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1. 发明公开

KR1020170004965A 주파수 가변 테라헤르츠 발진기 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：频率可变的TERAHERTZ振荡器及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170004965A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：KR1020167028326
申请日：2014-09-05
申请人： 도오쿄 인스티튜드 오브 테크놀로지
发明人： 스즈키사후미 , 기타가와세이치로 , 아사다마사히로
IPC分类号： H03B7/08 , H01L29/88 , H01L29/93
CPC分类号： H03B7/08 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L27/0676 , H01L27/0682 , H01L29/205 , H01L29/882 , H01L29/93
摘要： 소형이며, 실온에있어서도연속하여큰 주파수소인폭을가지는주파수가변테라헤르츠발진기를제공한다. 슬롯안테나가배치되고, 슬롯안테나를따라공명터널다이오드및 버랙터다이오드가병렬로설치되고, 공명터널다이오드및 버랙터다이오드에각각직류전압을인가함으로써테라헤르츠주파수대에서발진한다.
摘要翻译： [问题]提供即使在室温下，尺寸小且连续地具有大的频率扫描宽度的频率可变的太赫兹振荡器。 [解决方案]提供缝隙天线，并且谐振隧道二极管和变容二极管沿缝隙天线彼此平行布置。直流电压分别施加到谐振隧道二极管和变容二极管，从而使得能够在太赫兹频带中发生振荡。

2. 发明公开

KR1020160036643A 교차점 메모리 구조를 위한 선택 디바이스 有权
标题翻译：交叉存储器结构的选择装置
公开(公告)号：KR1020160036643A
公开(公告)日：2016-04-04
申请号：KR1020167007303
申请日：2011-10-12
申请人： 휴렛 팩커드 엔터프라이즈 디벨롭먼트 엘피
发明人： 리베이로길베르토엠. , 닉켈재니스에이치.
IPC分类号： G11C13/00 , H01L27/24 , H01L29/88 , H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2463 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2213/33 , G11C2213/72 , H01L29/88 , H01L45/16
摘要： 본발명은제1 전도체와제2 전도체사이에위치된저항성메모리요소를포함하며, 제1 전도체와제2 전도체가저항성메모리요소를활성화시키도록구성된메모리셀을제공한다. 메모리셀은또한메모리요소와제1 전도체또는제2 전도체중의어느하나와의사이에메모리요소와직렬로위치된백워드다이오드를포함한다.
摘要翻译：本发明提供一种存储单元，其包括位于第一导体和第二导体之间的电阻存储元件，其中第一导体和第二导体被配置为激活电阻存储元件。存储器单元还包括位于存储器元件与第一导体或第二导体之间的与存储器元件串联的反向二极管。

3. 发明公开

KR1020010051175A 비휘발성 메모리에 적용 가능한 터널링 트랜지스터 无效
标题翻译：隧道通道晶体管及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020010051175A
公开(公告)日：2001-06-25
申请号：KR1020000062099
申请日：2000-10-21
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 시마다야스히로 , 하야시신이치로 , 우치야마기요시 , 다나카게이스케
IPC分类号： H01L29/88
CPC分类号： H01L29/6684 , H01L21/28291 , H01L29/772 , H01L29/78391
摘要： PURPOSE: To provide a non-volatile memory which can reflect one of two logical states on the channel current of a tunnel channel transistor and can arbitrarily rewrite the state into any one of the logical states. CONSTITUTION: By utilizing the fact that a depletion layer formed in a source region 3 to be overlapped with a ferrorelectric layer 6 depends on the polarization state of ferroelectric, when a positive bias is applied to a drain region 4 with respect to the source region 3 to inject electrons from the source region 3 into the drain region 4 via an insulator 5, reading of data depending on the number of electrons emitted from the source region 3 is reflected by the polarization state of the ferroelectric layer 6 under a gate electrode 7. Since the polarization state of the layer 6 is spontaneous, the polarization state can be held (stored) and discriminated (read out) by the channel current of the transistor.
摘要翻译：目的：提供可以反映隧道通道晶体管的通道电流上的两个逻辑状态之一的非易失性存储器，并且可以任意地将状态重写为任何一个逻辑状态。构成：通过利用形成在源极区域3中以与铁电体层6重叠的耗尽层取决于铁电体的偏振态的事实，当相对于源极区域3向漏极区域4施加正偏压时通过绝缘体5将电子从源极区域3注入漏极区域4，根据从源极区域3发射的电子数量的数据的读取被栅电极7下的铁电体层6的偏振状态反射。由于层6的偏振状态是自发的，所以可以通过晶体管的沟道电流来保持（存储）和鉴别（读出）极化状态。

