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1. 发明授权

KR101204029B1 질화갈륨 단결정 후막의 제조방법 有权
标题翻译：单晶氮化镓薄膜的制备
公开(公告)号：KR101204029B1
公开(公告)日：2012-11-27
申请号：KR1020060089040
申请日：2006-09-14
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 신현민 , 공선환 , 이기수 , 최준성
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/0262
摘要： 본 발명은 수소화물 기상성장법(HVPE)을 이용한 질화갈륨(GaN) 단결정 후막(thick film), 특히 c면({0001}면) GaN 단결정 후막의 제조방법에 관한 것으로, 염화수소 및 암모니아 기체를 공급하면서 기판상에 GaN 막을 성장시켜 크랙이 유도된 기판과 GaN 막의 적층체를 얻은 후 상기 적층체 위에 GaN 후막을 성장시키는 본 발명에 따르면, 기존 GaN 후막 두께보다 2배 이상 두껍게 성장되어도 휨과 크랙이 거의 없는 GaN 후막을 경제적이고 재현성 있게 제조할 수 있으며, 이러한 방법으로 제조된 고품질의 GaN 단결정 후막은 반도체 소자용 기판으로서 매우 유용하게 사용될 수 있다.

2. 发明授权

KR101144844B1 질화갈륨 베이스 기판 및 질화갈륨 웨이퍼 제조 방법 失效
标题翻译：氮化硅基底板和氮化铝膜的制造方法
公开(公告)号：KR101144844B1
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：KR1020080010771
申请日：2008-02-01
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 신현민 , 최준성 , 이기수
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 질화갈륨을 성장시키기 위한 시드(seed) 질화갈륨 베이스 기판으로서, 상기 질화갈륨 베이스 기판은 가장자리가 결정학적 면방향으로 배향되도록 재단된 것을 특징으로 하는 질화갈륨 베이스 기판을 제공한다. 상기 질화갈륨 베이스 기판은 다각형으로 재단되어 있는 것이 바람직하며, 상기 질화갈륨 베이스 기판의 가장자리는 예를 들어, 결정학적으로 또는 으로 배향될 수 있다. 본 발명에 따르면, 크랙 발생이 방지된 고품질의 질화갈륨 벌크 단결정 웨이퍼를 제조할 수 있다.
질화갈륨, 크랙, 동종 베이스 기판, 결정학적 배향

3. 发明授权

KR101137910B1 질화갈륨 성장용 기판 및 질화갈륨 기판 제조 방법 失效
标题翻译：氮化钠水泥基底座和氮化铝水泥的制作方法
公开(公告)号：KR101137910B1
公开(公告)日：2012-05-03
申请号：KR1020070078499
申请日：2007-08-06
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 유영조 , 신현민 , 이정식
IPC分类号： H01L21/318
摘要： A base substrate for gallium nitride wafer and fabricating method for gallium nitride wafer is provided to prevent bend of the nitride gallium film due to the mechanical separation by forming the double layer structure of nitride and oxide on the base substrate. In a base substrate for gallium nitride wafer and fabricating method, a base substrate having the double layer of the nitride thin film layer and acid solubility chemical etch layer are prepared(S1). A nitride gallium film is grown up on the nitride thin film of the base substrate(S4). The chemical etch layer is etched and the base substrate and nitride gallium film are separated(S5). The nitride gallium film is grown up over 50% of the base substrate thickness. The chemical etch layer comprises selected one of the tiO2, znO, mgO, snO2, srO2, CF4, scAlMgO4, srTiO3, laAlO3, liNbO3, srRuO3, mgAl2O4 and their solid solution.

4. 发明公开

KR1020090077470A 질화갈륨 성장 반응로용 파우더 트랩 및 질화갈륨 성장반응로 失效
标题翻译：硝酸盐和反应室的反应室粉末捕捉
公开(公告)号：KR1020090077470A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：KR1020080003450
申请日：2008-01-11
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 박철민 , 최준성 , 이기수 , 유영조 , 신현민
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/448 , C23C16/18 , H01L21/20
摘要： A powder trap for a gallium nitride(GaN) growth reaction furnace and a GaN growth reaction furnace using the same are provided to improve manufacturing productivity of GaN by growing stably the GaN of high quality. A powder trap(120) for a GaN growth reaction furnace is connected with a source gas outlet of a growth reaction furnace. The growth reaction furnace grows GaN by using vapor phase epitaxy method. The powder trap for a GaN growth reaction furnace changes flow of the source gas in two or three dimensions and captures reactive by-product(180) of the source gas.
摘要翻译：提供了一种用于氮化镓（GaN）生长反应炉和使用其的GaN生长反应炉的粉末阱，以通过稳定地生长高质量的GaN来提高GaN的制造生产率。用于GaN生长反应炉的粉末捕集器（120）与生长反应炉的源气体出口连接。生长反应炉采用气相外延法生长GaN。用于GaN生长反应炉的粉末捕集器改变源气体在两个或三个维度上的流动并且捕获源气体的反应性副产物（180）。

