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1. 发明授权

KR101830904B1 리세스된 반도체 기판 有权
标题翻译：凹陷的半导体衬底
公开(公告)号：KR101830904B1
公开(公告)日：2018-02-22
申请号：KR1020127015804
申请日：2011-01-25
申请人： 마벨 월드 트레이드 리미티드
发明人： 우알버트 , 첸로아웬 , 한충청 , 리우쉬안-밍 , 웨이치엔-추안 , 창룬지 , 우스코트 , 쳉추안-쳉
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/498 , H01L23/367 , H01L25/065 , H01L23/00 , H01L25/04
CPC分类号： H01L25/04 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/13 , H01L23/147 , H01L23/3677 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/49838 , H01L24/09 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/33 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13024 , H01L2224/14181 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/81193 , H01L2224/83904 , H01L2225/06517 , H01L2225/06527 , H01L2225/06541 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1515 , H01L2924/15153 , H01L2924/15156 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/1532 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 본발명의실시예는장치를제공하며, 이장치는반도체기판과, 그리고상기반도체기판에결합되는다이를포함하고, 상기반도체기판은제 1 표면, 상기제 1 표면의반대편에있는제 2 표면, 및하나이상의비아들을구비하고, 상기제 1 표면의적어도일부분은리세스되어상기반도체기판의리세스된영역을형성하며, 상기하나이상의비아들은상기반도체기판의상기리세스된영역에형성되어상기반도체기판의상기제 1 표면과상기제 2 표면간에전기적경로또는열적경로를제공하고, 상기다이는상기반도체기판의상기리세스된영역에형성된상기하나이상의비아들에전기적으로결합된다. 다른실시예가설명및/또는청구될수 있다.
摘要翻译：本发明的一个实施例提供了一种装置，包括半导体衬底和耦合到半导体衬底的管芯，半导体衬底具有第一表面，与第一表面相对的第二表面，其中，第一表面的至少一部分凹陷以形成半导体衬底的凹陷区域，其中至少一个通孔形成在半导体衬底的凹陷区域中，在第一表面和第二表面之间提供电或热路径，其中管芯电耦合到在半导体衬底的凹陷区域中形成的一个或多个通孔。其他实施例可以被描述和/或要求保护。

2. 发明公开

KR1020130131708A 메모리 셀 어레이 및 이를 포함하는 가변 저항 메모리 장치 无效
标题翻译：存储单元阵列和可变电阻存储器件
公开(公告)号：KR1020130131708A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：KR1020120055455
申请日：2012-05-24
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김성철 , 최강식
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L27/2454 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , H01L27/228 , H01L45/06 , H01L2924/0002 , H01L27/2463 , H01L25/04 , H01L45/04 , H01L2924/00
摘要： Provided are a memory cell array and a variable resistive memory device. The present embodiment includes a pair of word lines, an interline insulating layer formed between the pair of word lines, and a memory group including active fillers surrounded by the word lines and touching each contact surface of the pair of the word lines and the interline insulating layer. [Reference numerals] (AA) Column direction;(BB) Line direction
摘要翻译：提供了存储单元阵列和可变电阻存储器件。本实施例包括一对字线，在一对字线之间形成的行间绝缘层，以及包括由字线包围的有源填充物并且接触该对字线的每个接触表面和行间绝缘体的存储组层。（标号）（AA）列方向;（BB）线方向

3. 发明公开

KR1020110028144A 무선통신 모듈 및 그 제조방법 无效
标题翻译：移动通信模块及其制造方法
公开(公告)号：KR1020110028144A
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：KR1020090086100
申请日：2009-09-11
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 조윤희 , 이종면 , 이대형
IPC分类号： H01L25/00 , H01L27/00 , H03H9/64
CPC分类号： H01L23/66 , H01L23/043 , H01L23/15 , H01L25/04
摘要： PURPOSE: A mobile communication module and a method of manufacturing the same are provided to form a dielectric object with low permittivity in an area where a radiator is formed, thereby increasing a transfer property of the radiator. CONSTITUTION: A cavity is formed on one side of a laminating substrate(110) with high permittivity. A dielectric object(120) with low permittivity is buried in the cavity. A radiator(130) is formed on an exposed side of the dielectric object with low permittivity. A feed line(140) supplies a signal to the radiator. A ground part(150) is formed on the laminating substrate with high permittivity. Electronic components(161,162) are mounted on the laminating substrate with high permittivity.
摘要翻译：目的：提供一种移动通信模块及其制造方法，以在形成散热器的区域中形成具有低介电常数的介电物体，从而增加散热器的转印性能。构成：在具有高介电常数的层压基板（110）的一侧上形成空腔。具有低介电常数的介电物体（120）被埋在空腔中。散热器（130）形成在介电体的暴露侧，介电常数低。馈送线（140）向散热器提供信号。在介电常数高的层叠基板上形成接地部（150）。电子部件（161,162）以高介电常数安装在层叠基板上。

