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1. 发明授权

KR101518905B1 쇼트키 배리어 다이오드 및 그 제조 방법 有权
标题翻译： SHOTTKY BARRIER二极管及其制造方法
公开(公告)号：KR101518905B1
公开(公告)日：2015-05-11
申请号：KR1020130167807
申请日：2013-12-30
申请人： 현대자동차주식회사
发明人： 천대환 , 홍경국 , 이종석 , 박정희 , 정영균
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/872 , H01L21/046 , H01L21/0495 , H01L29/0623 , H01L29/1608 , H01L29/6606
摘要： 본발명의한 실시예에따른쇼트키배리어다이오드는 n+ 형탄화규소기판의제1면에위치하는 n- 형에피층, n- 형에피층내에위치하는제1 p+ 영역, n- 형에피층및 제1 p+ 영역위에위치하는 n형에피층, n형에피층내에위치하는제2 p+ 영역, n형에피층및 제2 p+ 영역위에위치하는쇼트키금속, 그리고 n+ 형탄화규소기판의제2면에위치하는오믹금속을포함하고, 제1 p+ 영역과제2 p+ 영역은서로접촉되어있다.
摘要翻译：根据本发明的肖特基势垒二极管包括位于n +型碳化硅的第一表面上的n-型外延层，位于n-外延层中的n-型外延层，位于n +型碳化硅中的第一p +区位于第一p +区上的类型epi层，n型外延层和n型外延层，位于n型外延层中的第二p +区，位于n型外延层上的肖特基金属和第二p +区和位于n +碳化硅衬底的第二表面上的欧姆金属。第一个p +区域触及第二个p +区域。

2. 发明公开

KR1020130056844A 탄화규소 반도체 장치 및 그 제조 방법 无效
标题翻译：硅碳化硅半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020130056844A
公开(公告)日：2013-05-30
申请号：KR1020127004910
申请日：2010-04-14
申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
发明人： 다마소히데토
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/338 , H01L21/28
CPC分类号： H01L21/02529 , H01L21/046 , H01L21/0485 , H01L21/0495 , H01L21/283 , H01L29/063 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/6606 , H01L29/66068 , H01L29/808 , H01L29/861
摘要： 쇼트키 접촉을 발생시키지 않고, 탄소의 석출을 억제함으로써 배선의 밀착성을 향상시킨 오믹 전극을 갖는 탄화규소 반도체 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. SiC 반도체 장치에서 오믹 전극을 형성할 때에, SiC층(11)의 한쪽 주표면상에는, 1종의 제1 금속 원소를 포함하는, 제1 금속층(12)을 형성한다. 또한 제1 금속층의, SiC층(11)과 대향하는 표면과는 반대측의 표면상에, Si를 포함하는 Si층(13)을 형성한다. 이와 같이 하여 형성한 적층 구조(10A)에 대하여 열처리를 행한다. 이상에 의해, 전극의 표면층에의 탄소원자의 석출이나, Si와 SiC에 의한 쇼트키 접촉의 형성이 억제된, 배선과의 양호한 밀착성을 나타내는 오믹 전극을 갖는 탄화규소 반도체 장치를 얻을 수 있다.

3. 发明授权

KR101234980B1 캐패시턴스 및 스위칭 손실을 감소시키기 위한 쇼트키다이오드 구조 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：肖特基二极体结构减少电容和切换损耗及其制造方法
公开(公告)号：KR101234980B1
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：KR1020077003594
申请日：2005-07-14
申请人： 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션
发明人： 쉐노이,프라빈엠.
IPC分类号： H01L27/095
CPC分类号： H01L21/0495 , H01L29/0615 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/872
摘要： 기판 및 2 개 이상의 에피택셜층을 갖고, 얇고 저도핑된 N-형 최상단 에피택셜층과 N-형 에피택셜층 상에 증착되는 최상위 에피택셜층을 적어도 포함하는 SiC 쇼트키 장벽 다이오드(SBD)가 제공된다. 다중 에피택셜층은 다이오드의 차단전압을 지원하고, 다중 에피택셜층 각각은 차단전압의 실질적인 부분을 지원한다. 적어도 2 개의 최상단 에피택셜층의 두께 및 도펀트농도를 최적화함으로써, 순방향전압과 온 저항에 대한 영향을 낮게 유지하면서, 캐패시턴스 및 스위칭 손실을 감소시킨다. 대안적으로, SBD는 최상단 영역의 낮은 도펀트농도부터 하부의 높은 도펀트 영역까지 도핑이 변하게 되는, 연속적으로 등급화된 N-형 도핑 영역을 포함한다.
기판, 에피택셜층, 쇼트키 장벽 다이오드, 차단전압, 도펀트농도, SBD

