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1. 发明公开

KR1020140079505A 질화물 반도체 발광 소자 无效
标题翻译：氮化物半导体发光元件
公开(公告)号：KR1020140079505A
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：KR1020147013684
申请日：2012-06-22
申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤 , 소니 주식회사
发明人： 교노다카시 , 엔야요헤이 , 우에노마사키 , 야나시마가츠노리 , 다사이구니히코 , 나카지마히로시 , 후타가와노리유키
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/22
CPC分类号： H01S5/3013 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/22 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/3403 , H01S5/3407 , H01S5/34333
摘要： 반도체 릿지로부터 오는 캐리어의 가로 확산을 저감 가능한 구조를 갖는 질화물 반도체 발광 소자를 제공할 수 있다. {20-21}면상의 반도체 레이저에서는 홀 밴드에 있어서 이 헤테로 접합에 이차원 홀가스가 생성된다. 이차원 홀가스를 생성하는 헤테로 접합이, 반도체 릿지로부터 벗어나 위치할 때, 이 이차원 홀가스는, p 측의 반도체 영역에서 캐리어의 가로 확산을 야기하고 있다. 한편, c면 상의 반도체 레이저에서는, 홀 밴드에 있어서 이 헤테로 접합에 이차원 홀가스가 생성되지 않는다. 헤테로 접합(HJ)이 반도체 릿지에 포함될 때, 반도체 릿지로부터 흘러 나온 캐리어에는, 이차원 홀가스의 작동에 의한 가로 확산이 없다.

2. 发明授权

KR101353696B1 면 발광 레이저 소자, 면 발광 레이저 어레이, 광 주사 장치, 및 화상 형성 장치 有权
标题翻译：表面发射激光器件，表面发射激光阵列，光学扫描装置和图像形成装置
公开(公告)号：KR101353696B1
公开(公告)日：2014-01-20
申请号：KR1020117011668
申请日：2009-11-24
申请人： 가부시키가이샤 리코
发明人： 하라사카가즈히로 , 사토슌이치 , 지쿠타니나오토
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/343
CPC分类号： G03G15/04 , B82Y20/00 , G02B26/10 , H01S5/18 , H01S5/18311 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/3403 , H01S5/3436 , H01S5/423
摘要： 기판에 수직인 방향으로 레이저 광을 출사하도록 구성된 면 발광 레이저 소자는, 레이저 광을 출사하는 출사면 상에, 출사 영역을 둘러싸는 p측 전극; 및 상기 출사 영역 내에서, 상기 출사 영역의 중심부 외부의 외부 영역 상에 형성되어, 반사율을 상기 중심부의 반사율보다도 낮게 하는 투명 유전체막을 포함한다. 상기 출사 영역 내의 외부 영역은 2개의 상호 수직인 방향으로 형상 이방성을 갖는다.

3. 发明授权

KR100750508B1 양자점 레이저 다이오드 및 그 제조방법 有权
标题翻译：量子点激光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR100750508B1
公开(公告)日：2007-08-20
申请号：KR1020060056212
申请日：2006-06-22
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김진수 , 이진홍 , 홍성의 , 곽호상 , 최병석 , 오대곤
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/341 , B82Y20/00 , H01S5/3403 , H01S5/3412 , H01S5/34306 , H01S2304/00
摘要： 본 발명은 양자점 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 양자점 레이저 다이오드는 InP 기판 상에 형성되는 제1 클래드층; 상기 제1 클래드층 상에 형성되는 제1 격자정합층; 상기 제1 격자정합층 상에 형성되며, 교번 성장법에 따라 성장한 In(Ga, Al)As 양자점 또는 In(Ga, Al, P)As 양자점으로 이루어진 양자점층을 하나이상 포함하는 활성층; 상기 활성층상에 형성되는 제2 격자정합층; 상기 제2 격자정합층 상에 형성되는 제2 클래드층; 및 상기 제2 클래드층 상에 형성되는 오믹콘택층을 포함한다.
이에 따라, 교번 성장법으로 형성된 양자점을 활성층으로 이용함으로써, 양자점의 균일도가 좋아 발광 피크의 반치 폭이 좁고 발광 피크의 세기가 현저히 증가할 수 있어, 소자 특성을 향상시킬 수 있다.
교번 성장법, 양자점, 레이저 다이오드

