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1. 发明授权

KR1019890003392B1 반도체 레이저 失效
标题翻译：半导体激光器
公开(公告)号：KR1019890003392B1
公开(公告)日：1989-09-19
申请号：KR1019840008467
申请日：1984-12-28
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 구리하라하루기 , 타무리히데오 , 스즈끼카즈오 , 마쓰모또켄지
IPC分类号： H01S5/30
CPC分类号： H01S5/2232 , H01S5/0601 , H01S5/32308
摘要： Semiconductor laser comprises; a substrate of first type; a current blocking layer of second type; a cladding layer of first type; an active layer of second type; and a cladding layer of second type. The current blocking layer has a stepped channel formed of an optical guiding channel and a current restricting channel which is grooved at the bottom of the optical guiding channel through the current blockin layer into the substrate cladding layer burying the stepped channel.
摘要翻译：半导体激光器包括：第一类基材; 第二类型的电流阻挡层; 第一类包层; 第二类活性层; 和第二类型的包覆层。电流阻挡层具有由光导通道形成的阶梯通道和电流限制通道，该电流限制通道在光导通道的底部通过电流阻挡层开槽成埋入阶梯通道的衬底包覆层。

2. 发明授权

KR100222375B1 화합물 반도체 레이저 失效
公开(公告)号：KR100222375B1
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：KR1019910019242
申请日：1991-10-31
申请人： 소니 주식회사
发明人： 코우시타마무라 , 히로유키이와모토
IPC分类号： H01S3/09
CPC分类号： B82Y20/00 , H01L33/0062 , H01S5/20 , H01S5/2059 , H01S5/2063 , H01S5/2232 , H01S5/2234 , H01S5/2235 , H01S5/305 , H01S5/3203 , H01S5/34 , H01S5/3428 , H01S5/3432
摘要： 본 발명에 따른 화합물 반도체 레이저는 서로 반대되는 제1, 제2표면을 가지는 반도체기판, 상기 기판의 제1표면상에 형성된 제1, 제2크래딩층, 제1, 제2크래딩층 사이에 샌드위치된 초격자 구조의 활성층, 제2크래딩층에 형성된 캡핑층, 캡핑층상에 제공된 제1전극, 기판의 제2표면에 접속된 제2전극을 포함하고 있다.
기판의 제1표면은 기판의 제1표면의 주면의 결정면과 다른 결정면을 가지는 두 개의 경사면을 가지고, 기판의 제1, 제2크래딩층과 활성층은 경사면 위에 고캐리어농도영역을 가지고 활성영역의 고캐리어농도영역은 어로이상태로 된다. 활성층의 어로이 영역 사이에 샌드위치 되고 어로이 상태가 되지 않은 활성층의 영역에서 광이 방사된다.

3. 发明授权

KR1019940005740B1 반도체소자와 그 제조방법 失效
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1019940005740B1
公开(公告)日：1994-06-23
申请号：KR1019900015372
申请日：1990-09-27
申请人： 가부시끼가이샤 도시바
发明人： 기노시타히데아키
IPC分类号： H01L31/00
CPC分类号： G02B6/131 , H01L21/0237 , H01L21/02395 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02477 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02639 , H01L33/0062 , H01S5/16 , H01S5/2232 , H01S5/227 , H01S5/2272 , H01S5/2275 , Y10S438/925
摘要： A semiconductor device is disclosed in which an area pattern (14) is formed on a portion of a major surface (11a) of a semiconductor substrate over which epitaxial growth layers are formed. In this case, compound semiconductors area (12, 13) formed by an epitaxial growth method, by the utilization of a surface temperature difference between the major surface (11a) of the semiconductor surface and the areas pattern (14) in a heating process. By so doing it is possible to simultaneously obtain the compound semiconductors (12, 13) of a different composition or a different energy gap from each other.
摘要翻译：公开了一种半导体器件，其中在其上形成有外延生长层的半导体衬底的主表面（11a）的一部分上形成区域图案（14）。在这种情况下，通过利用半导体表面的主表面（11a）和加热工艺中的区域图案（14）之间的表面温差，通过外延生长方法形成化合物半导体区域（12,13）。通过这样做，可以同时获得彼此具有不同组成或不同能隙的化合物半导体（12,13）。

