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1. 发明公开

KR1020150065901A 반도체 에피텍셜 웨이퍼의 제조 방법, 반도체 에피텍셜 웨이퍼, 및 고체 촬상 소자의 제조 방법 有权
标题翻译：半导体外延波形生成方法，半导体外延波形和固态成像元件的制作方法
公开(公告)号：KR1020150065901A
公开(公告)日：2015-06-15
申请号：KR1020157013181
申请日：2013-11-12
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 카도노,타케시 , 쿠리타,카주나리
IPC分类号： H01L21/322 , C23C14/48 , H01L27/146 , H01L21/02 , H01L21/265 , C30B25/20
CPC分类号： H01L27/14687 , C23C16/0209 , C23C16/0263 , C23C16/24 , C30B25/20 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/02658 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/26566 , H01L21/2658 , H01L21/3221 , H01L27/14683 , H01L27/14689
摘要： 본발명은, 보다높은게터링능력을가지며, 또한, 에피텍셜층표면의헤이즈레벨(haze level)이저감된반도체에피텍셜웨이퍼를제조하는방법의제공을목적으로한다. 본발명의반도체에피텍셜웨이퍼의제조방법은, 반도체웨이퍼(10)에클러스터이온(Cluster Ions; 16)을조사하여, 반도체웨이퍼의표면(10A)에, 클러스터이온(16)의구성원소로이루어진개질층(18)을형성하는제 1 공정과, 상기제 1 공정후에, 반도체웨이퍼표면(10A)의헤이즈레벨이 0.20ppm 이하가되도록, 결정성(結晶性) 회복을위한열처리를반도체웨이퍼(10)에대해행하는제 2 공정과, 상기제 2 공정후에, 반도체웨이퍼의개질층(18) 상에에피텍셜층(20)을형성하는제 3 공정을가지는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明的目的是提供一种制造具有较高吸杂能力和半导体外延层的表面的较低雾度水平的半导体外延晶片的方法。根据本发明的制造半导体外延晶片的方法包括：第一步骤，用聚簇离子16照射半导体晶片10，从而形成由作为固溶体的簇离子16的构成元素形成的改性层18 在半导体晶片的表面部分10A中; 在第一步骤之后对半导体晶片10进行结晶度恢复的热处理使得半导体晶片表面部分10A的雾度水平为0.20ppm以下的第二步骤; 以及在第二步骤之后在半导体晶片的改性层18上形成外延层20的第三步骤。

2. 发明授权

KR101455404B1 탄소 클러스터의 주입에 의한 반도체 디바이스의 제조를위한 시스템 및 방법 有权
标题翻译：半导体器件的制造及其制造方法
公开(公告)号：KR101455404B1
公开(公告)日：2014-10-27
申请号：KR1020087011092
申请日：2006-12-06
申请人： 세미이큅, 인코포레이티드
发明人： 크룰,웨이드,에이 , 홀스키,토마스,엔
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/425
CPC分类号： H01L21/26513 , H01L21/26506 , H01L21/26566 , H01L21/2658 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L29/165 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/7848
摘要： 탄소 클러스터의 주입과 기판을 합체하여, 집적 회로에서 PMOS 트랜지스터 구조의 제조시 기판이 붕소, 및 인으로 도핑되는 경우, 트랜지스터 접합의 특성을 개선하는 프로세스가 개시된다. 이러한 새로운 접근 방식으로부터 유래된 2가지 프로세스, 즉 (1) USJ 형성을 위한 확산 제어, 및 (2) 스트레스 엔지니어링을 위한 고량(high dose) 탄소 주입이 있다. USJ 형성을 위한 확산 제어는 PMOS에서의 소스/드레인 구조의 붕소 또는 얕은(shallow) 붕소 클러스터 주입과 함께 예시된다. 더 특별하게는, 우선 C
16 H
x
+ 와 같은 클러스터 탄소 이온은 후속 붕소 주입과 근사하게 동일한 양으로 소스/드레인 영역에 주입되며, 이후 바람직하게는 가령 B
18 H
x
+ 또는 B
10 H
x
+ 와 같은 붕소수소화물 클러스터를 사용하여, 소스/드레인 확장을 형성하기 위해, 얕은 붕소, 붕소 클러스터 , 인 또는 인 클러스터 이온 주입이 후속된다. 후속 어닐링 및 활성화시, 붕소 확산은 탄소 원자에 의해 간극 결함 제거로 인해, 감소된다.
반도체, 탄소, 클러스터, PMOS, NMOS

