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1. 发明公开

KR1020170026599A 선택적인 증착을 위한 방법 및 장치 审中-实审
标题翻译：选择性沉积的方法和装置
公开(公告)号：KR1020170026599A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：KR1020177003027
申请日：2015-06-08
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 이예,엘리와이. , 네마니,스리니바스디. , 고뎃,루도빅 , 팬,인 , 마,트리스탠
IPC分类号： H01L29/66 , H01L21/02 , H01L21/223 , H01L21/265 , H01L21/266 , C23C16/02 , C23C16/04 , C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： H01L29/66803 , C23C16/0227 , C23C16/04 , C23C16/455 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , H01J37/32403 , H01J37/32422 , H01J37/32623 , H01L21/02057 , H01L21/0228 , H01L21/02296 , H01L21/02315 , H01L21/02334 , H01L21/0262 , H01L21/2236 , H01L21/26513 , H01L21/266 , H01L21/205
摘要： 핀전계효과트랜지스터들(FinFET들)을위해, 선택적인증착프로세스를사용하여, 핀구조의상이한위치들상에형성된원하는재료들을갖는핀 구조들을형성하기위한방법들이제공된다. 일실시예에서, 기판상에원하는재료들을갖는구조를형성하는방법은, 3D 구조의제 1 구역을도핑하기위해주입프로세스를수행하면서, 기판상에형성된 3차원(3D) 구조를갖는기판상에제 1 재료를증착하는단계를포함한다. 제 1 재료가제거될수 있고, 제 2 재료가 3D 구조상에증착될수 있다. 제 2 재료는 3D 구조의제 2 구역상에선택적으로성장될수 있다.
摘要翻译：提供了使用鳍式场效应晶体管（FinFET）的选择性沉积工艺在翅片结构的不同位置形成所需材料的翅片结构的方法。在一个实施例中，在衬底上形成具有期望材料的结构的方法包括在执行植入工艺以掺杂3D结构的第一区域的同时，在其上形成有三维（3D）结构的衬底上沉积第一材料。可以去除第一材料并且可以将第二材料沉积在3D结构上。第二材料可以选择性地在3D结构的第二区域上生长。

2. 发明公开

KR1020160076982A 개선된 실리콘 부동태화 성질을 지니는 반-수성 포토레지스트 또는 반도체 제조 잔류물 스트리핑 및 클리닝 조성물 审中-实审
标题翻译：半导体光电子器件或半导体制造残渣剥离和清洁组合物与改进的硅钝化
公开(公告)号：KR1020160076982A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：KR1020150182944
申请日：2015-12-21
申请人： 버슘머트리얼즈 유에스, 엘엘씨
发明人： 아가르왈,라지브크리샨 , 브라운,마크리차드 , 우,에이핑 , 레니,데이비드배리 , 리,이-치아 , 패리스,진에버라드
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/311 , G02F1/13
CPC分类号： G03F7/425 , C11D7/261 , C11D7/265 , C11D7/267 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/3281 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/426 , H01L21/02057 , H01L21/02334
摘要： 본원에서는물, 하나이상의알칼리성화합물, 하나이상의부식억제제, 및하나이상의산화억제제중의하나이상의산화된생성물을포함하는포토레지스트또는반도체제조잔류물스트리핑및 클리닝조성물, 그러한조성물을제조하는방법및 그러한조성물을사용하는방법이개시된다.
摘要翻译：公开了一种光致抗蚀剂或半导体制造残渣剥离和清洁组合物，其包括一种或多种来自水的氧化物产物，一种或多种碱性化合物，一种或多种腐蚀抑制剂和一种或多种氧化抑制剂; 制造组合物的方法; 以及使用该组合物的方法。剥离和清洁组合物去除或基本上减少了缺点或缺点。