4. 发明授权

KR100454376B1 파워 반도체 모듈 및 그를 이용한 전동기 구동 시스템 有权
标题翻译： 파워반도체모듈및그를이용한전동기구동시스템
公开(公告)号：KR100454376B1
公开(公告)日：2004-10-26
申请号：KR1020007003150
申请日：1999-06-04
申请人： 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼
发明人： 담바아끼히로 , 오가와도시오 , 야마다가즈지
IPC分类号： H01L23/00
CPC分类号： H01L25/04 , H01L23/3107 , H01L23/4334 , H01L23/49575 , H01L25/165 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48137 , H01L2924/10253 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H05K1/144 , H05K3/202 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
摘要： 파워 반도체 모듈에 있어서, 파워 회로부에 포함되어 금속 베이스 상에 탑재되는 파워 반도체 소자와, 파워 반도체 소자를 몰드하는 제1 수지와, 제1 수지 상에 위치하고 적어도 제어 회로의 일부에 포함되는 제어 회로 소자와, 파워 회로부에 접속되어 제1 수지의 표면 상에 노출부를 갖는 제어 단자를 구비하고, 제어 회로의 일부가 제어 단자의 노출부에 있어서 파워 회로부와 접속된다. 본 발명에 따르면, 제어 회로부의 고기능화가 가능한 저비용의 수지 몰드형 파워 반도체 모듈을 실현할 수 있다.
摘要翻译： 1.一种功率半导体模块，其特征在于，具备功率半导体元件，该功率半导体元件被包含在功率电路部分中并且安装在金属基座上，第一树脂被模制到所述功率半导体元件，控制电路元件被设置在所述第一树脂上并且至少包括控制电路和控制端子，所述控制端子连接到所述电源电路部分并且具有在所述第一树脂的表面中的暴露部分，其中，所述控制电路的一部分与所述控制端子的暴露部分处的所述电源电路部分连接。根据本发明，可以实现能够以低成本实现控制电路部分的高性能的树脂模制型功率半导体模块。

5. 发明公开

KR1020140125332A 구조가 단순화된 반도체 파워 모듈 패키지 및 그 제조방법 有权
标题翻译：具有简化结构的半导体功率模块封装及其制造方法
公开(公告)号：KR1020140125332A
公开(公告)日：2014-10-28
申请号：KR1020140126060
申请日：2014-09-22
申请人： 페어차일드코리아반도체 주식회사
发明人： 이근혁
IPC分类号： H01L25/04 , H01L23/48 , H01L23/28
CPC分类号： H01L2224/37 , H01L2224/37124 , H01L2224/37144 , H01L2224/40 , H01L2224/40095 , H01L2224/40225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73221 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/84801 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L25/04 , H01L23/02 , H01L23/28 , H01L23/48 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 기판상에 전극을 부착시켜 구조를 단순화한 반도체 모듈 패키지 및 그 제조방법을 개시한다. 반도체 파워 모듈 패키지는 기판; 상기 기판의 상면에 배열되는 반도체 칩들; 및 상기 기판의 상면에 부착되어, 상기 반도체 칩들과 전기적으로 연결되는 전극들을 구비한다. 상기 반도체 칩들중 일부 반도체 칩과 상기 전극들중 일부 전극은 배선 라인을 통해 전기적으로 연결된다. 봉지부가 적어도 상기 전극들의 상면을 제외한 상기 반도체 칩들, 상기 전극들 및 상기 배선 라인들을 덮어준다.
摘要翻译：公开了一种半导体功率模块封装，其通过将电极附着在基板上而简化了结构及其制造方法。半导体功率模块封装包括：衬底; 布置在基板的上表面上的半导体芯片; 以及附着到基板的上表面并电连接到半导体芯片的电极。半导体芯片中的一些半导体芯片和电极中的一些电极通过布线电连接。封装部分覆盖半导体芯片，电极和除电极上表面之外的布线。