4. 发明公开

KR1020110086714A 반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体器件和半导体器件制造方法
公开(公告)号：KR1020110086714A
公开(公告)日：2011-07-29
申请号：KR1020117012042
申请日：2009-10-23
申请人： 쇼와 덴코 가부시키가이샤
发明人： 스가이아끼히꼬
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/47
CPC分类号： H01L29/872 , H01L21/0465 , H01L21/0475 , H01L21/0495 , H01L29/1608 , H01L29/45 , H01L29/47 , H01L29/6606
摘要： 전계 집중이 발생하기 어렵고 누설 전류를 억제할 수 있고, PN 접합 영역에서의 무효 영역을 작게 할 수 있어, 쇼트키 접합 영역의 면적을 충분히 확보할 수 있고, 효율적으로 용이하게 제조할 수 있는 고성능의 반도체 장치가 제공된다. 그러한 반도체 장치는 SiC로 이루어지는 제1 도전형의 반도체 기판(1)의 한쪽 면에 PN 접합 영역(7a)과, 쇼트키 접합 영역(7b)이 형성되고, PN 접합 영역(7a)에는 반도체 기판(1) 상에 형성된 제2 도전형 층(2)을 포함하는 단면에서 보아 사다리꼴 형상의 볼록 형상부(2a)와, 볼록 형상부(2a)의 제2 도전형 층(2) 상에 오믹 접촉된 콘택트층(3)이 구비되고, 쇼트키 전극(4)이 볼록 형상부(2a)의 측면과 콘택트층(3)을 덮어, PN 접합 영역(7a) 및 쇼트키 접합 영역(7b)에 연속해서 설치되어 있는 반도체 장치로 한다.

5. 发明授权

KR101786668B1 반도체 소자 및 그 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101786668B1
公开(公告)日：2017-10-18
申请号：KR1020150178098
申请日：2015-12-14
申请人： 현대자동차주식회사
发明人： 천대환 , 정영균 , 주낙용 , 박정희 , 이종석
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L29/66 , H01L21/265 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7806 , H01L21/047 , H01L21/0495 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/7813
摘要： 본발명의일 실시예에따른반도체소자는 n+ 형탄화규소기판의제1면에위치하는 n- 형에피층, 상기 n- 형에피층에위치하며서로이격되어있는제1 트렌치및 제2 트렌치, 상기제1 트렌치의측면및 코너를감싸는 p형영역, 상기 p형영역과상기제1 트렌치및 상기제2 트렌치사이의상기 n- 형에피층위에위치하는 n+ 영역, 상기제2 트렌치내에위치하는게이트절연막, 상기게이트절연막위에위치하는게이트전극, 상기게이트전극위에위치하는산화막, 상기산화막위, 상기 n+ 영역위 및상기제1 트렌치내에위치하는소스전극, 그리고상기 n+ 형탄화규소기판의제2면에위치하는드레인전극을포함하고, 상기소스전극은상기제1 트렌치의하부에위치하는상기 n- 형에피층과접촉한다.