3. 发明授权

KR101603265B1 다공성 유기실리케이트 막을 형성시키는 방법 有权
标题翻译：一种形成多孔有机硅膜的方法
公开(公告)号：KR101603265B1
公开(公告)日：2016-03-14
申请号：KR1020130100066
申请日：2013-08-23
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 우,아핑 , 웨이글,스코트제프리 , 브레이머,토마스알버트
IPC分类号： H01B3/08 , C01B33/12
CPC分类号： B32B5/18 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02334 , H01L21/02337 , H01L21/02345 , H01L21/3105 , H01L21/31604 , H01L21/31695 , Y10T428/24479 , Y10T428/24496
摘要： 본발명은 OSG 막을화학물질, 예컨대, 제한되는것은아니지만, 산화제로처리하거나, OSG 막을자외선광을포함하는에너지원에노출시키거나, OSG 막을화학물질로처리하고 OSG 막을에너지원에노출시켜유기실리케이트(OSG) 막내부의일부또는전부의탄소-함유종을제거하는방법에관한것이다.

4. 实用新型

KR2020100004032U 기판 표면 마그네틱 이물질 제거장치 有权
标题翻译：外部材料去除装置
公开(公告)号：KR2020100004032U
公开(公告)日：2010-04-16
申请号：KR2020080013457
申请日：2008-10-08
申请人： 서헌교
发明人： 서헌교
IPC分类号： G02F1/13 , H01L21/304
CPC分类号： G02F1/1303 , H01L21/02334
摘要： 본 고안은 각종 기판자재 특히, 청정룸 내에서의 글래스와 같은 기판에 부착된 금속이물질을 제거하기 위한 기판 표면 마그네틱 이물질 제거장치에 관한 것으로서, 본 고안은 마그네트를 이용한 마그네틱 바아를 채용함에 있어, 이물질 제거를 위한 장소나 승강장치에 후면이 고정되는 복수의 브라켓과, 이 브라켓의 하면에 체결부재를 매개로 결합되는 체결블록 내에 Nd(네오디늄)등 강자성체로 이루어진 단면이 사각형인 마그네틱 바아로 이루어지고, 상기 체결블록은 상기 마그네틱 바아의 적어도 2개의 측면을 커버하되, 상기 마그네틱 바아의 상측면에 대응하는 체결블록의 상부 내측면에는 길이방향을 따라 오목 형성된 방열구가 일체로 형성된 것을 특징으로 하여, 마그네틱 바아와 방열구를 갖는 체결블록 이용한 이물질 제거장치에 의하면, 방열구를 갖는 체결블록이 그 내부의 자성체를 감싸고 있어, 마그네틱 바아를 외부 충격으로부터 보호함과 동시에 고온의 기판으로부터 흡열된 상승열을 방열작동시키는 작용상의 효과로 인해, 마그네틱 바아에 니켈, 티타늄(Titanium), 금, 은 등을 선택적으로 도금하거나 내성이 강한 합성수지 등을 코팅하더라도 수명이 거의 반영구적으로 할 수 있는 효과가 있다.
마그네틱 바아, 체결블록, 방열구, 브라켓

5. 发明授权

KR101790449B1 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 有权
标题翻译：基板处理装置及基板处理方法
公开(公告)号：KR101790449B1
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：KR1020160112697
申请日：2016-09-01
申请人： 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
发明人： 고바야시겐지
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/67051 , B08B3/10 , H01L21/02203 , H01L21/02334
摘要： 표층에다공성막이형성되어있는기판을, 손상을억제하면서, 충분히세정할수 있는기술을제공한다. 다공성구조를갖는다공성막(90)이표층에형성되어있는기판(9)을처리하는기판처리방법은, 다음의 a) 공정및 b) 공정을구비한다. a) 공정은, 물을함유하는제1 처리액과기체를혼합하여제1 처리액의액적을생성하고, 제1 처리액의액적을, 다공성막(90)을향해서분사하는공정이다. 또한, b) 공정은, a) 공정의후에, 제1 처리액보다도휘발성이높은유기용제인제2 처리액과기체를혼합하여제2 처리액의액적을생성하고, 제2 처리액의액적을, 다공성막(90)을향해서분사하는공정이다.
摘要翻译：本发明提供一种能够在抑制损伤的同时充分清洁在其表面层上形成有多孔膜的基板的技术。一种用于处理具有其中在表面层上形成多孔膜90的多孔结构的基板9的基板处理方法，包括以下步骤a）和b）。工序a）是通过混合含有水和气体的第一处理液，将第一处理液的液滴和第一处理液的液滴向多孔膜90混合的工序。步骤（b）还可以包括：在步骤（a）之后，将具有比第一处理液更高挥发性的含有机溶剂的磷-2处理液与气体混合以产生第二处理液的液滴，到多孔膜（90）。

