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1. 发明公开

KR1020180119906A 3상 변압기 및 이를 이용한 다단 정류기 有权
公开(公告)号：KR1020180119906A
公开(公告)日：2018-11-05
申请号：KR1020170053611
申请日：2017-04-26
申请人： 공주대학교 산학협력단
发明人： 김효성
IPC分类号： H01F30/12 , H01F30/04 , H01L27/28 , H01L27/24 , H02M7/00 , H02M7/06
CPC分类号： H01F30/04 , H01F30/12 , H01L27/24 , H01L27/28 , H02M7/00 , H02M7/06
摘要： 본발명은 3상변압기에관한것으로, 상기 3상변압기는제1 상내지제3 상에대한제1 내지제3 1차측전압이각각인가되는제1 내지제3 1차측코일, 상기제1 내지제3 1차측전압에대응하는상기제1 상내지제3 상에대한제1 내지제3 2차측전압이각각유기되어출력되는제1 내지제3 2차측코일, 그리고상기제1 내지제3 1차측코일과상기제1 내지제3 2차측코일이감겨있는적어도하나의철심을포함하고, 서로대응하는제1 1차측코일과제1 2차측코일, 서로대응하는제2 1차측코일과제2 2차측코일, 및서로대응하는제3 1차측코일과제3 2차측코일은각각공간적위상차를갖고있고, 상기공간적위상차에따라, 제1 1차측코일로인가되는제1 1차측전압과제1 2차측코일로인가되는제1 2차측전압사이에발생하는시간적위상차의크기, 제2 1차측코일로인가되는제2 1차측전압과제2 2차측코일로인가되는제2 2차측전압사이에발생하는시간적위상차의크기및 제3 1차측코일로인가되는제3 1차측전압과제3 2차측코일로인가되는제3 2차측전압사이에발생하는시간적위상차의크기가각각정해진다.

2. 发明公开

KR20180018942A 유기 발광 표시 장치 审中-公开
标题翻译：有机发光显示装置
公开(公告)号：KR20180018942A
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：KR20160102410
申请日：2016-08-11
申请人： SAMSUNG DISPLAY CO LTD
发明人： CHAE SEUNG YEON , CHOI SUNG YOUNG
IPC分类号： H01L27/32 , C09K9/02 , H01L51/52
CPC分类号： H01L27/32 , G09F19/12 , G09G3/3433 , H01L27/28 , H01L27/3248 , H01L45/14 , H01L2227/32
摘要： 유기발광표시장치는기판, 기판상에배치되는트랜지스터, 발광영역에배치되고, 트랜지스터에전기적으로연결되는제1 전극, 발광영역및 비발광영역에배치되고, 제1 전극에대향하며, 제1 전극과전계를형성하는제2 전극, 제1 전극과제2 전극사이에배치되고, 전계에기초하여발광하는유기발광층을포함하는중간층, 그리고제1 전극과제2 전극사이에배치되고, 투명상태및 불투명상태사이에서가역적으로변하는외광반사방지층을포함할수 있다.
摘要翻译：显示装置可以包括第一晶体管，第一电极，第二电极，第一中间层和第一可变层。第一电极电连接到第一晶体管。第二电极与第一电极重叠。第一中间层位于第一电极和第二电极之间，并且当第一电极和第二电极产生第一电场时可以发射第一光。当第一电极和第二电极产生第一电场时，与第一电极重叠的第一可变层可具有第一透射率值，并且当第一电极和第二电极不产生第二电压时，第一可变层可具有第二透射率值第一电场。第二透射率值不等于第一透射率值。

