을 구비하고, 상기 발광부는, 조성식이 (Al
X Ga
1
-X )
Y In
1
-Y P(여기서, X 및 Y는, 각각 0≤X≤0.1 및 0.39≤Y≤0.45를 만족시키는 수치임)인 왜곡 발광층과 배리어층의 적층 구조를 갖고 있고, 상기 왜곡 조정층은, 발광 파장에 대하여 투명함과 함께 상기 왜곡 발광층 및 상기 배리어층의 격자 상수보다도 작은 격자 상수를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 등에 관한 것이다． 본 발명에 따르면, 655㎚ 이상의 발광 파장을 갖고, 단색성이 우수함과 함께, 고출력 및/또는 고효율이며 응답 속도가 빠른 발광 다이오드를 제공할 수 있다.
摘要翻译：一种发光二极管，其包括具有至少pn结型发光单元的化合物半导体层和堆叠在所述发光单元上的应变调整层，其中，所述发光单元具有包含具有组成的应变发光层的层叠结构（Al X Ga 1-X）Y In 1-YP（其中X和Y分别为0‰×‰‰0.1和0.39‰¤Y‰¤0.45的数值）和阻挡层，应变调整层对于发射波长是透明的，并且具有小于应变发光层和阻挡层的晶格常数的晶格常数。发光二极管具有不小于655nm的发射波长，显示出优异的单色性，高输出和/或高效率，并且具有快速的响应速度。

7. 发明公开

KR1020140031641A 반도체 발광소자 无效
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR1020140031641A
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：KR1020120098199
申请日：2012-09-05
申请人： 안상정
发明人： 안상정
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/48 , H01L33/62
CPC分类号： H01L2224/14 , H01L2924/01322 , H01L2924/12036 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： The present invention relates to a semiconductor light emitting device comprising a plurality of semiconductor layers; a support substrate; and one or more PN junction diodes. The support substrate is bonded to support the semiconductor layers and comprises a semiconductor. The support substrate comprises a first surface and a second surface which is faced to the first surface. The support substrate comprises a first electrical path and a second electrical path which are connected from the second surface to the first surface. The first electrical path offers at least one of electron or hole to the semiconductor layers. The second electrical path offers the remaining one of the electron or the hole to the semiconductor layers. The PN junction diodes are formed on the support substrate. The PN junction diodes are electrically connected to the semiconductor layers by using the first electrical path and the second electrical path.
摘要翻译：本发明涉及包括多个半导体层的半导体发光器件; 支撑基板; 和一个或多个PN结二极管。支撑基板被结合以支撑半导体层并且包括半导体。支撑基板包括面对第一表面的第一表面和第二表面。支撑基板包括从第二表面连接到第一表面的第一电路径和第二电路径。第一电路向半导体层提供电子或空穴中的至少一个。第二电路向半导体层提供剩余的电子或空穴。 PN结二极管形成在支撑基板上。 PN结二极管通过使用第一电路和第二电路径与半导体层电连接。

8. 发明公开

KR1020140009890A 실리콘 기판을 채용한 발광소자 패키지의 절단 방법 无效
标题翻译：具有硅衬底的发光元件封装的切割方法
公开(公告)号：KR1020140009890A
公开(公告)日：2014-01-23
申请号：KR1020120076939
申请日：2012-07-13
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김의석 , 김추호 , 조수현 , 지원수
IPC分类号： H01L33/48 , H01L21/78
CPC分类号： H01L33/48 , H01L24/97 , H01L33/0095 , H01L2224/48091 , H01L2924/12036 , H01L2924/1204 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/1461 , H01L2924/15787 , H01L2933/0033 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： According to one embodiment of the present invention, a method for cutting a light emitting diode package comprises the steps of: preparing a silicon substrate on which a plurality of light emitting diode chips are loaded on the surface thereof and a transparent material layer for covering the light emitting diode chips is formed; removing the transparent material layer between the light emitting diode chips along the cutting line by a mechanical cutting method; forming, on the silicon substrate, a scribing line corresponding to the cutting line by a laser processing method; and cutting the silicon substrate along the scribing line by applying mechanical impact to the silicon substrate so that the silicon substrate is divided into individual light emitting diode packages, thereby improving the productivity of the light emitting diode package cutting process and preventing the transparent material layer from being damaged or deformed.
摘要翻译：根据本发明的一个实施例，一种用于切割发光二极管封装的方法包括以下步骤：制备其上在其表面上装载有多个发光二极管芯片的硅衬底和用于覆盖形成发光二极管芯片; 通过机械切割方法沿着切割线去除发光二极管芯片之间的透明材料层; 在硅基板上通过激光加工方法形成对应于切割线的划线; 以及通过对硅衬底施加机械冲击来沿着划刻线切割硅衬底，使得硅衬底被分成单独的发光二极管封装，从而提高发光二极管封装切割工艺的生产率并防止透明材料层被损坏或变形

