专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101347963B1 면발광 레이저의 제조 방법, 면발광 레이저, 면발광 레이저 어레이, 광주사 장치, 및 화상 형성 장치 有权
标题翻译：制造表面发射激光，表面发射激光，表面发射激光阵列，光学扫描装置和图像形成装置的方法
公开(公告)号：KR101347963B1
公开(公告)日：2014-01-07
申请号：KR1020117025846
申请日：2010-03-15
申请人： 가부시키가이샤 리코
发明人： 쇼우지히로요시 , 사토슌이치 , 이토아키히로 , 하라사카가즈히로
IPC分类号： H01S5/183 , H04N1/04 , G03G15/00
CPC分类号： B32B37/14 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/423
摘要： 개시하는 면발광 레이저의 제조 방법은, 적층체의 상면에 투명 유전체층을 적층하는 단계와, 메사 구조체의 외주를 규정하는 패턴과, 출사 영역에 포함된 상대적으로 반사율이 높은 부분과 상대적으로 반사율이 낮은 부분 중 한쪽에 대응하는 영역을 보호하는 패턴을 포함하는 제1 레지스트 패턴을 유전체층의 상면에 형성하는 단계와, 그 제1 레지스트 패턴을 에칭 마스크로서 이용하여 유전체층을 에칭하는 단계와, 출사 영역의 전체에 대응하는 영역을 보호하는 제2 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 이들 단계는 메사 구조체가 형성되기 전에 수행된다.

2. 发明公开

KR1020120065269A 면발광 레이저의 제조 방법, 면발광 레이저, 면발광 레이저 어레이, 광주사 장치, 및 화상 형성 장치 有权
标题翻译：制造表面发射激光，表面发射激光，表面发射激光阵列，光学扫描装置和图像形成装置的方法
公开(公告)号：KR1020120065269A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：KR1020117025846
申请日：2010-03-15
申请人： 가부시키가이샤 리코
发明人： 쇼우지히로요시 , 사토슌이치 , 이토아키히로 , 하라사카가즈히로
IPC分类号： H01S5/183 , H04N1/04 , G03G15/00
CPC分类号： B32B37/14 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S5/18377 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/423
摘要： 개시하는 면발광 레이저의 제조 방법은, 적층체의 상면에 투명 유전체층을 적층하는 단계와, 메사 구조체의 외주를 규정하는 패턴과, 출사 영역에 포함된 상대적으로 반사율이 높은 부분과 상대적으로 반사율이 낮은 부분 중 한쪽에 대응하는 영역을 보호하는 패턴을 포함하는 제1 레지스트 패턴을 유전체층의 상면에 형성하는 단계와, 그 제1 레지스트 패턴을 에칭 마스크로서 이용하여 유전체층을 에칭하는 단계와, 출사 영역의 전체에 대응하는 영역을 보호하는 제2 레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 이들 단계는 메사 구조체가 형성되기 전에 수행된다.

3. 发明公开

KR1020110089147A 면 발광 레이저 소자, 면 발광 레이저 어레이, 광 주사 장치, 및 화상 형성 장치 有权
标题翻译：表面发射激光器件，表面发射激光阵列，光学扫描装置和图像形成装置
公开(公告)号：KR1020110089147A
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：KR1020117011668
申请日：2009-11-24
申请人： 가부시키가이샤 리코
发明人： 하라사카가즈히로 , 사토슌이치 , 지쿠타니나오토
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/343
CPC分类号： G03G15/04 , B82Y20/00 , G02B26/10 , H01S5/18 , H01S5/18311 , H01S5/18347 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18391 , H01S5/3202 , H01S5/3403 , H01S5/3436 , H01S5/423
摘要： 기판에 수직인 방향으로 레이저 광을 출사하도록 구성된 면 발광 레이저 소자는, 레이저 광을 출사하는 출사면 상에, 출사 영역을 둘러싸는 p측 전극; 및 상기 출사 영역 내에서, 상기 출사 영역의 중심부 외부의 외부 영역 상에 형성되어, 반사율을 상기 중심부의 반사율보다도 낮게 하는 투명 유전체막을 포함한다. 상기 출사 영역 내의 외부 영역은 2개의 상호 수직인 방향으로 형상 이방성을 갖는다.