4. 发明公开

KR1020070059871A 양자점 레이저 다이오드 및 그 제조방법 有权
标题翻译：量子激光二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070059871A
公开(公告)日：2007-06-12
申请号：KR1020060056212
申请日：2006-06-22
申请人： 한국전자통신연구원
发明人： 김진수 , 이진홍 , 홍성의 , 곽호상 , 최병석 , 오대곤
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/341 , B82Y20/00 , H01S5/3403 , H01S5/3412 , H01S5/34306 , H01S2304/00
摘要： A quantum dot laser diode and a manufacturing method there of are provided to improve uniformity of a quantum dot by using a quantum dot of an ideal shape as an active layer of the quantum dot laser diode. A quantum dot laser diode(200) includes a first clad layer(220) on an InP substrate(210). A first lattice matching layer(230) is formed on the first clad layer(220). An active layer(240) is formed on the first lattice matching layer(230) and includes at least one quantum dot layer(245) composed of an In(Ga,Al)As quantum dot or an In(Ga,Al,P)As quantum dot grown by an alternative growth process. A second lattice matching layer(231) is formed on the active layer(240). A second clad layer(250) is formed on the second lattice matching layer(231). An ohmic-contact layer(260) is formed on the second clad layer(250).
摘要翻译：提供了量子点激光二极管及其制造方法，以通过使用量子点激光二极管的有源层的理想形状的量子点来提高量子点的均匀性。量子点激光二极管（200）包括在InP衬底（210）上的第一覆盖层（220）。在第一覆盖层（220）上形成第一晶格匹配层（230）。活性层（240）形成在第一晶格匹配层（230）上，并且包括由In（Ga，Al）As量子点或In（Ga，Al，P）组成的至少一个量子点层（245）作为通过替代生长过程生长的量子点。第二晶格匹配层（231）形成在有源层（240）上。第二覆盖层（250）形成在第二晶格匹配层（231）上。欧姆接触层（260）形成在第二覆层（250）上。

5. 发明公开

KR1020020033524A 반도체 레이저소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译：半导体激光元件及其制作方法
公开(公告)号：KR1020020033524A
公开(公告)日：2002-05-07
申请号：KR1020010065584
申请日：2001-10-24
申请人： 후지필름 가부시키가이샤
发明人： 후쿠나가토시아키
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/164 , H01S5/2004 , H01S5/2231 , H01S5/3403 , H01S5/3434 , H01S5/34373 , H01S5/34386
摘要： PURPOSE: To obtain a semiconductor laser element having an end face window structure in which high reliability is ensured from low output to high output. CONSTITUTION: An n-Ga1-z1Alz1As lower clad layer 2, an n or i-Inx2Ga1-x2As1-y2 Py2 lower first optical waveguide layer 3, an i-In0.49Ga0.51P etching block layer 4, an i-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2 lower second optical waveguide layer 5, an compressive stain Inx1Ga1-x1As1-y1Py1 quantum well active layer 6, a p or i-Inx2Ga1-x2 As1-y2Py2 upper first optical waveguide layer 7, and an In0.49Ga0.51P cap layer 8 are formed, in layer, on an n-GaAs substrate 1. Using resist opening in the vicinity of the end face of a resonator, the In0.49Ga0.51P cap layer 8 is etched with a hydrochloric acid based etching liquid followed by etching with a sulfuric acid based etching liquid until the In0.49Ga0.51P etching block layer 4 is exposed. Subsequently, a p or i-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2 upper second optical waveguide layer 9 and a p-Ga1-z1Alz1As first upper clad layer 10 are grown.
摘要翻译：目的：获得具有从低输出到高输出保证高可靠性的端面窗结构的半导体激光元件。构成：n-Ga1-z1Alz1为下包层2，n或i-Inx2Ga1-x2As1-y2 Py2下第一光波导层3，i-In0.49Ga0.51P蚀刻块层4，i-Inx2Ga1-x2As1 -y2Py2下第二光波导层5，压缩染色In x1Ga1-x1As1-y1Py1量子阱有源层6，ap或i-Inx2Ga1-x2 As1-y2Py2上第一光波导层7和In0.49Ga0.51P覆盖层8 在n-GaAs衬底1上形成层。使用在谐振器的端面附近的抗蚀剂开口，用盐酸基蚀刻液蚀刻In0.49Ga0.51P覆盖层8，然后用直到暴露了In0.49Ga0.51P蚀刻阻挡层4的硫酸基蚀刻液。随后，生长p或i-Inx2Ga1-x2As1-y2Py2上第二光波导层9和p-Ga1-z1Alz1As第一上覆层10。