4. 发明公开

KR1020160038643A 하이브리드 실리콘 레이저 审中-实审
标题翻译：混合硅激光
公开(公告)号：KR1020160038643A
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：KR1020140132019
申请日：2014-09-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 신동재 , 김동현 , 김성구 , 조인성 , 하경호
IPC分类号： H01S5/343 , G02B6/12
CPC分类号： H01S5/2031 , H01S5/021 , H01S5/026 , H01S5/0422 , H01S5/1032 , H01S5/14 , H01S5/141 , H01S5/22 , H01S5/2232 , H01S5/227 , H01S5/34306
摘要： 본발명의하이브리드실리콘레이저는벌크실리콘기판; 상기벌크실리콘기판상의일부영역에형성된국부절연층(localized insulating layer); 상기국부절연층상부에형성되고실리콘층으로이루어진광도파로를포함하는광도파로구조물(optical guide structure); 및상기광도파로구조물상에마련된레이징구조물(lasing structure)을포함한다.
摘要翻译：本发明的混合硅激光器包括体硅衬底; 形成在体硅衬底的一部分上的局部绝缘层; 光导结构，其形成在所述局部绝缘层的上部，并且包括具有硅层的光波导; 以及在光导结构上制备的激光结构。因此，可以容易地进行热辐射。

5. 发明授权

KR1019940003436B1 반도체발광장치 失效
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：KR1019940003436B1
公开(公告)日：1994-04-22
申请号：KR1019910007949
申请日：1991-05-16
申请人： 가부시끼가이샤 도시바 , 도시바 마이크로일렉트로닉스 가부시키가이샤
发明人： 다무라히데오 , 오카다마코토 , 요시무라기미타카
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01S5/4031 , H01L2224/04026 , H01L2224/73265 , H01L2924/10158 , H01L2924/15312 , H01L2924/16152 , H01S5/02212 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/2232
摘要： 내용 없음.

6. 发明授权

KR101344477B1 반도체 광소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体光学器件及其制造方法
公开(公告)号：KR101344477B1
公开(公告)日：2014-02-17
申请号：KR1020070005814
申请日：2007-01-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김준연 , 하경호 , 조수행
IPC分类号： H01L31/12 , H01L33/02
CPC分类号： H01S5/2232 , B82Y20/00 , H01S5/021 , H01S5/0218 , H01S5/0265 , H01S5/0425 , H01S5/12 , H01S5/124 , H01S5/2004 , H01S5/3434 , H01S5/4087
摘要： 반도체 광소자 및 그 제조 방법이 개시된다.
개시된 반도체 광소자는 실리콘 기판; 상기 실리콘 기판 위에 구비된 Ⅲ-Ⅴ 반도체 이득층;을 포함하고, 상기 실리콘 기판 또는 반도체 이득층에 분산 브레그 그레이팅이 형성된다. 상기 분산 브레그 그레이팅에 의해 단일 모드의 광이 출력된다.

7. 发明授权

KR1019940007605B1 반도체 레이저 다이오드 제조방법 失效
标题翻译：半导体激光二极管的制造方法
公开(公告)号：KR1019940007605B1
公开(公告)日：1994-08-20
申请号：KR1019910019770
申请日：1991-11-07
申请人： 주식회사 엘지이아이
发明人： 안형수 , 최원택
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： H01S5/0201 , G02B6/4202 , G02B6/4204 , H01S5/0202 , H01S5/0203 , H01S5/0217 , H01S5/026 , H01S5/10 , H01S5/2232
摘要： The method is for manufacturing a laser diode having mono-mode operation at high speed modulation and stable mono-mode operation at thermal variation. The method comprises the steps of: (A) etching a substrate (1) to form a ridge; (B) growing an AlGaAs layer (3) and a GaAs layer (4) to a ridge depth; (C) forming a GaAs layer (5) and etching to form a current injection channel in length direction of a ridge; (D) growing a DH layer (6) and etching to set length of diode resonator; (E) forming electrodes and etching the AlGaAs layer (3) to form a mirror; and (F) cutting by using ultra-sonic and coating a mirror.
摘要翻译：该方法用于制造在高速调制下具有单模操作的激光二极管和在热变化下稳定的单模操作。该方法包括以下步骤：（A）蚀刻衬底（1）以形成脊; （B）将AlGaAs层（3）和GaAs层（4）生长至脊深度; （C）形成GaAs层（5）并蚀刻以在脊的长度方向上形成电流注入通道; （D）生长DH层（6）并蚀刻以设定二极管谐振器的长度; （E）形成电极并蚀刻AlGaAs层（3）以形成反射镜; 和（F）使用超声波切割并涂上镜子。

8. 发明授权

KR1019930008359B1 반도체레이저장치의 제조방법 失效
标题翻译：生产半导体激光的方法
公开(公告)号：KR1019930008359B1
公开(公告)日：1993-08-30
申请号：KR1019870009930
申请日：1987-09-08
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 나가이유다까 , 미하시유다까 , 야기데쓰야 , 오오다요오이찌로오
IPC分类号： H01S5/06 , H01S5/00
CPC分类号： H01S5/32308 , H01S5/2232 , H01S5/2237 , Y10S148/017 , Y10S148/056 , Y10S148/095 , Y10S148/118
摘要： 내용 없음.