3. 发明公开

KR1020140000041A 유기층 증착 장치, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 유기 발광 디스플레이 장치 审中-实审
标题翻译：用于有机层沉积的装置，使用其的有机发光显示装置的制造方法以及由该方法制造的有机发光显示装置
公开(公告)号：KR1020140000041A
公开(公告)日：2014-01-02
申请号：KR1020120067303
申请日：2012-06-22
申请人： 삼성디스플레이 주식회사
发明人： 장윤호 , 김태용 , 윤미주
IPC分类号： H01L51/56 , H05B33/10
CPC分类号： C23C14/12 , C23C14/50 , H01L21/67173 , H01L21/67709 , H01L21/6776 , H01L21/6831 , H01L27/28 , H01L51/001 , H01L51/56 , H01L2227/323
摘要： The present invention relates to an apparatus for depositing an organic layer, a method for manufacturing an organic light emitting display device using the same, and the organic light emitting display device manufactured thereby and, more particularly, to an apparatus for depositing an organic layer, a method for manufacturing an organic light emitting display device, and the organic light emitting display device manufactured thereby, capable of performing a fixed patterning process and being suitable for a large substrate manufacturing process.
摘要翻译：本发明涉及一种用于沉积有机层的装置，一种制造使用该有机发光显示装置的有机发光显示装置的方法和由此制造的有机发光显示装置，更具体地涉及一种用于沉积有机层的装置，有机发光显示装置的制造方法以及由此制造的有机发光显示装置，能够进行固定的图案形成工序，适用于大的基板制造工序。

4. 发明公开

KR1020060028743A 메모리 디바이스 및 상기 디바이스를 이용하고 제조하는방법 无效
标题翻译：存储器件和使用和制造器件的方法
公开(公告)号：KR1020060028743A
公开(公告)日：2006-03-31
申请号：KR1020067000425
申请日：2004-05-21
申请人： 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드
发明人： 란지다 , 반버스커크마이클에이. , 빌콜린에스.
IPC分类号： H01L21/28 , B82Y40/00
CPC分类号： G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/24 , H01L27/28 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0038 , H01L51/0041 , H01L51/0077 , H01L51/0085 , H01L51/0595
摘要： A memory cell (104) made of two electrodes(106, 202, 108, 204) with a controllably conductive media between the two electrodes is disclosed. The controllably conductive media (110) contains an active low conductive layer (112) and passive layer (114). The controllably conductive media (110) changes its impedance when an external stimuli such as an applied electric field is imposed thereon. Methods of making the memory devices/cells, methods of using the memory devices/cells, and devices such as computers containing the memory devices/cells are also disclosed.
摘要翻译：公开了一种由在两个电极之间具有可控导电介质的两个电极（106,202,108,204）制成的存储单元（104）。可控导电介质（110）包含有源低导电层（112）和无源层（114）。当施加电场等外部刺激时，可控导电介质（110）改变其阻抗。还公开了制造存储器件/单元的方法，使用存储器件/单元的方法，以及诸如包含存储器件/单元的计算机的器件。

5. 发明授权

KR100544378B1 도전성 유기 박막과 그 제조 방법, 그것을 이용한 전극 및전기 케이블 失效
标题翻译：导电有机薄膜及其制造方法，电极和电缆使用它
公开(公告)号：KR100544378B1
公开(公告)日：2006-01-23
申请号：KR1020027017228
申请日：2002-02-08
申请人： 파나소닉 주식회사
发明人： 오가와가즈후미 , 미노노리히사 , 야마모토신이치
IPC分类号： H01B1/12
CPC分类号： H01M14/00 , B82Y30/00 , G02F1/13439 , G02F1/1368 , G02F2202/02 , H01B1/127 , H01L27/28 , H01L51/0075 , H01L51/0575 , Y10T428/26 , Y10T428/31663 , Y10T428/31815 , Y10T428/31855
摘要： 기재(1) 표면 또는 기재 상에 형성한 하지층(2) 표면과 공유 결합한 말단 결합기와, 공액 결합기와, 상기 말단 결합기와 상기 공액 결합기 사이에 알킬기를 함유하는 유기 분자로 구성되는 도전성 유기 박막에 있어서, 상기 유기 분자는 배향하고 있고, 또한, 상기 공액 결합기는 다른 분자의 공액 결합기와 중합해서 도전 네트워크(34)를 형성하고 있다. 도전 네트워크(34)는 폴리피롤, 폴리티에닐렌, 폴리아세틸렌, 폴리디아세틸렌 또는 폴리아센으로 형성된다. 공액 결합기의 중합은 전해 산화 중합, 촉매 중합, 에너지 빔 조사 중합을 이용한다. 이것으로, 종래의 유기 도전막보다도 높은 도전성을 가지는 도전성 유기 박막과 그 제조 방법과 이것을 이용한 전극, 전선 및 전자 디바이스를 제공한다.

