基本信息:
- 专利标题： 반도체 레이저
- 专利标题（英）：Semiconductor laser
- 专利标题（中）：半导体激光器
- 申请号：KR1019840008467 申请日：1984-12-28
- 公开(公告)号：KR1019890003392B1 公开(公告)日：1989-09-19
- 发明人： 구리하라하루기 , 타무리히데오 , 스즈끼카즈오 , 마쓰모또켄지
- 申请人： 가부시끼가이샤 도시바
- 申请人地址： 일본국 도꾜도 미나또꾸 시바우라 *쪼메 *방 *고
- 专利权人： 가부시끼가이샤 도시바
- 当前专利权人： 가부시끼가이샤 도시바
- 当前专利权人地址： 일본국 도꾜도 미나또꾸 시바우라 *쪼메 *방 *고
- 代理人： 나영환
- 优先权： JP59-58136 1984-03-28
- 主分类号： H01S5/30
- IPC分类号： H01S5/30
摘要：
Semiconductor laser comprises; a substrate of first type; a current blocking layer of second type; a cladding layer of first type; an active layer of second type; and a cladding layer of second type. The current blocking layer has a stepped channel formed of an optical guiding channel and a current restricting channel which is grooved at the bottom of the optical guiding channel through the current blockin layer into the substrate cladding layer burying the stepped channel.
摘要（中）：
半导体激光器包括： 第一类基材; 第二类型的电流阻挡层; 第一类包层; 第二类活性层; 和第二类型的包覆层。 电流阻挡层具有由光导通道形成的阶梯通道和电流限制通道，该电流限制通道在光导通道的底部通过电流阻挡层开槽成埋入阶梯通道的衬底包覆层。
公开/授权文献:
- KR100030811B1 반도체 레이저 公开/授权日：1989-12-20