6. 发明公开

KR1020140023070A 도전성 범프, 이를 이용한 반도체 칩 및 스택 패키지 审中-实审
标题翻译：导电块，半导体芯片和堆叠半导体封装
公开(公告)号：KR1020140023070A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：KR1020120089658
申请日：2012-08-16
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 최형석
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/3128 , H01L23/482 , H01L24/17 , H01L25/03 , H01L25/04 , H01L25/0657 , H01L2224/13017 , H01L2224/16145 , H01L2224/1705 , H01L2224/73204 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/12042 , H01L2924/1434 , H01L2924/182 , H01L2924/00
摘要： The present invention discloses a conductive bump and a semiconductor chip and a stacked package using the same. The present invention provides a conductive bump including a stepped pulley member formed on a semiconductor chip for covering a part of a connection electrode; and a conductive member having inclined plane at the stepped pulley member and an exposed connection electrode wherein the semiconductor chip includes a semiconductor substrate having a first surface and a second surface facing the first surface; a penetration electrode penetrating the semiconductor substrate and being exposed to the first surface of the semiconductor substrate; and an upper bump including a stepped pulley member for forming a stepped pulley at a part of the penetration electrode and a conductive member having an inclined plane inclined to the penetration electrode at the stepped pulley member and the penetration electrode.
摘要翻译：本发明公开了一种导电凸块和半导体芯片以及使用其的堆叠封装。本发明提供一种导电凸块，包括形成在半导体芯片上的阶梯式带轮构件，用于覆盖连接电极的一部分; 以及在台阶带轮构件上具有倾斜平面的导电构件和露出的连接电极，其中半导体芯片包括具有第一表面和面向第一表面的第二表面的半导体衬底; 穿透电极穿透半导体衬底并暴露于半导体衬底的第一表面; 以及上部凸起，其包括用于在所述穿透电极的一部分处形成阶梯式带轮的阶梯式带轮构件和具有在所述阶梯式带轮构件和所述穿透电极处与所述穿透电极倾斜的倾斜面的导电构件。

7. 发明授权

KR100814177B1 반도체 장치 및 그 제조방법 有权
标题翻译：半导体装置及其制造方法
公开(公告)号：KR100814177B1
公开(公告)日：2008-03-14
申请号：KR1020067008477
申请日：2004-08-10
申请人： 이시하라 마사미치
发明人： 이시하라마사미치
IPC分类号： H01L23/12 , H01L25/065 , H01L25/11
CPC分类号： H01L23/481 , H01L23/3157 , H01L23/48 , H01L23/488 , H01L23/49838 , H01L24/13 , H01L25/04 , H01L25/0652 , H01L25/0657 , H01L29/78 , H01L2224/0554 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/13025 , H01L2224/1403 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/17181 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/00014 , H01L2924/01327 , H01L2924/10253 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/3011 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2224/05599 , H01L2224/0555 , H01L2224/0556
摘要： 박형이면서 또한 고속동작에 적합한 적층형 반도체 장치이다. 반도체 기판의 일면에 소정 회로를 복수 정렬배치 형성하고, 회로에 전기적으로 연결되는 배선 및 절연층을 순차 소정 패턴으로 적층 형성해 다층배선부를 형성하고, 다층배선부를 형성하는 단계에서 반도체 기판에 표면이 절연막으로 피복되는 충전전극을 형성하고,
다층배선부의 소정의 배선상에 포스트전극을 형성하고, 반도체 기판의 일면에 제1의 절연층을 형성하고, 제1의 절연층의 표면을 소정 두께 제거해 포스트전극을 노출시키고, 반도체 기판의 다른 일면을 연삭해 충전전극을 노출시켜서 관통전극을 형성하고, 반도체 기판의 일면을 에칭해 관통전극의 선단을 돌출시키고, 관통전극의 선단을 노출시키는 상태에서 반도체 기판의 일면에 제2의 절연층을 형성하고, 양전극에 돌기전극을 형성하고, 반도체 기판을 분할해서 반도체 장치를 형성한다. 이 방법에서 얻은 복수의 반도체 장치를 돌기전극으로 적층 고정해 적층형 반도체 장치를 제조한다.
적층형 반도체 장치, 박형화, 고속동작, 3차원 적층형, 고집적화
摘要翻译：适用于薄型和高速操作的类型半导体器件。在多个的步骤排列的预定电路的半导体衬底，以形成的表面上，并形成，以形成多层布线和绝缘层以电连接到所述电路的多层布线的顺序规定的图案部分，和在多层布线部是在半导体基板的绝缘膜上的表面为了形成填充电极，