6. 发明公开

KR1020010089540A 광전자 장치를 위한 화합물 반도체 구조 无效
标题翻译：光电器件的化合物半导体结构
公开(公告)号：KR1020010089540A
公开(公告)日：2001-10-06
申请号：KR1020017006894
申请日：1999-12-03
申请人： 아리조나 보드 오브 리전츠
发明人： 장용-행 , 다우드필립 , 브라운볼프강
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/0211 , H01S5/12 , H01S5/125 , H01S5/18308 , H01S5/18311 , H01S5/18313 , H01S5/2063 , H01S5/3211 , H01S5/32358 , H01S5/3403 , H01S5/3422 , H01S5/3425 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/3434 , H01S2302/00 , Y10S257/918
摘要： 기판, 및상기기판위에배치된액티브영역을포함하는화합물반도체장치가제공된다. 액티브영역은적어도 2개의상이한비정규형층을포함하는데, 제1층은 InGaPAsSb형식을갖고, 제2층은 InGaPAsSb형식을갖는다. 제1층은적어도 In, Ga 및 As를포함하고, 제2 층은적어도 Ga, As 및 Sb를포함한다. 기판은 GaAs 또는 AlGaAs ( 0
摘要翻译：提供了一种复合半导体器件，其包括衬底和设置在衬底上方的有源区。有源区包括至少两个不同的假晶层，第一层具有In x Ga 1-x P y As z Sb 1-y-z形式，第二层具有InqGa1-qPrAssSb1-r-s形式。第一层至少包括In，Ga和As，第二层至少包括Ga，As和Sb。衬底优选为GaAs或AlpGa1-pAs（0

7. 发明授权

KR100210591B1 화합물 반도체장치의 제조방법 및 광 반도체 장치 失效
标题翻译：制备化合物半导体器件和光学半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100210591B1
公开(公告)日：1999-07-15
申请号：KR1019950058692
申请日：1995-12-27
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 후지이다쿠야 , 에카와미쓰루 , 야마모토쓰요시 , 고바야시히로히코
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02658 , H01L33/0062 , H01S5/026 , H01S5/1014 , H01S5/106 , H01S5/2077 , H01S5/227 , H01S5/2272 , H01S5/3201 , H01S5/3403 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S5/3434 , Y10S438/925 , Y10S438/933 , Y10S438/935
摘要： An optical semiconductor device with a selective growth ratio on a compound semiconductor crystal has the features of a quantum well structure layer (34) in which a gain region (30A) is formed evenly and a waveguide region (30B) is formed thinner than said gain region (30A) and in a taper fashion; cladding layers (32, 36) formed over and below said quantum well structure layer (34); and optical guide layers (33, 35) formed between said cladding layers (32, 36) and said quantum well structure layer (34). Gain regions (30A) are formed evenly and waveguide regions (30B) are formed thinner than said gain regions (30A) and in a taper fashion, layers (33, 35) having the film thickness and the composition ratio to generate tensile stress at the tops of tapered regions.