6. 发明公开

KR1020050103195A 유기 전계 효과 트랜지스터 및 집적회로 失效
标题翻译：有机场效应晶体管和集成电路
公开(公告)号：KR1020050103195A
公开(公告)日：2005-10-27
申请号：KR1020057012958
申请日：2003-12-08
申请人： 폴리아이씨 게엠베하 운트 코. 카게
发明人： 픽스,발테르 , 울만,안드레아스
IPC分类号： H01L21/335
CPC分类号： H01L27/28 , H01L51/0512
摘要： The invention relates to an organic field effect transistor (OFET) and/or an organic-based integrated circuit with a high operating frequency. Compact, high-speed circuit layouts are obtained by positioning the two ends of the current channel in close proximity.
摘要翻译：本发明涉及有机场效应晶体管（OFET）和/或具有高工作频率的基于有机的集成电路。通过将当前通道的两端定位在靠近的位置，获得紧凑的高速电路布局。

7. 发明公开

KR1020050085417A 자기 정렬되는 메모리 소자 및 워드라인 有权
标题翻译：自对准的记忆元素和WORDLINE
公开(公告)号：KR1020050085417A
公开(公告)日：2005-08-29
申请号：KR1020057010298
申请日：2003-09-08
申请人： 어드밴스드 마이크로 디바이시즈, 인코포레이티드
发明人： 츄엉패트릭케이. , 카츄리아애쇽엠.
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L27/28
摘要： An organic polymer memory cell is provided having an organic polymer layer (116, 2108, 2132, 2168) and an electrode layer (120, 2112, 2128, 2164) formed over a first conductive (e. g., copper) layer (e.g., bitline) (104, 108). The memory cells are connected to a second conductive layer (e.g., forming a wordline) (136, 2148, 2160), and more particularly the top of the electrode layer of the memory cells to the second conductive layer. Optionally, a conductivity facilitating layer (112, 2136) is formed over the conductive layer. Dielectric material separates the memory cells. The memory cells are self- aligned with the bitlines formed in the first conductive layer and the wordlines formed in the second conductive layer.
摘要翻译：提供了一种有机聚合物记忆单元，其具有形成在第一导电（例如铜）层（例如，位线）上的有机聚合物层（116,210,2132,2168）和电极层（120,2112,2128,2644）（104,108）。存储器单元连接到第二导电层（例如，形成字线）（136,2148,2160），更具体地，将存储器单元的电极层的顶部连接到第二导电层。可选地，在导电层上形成导电促进层（112,2166）。电介质材料分离存储单元。存储单元与在第一导电层中形成的位线和在第二导电层中形成的字线自对准。