8. 发明公开

KR1020080015330A 윈칩형 ＲＦ집적모듈 无效
标题翻译：一种芯片类型的无线电频率累积模块
公开(公告)号：KR1020080015330A
公开(公告)日：2008-02-19
申请号：KR1020060076888
申请日：2006-08-14
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 구자권 , 김철호 , 손경주 , 이규현
IPC分类号： H04B1/44 , H01L25/04 , H04B1/40
CPC分类号： H04B1/0067 , H01L25/04 , H04B1/0053 , H04B1/40
摘要： A one chip-type RF integrated module is provided to minimize the installation area of an RF block on a substrate and secure flexibility in designing the arrangement of other modules by integrating the circuit elements of the RF block into a single package element. A one chip-type RF integrated module(100) is comprised of a front-end module(110), a power amplifier module(130), a transceiver module(140), and a matching circuit module(120). All the modules(110-140) are formed on a single substrate. The power amplifier module(130) is mounted at the end of one side of the substrate. The front-end module(110) is installed beside the power amplifier module(130). The matching circuit module(120) is arranged beside the front-end module(110). The transceiver module(140) is placed beside the matching circuit module(120) and at the end of the other side of the substrate. The substrate, formed in a multi-layer structure, has via holes to convey inter-layer electrical signals. The modules(110-140), mounted and molded on the substrate, forms a single package.
摘要翻译：提供单片式RF集成模块，以最小化RF块在衬底上的安装面积，并通过将RF块的电路元件集成到单个封装元件中来确保设计其它模块的布置的灵活性。单片式RF集成模块（100）由前端模块（110），功率放大器模块（130），收发模块（140）和匹配电路模块（120）组成。所有模块（110-140）形成在单个基板上。功率放大器模块（130）安装在基板一侧的端部。前端模块（110）安装在功率放大器模块（130）旁边。匹配电路模块（120）布置在前端模块（110）的旁边。收发器模块（140）放置在匹配电路模块（120）旁边和衬底的另一侧的末端。以多层结构形成的基板具有用于传送层间电信号的通孔。安装和模制在基板上的模块（110-140）形成单个封装。

9. 发明公开

KR1020050062736A 인텔리전트 파워 모듈의 단자 无效
标题翻译：智能电源模块终端
公开(公告)号：KR1020050062736A
公开(公告)日：2005-06-27
申请号：KR1020030094409
申请日：2003-12-22
申请人： 엘지이노텍 주식회사
发明人： 김창성
IPC分类号： H01R13/02
CPC分类号： H01L23/36 , H01L23/495 , H01L25/04
摘要： 신호를 양방향으로 입력 또는 출력할 수 있는 인텔리전트 파워 모듈의 단자가 개시된다. 상기 인텔리전트 파워 모듈은 방열판, 상기 방열판에 접촉된 회로기판, 상기 회로기판의 테두리부를 감싸서 지지하며 상기 회로기판 및 상기 방열판과 일체로 결합된 프레임 및 상기 프레임의 측면에 관통ㆍ설치되되, 일단부측은 상기 프레임의 내측으로 돌출되어 상기 회로기판에 납땜되고 타단부측은 상기 프레임의 외측으로 돌출되어 전자제품의 메인회로기판과 접속되는 단자를 구비하는 인텔리전트 파워 모듈에 있어서, 상기 단자의 일단부측의 두께는 타단부측의 두께 보다 얇다. 상기 인텔리전트 파워 모듈의 단자는 회로기판측으로 돌출되는 단자의 일단부측이 길이에 비하여 그 두께가 상대적으로 얇으므로 한번의 납땜 작업으로 단자의 일단부측을 회로기판에 납땜할 수 있다.

10. 发明公开

KR1020160093267A 전력 반도체 모듈 审中-实审
标题翻译：功率半导体模块
公开(公告)号：KR1020160093267A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：KR1020150014046
申请日：2015-01-29
申请人： 삼성전기주식회사
发明人： 곽영훈 , 홍창섭 , 이영기
IPC分类号： H01L23/49 , H01L23/495 , H01L23/488 , H01L25/04
CPC分类号： H01L2224/48139 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L23/49 , H01L23/488 , H01L23/4952 , H01L25/04
摘要： 본발명은전력반도체모듈에관한것이다. 보다구체적으로, 본발명의일 실시예에따른전력반도체모듈은상면에도전층이형성되며, 상기도전층상에제1 단자가접지된제1 기판, 제1 기판상에형성되며, 제2 단자가접지된제2 기판및 제2 기판상에실장된제1 소자를포함하며, 제1 소자는와이어를통해제1 기판의도전층과전기적으로연결된다.
摘要翻译：功率半导体模块技术领域本发明涉及功率半导体模块。更具体地，根据本发明的实施例的功率半导体模块包括：第一衬底，其上表面形成有导电层，其中第一端子在导电层上接地; 形成在第一基板上并允许第二端子接地的第二基板; 以及安装在所述第二基板上的第一装置，其中所述第一装置通过导线电连接到所述第一基板的导电层。

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