8. 发明公开

KR1020140097339A 계단형 우물 활성 영역을 가진 양자 종속 레이저 설계 审中-实审
标题翻译： QUANTUM CASCADE激光设计与阶梯式有源区域
公开(公告)号：KR1020140097339A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020147015712
申请日：2012-11-28
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 캔오,캐서린지 , 시에,펭 , 자,충-엔
IPC分类号： H01S5/34
CPC分类号： H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01S5/3403 , H01S5/3407
摘要： 본 발명의 실시예들은 양자 종속 레이저 구조를 포함한다. 일부 실시예들은, 복수의 양자 우물들 및 복수의 배리어들을 포함하고, 상기 복수의 양자 우물들 및 복수의 배리어들 중 적어도 일부는 활성 영역을 정의한다. 일부 실시예들에서, 광자는 활성 영역에서 방출되되, 전자가 활성 영역에서의 레이저 상단부 상태로부터 상기 활성 영역에서의 레이저 하단부 상태로 전이할 시에 방출된다. 부가적으로, 상기 복수의 양자 우물들에서의 마지막 양자 우물은 활성 영역을 정의할 수 있고, 상기 마지막 양자 우물은 상기 활성 영역에서 인접한 양자 우물 아래로 뻗어나간다. 이와 유사하게, 상기 마지막 양자 우물은 상기 활성 영역에서 상기 인접한 양자 우물의 두께보다 작은 두께를 포함할 수 있다.

9. 发明公开

KR1020110089147A 면 발광 레이저 소자, 면 발광 레이저 어레이, 광 주사 장치, 및 화상 형성 장치 有权
标题翻译：表面发射激光器件，表面发射激光阵列，光学扫描装置和图像形成装置
公开(公告)号：KR1020110089147A
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：KR1020117011668
申请日：2009-11-24
申请人： 가부시키가이샤 리코
发明人： 하라사카가즈히로 , 사토슌이치 , 지쿠타니나오토
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/343
CPC分类号： G03G15/04 , B82Y20/00 , G02B26/10 , H01S5/18 , H01S5/18311 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/3403 , H01S5/3436 , H01S5/423
摘要： 기판에 수직인 방향으로 레이저 광을 출사하도록 구성된 면 발광 레이저 소자는, 레이저 광을 출사하는 출사면 상에, 출사 영역을 둘러싸는 p측 전극; 및 상기 출사 영역 내에서, 상기 출사 영역의 중심부 외부의 외부 영역 상에 형성되어, 반사율을 상기 중심부의 반사율보다도 낮게 하는 투명 유전체막을 포함한다. 상기 출사 영역 내의 외부 영역은 2개의 상호 수직인 방향으로 형상 이방성을 갖는다.

10. 发明公开

KR1020080035217A 반도체 광전 소자 有权
标题翻译： SEMICONDUCTOR OPTO-ELECTRONIC DEVICE
公开(公告)号：KR1020080035217A
公开(公告)日：2008-04-23
申请号：KR1020060101579
申请日：2006-10-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 손중곤 , 유한열 , 사공탄 , 백호선 , 이성남
IPC分类号： H01L31/02
CPC分类号： H01L33/02 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/0014 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/321 , H01S5/3213 , H01S5/3403 , H01S5/3406 , H01S5/34333
摘要： A semiconductor opto-electronic device is provided to improve inner quantum efficiency by effectively increasing optical confinement effect and by reducing internal loss. An active layer is composed of a quantum well and a barrier layer. Upper and lower wave guide layers are formed on and under the active layer. Upper and lower clad layers are formed on and under the upper and lower wave guide layers. The stacked layers are supported by a substrate. Upper and lower optical confinement layers are formed between the active layer and the upper and lower wave guide layers. The upper optical confinement layer has a small energy gap as compared with the upper wave guide layer and an energy gap not smaller than that of the barrier layer. The lower optical confinement layer has a small energy gap as compared with the lower wave guide layer and an energy gap not greater than that of the barrier layer. An electron blocking layer can be interposed between the upper wave guide layer and the upper optical confinement layer positioned under the upper wave guide layer.
摘要翻译：提供了一种半导体光电器件，通过有效增加光限制效应和减少内部损耗来提高内量子效率。有源层由量子阱和阻挡层组成。上下波导层形成在有源层上和下方。上和下包层形成在上下波导层上和下。堆叠的层由衬底支撑。在有源层和上下波导层之间形成上和下光限制层。上光限制层与上波导层相比具有小的能隙，能隙不小于阻挡层的能隙。下部光学限制层与下部波导层相比具有小的能隙，能隙不大于阻挡层的能隙。电子阻挡层可以位于上波导层和位于上波导层下方的上光限制层之间。

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