9. 发明授权

KR101307481B1 인쇄가능한 반도체 소자들의 제조 및 조립 방법과 장치 有权
公开(公告)号：KR101307481B1
公开(公告)日：2013-09-26
申请号：KR1020077000216
申请日：2005-06-02
申请人： 더 보오드 오브 트러스티스 오브 더 유니버시티 오브 일리노이즈
发明人： 누조랄프지. , 로저스존에이. , 메나드에티엔 , 이건재 , 강달영 , 쑨위강 , 메이틀매튜 , 주정타오
IPC分类号： H01L27/12 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L29/76 , B81C2201/0185 , B82Y10/00 , H01L21/02521 , H01L21/02603 , H01L21/02628 , H01L21/308 , H01L21/322 , H01L21/6835 , H01L23/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0753 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/04 , H01L29/06 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/12 , H01L29/78603 , H01L29/78681 , H01L29/78696 , H01L31/0392 , H01L31/03926 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1896 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L2221/68368 , H01L2221/68381 , H01L2224/03 , H01L2224/0332 , H01L2224/0345 , H01L2224/03614 , H01L2224/0362 , H01L2224/05073 , H01L2224/05082 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05552 , H01L2224/05553 , H01L2224/05554 , H01L2224/05555 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/08225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/80 , H01L2224/80006 , H01L2224/80121 , H01L2224/80862 , H01L2224/80895 , H01L2224/83 , H01L2224/83005 , H01L2224/83121 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/8385 , H01L2224/83862 , H01L2224/9202 , H01L2224/94 , H01L2224/95 , H01L2224/97 , H01L2924/00012 , H01L2924/01032 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13063 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15159 , H01L2924/15162 , H01L2924/15788 , H01L2924/1579 , Y02E10/547 , Y02P70/521 , Y10S977/707 , Y10S977/724 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 인쇄가능한 반도체 소자를 제조하고 기판 표면 상으로 인쇄가능한 반도체 소자를 조립하기 위한 방법 및 장치를 제공한다. 본 발명의 방법, 장치 및 장치 부품은 넓은 범위의 유연한 전자 및 광전자 장치 그리고 중합 재료를 포함하는 기판 상의 장치의 배열 생성이 가능하다. 본 발명은 또한 잡아 늘이거나 압축가능한 반도체 구조물 및 잡아 늘이거나 압축가능한 형태에서 우수한 효율을 보이는 잡아 늘이거나 압축가능한 전자 장치를 제공한다.
인쇄가능한 반도체 소자, 제조, 조립, 배열, 정렬, 전사

10. 发明公开

KR1020130058720A 방사선 방출 반도체 몸체, 방사선 방출 반도체 몸체를 제조하기 위한 방법 그리고 방사선 방출 반도체 소자 无效
标题翻译：辐射发射半导体体，辐射发射半导体体的制造方法和辐射发射半导体元件
公开(公告)号：KR1020130058720A
公开(公告)日：2013-06-04
申请号：KR1020137000600
申请日：2011-06-08
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 브룬너,헤르베르트 , 닌츠,파트릭
IPC分类号： H01L33/36 , H01L33/38 , H01L33/62
CPC分类号： H01L33/40 , H01L24/73 , H01L33/0079 , H01L33/387 , H01L33/62 , H01L2224/48091 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/12036 , H01L2924/12042 , H05K2201/10106 , H05K2201/10969 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은 전자기 방사선을 발생하기에 적합한 활성 구역(4)을 갖는 에피택셜 반도체 층 시퀀스(3) 이외에 상기 에피택셜 반도체 층 시퀀스(3)를 기계적으로 안정화할 목적으로 제공된 캐리어 층(1)을 구비하는 방사선 방출 반도체 몸체(14)와 관련이 있다. 또한, 상기 반도체 몸체(14)는 이 반도체 몸체(14)를 전기적으로 콘택팅하기 위한 콘택 구조물들(9, 91)을 구비하고, 상기 콘택 구조물들은 각각 하나의 용적 영역(12) 및 표면 결합 영역(13)을 구비하며, 이때 상기 표면 결합 영역(13)은 상기 용적 영역(12)의 물질과 상이한 물질로부터 형성되었다. 본 발명은 또한 상기와 같은 반도체 몸체(14)를 제조하기 위한 방법 그리고 상기와 같은 반도체 몸체(14)를 갖는 소자와도 관련이 있다.

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