6. 发明公开

KR1020160093570A 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 장치 및 프로그램 有权
标题翻译：制造半导体器件的方法，基板处理装置和程序
公开(公告)号：KR1020160093570A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：KR1020160011472
申请日：2016-01-29
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 야마모토,류지 , 히로세,요시로 , 시마모토,사토시
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/54
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/401 , C23C16/4412 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , C23C16/45534 , C23C16/45546 , C23C16/45553 , C23C16/45557 , H01L21/02126 , H01L21/0214 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02334
摘要： 성막처리의생산성이나조성비의제어성을향상시킨다. 처리실내의기판에대하여제1 원소와탄소와의화학결합을포함하는원료가스와제1 촉매가스를공급하여, 제1층을형성하는공정과, 처리실내의원료가스와제1 촉매가스를배기계로부터배기하는공정과, 처리실내의기판에대하여제2 원소를포함하는반응가스와제2 촉매가스를공급하여, 제1층을개질하여, 제2층을형성하는공정과, 처리실내의반응가스와제2 촉매가스를배기계로부터배기하는공정을비동시로행하는사이클을소정횟수행함으로써, 기판상에, 제1 원소, 제2 원소및 탄소를포함하는막을형성하는공정을갖고, 사이클을소정횟수행할때의적어도특정한사이클에서는, 제1층을형성하는공정및 제2층을형성하는공정중 적어도어느하나의공정에서, 배기계를폐색한상태에서각 가스를처리실내에공급해서봉입한다.
摘要翻译：公开了一种制造半导体器件的方法，其能够提高成膜工艺的生产率和成膜的组成比的可控性。该方法包括：通过在处理室中将包含第一元素和碳和第一催化剂气体的化学键的原料气体提供给基底来形成第一层; 从排气系统排出处理室中的原料气体和第一催化剂气体; 通过向所述基板供给包括第二元素和第二催化剂气体的反应气体来形成第二层，以修饰所述第一层; 并从处理室中排出反应气体和第二催化剂气体。上述方法通过几次循环不同时进行，使得在基板上形成包括第一元素，第二元素和碳的层。至少在执行循环几次的特定循环中，在形成第一层的过程和形成第二层的过程中的至少一个中，相应的气体被供应并限制在处理室中，同时关闭排气系统。

