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1. 发明公开

KR1020160052939A 반도체 이온주입설비의 소스부싱 보호장치 有权
标题翻译：用于保护半导体离子植入设备中的源极布置的装置
公开(公告)号：KR1020160052939A
公开(公告)日：2016-05-13
申请号：KR1020140148431
申请日：2014-10-29
申请人： 김종훈 , 주식회사 현택 , 이현수
发明人： 이현수 , 김종훈
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/317 , H01J37/3171 , H01J37/3172
摘要： 본개시(Disclosure)는반도체이온주입설비에사용되는소스부싱(Source Bushing)의보호장치에관한것으로, 본개시의일 태양에따른반도체이온주입설비의소스부싱보호장치는, 고전압이인가되며이온을발생시키는소스헤드; 상기소스헤드의제1 측이고정되는소스플랜지; 상기소스헤드와분리되어배치되며, 그라운드전위를가지는소스라이너; 상기소스라이너가고정되며, 상기소스플랜지와분리되어배치되는소스챔버; 상기소스챔버와상기소스플랜지에양측이고정되고, 절연체로구비되는소스부싱; 상기소스헤드의상기제1 측의반대측으로서상기소스라이너에인접한제2 측에구비되는일렉트로헤드; 및상기소스라이너에일 측이고정되고, 타측은상기소스플랜지와분리되어구비되며, 상기일렉트로헤드와인접한위치에서발생되는설정된오염원이상기소스부싱에이르는경로를연장시키는경로연장부재;를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及用于保护用于半导体离子注入设备的源套管的设备。根据本发明实施例的用于保护半导体离子注入设备的源套管的设备包括：源头，用于接收高电压以产生离子; 源头法兰，其源头的第一侧被固定; 源极衬底，与源极头分离并具有接地电位; 源室，其中源衬垫被固定并与源凸缘分离; 源套管，其两侧固定在源室和源极法兰上，由绝缘材料制成; 电子头，其是源头的第一侧的相对侧，并且形成在邻近源衬垫的第二侧中; 以及一个路径延伸构件，其一侧固定到源衬垫，另一侧与源凸缘分离，以延伸在靠近电头的位置处产生的污染物到达源衬套的路径。

2. 发明授权

KR101611523B1 마스크 없는 패턴화된 주입을 위한 장치 및 방법 有权
标题翻译：装置和方法进行拼接图案的植入
公开(公告)号：KR101611523B1
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：KR1020137026214
申请日：2012-02-28
申请人： 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크.
发明人： 레비트,크리스토퍼,제이. , 고데,루도빅 , 밀러,티모시,제이.
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/302 , H01J37/32
CPC分类号： H01J37/3172 , H01J37/3023 , H01J37/32009 , H01J37/32137 , H01J37/32376 , H01J37/32412 , H01J37/32623 , H01J2237/31711
摘要： 이온주입시스템(400) 내의작업물(100)의주입방법. 방법은, 플라즈마(140)를내포하는플라즈마챔버(402)에인접한추출플레이트(101)를제공하는단계를포함하며, 그결과추출플레이트는작업물상에입사각들의범위에걸쳐분포되는이온들을갖는이온빔을제공하는적어도하나의개구(407)를통해플라즈마로부터이온들(102)을추출한다. 방법은, 추출플레이트에대해작업물을스캔하는단계및 스캔하는동안플라즈마의파워레벨을제 1 파워레벨로부터제 2 파워레벨로변화시키는단계를포함하며, 작업물의표면에서, 제 1 파워레벨의제 1 빔폭(W1, W3)은제 2 파워레벨의제 2 빔폭(W2)보다크다.