4. 发明授权

KR101019941B1 ＧＡＮ 나노선의 펄스 성장 및 Ⅲ 족 질화물 반도체 기판 물질과 디바이스에서의 어플리케이션 有权
标题翻译：甘蔗南瓜的增长和集团的应用？氮化物半导体衬底材料和器件
公开(公告)号：KR101019941B1
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：KR1020087021861
申请日：2007-03-09
申请人： 에스티씨. 유엔엠
发明人： 허시스테펜엠 , 왕신 , 쑨신위
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L29/413 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C30B29/60 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/02609 , H01L21/02612 , H01L21/0262 , H01L21/02636 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L29/045 , H01L29/0676 , H01L29/2003 , H01L29/775 , H01L31/0304 , H01L31/035236 , H01L31/184 , H01L33/18 , H01L33/24 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , H01S5/1042 , H01S5/1835 , H01S5/18369 , H01S5/3428 , Y02E10/544 , Y02P70/521 , Y10S977/762 , Y10S977/816 , Y10T428/24612 , H01L2924/00
摘要： Exemplary embodiments provide semiconductor devices including high-quality (i.e., defect free) group III-N nanowires and uniform group III-N nanowire arrays as well as their scalable processes for manufacturing, where the position, orientation, cross-sectional features, length and the crystallinity of each nanowire can be precisely controlled. A pulsed growth mode can be used to fabricate the disclosed group III-N nanowires and/or nanowire arrays providing a uniform length of about 10 nm to about 1000 microns with constant cross-sectional features including an exemplary diameter of about 10-1000 nm. In addition, high-quality GaN substrate structures can be formed by coalescing the plurality of GaN nanowires and/or nanowire arrays to facilitate the fabrication of visible LEDs and lasers. Furthermore, core-shell nanowire/MQW active structures can be formed by a core-shell growth on the nonpolar sidewalls of each nanowire.

5. 发明公开

KR1020090127102A 면발광 레이저 소자, 면발광 레이저 어레이, 광주사 장치 및 화상 형성 장치 有权
标题翻译：表面发射激光元件，表面发射激光阵列，光学扫描装置和图像形成装置
公开(公告)号：KR1020090127102A
公开(公告)日：2009-12-09
申请号：KR1020090050048
申请日：2009-06-05
申请人： 가부시키가이샤 리코
发明人： 이토아키히로 , 사토슈니치
IPC分类号： H01S5/183 , G03G15/04
CPC分类号： H01S5/18394 , G02B26/123 , H01S5/18311 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/3202 , H01S5/423
摘要： PURPOSE: A surface-emitting laser element and a surface-emitting laser are provided to improve the accuracy of recording by arranging the surface of mesa structure on the surface of substrate. CONSTITUTION: In a device, a surface emitting laser diode device(100) generates a surface emitting laser of 780 nm. The surface emitting laser diode device comprises a substrate, a lower semiconductor DBR(Distributed Bragg Reflector), a lower spacer layer, an active layer, an upper spacer layer, a top semiconductor DBR(Distributed Bragg Reflector), and a contact layer. The lower semiconductor DBR(103) is laminated on +Z side of the substrate(101) through a buffer layer. The lower spacer layer(104) is laminated on the +Z side of the lower semiconductor Distributed Bragg Reflector. The active layer(105) is laminated on the +Z of the lower spacer layer and has three deuteron well structures.
摘要翻译：目的：提供表面发射激光元件和表面发射激光器，以通过在基板表面上布置台面结构的表面来提高记录精度。构成：在器件中，表面发射激光二极管器件（100）产生780nm的表面发射激光器。表面发射激光二极管器件包括衬底，下半导体DBR（分布式布拉格反射器），下间隔层，有源层，上间隔层，顶部半导体DBR（分布式布拉格反射器）和接触层。下半导体DBR（103）通过缓冲层层叠在基板（101）的+ Z侧。下部间隔层（104）层叠在下半导体分布布拉格反射器的+ Z侧。活性层（105）层压在下间隔层的+ Z上，并具有三个氘核结构。