6. 发明授权

KR101698357B1 탄화 규소 반도체장치 有权
标题翻译：硅碳化硅半导体器件
公开(公告)号：KR101698357B1
公开(公告)日：2017-01-20
申请号：KR1020150048136
申请日：2015-04-06
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 타도코로치히로 , 타루이요이치로 , 오쿠노코지
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/24 , H01L29/16
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/0495 , H01L29/0611 , H01L29/0619 , H01L29/401 , H01L29/402 , H01L29/47 , H01L29/6606 , H01L29/872
摘要： 스위칭시에발생하는전계집중을완화할수 있는탄화규소반도체장치를제공한다. 제1 도전형의탄화규소반도체층(1b)과, 탄화규소반도체층(1b)의표면위에형성된필드절연막(3)과, 탄화규소반도체층(1b)의표면위에필드절연막(3)보다도내주측에형성되는동시에필드절연막(3)에올라타형성된쇼트키전극(4)과, 쇼트키전극(4)을덮고쇼트키전극(4)의외주끝을넘어서필드절연막(3) 위로뻗는표면전극(5)과, 탄화규소반도체층(1b) 내부의상부에있어서쇼트키전극(4)의일부와접해서형성되고탄화규소반도체층(1b) 내부에있어서표면전극(5)의외주끝보다도외주측으로뻗는제2 도전형의종단웰 영역(2)을구비하고, 표면전극(5)의외주끝은종단웰 영역(2)의외주끝보다도 15㎛이상내측에존재하는탄화규소반도체장치(100)로한다.
摘要翻译：碳化硅半导体器件包括：第一导电类型的碳化硅半导体层; 形成在所述碳化硅半导体层的表面上的场绝缘膜; 形成在相对于场绝缘膜的内周侧的碳化硅半导体层的表面上的肖特基电极，肖特基电极形成为与场绝缘膜重叠; 覆盖所述肖特基电极并在所述场绝缘膜上延伸超过所述肖特基电极的外围边缘的前表面电极; 以及第二导电类型的端子阱区，其形成为与碳化硅半导体层的上部中的肖特基电极的一部分接触，并且相对于碳化硅半导体层的外周侧在碳化硅半导体层中延伸前表面电极的外围边缘。

7. 发明授权

KR101375494B1 에피택셜 웨이퍼 및 반도체 소자 有权
标题翻译：外延波形和半导体元件
公开(公告)号：KR101375494B1
公开(公告)日：2014-03-17
申请号：KR1020127017512
申请日：2010-12-27
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 오츠카겐이치 , 구로다겐이치 , 와타나베히로시 , 유타니나오키 , 스미타니히로아키
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/42
CPC分类号： H01L29/66068 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02496 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0495 , H01L29/107 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/7802 , H01L29/7827 , H01L29/872
摘要： 에피택셜 성장층의 결정 품질을 향상시킬 수 있고, 두꺼운 막의 에피택셜 성장층을 형성하는 경우에 있어서도 캐리어 이동도의 저하가 생기지 않고, 소자 저항이 낮은 탄화규소 에피택셜 웨이퍼 및 탄화규소 반도체 소자를 제공한다. 해결수단 탄화규소 반도체 소자(101)는, 질소와 같은 도핑에 의해 격자 상수가 감소하는 도펀트를 농도 C로 도핑한 n형 탄화규소 기판(1)과, 탄화규소 기판(1)과 동일한 도펀트를 탄화규소 기판보다도 작은 농도로 도핑한 n형 탄화규소 에피택셜 성장층(3)과, 탄화규소 기판(1)과 탄화규소 에피택셜층(3)의 사이에, 상기 도펀트를 도핑한 n형 버퍼층을 갖고 있다. 버퍼층(2)은, 동일한 두께의 층을 2층 이상 적층한 다층 구조로 형성되고, 다층 구조의 층수 N에 대해서, 탄화규소 에피택셜층(3)측으로부터 K번째의 층의 도핑 농도가 C·K/(N+1)로 되도록 구성했다.

8. 发明授权

KR101327657B1 탄화 규소 쇼트키 다이오드의 제조 방법 有权
标题翻译：制造碳化硅肖特基二极管的方法
公开(公告)号：KR101327657B1
公开(公告)日：2013-11-12
申请号：KR1020117024045
申请日：2009-09-01
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 마츠노요시노리 , 오츠카겐이치 , 유타니나오키 , 구로다겐이치 , 와타나베히로시 , 시카마쇼조
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/47
CPC分类号： H01L21/046 , H01L21/0495 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/872
摘要： 희생 산화막의 제거에 요하는 시간을 단축할 수 있고, 또한 탄화 규소층의 표면에의 손상을 저감할 수 있는 탄화 규소 쇼트키 다이오드의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 이 탄화 규소 쇼트키 다이오드의 제조 방법은, (a) (0001) 실리콘면 또는 (000-1) 카본면을 갖는 탄화 규소층에 이온 주입하는 공정과, (b) 이온 주입된 탄화 규소층(2)을 활성화 어닐링하는 공정과, (c) 활성화 어닐링된 탄화 규소층(2)의 표층을 드라이 에칭에 의해 제거하는 공정과, (d) 드라이 에칭 후의 탄화 규소층의 표층에 희생 산화를 실시하여 희생 산화막을 형성하는 공정과, (e) 상기 희생 산화막을 웨트 에칭에 의해 제거하는 공정을 구비한 것이다.