3. 发明授权

KR100913445B1 이온 주입기 장치 및 연속 이온 비임의 대전 입자의 균일성을 조절 및 제어하는 방법 有权
标题翻译：离子注入装置和连续离子束中充电颗粒的均匀性调节方法
公开(公告)号：KR100913445B1
公开(公告)日：2009-08-25
申请号：KR1020067021926
申请日：2005-03-02
申请人： 화이트 니콜라스 알.
发明人： 화이트니콜라스알.
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/141 , H01J37/1471 , H01J37/1472 , H01J37/3172 , H01J2237/1504 , H01J2237/152 , H01J2237/30433 , H01J2237/31703
摘要： 연속 이온 비임에 적용되는 연속 자기장을 생성하기 위한 전자기 조절기 조립체가 설명된다. 조립체는 이동하는 연속 리본형 비임의 균일성을 제어하기 위한 구조로 되며, 전류 균일성을 증가시키기 위해 파라미터로서 자기장의 자기장 변화도를 직접 조절하는 것을 가능하게 한다.
비임, 자극, 전류, 전자기, 조절기, 강자성체

4. 发明授权

KR100797138B1 상보형 금속 산화막 반도체 디바이스, 및 금속 산화막 반도체 디바이스와 상보형 금속 산화막 반도체 디바이스를 형성하는 방법 有权
标题翻译：补充金属氧化物半导体器件，以及形成金属氧化物半导体器件和补充金属氧化物半导体器件的方法
公开(公告)号：KR100797138B1
公开(公告)日：2008-01-22
申请号：KR1020067022376
申请日：2003-06-26
申请人： 세미이큅, 인코포레이티드
发明人： 호스키,토마스,엔. , 제이콥슨,데일,씨.
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26513 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J37/3172 , H01L21/26566 , H01L21/2658 , H01L29/6659
摘要： 이온 주입 디바이스와 반도체 디바이스의 제조 방법이 기술되어 있고, 이온화된 수소화 붕소 분자 클러스터가 주입되어 P-타입 트랜지스터 구조를 형성한다. 예를 들어, 상보형 금속 산화막 반도체 (CMOS) 디바이스 제조시, 소스와 드레인 구조 및 폴리게이트를 위한 P-타입 도핑을 제공하기 위해 클러스터가 주입되고, 이러한 도핑 단계는 PMOS 트랜지스터를 형성하는데 결정적이다. 분자 클러스터 이온은 화학식 B
n H
x
+ 와 B
n H
x
- 를 갖고, 10 ≤n ≤100, 0 ≤x ≤n+4이다.

5. 发明公开

KR1020080003014A 이온 소스 有权
标题翻译：离子源
公开(公告)号：KR1020080003014A
公开(公告)日：2008-01-04
申请号：KR1020077029103
申请日：2003-06-26
申请人： 세미이큅, 인코포레이티드
发明人： 호스키,토마스,엔. , 제이콥슨,데일,씨.
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26513 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J37/3172 , H01L21/26566 , H01L21/2658 , H01L29/6659
摘要： An ion implantation device and a method of manufacturing a semiconductor device is described, wherein ionized boron hydride molecular clusters are implanted to form P-type transistor structures. For example, in the fabrication of Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) devices, the clusters are implanted to provide P- type doping for Source and Drain structures and for Polygates; these doping steps are critical to the formation of PMOS transistors. The molecular cluster ions have the chemical form BnHx+ and BnHx-, where 10
摘要翻译：描述了离子注入装置和制造半导体器件的方法，其中注入离子化硼氢化物分子簇以形成P型晶体管结构。例如，在互补金属氧化物半导体（CMOS）器件的制造中，植入簇以提供用于源极和漏极结构以及多栅极的P-型掺杂; 这些掺杂步骤对于PMOS晶体管的形成至关重要。分子簇离子具有化学形式BnHx +和BnHx-，其中10