6. 发明授权

KR100866059B1 대구경 표면 발광형 반도체 레이저 소자를 이용한 광정보처리 장치 有权
标题翻译：光学数据处理设备使用垂直孔表面发射激光器件具有大的氧化物孔径
公开(公告)号：KR100866059B1
公开(公告)日：2008-10-31
申请号：KR1020060117740
申请日：2006-11-27
申请人： 후지제롯쿠스 가부시끼가이샤
发明人： 우에키노부아키
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/1835 , B82Y20/00 , H01L2224/24 , H01L2224/73267 , H01L2224/82 , H01L2224/92244 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/18391 , H01S5/3432 , H01S2301/166
摘要： 본 발명은 대구경의 VCSEL 소자를 이용하여 소자의 신뢰성이 높은 광정보 처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
광정보 처리 장치의 주사형 노광 장치(400)는, VCSEL을 포함하는 광원과, 광원으로부터 출사되는 레이저광을 감광 드럼(480)에 집광하는 광학계와, 집광된 레이저광을 감광체 드럼(480) 위에서 주사하는 폴리곤 미러(440) 등을 포함하는 주사 기구를 구비하고 있다. VCSEL의 전류 협착부의 비산화 영역의 직경은 5미크론 이상, 바람직하게는 8미크론 이상인 것을 이용함으로써, VCSEL의 정전 내압이나 신뢰성이 비약적으로 개선되고, 또한 비산화 영역의 직경 편차에 의한 소자간의 특성 편차가 저감된다.
광정보 처리 장치, 주사형 노광 장치, VCSEL, 전류 협착부
摘要翻译：光学数据处理装置包括光源，将来自光源的光聚焦到光学数据存储介质的光学系统以及扫描光学数据存储介质上的集中激光的机构，光源包括至少一个垂直腔表面发射激光（VCSEL）器件，其发射激光，所述至少一个VCSEL器件包括形成垂直谐振器结构的第一和第二反射镜之间的有源区和电流限制部分，以及具有直径在用于施加电流的电流限制部分中形成等于或大于约4微米。

7. 发明公开

KR1020170104401A 발광소자 审中-实审
标题翻译：发光元件
公开(公告)号：KR1020170104401A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：KR1020170028823
申请日：2017-03-07
申请人： 에피스타 코포레이션
发明人： 수추치에 , 후앙이-웬 , 린이-헝 , 루치-치앙
IPC分类号： H01L33/62 , H01L33/14 , H01L33/10 , H01L33/36
CPC分类号： H01S5/187 , H01S5/02276 , H01S5/026 , H01S5/0283 , H01S5/0286 , H01S5/0421 , H01S5/0425 , H01S5/18308 , H01S5/18322 , H01S5/18344 , H01S5/1835 , H01S5/18391 , H01S5/18394 , H01S5/2213 , H01S5/2214 , H01S5/2216 , H01S5/343 , H01S5/423 , H01S2301/18
摘要： 본발명은발광소자를공개했다. 발광소자는방사선을방출할수 있으며, 기판; 기판상에위치하고제1 분산브레그반사경(distributed Bragg reflector, DBR), 발광적층, 제2 분산브레그반사경및 접촉층을순차적으로포함하는에피택셜구조; 전극; 접촉층과전극사이에개재된전류차단층; 전류차단층에형성된제1 개구; 및전극에형성되고제1 개구내에위치하는제2개구;를포함하되, 발광소자는제2 분산브레그반사경적층중에산화층이결여되고또한이온주입층이결여된다.
摘要翻译：本发明揭示了一个发光器件。发光元件能够发出辐射，包括：衬底; 位于衬底中的第一分散体通气管镜（分布布拉格反射器，DBR）上，发光层合，第二分散通气外延结构依次包括反射镜和接触层; 电极; 在接触层和电极层之间插入的当前块; 形成在电流阻挡层的第一开口; 和形成在其上位于在所述第一开口的第二开口的电极;其包括：发光元件是被分散在反射层叠体缺乏第二通气氧化物层也缺乏离子注入层的。

8. 发明公开

KR1020120048683A 면 발광 레이저, 면 발광 레이저 어레이, 광 주사 장치, 및 화상 형성 장치 有权
标题翻译：表面发射激光，表面发射激光阵列，光学扫描装置和图像形成装置
公开(公告)号：KR1020120048683A
公开(公告)日：2012-05-15
申请号：KR1020127006717
申请日：2010-09-14
申请人： 가부시키가이샤 리코
发明人： 지쿠타니나오토 , 하라사카가즈히로 , 스가와라사토루 , 사토슌이치
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/42 , H04N1/04 , G03G15/00
CPC分类号： H01S5/18313 , B82Y20/00 , H01S5/0014 , H01S5/18327 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/18369 , H01S5/18394 , H01S5/2009 , H01S5/3054 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01S2301/166
摘要： 면 발광 레이저는, 기판; 상기 기판 상에 배치된 하부 반도체 다층막 반사기; 활성층을 포함하고 상기 하부 반도체 다층막 반사기 상에 배치된 공진기 구조체; 및 상기 공진기 구조체 상에 배치된 상부 반도체 다층막 반사기를 포함한다. 제2 반도체 다층막 반사기는, 알루미늄을 포함하는 선택 산화층의 산화된 부분에 의해 전류 통과 영역이 둘러싸인 협착 구조체를 포함한다. 사출 영역은 중심부와 주변부를 포함하고, 상기 주변부는, 반사율이 중심부의 반사율보다 낮은 투명한 유전체막으로 덮여있다. 선택 산화층은 30 nm에서 40 nm까지 범위 내의 두께를 갖는다. 발진 임계 전류가 최소가 될 때의 온도는 60℃ 이하이다.

