专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明公开

KR1020120071382A 방사선 발생 및 검출 无效
标题翻译：生成和检测辐射
公开(公告)号：KR1020120071382A
公开(公告)日：2012-07-02
申请号：KR1020127004300
申请日：2010-07-19
申请人： 유니버시티 오브 리드스 , 더 센터 포 인티그레이티드 포토닉스 엘티디
发明人： 린필드,에드먼드 , 커닝햄,존 , 데이비스,알렉산더질스 , 우드,크리스토퍼 , 캐너드,폴존 , 무디,데이비드그레이엄 , 첸,신 , 로버트슨,마이클제임스
IPC分类号： G01N21/3581 , G02F1/00 , H01L31/0304
CPC分类号： G02F2/00 , C30B25/02 , C30B29/40 , G01J3/10 , G01J3/42 , G01N21/3586 , G01S17/88 , G02F2202/10 , G02F2203/13 , H01L21/02392 , H01L21/02461 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02581 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/09 , Y02E10/544
摘要： 방사선을 발생하는 방법은, 도판트로 도핑된 InGaAs, InGaAsP, 또는 InGaAlAs 물질의 층을 지지하는 기판을 포함하는 구조물을 제조하는 단계로서, 상기 제조 단계는 상기 층을 성장시키는 단계를 포함하여 상기 층의 성장 동안 상기 도판트가 상기 층에 포함되도록 하는, 상기 구조물 제조 단계; 상기 도핑된 물질의 층에서 전자-홀 쌍들을 발생하도록 상기 도핑된 InGaAs, InGaAsP, 또는 InGaAlAs 물질의 밴드 갭 이상의 광자 에너지를 갖는 방사선으로 상기 구조물의 표면 일부를 조사하는 단계; 및 방사선을 발생하도록 전계로 상기 쌍들의 전자들 및 홀들을 가속시키는 단계를 포함한다. 임의 실시예들에 있어서, 도판트는 철(Fe)이다. 대응하는 방사선 검출 장치, 분광 시스템들 및 안테나들이 기재되어 있다.

2. 发明授权

KR101614554B1 도핑된 반도체 막을 포함하는 광기전 장치 有权
标题翻译：包括掺杂半导体膜的光电器件
公开(公告)号：KR101614554B1
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：KR1020107012117
申请日：2008-10-30
申请人： 퍼스트 솔라, 인코포레이티드
发明人： 포웰,릭,씨. , 자야마하,우팔리 , 아브켄,안케 , 글로에클러,마르쿠스 , 굽타,아클레시 , 그린,로저,티. , 미어스,피터
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/073 , H01L31/022466 , H01L31/02963 , H01L31/03042 , H01L31/1828 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y02E10/543 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 광기전셀은반도체층과접촉하는불순물을포함할수 있다.

3. 发明授权

KR101308761B1 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 수광 소자, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 수광 소자를 제작하는 방법, 수광 소자 및 에피택셜 웨이퍼 有权
标题翻译： Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光接收元件，制备Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光接收元件，光接收元件和外延晶体的方法
公开(公告)号：KR101308761B1
公开(公告)日：2013-09-17
申请号：KR1020117010094
申请日：2010-07-21
申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
发明人： 아키타가츠시 , 이시즈카다카시 , 후지이게이 , 나가이요우이치
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/035209 , H01L21/02392 , H01L21/02458 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02466 , H01L21/02507 , H01L21/02546 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/035236 , H01L31/109 , H01L31/184 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 본 발명은 Ⅴ족 구성 원소로서 Sb을 포함하는 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층을 갖는 수광층과 n형 InP창층을 갖고 있고 암전류를 저감 가능한 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 수광 소자를 제공한다. 이 수광 소자는, 수광층(21)의 GaAsSb층의 성장시에 공급된 안티몬의 메모리 효과에 의해, 수광층(23) 상에 성장되는 InP층(23)에, 불순물로서 안티몬이 포함된다. Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 수광 소자(11)에서, InP층(23)은 불순물로서 안티몬을 포함하고, InP층(23)에는 n형 도펀트로서 실리콘이 첨가되어 있다. InP층(23) 중의 안티몬 불순물은 정공을 생성하도록 작용하지만, 이 생성 캐리어를 InP층(23)중에 첨가된 실리콘이 보상하여, InP층(23)의 제2 부분(23d)은 충분한 n 도전성을 나타낸다.