6. 发明公开

KR1020070004052A 이온 주입기 장치 및 연속 이온 비임의 대전 입자의 균일성을 조절 및 제어하는 방법 有权
标题翻译：用于调整和控制连续离子束的当前均匀性的电磁调节器总成
公开(公告)号：KR1020070004052A
公开(公告)日：2007-01-05
申请号：KR1020067021926
申请日：2005-03-02
申请人： 화이트 니콜라스 알.
发明人： 화이트니콜라스알.
IPC分类号： H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/141 , H01J37/1471 , H01J37/1472 , H01J37/3172 , H01J2237/1504 , H01J2237/152 , H01J2237/30433 , H01J2237/31703
摘要： An electromagnetic regulator assembly for the production of contiguous magnetic fields which are applied to a continuous ion beam is described. The assembly is structured for controlling the uniformity of traveling continuous ribbon-shaped beams; and allows for direct adjustment of the magnetic field gradient of the magnetic field as the parameter for increasing the current uniformity. ® KIPO & WIPO 2007
摘要翻译：描述了用于产生施加到连续离子束的连续磁场的电磁调节器组件。该组件被构造成用于控制行进的连续带状梁的均匀性; 并且允许直接调节磁场的磁场梯度作为增加电流均匀性的参数。 ®KIPO＆WIPO 2007

7. 发明授权

KR101854215B1 이온주입방법 및 이온주입장치 有权
公开(公告)号：KR101854215B1
公开(公告)日：2018-05-03
申请号：KR1020120030843
申请日：2012-03-27
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 니노미야시로 , 오치아키히로 , 기무라야스히코 , 오카모토야스하루 , 유미야마도시오
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/3023 , H01J37/3172 , H01J2237/30483 , H01J2237/31701 , H01J2237/31706
摘要： [과제] 이온주입방법에있어서, 웨이퍼를메카니컬스캔방향에있어서복수의주입영역으로나누고, 그주입영역마다빔 스캔속도를가변으로하고, 그로써웨이퍼내의이온주입량을제어하는경우에, 각각의주입영역의빔 스캔주파수와빔 스캔진폭을모두고정하면서주입영역마다목적의이온주입량분포와이온주입량을실현한다. [해결수단] 메카니컬스캔방향에있어서웨이퍼면내의주입영역을복수로분할하여, 각주입영역마다, 빔스캔방향의빔 스캔속도를가변설정가능하게하도록구성하고, 각주입영역마다의이온주입량분포에대응하는빔 스캔속도의가변설정에의하여산출한속도패턴에근거하여빔 스캔속도를변경제어하고, 웨이퍼스캔속도를각 주입영역마다제어함으로써, 웨이퍼면내의각 주입영역의이온주입량을제어함과함께, 상기각 주입영역마다의빔 스캔속도의제어에있어서의빔 스캔주파수와빔 스캔진폭을일정하게하도록구성하여, 각주입영역에원하는이온주입량분포를가지는이온주입을실현한다.

8. 发明公开

KR1020170108834A 이온주입장치 및 스캔파형 작성방법 审中-实审
标题翻译：离子注入装置和制作扫描波形的方法
公开(公告)号：KR1020170108834A
公开(公告)日：2017-09-27
申请号：KR1020170028683
申请日：2017-03-07
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 니노미야시로 , 오치아키히로
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/304
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/08 , H01J37/1474 , H01J37/244 , H01J37/304 , H01J37/3172 , H01J2237/24535 , H01J2237/30488
摘要： 불균일한 2차원이온주입량분포를기판표면에정확하게실현한다. 이온주입장치(10)는, 빔스캔방향으로왕복빔스캔을제공하는빔스캐너(26)와, 빔스캐너(26)의하류에서빔스캔방향의빔전류강도분포를측정하는제2 빔계측부(50)와, 제어장치(60)를구비한다. 제어장치(60)는, 주어진스캔파형하에서제2 빔계측부(50)에의하여측정되는측정빔전류강도분포가목표불균일도스량분포에적합한지여부를판정하고, 적합한경우에는, 주어진스캔파형을목표불균일도스량분포에대응짓는스캔파형작성부를구비한다.
摘要翻译：由此实现了二维离子剂量在衬底表面上的不均匀分布。的离子注入装置10中，光束扫描器26以提供由束扫描方向上，测量在光束扫描方向上的光束扫描器26的下游侧的束电流的强度分布的第二射束测量单元往复光束扫描（50 和控制单元60.控制单元60包括控制单元60，控制装置60判断第二光束测量部50在给定扫描波形下测量的测量射束电流强度分布是否适合于目标不均匀剂量分布，并且如果适当的话，以及对应于不均匀剂量分布的扫描波形产生单元。