9. 发明公开

KR1020120014916A 면발광 레이저 소자, 면발광 레이저 어레이, 광 주사 장치, 화상 형성 장치, 면발광 레이저 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：表面发射激光元件，表面发射激光阵列，光学扫描装置，图像形成装置以及制造表面发射激光元件的方法
公开(公告)号：KR1020120014916A
公开(公告)日：2012-02-20
申请号：KR1020117028816
申请日：2010-05-26
申请人： 가부시키가이샤 리코
发明人： 히가시야스히로 , 하라사카가즈히로
IPC分类号： H01S5/183 , H04N1/04 , G03G15/00
CPC分类号： H01S5/0042 , B82Y20/00 , H01S5/0282 , H01S5/0425 , H01S5/18313 , H01S5/18333 , H01S5/18338 , H01S5/1835 , H01S5/18355 , H01S5/3202 , H01S5/3434 , H01S5/3436 , H01S5/423 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H04N1/024
摘要： 고반사율 부분 및 저반사율 부분을 포함하는 출사 영역을 가진 발광 메사 구조체를 구비하는 면발광 레이저 소자의 제조 방법은, 기판 상에 하부 반사경, 공진기 구조체, 및 상부 반사경을 포함하는 적층체를 형성하는 단계; 그 적층체의 상부면에, 제1 영역을 형성하는 단계; 그 적층체의 상부면에, 제1 영역과 동일한 크기를 가지는 제2 영역을 형성하는 단계; 각각 제1 영역 및 제2 영역을 에칭함으로써, 발광 메사 구조체 및 모니터링용 메사 구조체를 형성하는 단계; 발광 메사 구조체 및 모니터링용 메사 구조체에, 산화물에 의해 둘러싸인 전류 통과 영역을 포함하는 협착 구조체를 형성하는 단계; 및 모니터링용 메사 구조체의 전류 통과 영역의 크기를 측정하는 단계를 포함한다.

10. 发明授权

KR101077643B1 면발광 레이저 소자, 면발광 레이저 어레이, 광 스캐닝 장치, 및 이미지 형성 장치 有权
标题翻译：表面发射激光元件，表面发射阵列，光学扫描装置和成像装置
公开(公告)号：KR101077643B1
公开(公告)日：2011-10-27
申请号：KR1020090042834
申请日：2009-05-15
申请人： 가부시키가이샤 리코
发明人： 하라사카카즈히로 , 사토슈니치 , 지쿠타니나오토 , 이시이토시히로
IPC分类号： H01S5/18 , G03G15/00
CPC分类号： H01S5/1835 , B41J2/471 , B82Y20/00 , G02B26/12 , H01S5/18313 , H01S5/18355 , H01S5/18358 , H01S5/18394 , H01S5/3202 , H01S5/3406 , H01S5/423 , H01S2301/176 , H01S2301/185 , H01S2304/02 , H01S2304/04
摘要： 면발광레이저소자에서, 주면의법선방향이경사진기판상에, 활성층을포함하는공진기구조체와상기공진기구조체를샌드위칭하는하부반도체 DBR 및상부반도체 DBR이적층되어있다. 상부반도체 DBR의산화협착구조체내의전류통과영역의형상은 X축에평행하는상기전류통과영역의중심을통과하는축에대하여대칭이며, Y축에평행하는상기전류통과영역의중심을통과하는축에대하여대칭이고, 상기전류통과영역의길이는 X축방향에서보다 Y축방향에서더 크다. 상기전류통과영역을둘러싸는산화층의두께는 +X 및 -X 방향에서보다 -Y 방향에서더 크다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式