5. 发明公开

KR1020090014500A 질화갈륨 성장용 기판 및 질화갈륨 기판 제조 방법 失效
标题翻译：氮化钠水泥基底座和氮化铝水泥的制作方法
公开(公告)号：KR1020090014500A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：KR1020070078499
申请日：2007-08-06
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 유영조 , 신현민 , 이정식
IPC分类号： H01L21/318
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/31051 , H01L21/324 , H01L2924/1033
摘要： A base substrate for gallium nitride wafer and fabricating method for gallium nitride wafer is provided to prevent bend of the nitride gallium film due to the mechanical separation by forming the double layer structure of nitride and oxide on the base substrate. In a base substrate for gallium nitride wafer and fabricating method, a base substrate having the double layer of the nitride thin film layer and acid solubility chemical etch layer are prepared(S1). A nitride gallium film is grown up on the nitride thin film of the base substrate(S4). The chemical etch layer is etched and the base substrate and nitride gallium film are separated(S5). The nitride gallium film is grown up over 50% of the base substrate thickness. The chemical etch layer comprises selected one of the tiO2, znO, mgO, snO2, srO2, CF4, scAlMgO4, srTiO3, laAlO3, liNbO3, srRuO3, mgAl2O4 and their solid solution.
摘要翻译：提供氮化镓晶片的基底和氮化镓晶片的制造方法，以通过在基底衬底上形成氮化物和氧化物的双层结构来防止由于机械分离引起的氮化镓膜的弯曲。在氮化镓晶片的基底和制造方法中，制备具有氮化物薄膜层的双层和酸溶性化学蚀刻层的基底（S1）。在基板的氮化物薄膜上生长氮化镓膜（S4）。蚀刻化学蚀刻层，分离基底衬底和氮化镓膜（S5）。氮化镓膜的长度超过基底基板厚度的50％以上。化学蚀刻层包括tiO2，znO，mgO，snO2，srO2，CF4，scAlMgO4，srTiO3，laAlO3，liNbO3，srRuO3，mgAl2O4及其固溶体中的选择的一种。

6. 发明公开

KR1020080065792A 질화갈륨 기판 및 그 제조 방법 失效
标题翻译：氮化硅基板及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080065792A
公开(公告)日：2008-07-15
申请号：KR1020070002889
申请日：2007-01-10
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 이기수 , 최준성 , 신현민 , 이주헌
IPC分类号： H01L21/20 , H01L33/02
摘要： A gallium nitride substrate is provided to reduce cracks capable of being generated in mechanical machining of a substrate by adjusting the size of a hillock formed on the surface of a gallium nitride substrate. A buffer layer(120) is formed on a base substrate(110). A gallium source and a nitrogen source are supplied to a growth furnace until the volume ratio(V/III group ratio) of the nitrogen source to the gallium source becomes a first volume ratio so that a gallium nitride layer(130) with a predetermined thickness is grown on the buffer layer. A gallium source and a nitrogen source are supplied to the growth furnace until the volume ratio of the nitrogen source to the gallium source becomes a second volume ratio higher than the first volume ratio so that a surface layer is formed on the gallium nitride layer. The process for forming the buffer layer can include the following steps. Ammonia gas is supplied to the growth furnace. Mixture gas of ammonia and hydrogen chloride is supplied to the growth furnace. Ammonia gas is supplied to the growth furnace.
摘要翻译：提供氮化镓衬底以通过调节在氮化镓衬底的表面上形成的小丘的尺寸来减少能够在机械加工衬底中产生的裂纹。缓冲层（120）形成在基底（110）上。将镓源和氮源供给到生长炉中，直到氮源与镓源的体积比（V / III组比）成为第一体积比，使得具有预定厚度的氮化镓层（130）生长在缓冲层上。将镓源和氮源供给至生长炉，直到氮源与镓源的体积比成为高于第一体积比的第二体积比，使得在氮化镓层上形成表面层。形成缓冲层的过程可以包括以下步骤。向生长炉供应氨气。将氨和氯化氢的混合气体供应至生长炉。向生长炉供应氨气。