3. 发明公开

KR1020140009565A 반도체 에피택셜 웨이퍼의 제조 방법, 반도체 에피택셜 웨이퍼, 및 고체 촬상 소자의 제조 방법 无效
标题翻译：用于制造半导体外延波形的方法，半导体外延波形以及制造固态图像拾取元件的方法
公开(公告)号：KR1020140009565A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：KR1020137032894
申请日：2012-03-19
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 카도노,타케시 , 쿠리타,카주나리
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/20 , H01L21/265 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14698 , H01L21/02381 , H01L21/02439 , H01L21/02532 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L21/26566 , H01L21/3221 , H01L27/1464 , H01L27/14687 , H01L29/36
摘要： 본 발명은, 보다 높은 게터링 능력을 발휘함으로써 금속 오염을 억제할 수 있는 반도체 에피택셜 웨이퍼를 보다 효율적으로 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 반도체 에피택셜 웨이퍼(100)의 제조방법은, 반도체 웨이퍼(10)에 클러스터 이온(16)을 조사하여, 상기 반도체 웨이퍼의 표면(10A)에, 클러스터 이온(16)의 구성원소로 이루어지는 개질층(18)을 형성하는 제 1 공정과, 반도체 웨이퍼(10)의 개질층(18)상에 에피택셜층(20)을 형성하는 제 2 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
摘要翻译：根据本发明的制造半导体外延晶片100的方法包括：第一步骤，用聚簇离子16照射半导体晶片10，以形成由簇离子16的构成元素形成的改性层18，该修饰层18在表面部分10A的半导体晶片; 以及在半导体晶片10的改性层18上形成外延层20的第二步骤。

4. 发明公开

KR1020100127072A 유기발광 트랜지스터의 제조방법 失效
标题翻译：有机发光场效应晶体管的制造方法
公开(公告)号：KR1020100127072A
公开(公告)日：2010-12-03
申请号：KR1020090045582
申请日：2009-05-25
申请人： 고려대학교 산학협력단
发明人： 최종호 , 서훈석 , 장영
IPC分类号： H05B33/26 , H01L51/50
CPC分类号： H01L51/5056 , H01L21/02118 , H01L21/02576 , H01L21/26566 , H01L51/5072 , H01L2251/558 , H01L2924/07025
摘要： PURPOSE: A manufacturing method of organic light-emitting field-effect transistors are provided to improve the balance of mobility of holes and electronics by depositing an electron transport layer and a hole transport layer on specific compound. CONSTITUTION: A gate electrode(201) is formed on the bottom of a substrate(200) which is inserted into a cluster beam deposition chamber. The chamber is comprised of first crucible and second crucibles which have a nozzle respectively. An electron-transport layer(202) is formed on top of the substrate. A hole-transport layer(203) is formed on the electron-transport layer. The hole-transport layer is formed with a α and ω-dihexylsexithiophene compound. A source electrode(204) and a drain electrode(205) are formed on the hole-transport layer.
摘要翻译：目的：提供有机发光场效应晶体管的制造方法，通过在特定化合物上沉积电子传输层和空穴传输层来提高空穴和电子学的迁移率的平衡。构成：在插入聚束束沉积室的基板（200）的底部上形成栅电极（201）。该室由分别具有喷嘴的第一坩埚和第二坩埚构成。在衬底的顶部形成电子传输层（202）。在电子传输层上形成空穴传输层（203）。空穴传输层由α和ω-二己基噻吩化合物形成。源极电极（204）和漏电极（205）形成在空穴传输层上。

