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1. 发明授权

KR101234980B1 캐패시턴스 및 스위칭 손실을 감소시키기 위한 쇼트키다이오드 구조 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：肖特基二极体结构减少电容和切换损耗及其制造方法
公开(公告)号：KR101234980B1
公开(公告)日：2013-02-20
申请号：KR1020077003594
申请日：2005-07-14
申请人： 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션
发明人： 쉐노이,프라빈엠.
IPC分类号： H01L27/095
CPC分类号： H01L21/0495 , H01L29/0615 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/872
摘要： 기판 및 2 개 이상의 에피택셜층을 갖고, 얇고 저도핑된 N-형 최상단 에피택셜층과 N-형 에피택셜층 상에 증착되는 최상위 에피택셜층을 적어도 포함하는 SiC 쇼트키 장벽 다이오드(SBD)가 제공된다. 다중 에피택셜층은 다이오드의 차단전압을 지원하고, 다중 에피택셜층 각각은 차단전압의 실질적인 부분을 지원한다. 적어도 2 개의 최상단 에피택셜층의 두께 및 도펀트농도를 최적화함으로써, 순방향전압과 온 저항에 대한 영향을 낮게 유지하면서, 캐패시턴스 및 스위칭 손실을 감소시킨다. 대안적으로, SBD는 최상단 영역의 낮은 도펀트농도부터 하부의 높은 도펀트 영역까지 도핑이 변하게 되는, 연속적으로 등급화된 N-형 도핑 영역을 포함한다.
기판, 에피택셜층, 쇼트키 장벽 다이오드, 차단전압, 도펀트농도, SBD

2. 发明公开

KR1020070035078A 캐패시턴스 및 스위칭 손실을 감소시키기 위한 쇼트키다이오드 구조 및 그 제조 방법 有权
标题翻译：用于降低电容和开关损耗的肖特基二极管结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020070035078A
公开(公告)日：2007-03-29
申请号：KR1020077003594
申请日：2005-07-14
申请人： 페어차일드 세미컨덕터 코포레이션
发明人： 쉐노이,프라빈엠.
IPC分类号： H01L27/095
CPC分类号： H01L21/0495 , H01L29/0615 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/872
摘要： 기판 및 2 개 이상의 에피택셜층을 갖고, 얇고 저도핑된 N-형 최상단 에피택셜층과 N-형 에피택셜층 상에 증착되는 최상위 에피택셜층을 적어도 포함하는 SiC 쇼트키 장벽 다이오드(SBD)가 제공된다. 다중 에피택셜층은 다이오드의 차단전압을 지원하고, 다중 에피택셜층 각각은 차단전압의 실질적인 부분을 지원한다. 적어도 2 개의 최상단 에피택셜층의 두께 및 도펀트농도를 최적화함으로써, 순방향전압과 온 저항에 대한 영향을 낮게 유지하면서, 캐패시턴스 및 스위칭 손실을 감소시킨다. 대안적으로, SBD는 최상단 영역의 낮은 도펀트농도부터 하부의 높은 도펀트 영역까지 도핑이 변하게 되는, 연속적으로 등급화된 N-형 도핑 영역을 포함한다.
기판, 에피택셜층, 쇼트키 장벽 다이오드, 차단전압, 도펀트농도, SBD
摘要翻译：它有一个基底和至少两个外延层，薄且平我是顶N-型外延层和N-型SiC肖特基至少包括沉积在外延层垒二极管的顶部外延层（SBD）它提供。多个外延层支持二极管的阻断电压，并且多个外延层中的每一个支持阻塞电压的大部分。通过优化至少两个顶端外延层的厚度和掺杂浓度，电容和开关损耗减小，而对正向电压和导通电阻的影响保持较低。可替代地，SBD包括掺杂，随后，从低变化到顶部区域的N-型掺杂区的下部屏幕的掺杂区的高掺杂浓度率。

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