7. 发明公开

KR1020060101585A 질화물계 반도체 단결정 기판의 제조방법 失效
标题翻译：制备单晶氮化镓半导体板的工艺
公开(公告)号：KR1020060101585A
公开(公告)日：2006-09-26
申请号：KR1020050023041
申请日：2005-03-21
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 김정돈 , 신현민 , 공선환
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/0262
摘要： 본 발명은 질화물계 반도체 단결정 기판의 제조방법에 관한 것으로서, 수소화물 기상증착법(HVPE)에 의해 질소원과 3족 원소원을 공급하여 기재 상에 질화물계 반도체 단결정 기판을 성장시킴에 있어서, 1) 상기 단결정 기판의 성장 두께가 0.1∼30㎛에 도달할 때까지 [N/3족 원소 비](R)를 15

8. 发明公开

KR1020060074754A 질화갈륨 단결정 후막의 제조 방법 失效
标题翻译：单晶氮化镓薄膜的制备
公开(公告)号：KR1020060074754A
公开(公告)日：2006-07-03
申请号：KR1020040113872
申请日：2004-12-28
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 한주헌 , 김정돈 , 신현민
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0254 , H01L21/02598
摘要： 본 발명은 수소화물 기상증착법(HVPE)을 이용한 질화갈륨 단결정 후막의 제조 방법에 관한 것으로, 5족의 질소원과 3족의 갈륨원을 8:1 내지 20:1의 부피비로 1차 공급하여 GaN을 수직성장시킨 다음 상기 부피비를 1:1 내지 5:1로 변경하여 2차 공급함으로써 GaN을 측면성장시키는 본 발명에 따르면, 전위결함밀도 및 크랙발생이 감소하여 성장두께가 충분하고 결정성이 양호한 질화갈륨 단결정 후막을 제조할 수 있으며, 또한 이러한 질화갈륨 후막은 반도체 소자용 기판으로서 매우 유용하게 사용될 수 있다.

9. 发明授权

KR101072433B1 질화물계 반도체 단결정 기판의 제조방법 失效
标题翻译：制备单晶氮化镓半导体板的工艺
公开(公告)号：KR101072433B1
公开(公告)日：2011-10-11
申请号：KR1020050023041
申请日：2005-03-21
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 김정돈 , 신현민 , 공선환
IPC分类号： H01L21/20
摘要： 본발명은질화물계반도체단결정기판의제조방법에관한것으로서, 수소화물기상증착법(HVPE)에의해질소원과 3족원소원을공급하여기재상에질화물계반도체단결정기판을성장시킴에있어서, 1) 상기단결정기판의성장두께가 0.1∼30㎛에도달할때까지 [N/3족원소비](R)를 15

10. 发明公开

KR1020090077469A 질화갈륨 성장 반응로 및 질화갈륨 성장 방법 失效
标题翻译：氮化铝反应室和硝酸镁的制备方法
公开(公告)号：KR1020090077469A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：KR1020080003449
申请日：2008-01-11
申请人： 코닝정밀소재 주식회사
发明人： 최준성 , 신현민
IPC分类号： H01L21/20
摘要： A gallium nitride(GaN) growth reaction furnace and a method for growing gallium nitride are provided to prevent poly-crystal GaN from being evaporated at inner wall of a reaction furnace during GaN growth. A gaseous shower block(310) is formed on a GaN growth reaction furnace. The gaseous shower block generates gas flow along the inner wall of the reaction furnace. A gaseous shower block feeding unit is installed at an inlet of the reaction furnace. The gas volume of gaseous shower block has at least 25 % or greater in comparison to reactive gas amount.
摘要翻译：提供了氮化镓（GaN）生长反应炉和用于生长氮化镓的方法，以防止在GaN生长期间多晶GaN在反应炉的内壁被蒸发。在GaN生长反应炉上形成气体喷淋块（310）。气体喷淋块沿着反应炉的内壁产生气流。在反应炉的入口处安装有气体淋浴块供料单元。与反应气体量相比，气体淋浴器的气体体积至少为25％以上。

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