4. 发明公开

KR1020120000198A ＩｎＰ의 강제도핑에 의한 고농도 Ｐ 도핑 양자점 태양전지 및 제조방법 失效
标题翻译：具有P掺杂量子点的太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：KR1020120000198A
公开(公告)日：2012-01-02
申请号：KR1020100060404
申请日：2010-06-25
申请人： 한국표준과학연구원
发明人： 김경중 , 홍승휘 , 박재희 , 이우
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/03042 , H01L31/035218 , H01L31/06 , H01L31/184 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： Provided is a manufacturing method of a semiconductor quantum dot-sensitized solar cell. More particularly, the manufacturing method according to the present invention includes: a quantum dot forming step of forming a semiconductor layer containing a group 4 element and InP on a substrate and then performing heat-treatment on the substrate including the semiconductor layer formed thereon to remove indium (In) therefrom, thereby forming an n-type semiconductor quantum dot, which is a group 4 element quantum dot doped with phosphorus (P).

5. 发明公开

KR1020150012303A 평탄 애벌란시 포토다이오드 审中-实审
标题翻译：平面AVALANCHE PHOTODIODE
公开(公告)号：KR1020150012303A
公开(公告)日：2015-02-03
申请号：KR1020147035498
申请日：2013-05-17
申请人： 피코메트릭스 엘엘씨
发明人： 레빈,배리
IPC分类号： H01L31/107
CPC分类号： H01L31/1075 , H01L31/02161 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , Y02E10/544
摘要： 애벌란시 포토다이오드는 제1 반도체층, 증식층, 전하 제어층, 제2 반도체층, 그레이드된 흡수층, 차단층, 및 제2 접촉층을 포함한다. 증식층은 전하 제어층 및 제1 반도체층 사이에 위치된다. 전하 제어층은 제2 반도체층과 증식층 사이에 위치된다. 제2 반도체층은 전하 제어층과 그레이드된 흡수층 사이에 위치된다. 그레이드된 흡수층은 제2 반도체층과 차단층 사이에 위치된다.

6. 发明公开

KR1020120034965A 태양 전지 无效
标题翻译：太阳能电池
公开(公告)号：KR1020120034965A
公开(公告)日：2012-04-13
申请号：KR1020100096385
申请日：2010-10-04
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 서명균
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/06
CPC分类号： H01L31/0735 , H01L31/03042 , H01L31/184 , Y02E10/544
摘要： PURPOSE: A solar cell is provided to increase an open circuit voltage by increasing an energy level through the increase of a doping concentration in a distant area from an interface between a base layer and an emitter layer. CONSTITUTION: An emitter layer(130) is formed on one side of a base layer(110). A first electrode is electrically connected to the base layer. A second electrode is electrically connected to the emitter layer. A doping concentration of the base layer gradually increases far away from an interface between the base layer and the emitter layer. A change slope of the doping concentration in the base layer gradually decreases far away from the interface between the base layer and the emitter layer.
摘要翻译：目的：提供一种太阳能电池，以通过在距离基极层和发射极层之间的界面的远的区域中增加掺杂浓度来增加能量水平来增加开路电压。构成：在基底层（110）的一侧上形成发射极层（130）。第一电极电连接到基层。第二电极电连接到发射极层。基底层的掺杂浓度逐渐增加到远离基底层和发射极层之间的界面。基层中的掺杂浓度的变化斜率与基底层和发射极层之间的界面相比逐渐降低。

7. 发明公开

KR1020100094496A 도핑된 반도체 막을 포함하는 광기전 장치 有权
标题翻译：包括掺杂半导体膜的光电器件
公开(公告)号：KR1020100094496A
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：KR1020107012117
申请日：2008-10-30
申请人： 퍼스트 솔라, 인코포레이티드
发明人： 포웰,릭,씨. , 자야마하,우팔리 , 아브켄,안케 , 글로에클러,마르쿠스 , 굽타,아클레시 , 그린,로저,티. , 미어스,피터
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/073 , H01L31/022466 , H01L31/02963 , H01L31/03042 , H01L31/1828 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , H01L31/1884 , Y02E10/50 , Y02E10/543 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 광기전 셀은 반도체 층과 접촉하는 불순물을 포함할 수 있다.