9. 发明公开

KR1020100086425A 반도체 레이저 소자 및 반도체 레이저 장치 无效
标题翻译：半导体激光元件和半导体激光器件
公开(公告)号：KR1020100086425A
公开(公告)日：2010-07-30
申请号：KR1020100002567
申请日：2010-01-12
申请人： 소니 주식회사
发明人： 이마니시다이스케
IPC分类号： H01S5/00 , H01S5/06
CPC分类号： H01S5/2232 , B82Y20/00 , H01S5/02272 , H01S5/02276 , H01S5/0425 , H01S5/18311 , H01S5/18327 , H01S5/18341 , H01S5/22 , H01S5/34326 , H01S5/4031
摘要： PURPOSE: The semiconductor laser and semiconductor laser device prepare the electric current restriction layer in the semiconductor layer. The third semiconductor layer is formed on the area coping with among the upper side of the second semiconductor layer with the current injecting area of the active layer. By forming electrode on the domain of the contact area of the second semiconductor layer and electrode is a lot and the serial resistance can be reduced. CONSTITUTION: The semiconductor layer, the active layer(30), and the second semiconductor layer and the third semiconductor layer are successively laminated in substrate. The semiconductor layer(20) comprises the electric current restriction layer restricting the current injecting area of the active layer. The third semiconductor layer is formed among the upper side of the second semiconductor layer in the area corresponding to the current injecting area of the active layer.
摘要翻译：目的：半导体激光器和半导体激光器件在半导体层中制备电流限制层。第三半导体层形成在与有源层的电流注入区域对应于第二半导体层的上侧的区域上。通过在第二半导体层的接触区域的区域上形成电极，电极很多，并且可以降低串联电阻。构成：半导体层，有源层（30）以及第二半导体层和第三半导体层依次层叠在基板上。半导体层（20）包括限制有源层的电流注入区域的电流限制层。第三半导体层形成在与有源层的电流注入区域对应的区域中的第二半导体层的上侧之间。

10. 发明公开

KR1020080068281A 반도체 광소자 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：半导体光学器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080068281A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：KR1020070005814
申请日：2007-01-18
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김준연 , 하경호 , 조수행
IPC分类号： H01L31/12 , H01L33/02
CPC分类号： H01S5/2232 , B82Y20/00 , H01S5/021 , H01S5/0218 , H01S5/0265 , H01S5/0425 , H01S5/12 , H01S5/124 , H01S5/2004 , H01S5/3434 , H01S5/4087
摘要： A semiconductor optical device and a method for manufacturing the same are provided to reduce serial resistance by growing a semiconductor gain layer on a silicon substrate. A semiconductor optical device includes a silicon substrate(100) and a III-IV semiconductor gain layer(120). The III-IV semiconductor gain layer is provided on the silicon substrate. A division Bragg grating is formed in the silicon substrate or the III-IV semiconductor gain layer by a holography method or a lithography method. The III-IV semiconductor gain layer includes a gain medium having the constant as that of silicon. The gain medium has Ga(In)NAP or GaNAsP. The III-IV semiconductor gain layer is grown on the silicon substrate. The silicon substrate includes a first silicon layer(101), an insulation layer(102), and a second silicon layer(103).
摘要翻译：提供半导体光学器件及其制造方法，以通过在硅衬底上生长半导体增益层来降低串联电阻。半导体光学器件包括硅衬底（100）和III-IV半导体增益层（120）。 III-IV半导体增益层设置在硅衬底上。通过全息方法或光刻方法在硅衬底或III-IV半导体增益层中形成分裂布拉格光栅。 III-IV半导体增益层包括具有与硅一样的常数的增益介质。增益介质具有Ga（In）NAP或GaNAsP。在硅衬底上生长III-IV半导体增益层。硅衬底包括第一硅层（101），绝缘层（102）和第二硅层（103）。

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