4. 发明公开

KR1019960043306A 비선형 소자 및 쌍안정 메모리 장치 失效
标题翻译：非线性器件和双稳态存储器件
公开(公告)号：KR1019960043306A
公开(公告)日：1996-12-23
申请号：KR1019960017855
申请日：1996-05-25
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 우에노야마다케시 , 구마부치야스히토
IPC分类号： H01L29/88
摘要： p형 실리콘기판상에 n형 확산층과, 절연층과, 제1알루미늄 전극이 설치되어 있다. 절연층 중에는 전자가 채워있지 않은 빈 궤도를 가지는 2가의 철(Fe2+)이 도핑된 불순물 원자층이 형성되어 있다. n형 확산층에 접촉하는 제2알루미늄 전극이 형성되어 있다. 제1, 제2알루미늄 전극간에 제1알루미늄 전극이 고전위가 되는 전압을 인가하여 전압을 증대하면, n형 확산층의 페르미 준위와 Fe2+의 빈 궤도를 전자로 채우기 위한 에너지 준위인 불순물 준위가 있었을 때에 공명 터널 전류가 흐르고, 그 후 비공명 상태가 되면, 전압을 증대하면 전류가 감소한다는 마이너스성 저항 특성을 나타낸다. 조소비전력, 저전압동작, 고속동작이 가능하고 집적회로내에 내장하기에 적합한 비선형 소자 및 이것을 이용한 쌍안정 메모리 장치가 얻어진다.

5. 发明公开

KR1019880003441A 공진터널링 반도체장치 失效
公开(公告)号：KR1019880003441A
公开(公告)日：1988-05-17
申请号：KR1019870008543
申请日：1987-08-04
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 이나따쓰구오 , 무또스니찌 , 후지이도시오
IPC分类号： H01L29/88
摘要： 내용 없음

6. 发明公开

KR1020160129011A 에너지-필터링된 냉전자 디바이스 및 방법 审中-实审
标题翻译： - 能量过滤冷电器件及方法
公开(公告)号：KR1020160129011A
公开(公告)日：2016-11-08
申请号：KR1020167024420
申请日：2015-02-03
申请人： 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템
发明人： 고,성진 , 바드라샬람,프라딥 , 마,리앙-치에
IPC分类号： H01L29/08 , H01L29/66 , H01L29/76 , H01L29/88 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/24 , H01L29/41
CPC分类号： H01L29/66977 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/0895 , H01L29/122 , H01L29/127 , H01L29/24 , H01L29/413 , H01L29/66439 , H01L29/66666 , H01L29/7613 , H01L29/7827 , H01L29/882 , Y10S977/774 , Y10S977/937
摘要： 에너지-필터링된냉전자디바이스는터널링장벽전도대역의대역을벤딩시키는것에의해형성된양자우물또는양자점의이산에너지레벨을통해전자에너지필터링을사용한다. 상기디바이스는실온에서 45K 이하의낮은유효전자온도, 실온에서 10 ㎷/디케이드이하의준도(steepness)를갖는가파른전기전류턴온/턴오프능력, 실온에서 10 ㎷/디케이드이하의서브임계값스윙, 및/또는 0.1 V 이하의공급전압을획득할수 있다.
摘要翻译：经过能量过滤的冷电子器件使用通过隧穿势垒导带的带状弯曲形成的量子阱或量子点的离散能级的电子能量过滤。这些器件可以在室温下获得小于或等于45K的低有效电子温度，陡峭的电流导通/关断能力，室温下的陡度小于或等于10 mV /十倍，亚阈值摆幅在室温下小于或等于10mV /十倍，和/或小于或等于0.1V的电源电压。