8. 发明公开

KR1020070053201A 패시베이션 보호막이 있는 반도체 소자와 그 생산 방법 有权
标题翻译：具有钝化层的半导体元件及其生产方法
公开(公告)号：KR1020070053201A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：KR1020077000284
申请日：2005-07-25
申请人： 프라운호퍼-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 안게반텐 포르슝에.파우.
发明人： 푹스,프랑크 , 렘,로베르트 , 발터,마틴
IPC分类号： H01L23/29 , H01L31/103
CPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/1035 , H01L31/1844 , H01L31/1868 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要： 파라미터 x, y 및 z가 350meV보다 낮은 밴드갭이 생성되도록 선택되는 Al
x Ga
y In
l
-xy As
z Sb
lz 를 포함된 메사 구조 반도체로 되어 있고, 상기 메사 구조의 적어도 하나의 측면에 Al
n Ga
l
-
n As
m Sb
l
-m 을 포함한 패시베이션 보호막이 적어도 일부분에 형성되고, 여기서 파라미터 n이 0.4 내지 1 범위 안에서 선택되고, 상기 파마리터 m은 0 내지 1 범위 안에서 선택되는 것을 포함하는 반도체 소자.
패시베이션 보호막, 활성 반도체 소자, 표면 누설 전류, 메사 구조

9. 发明公开

KR1020170034763A 반도체 장치를 위한 안티모나이드 기반의 높은 밴드갭 터널 접합 审中-实审
标题翻译：基于锑化物的高带隙半导体器件隧道结
公开(公告)号：KR1020170034763A
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：KR1020160091755
申请日：2016-07-20
申请人： 더 보잉 컴파니
发明人： 필립티.치우 , 모란하다드 , 리차드알.킹
IPC分类号： H01L31/0735 , H01L29/88 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/0687 , H01L31/03042 , H01L31/03046 , H01L31/035272 , H01L31/0693 , H01L31/1844 , Y02E10/544
摘要： 반도체장치를위한터널접합이공개된다. 터널접합은 n-도핑된터널층및 p-도핑된터널층을포함한다. p-도핑된터널층은 AlGaAsSb(aluminum gallium arsenide antimonide)로구성된다. AlGaAsSb로구성된 p-도핑된터널층을가진터널접합을포함하는반도체장치가또한공개된다.
摘要翻译：公开了一种用于半导体器件的隧道结。隧道结包括n掺杂隧道层和p掺杂隧道层。 p掺杂隧道层由AlGaAsSb（砷化铝镓锑化物）组成。还公开了包括具有由AlGaAsSb构成的p掺杂隧道层的隧道结的半导体器件。

10. 发明公开

KR1020150082589A 광전자 반도체 칩 및 광전자 반도체 칩들의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：光电半导体芯片和一种生产光电半导体晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020150082589A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：KR1020157015253
申请日：2013-11-04
申请人： 오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
发明人： 준트그렌,페트루스 , 브뢸,마르쿠스
IPC分类号： H01L33/38 , H01L33/40 , H01L33/32 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/14 , H01L31/02327 , H01L31/03042 , H01L31/1852 , H01L31/186 , H01L33/0066 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/305 , H01L33/32 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/405 , H01L2933/0016
摘要： 본발명은방사선을생성및/또는수신하기위해제공된활성영역(20), 제 1 전도타입의제 1 반도체영역(21), 제 2 전도타입의제 2 반도체영역(22) 및커버층(cover layer)(25)을포함하는반도체층 시퀀스(2)를갖는반도체몸체를구비한광전자반도체칩(1)과관련이있다. 상기활성영역(20)은상기제 1 반도체영역(21)과제 2 반도체영역(22) 사이에배치되어있고상기제 1 반도체영역은활성영역을등지는측에콘택층(contact later)(210)을포함한다. 상기커버층(25)은상기활성영역(20)을등지는제 1 반도체영역(21)의측에배치되어있고하나이상의리세스(27)를포함하며, 상기리세스내에서상기콘택층(210)이제 1 접속층(3)에인접한다. 상기커버층은제 2 전도타입이다. 본발명은또한광전자반도체칩들의제조방법과관계된다.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式