7. 发明公开

KR1020150020668A 반도체 장치 및 그의 제조 방법, 및 린스액 有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法和冲洗流体
公开(公告)号：KR1020150020668A
公开(公告)日：2015-02-26
申请号：KR1020157000349
申请日：2013-07-12
申请人： 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤
发明人： 오노쇼코 , 가야바야스히사 , 다나카히로후미 , 고무라가즈오 , 스즈키츠네지
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/02
CPC分类号： H01L23/293 , C08G73/0206 , C09D179/02 , C09K13/00 , H01L21/02063 , H01L21/02093 , H01L21/02118 , H01L21/02164 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/02334 , H01L21/02343 , H01L21/02362 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/31133 , H01L21/56 , H01L21/76831 , H01L23/3185 , H01L23/53228 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명에서는, 오목부를 갖는 층간 절연층과, 오목부의 저면의 적어도 일부에 적어도 일부가 노출되는 구리를 포함하는 배선을 구비한 반도체 기판에, 양이온성 작용기를 갖고 중량 평균 분자량이 2000∼1000000인 폴리머를 함유하고 Na 및 K의 함유량이 원소 기준으로 10질량ppb 이하인 반도체용 시일 조성물을 부여하여, 적어도 오목부의 저면 및 측면에 시일층을 형성하는 공정과, 반도체 기판의 시일층이 형성된 측의 면을, 온도 200℃ 이상 425℃ 이하의 조건에서 열처리하여, 배선의 노출면 상에 형성된 시일층의 적어도 일부를 제거하는 공정을 갖는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
摘要翻译：本发明提供一种制造半导体器件的方法。该方法包括：向半导体衬底施加半导体用密封组合物的工序，至少在凹部的底面和侧面形成半导体用密封层，所述密封组合物含有具有阳离子官能团，重均分子量为2,000〜1,000,000，半导体用密封组合物中的钠含量和钾含量分别为10质量ppm以下，半导体衬底为设置有具有所述凹部的层间绝缘层和至少一部分在所述凹部的底面的至少一部分露出的含铜布线; 以及在200℃〜425℃的温度条件下对半导体基板的形成有密封层的一侧的表面进行热处理的工序，除去至少一部分密封层，已经形成在布线的暴露面上。

8. 发明公开

KR1020130029123A 반도체 장치의 제조 방법 및 린스액 有权
标题翻译：半导体器件生产方法和工艺
公开(公告)号：KR1020130029123A
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：KR1020137004092
申请日：2011-09-08
申请人： 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤
发明人： 오노쇼코 , 고무라가즈오 , 다나카히로후미
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/312
CPC分类号： H01L21/02334 , C09K3/1006 , C09K2200/0645 , H01L21/02063 , H01L21/02087 , H01L21/0209 , H01L21/02203 , H01L21/3105 , H01L21/76826 , H01L21/76831 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은, 반도체 기판의 표면의 적어도 일부에, 양이온성 작용기를 갖는 중량 평균 분자량 2000～600000의 수지를 함유하고, 나트륨 및 칼륨의 함유량이 각각 원소 기준으로 10질량ppb 이하인 반도체용 실링 조성물을 부여하여, 반도체용 실링층을 형성하는 실링 조성물 부여 공정과, 반도체 기판의 상기 반도체용 실링층이 형성된 면을, 25℃에서의 pH가 6 이하인 린스액으로 세정하는 세정 공정을 이 순서로 포함하는, 반도체 장치의 제조 방법; 및 당해 제조 방법에 사용되는 린스액을 제공한다.