9. 发明公开

KR1020130031182A 탄화규소 기판, 에피택셜층을 갖는 기판, 반도체 장치 및 탄화규소 기판의 제조 방법 无效
标题翻译：硅碳化硅基板，外延层基板，半导体器件及制造碳化硅基板的方法
公开(公告)号：KR1020130031182A
公开(公告)日：2013-03-28
申请号：KR1020117030353
申请日：2011-02-21
申请人： 스미토모덴키고교가부시키가이샤
发明人： 시오미히로무 , 다마소히데토 , 하라다신 , 츠노다카시 , 나미카와야스오
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/02378 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L21/02664 , H01L21/046 , H01L21/0495 , H01L29/04 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/66068
摘要： 본 발명은, 온 저항의 저감을 도모하는 것이 가능한 탄화규소 기판, 에피택셜층을 갖는 기판, 반도체 장치 및 탄화규소 기판의 제조 방법을 제공한다. 탄화규소 기판(10)은, 주표면을 갖는 탄화규소 기판(10)으로서, 주표면의 적어도 일부에 형성된 SiC 단결정 기판(1)과, SiC 단결정 기판(1)의 주위를 둘러싸도록 배치된 베이스 부재(20)를 포함한다. 베이스 부재(20)는, 경계 영역(11)과 하지 영역(12)을 포함한다. 경계 영역(11)은, 주표면을 따른 방향에서 SiC 단결정 기판(1)에 인접하고, 내부에 결정립계를 갖는다. 하지 영역(12)은, 주표면에 대하여 수직인 방향에서 SiC 단결정 기판(1)에 인접하고, SiC 단결정 기판(1)에서의 불순물 농도보다 높은 불순물 농도를 갖는다.

10. 发明公开

KR1020120099762A 에피택셜 웨이퍼 및 반도체 소자 有权
标题翻译：外延波形和半导体元件
公开(公告)号：KR1020120099762A
公开(公告)日：2012-09-11
申请号：KR1020127017512
申请日：2010-12-27
申请人： 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
发明人： 오츠카겐이치 , 구로다겐이치 , 와타나베히로시 , 유타니나오키 , 스미타니히로아키
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/205 , C23C16/42
CPC分类号： H01L29/66068 , C30B23/02 , C30B25/02 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02447 , H01L21/02496 , H01L21/02529 , H01L21/02576 , H01L21/0495 , H01L29/107 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/7802 , H01L29/7827 , H01L29/872
摘要： 에피택셜 성장층의 결정 품질을 향상시킬 수 있고, 두꺼운 막의 에피택셜 성장층을 형성하는 경우에 있어서도 캐리어 이동도의 저하가 생기지 않고, 소자 저항이 낮은 탄화규소 에피택셜 웨이퍼 및 탄화규소 반도체 소자를 제공한다. 해결수단 탄화규소 반도체 소자(101)는, 질소와 같은 도핑에 의해 격자 상수가 감소하는 도펀트를 농도 C로 도핑한 n형 탄화규소 기판(1)과, 탄화규소 기판(1)과 동일한 도펀트를 탄화규소 기판보다도 작은 농도로 도핑한 n형 탄화규소 에피택셜 성장층(3)과, 탄화규소 기판(1)과 탄화규소 에피택셜층(3)의 사이에, 상기 도펀트를 도핑한 n형 버퍼층을 갖고 있다. 버퍼층(2)은, 동일한 두께의 층을 2층 이상 적층한 다층 구조로 형성되고, 다층 구조의 층수 N에 대해서, 탄화규소 에피택셜층(3)측으로부터 K번째의 층의 도핑 농도가 C?K/(N+1)로 되도록 구성했다.

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