9. 发明公开

KR1020140139957A 고에너지 이온주입장치 审中-实审
标题翻译：高能离子植入装置
公开(公告)号：KR1020140139957A
公开(公告)日：2014-12-08
申请号：KR1020140046082
申请日：2014-04-17
申请人： 스미도모쥬기가이 이온 테크놀로지 가부시키가이샤
发明人： 가바사와미츠아키 , 와타나베가즈히로 , 사사키하루카 , 가토오고오지 , 안도오히토시
IPC分类号： H01J37/317 , H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3172 , A61N5/1044 , G21K1/10 , H01J37/05 , H01J37/09 , H01J37/3007 , H01J37/3171
摘要： 스캔된 고에너지의 이온빔을 정밀도 좋게 평행화하는 고에너지 이온주입장치를 제공한다.
고에너지 이온주입장치는, 이온원과 질량분석장치를 가지는 빔생성유닛과, 고에너지 다단직선가속유닛과, 고에너지 이온빔을 웨이퍼를 향하게 하여 방향 변환하는 고에너지빔의 편향유닛과, 편향된 고에너지 이온빔을 웨이퍼까지 수송하는 빔수송라인유닛을 구비한다. 빔수송라인유닛은, 빔정형기와, 고에너지용의 빔주사기와, 고에너지용의 빔평행화기와, 고에너지용의 최종 에너지 필터를 가진다. 또, 고에너지용의 빔평행화기는, 전장에 의하여 고에너지빔의 가속과 감속을 반복하면서 스캔빔을 평행화해 가는 전장식 빔평행화기이다.
摘要翻译：提供了一种能够高精度地准直扫描的高能离子束的高能离子注入装置。高能离子注入机包括具有离子源和质量分析器的束生成单元; 高能多级线性加速单元; 将高能离子束朝向晶片的方向改变的高能束束偏转单元; 以及将偏转的高能离子束输送到晶片的光束传送单元。光束传输单元包括光束整形器; 高能束扫描仪; 高能束准直仪; 和高能能量能量过滤器。此外，高能量射束准直仪是电场型光束准直仪，其通过电场来重复扫描光束，同时重复高能束的加速和减少。

10. 发明公开

KR1020120006552A 자기 베어링, 회전 스테이지 및 반사 전자 빔 리소그래피 장치 有权
标题翻译：磁力轴承，旋转台和反射电子束光刻机
公开(公告)号：KR1020120006552A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：KR1020117027513
申请日：2010-04-14
申请人： 코닌클리케 필립스 엔.브이.
发明人： 사힌노마러펀다 , 버스트란크린에프. , 세이저올라프제이. , 포스트저스투스비.
IPC分类号： F16C32/04 , H01J37/317 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/20 , F16C32/0461 , F16C32/0468 , F16C32/0489 , H01J2237/20257 , H01J37/3172 , H01L21/0274
摘要： 회전축을 갖는 자기 베어링으로서, 자기 베어링은 강자성 재료를 포함하는 원통형 회전자로서, 이 원통형 회전자는 대칭축을 갖고, 이 원통형 회전자는 내경을 갖고, 이 원통형 회전자는 상부측을 갖는 원통형 회전자와, 그로부터 돌출하고 상부측에 인접하여 위치된 현수부를 갖는 정적 허브와, 제 1 표면과 현수부 사이의 거리를 제어하기 위한 리프트 자기 액추에이터 장치와, 내경과 회전축 사이의 거리를 제어하기 위한 래디얼 자기 액추에이터 장치를 포함한다.

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