9. 发明公开

KR1020120101309A 다공성 유기실리케이트 막을 형성시키는 방법 有权
标题翻译：一种形成多孔有机硅膜的方法
公开(公告)号：KR1020120101309A
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：KR1020120080683
申请日：2012-07-24
申请人： 에어 프로덕츠 앤드 케미칼스, 인코오포레이티드
发明人： 우,아핑 , 웨이글,스코트제프리 , 브레이머,토마스알버트
IPC分类号： H01B3/08 , C01B33/12
CPC分类号： B32B5/18 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02274 , H01L21/02334 , H01L21/02337 , H01L21/02345 , H01L21/3105 , H01L21/31604 , H01L21/31695 , Y10T428/24479 , Y10T428/24496 , B82Y40/00 , C01B33/12 , H01B3/08
摘要： PURPOSE: A forming method of a porous organosilicate film is provided to remove a part or whole part of carbon-containing groups inside a porous organosilicate film, and to improve strength of a film without influencing reverse effects to a dielectric constant of the film. CONSTITUTION: A porous organosilicate film has an absorbent coefficient of 0-0.03 measured at 240 nm by ellipsometer and dielectric coefficient of 1.2-2.5. The porous organosilicate film comprises pores of which average size is 100 n, or less. A forming method of the porous organosilicate film comprises: a step of forming a composite organosilicate film; a step of exposing a complex organosilicate film to energy source; and a step of removing a carbon-containing group by treating the complex organosilicate film with chemical materials, and a providing the porous organosilicate film by removing the carbon-containing by exposing the porous organic silicate film to an energy source.
摘要翻译：目的：提供多孔有机硅酸盐膜的形成方法，以除去多孔有机硅酸盐膜内的部分或全部含碳基团，并提高膜的强度，而不影响膜的介电常数。构成：多孔有机硅酸盐膜的吸收系数为0-0.03，通过椭偏仪在240nm处测得，介电系数为1.2-2.5。多孔有机硅酸盐膜包含平均尺寸为100n以下的孔。多孔有机硅酸盐膜的形成方法包括：形成复合有机硅酸盐膜的步骤; 将复合有机硅酸盐膜暴露于能源的步骤; 以及通过用化学材料处理复合有机硅酸盐膜除去含碳基团的步骤，以及通过将多孔有机硅酸盐膜暴露于能量源除去含碳物质来提供多孔有机硅酸盐膜。

10. 发明公开

KR1020110104415A 플라즈마처리장치 및 플라즈마처리방법 有权
标题翻译：等离子体加工设备和等离子体处理方法
公开(公告)号：KR1020110104415A
公开(公告)日：2011-09-22
申请号：KR1020100072771
申请日：2010-07-28
申请人： 가부시키가이샤 히다치 하이테크놀로지즈
发明人： 스미야마사히로 , 다나카모토히로
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/0206 , H01J37/32192 , H01J37/3266 , H01L21/02002 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/02334 , H01L21/28123 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/32137 , H01L21/67259
摘要： 본 발명은 처리의 결과 얻어지는 형상의 변동이 적은 플라즈마처리장치 또는 플라즈마처리방법을 제공하는 것이다.
진공용기 내부에 배치된 처리실과, 이 처리실의 하부에 배치되어 그 상면에 처리대상인 웨이퍼가 탑재되는 시료대와, 상기 처리실 내부를 배기하여 감압하는 배기장치와, 상기 시료대의 위쪽에 배치되어 상기 처리실로 처리용 가스를 도입하는 도입 구멍을 구비하고, 상기 웨이퍼의 상면에 배치된 막 구조를 상기 처리용 가스를 사용하여 형성한 플라즈마에 의해 에칭 처리하는 플라즈마처리장치로서, 상기막 구조가 기판 상에 레지스트막과 마스크막과 폴리실리콘막과 절연막을 가지고 구성된 것으로, 상기 웨이퍼를 상기 시료대 위에 탑재하여 상기 마스크막의 아래쪽에 배치된 폴리실리콘막을 에칭하기 전에 상기 처리실 내에 플라즈마를 형성하여 이 처리실 내부의 부재의 표면에 Si를 성분으로서 포함하는 피막을 피복하는 공정을 행한다.
摘要翻译：在包括设置在真空室中的处理室的等离子体处理装置中，设置在处理室下方并且其顶表面上安装有待加工晶片的样品台，用于抽出处理室内部的真空减压单元为了降低其中的压力，以及设置在所述样品台上方的引入孔，以允许处理气体进入处理室，晶片的顶表面安装有膜结构，并且通过使用通过使用处理气体形成的等离子体蚀刻膜结构，膜结构通过在基板上从顶部到底部依次层叠抗蚀剂膜或掩模膜，多晶硅膜和绝缘膜，并且在将晶片安装在样品台上之前和多晶硅蚀刻掩模膜下面的膜，在处理室内形成等离子体，以覆盖处理室内部的部件的表面含有Si成分的膜。

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