8. 发明公开

KR1020040060370A 수직나노튜브를 이용한 메모리 失效
标题翻译：使用垂直纳米管的记忆
公开(公告)号：KR1020040060370A
公开(公告)日：2004-07-06
申请号：KR1020020087158
申请日：2002-12-30
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 정병호 , 최원봉
IPC分类号： H01L27/115 , B82Y10/00
CPC分类号： H01L51/0048 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/16 , H01L27/28 , H01L27/285 , Y10S438/962 , Y10S977/943
摘要： PURPOSE: A memory using a vertical nano-tube is provided to increase a degree of integration and capacity by using a vertical carbon nano-tube. CONSTITUTION: A memory using a vertical nano-tube includes the first electrode array, a dielectric layer, a nano-tube array, the second electrode array, a memory cell, and a gate electrode. The first electrode array is formed with stripe patterns. The dielectric layer(12) is laminated on the first electrode array. A plurality of holes are arranged on the dielectric layer. The nano-tube array is close to the first electrode array in order to emit electrons. The second electrode array is formed on the dielectric layer. The memory cell(15) is installed on the second electrode array in order to capture the electrons from the nano-tube array. The gate electrode(17) is laminated on the memory cell in order to form the electric field around the nano-tube array.
摘要翻译：目的：提供使用垂直纳米管的记忆体，以通过使用垂直碳纳米管来增加一体化程度和容量。构成：使用垂直纳米管的存储器包括第一电极阵列，电介质层，纳米管阵列，第二电极阵列，存储单元和栅电极。第一电极阵列形成条纹图案。电介质层（12）层压在第一电极阵列上。多个孔布置在电介质层上。纳米管阵列靠近第一电极阵列以发射电子。第二电极阵列形成在电介质层上。存储单元（15）安装在第二电极阵列上，以便从纳米管阵列捕获电子。为了形成纳米管阵列周围的电场，将栅电极（17）层叠在存储单元上。

9. 发明公开

KR1020040053315A ＲＦ-ＩＤ 태그 失效
标题翻译： RF-ID标签
公开(公告)号：KR1020040053315A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：KR1020047007380
申请日：2002-11-15
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 슈미트군테르 , 할리크마르쿠스 , 클라우크하겐
IPC分类号： H01L27/02
CPC分类号： H01L27/28 , B82Y10/00 , G11C11/22 , H01L21/31691 , H01L51/0516
摘要： 본 발명은, 반도체 경로가 유기 반도체로 구성되는 트랜지스터 및, 예를 들어 RF-ID 태그 용으로 사용되는 바람직하게 중합체에서 강유전성 효과에 기초한 메모리 셀로부터 구성되는 반도체 배열물에 관한 것이다.
摘要翻译：半导体装置包括具有由有机半导体制成的半导体路径的半导体器件和基于存储材料中的铁电效应的可重写存储单元。存储材料优选为具有铁电性质的有机聚合物或具有铁电性质的无机材料。有机聚合物是氟化多烯，优选聚偏二氟乙烯。无机材料是铁电钛酸盐或钽酸盐。

10. 发明公开

KR1020030014756A 메모리 소자 및 그 제조방법 失效
标题翻译： 메모리자및그제조방법
公开(公告)号：KR1020030014756A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：KR1020037000574
申请日：2001-08-09
申请人： 인피니언 테크놀로지스 아게
发明人： 호프만프란츠 , 루이켄리차드요한즈 , 뢰스너볼프강
IPC分类号： H01L27/10
CPC分类号： H01L27/28 , B82Y10/00 , G11C13/0014 , G11C13/0016 , G11C2213/77 , H01L51/0575
摘要： 유기물질을 구비하는 메모리 소자는 적층형식으로 배열되어 서로 교차하도록 배열된 제 1 라인과 제 2 라인을 구비하는 두개의 금속배선층을 포함한다. 제 1 라인과 제 2 라인 사이의 교차점에 트렌치가 형성되는데, 이 트렌치는 제 1 라인을 부분적으로 오버랩하고 제 2 라인을 완전히 오버랩하게 된다. 트렌치는 인가된 전압에 의해 변경될 수 있는 전기적 도전율을 갖는 충진재로 충진된다.
摘要翻译：具有有机材料的存储器元件包括两个金属化层，一个在另一个上面布置，第一线和第二线被布置为彼此交叉。在第一条线和第二条线之间的交叉处形成沟道，其与第一条线重叠且部分地完全重叠第二条线。通道填充有填充材料，其电导率可以通过施加的电压而改变。

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