7. 发明授权

KR100389969B1 비선형 소자 및 쌍안정 메모리 장치 失效
标题翻译： 비선형소자및쌍안정메모리장치
公开(公告)号：KR100389969B1
公开(公告)日：2003-09-19
申请号：KR1019960017855
申请日：1996-05-25
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 우에노야마다케시 , 구마부치야스히토
IPC分类号： H01L29/88
CPC分类号： H01L29/882 , H01L29/8616 , H01L45/10 , H01L45/1206 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/165
摘要： An n-type diffusion layer (10), an insulating layer (11) and a first aluminum electrode (12) are formed on a p-type silicon substrate. Fe (divalent Fe) having a vacant orbit not filled with an electron is implanted into a region of the insulating layer to form an impurity atom layer (11a). A second aluminum electrode is formed which is in contact with the n-type diffusion layer. A voltage that increases the potential of the first aluminum electrode is applied between the first and second aluminum electrodes. The voltage is increased. In this situation, when the fermi level of the n-type diffusion layer and an impurity level which is the energy level for filling the vacant orbit of the Fe are matched, a resonance tunnelling current flows. Thereafter, when there is a change to the state of non-resonance state, a negative-resistance characteristic is exhibited in which the current decreases as the voltage is increased. Accordingly, the present invention is able to provide a low-power, low-voltage, fast nonlinear element that can well be incorporated into the integrated circuit, and a bistable memory device employing such an improved nonlinear element.
摘要翻译：在p型硅衬底上形成n型扩散层（10），绝缘层（11）和第一铝电极（12）。的Fe＆LT; 2+; （2价Fe）注入绝缘层的区域，形成杂质原子层（11a）。形成与n型扩散层接触的第二铝电极。在第一和第二铝电极之间施加增加第一铝电极电位的电压。电压升高。在这种情况下，当n型扩散层的费米能级和作为填充Fe 2+离子空轨道的能级的杂质能级时，匹配时，谐振隧穿电流流动。之后，当非谐振状态的状态发生变化时，表现出电压随着电压增加而减小的负阻特性。因此，本发明能够提供可以很好地结合到集成电路中的低功率，低电压，快速非线性元件，以及采用这种改进的非线性元件的双稳态存储器件。＆lt;图像＆GT;

8. 发明公开

KR1019980012600A 반도체 장치 및 박막 트랜지스터의 제조 방법 无效
标题翻译：半导体器件和薄膜晶体管的制造方法
公开(公告)号：KR1019980012600A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019970036045
申请日：1997-07-30
申请人： 소니 주식회사
发明人： 고사인드하람팔 , 지요나산우에스또오오따아 , 나가고에미야꼬 , 우스이세쯔오
IPC分类号： H01L29/88

9. 发明授权

KR1019920006434B1 공진 터널링 장벽구조장치 失效
标题翻译：共振隧穿势垒结构器件
公开(公告)号：KR1019920006434B1
公开(公告)日：1992-08-06
申请号：KR1019880014716
申请日：1988-11-09
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 무또슌이찌 , 이나따쓰구오 , 다께우찌아쓰시 , 스기야마요시히로
IPC分类号： H01L29/86 , H01L29/88
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L29/205 , H01L29/882
摘要： 내용 없음.

10. 发明授权

KR1019910005762B1 공진터널링 반도체장치 失效
标题翻译：谐振隧道半导体器件
公开(公告)号：KR1019910005762B1
公开(公告)日：1991-08-02
申请号：KR1019870008543
申请日：1987-08-04
申请人： 후지쯔 가부시끼가이샤
发明人： 이나따쓰구오 , 무또스니찌 , 후지이도시오
IPC分类号： H01L29/88
CPC分类号： B82Y10/00 , H01L29/205 , H01L29/7376 , H01L29/7606 , H01L29/882

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