5. 发明公开

KR1020090000427A 피모스 트랜지스터 제조방법 无效
标题翻译：用于制造PMOS晶体管的方法
公开(公告)号：KR1020090000427A
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：KR1020070064488
申请日：2007-06-28
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 황선환 , 신동선 , 오재근 , 이진구
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0847 , H01L21/26566
摘要： A method for manufacturing a PMOS transistor is provided to prevent deterioration of a leakage current characteristic by doping impurity as a gas cluster ion beam. A source/drain junction area(15A,15B) in which the first impurity is ion-implanted is formed in a semiconductor substrate(11) with the plurality of gate patterns(12). The insulating layer(16) reclaiming the gate pattern is formed. The contact hole to expose the source/drain junction area is formed by etching a part of the insulating layer. The second impurity is additionally ion-implanted to the exposed source/drain junction area as the gas cluster ion beam. The first and second impurities are the p type impurity and the p type impurity is the boron. The gas cluster ion beam is performed to the energy of 10KeV - 70KeV. The gas cluster ion beam is performed to the dose of 1 x 10^15 ~ 3 x 10^16 atoms/cm^2.
摘要翻译：提供一种用于制造PMOS晶体管的方法，以防止通过掺杂杂质作为气体簇离子束而导致的漏电流特性的劣化。在具有多个栅极图案（12）的半导体衬底（11）中形成其中第一杂质被离子注入的源极/漏极结面积（15A，15B）。形成回收栅极图案的绝缘层（16）。通过蚀刻绝缘层的一部分来形成用于暴露源极/漏极结区域的接触孔。作为气体簇离子束，另外将第二杂质离子注入暴露的源极/漏极结区域。第一和第二杂质是p型杂质，p型杂质是硼。气体簇离子束进行10KeV〜70KeV的能量。气体簇离子束以1×10 ^ 15〜3×10 ^ 16原子/ cm 2的剂量进行。

6. 发明公开

KR1020080077354A 탄소 클러스터의 주입에 의한 반도체 디바이스의 제조를위한 시스템 및 방법 有权
标题翻译：半导体器件的制造及其制造方法
公开(公告)号：KR1020080077354A
公开(公告)日：2008-08-22
申请号：KR1020087011092
申请日：2006-12-06
申请人： 세미이큅, 인코포레이티드
发明人： 크룰,웨이드,에이 , 홀스키,토마스,엔
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/425
CPC分类号： H01L21/26513 , H01L21/26506 , H01L21/26566 , H01L21/2658 , H01L21/823814 , H01L21/823842 , H01L29/165 , H01L29/6659 , H01L29/7833 , H01L29/7848
摘要： A process is disclosed which incorporates implantation of a carbon cluster into a substrate to improve the characteristics of transistor junctions when the substrates are doped with Boron and Phosphorous in the manufacturing of PMOS transistor structures in integrated circuits. There are two processes which result from this novel approach: (1) diffusion control for USJ formation; and (2) high dose carbon implantation for stress engineering. Diffusion control for USJ formation is demonstrated in conjunction with a boron or shallow boron cluster implant of the source/drain structures in PMOS. More particularly, first, a cluster carbon ion, such as C-IeHx+, is implanted into the source/drain region at approximately the same dose as the subsequent boron implant; followed by a shallow boron, boron cluster, phosphorous or phosphorous cluster ion implant to form the source/drain extensions, preferably using a borohydride cluster, such as B18Hx+ or BioHx+. Upon subsequent annealing and activation, the boron diffusion is reduced, due to the gettering of interstitial defects by the carbon atoms.
摘要翻译：公开了一种方法，其包括将碳簇植入衬底中，以便在集成电路中制造PMOS晶体管结构中衬底掺杂硼和磷时改善晶体管结的特性。这种新方法有两个过程：（1）USJ形成的扩散控制; 和（2）应力工程的高剂量碳植入。 USJ形成的扩散控制结合PMOS中的源极/漏极结构的硼或浅硼簇注入来证明。更具体地，首先，将簇碳离子（例如C-IeHx +）以与随后的硼植入物大致相同的剂量注入源极/漏极区域; 随后是浅硼，硼簇，磷或磷簇离子注入以形成源极/漏极延伸，优选使用硼氢化簇，例如B18Hx +或BioHx +。随后的退火和活化，由于碳原子吸收间隙缺陷，硼扩散减少。

7. 发明授权

KR100703121B1 이온 주입 방법 有权
标题翻译：植入离子的方法
公开(公告)号：KR100703121B1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：KR1020047020953
申请日：2003-06-26
申请人： 세미이큅, 인코포레이티드
发明人： 호스키,토마스,엔. , 제이콥슨,데일,씨.
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26513 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J37/3172 , H01L21/26566 , H01L21/2658 , H01L29/6659
摘要： 이온 주입 디바이스와 반도체 디바이스의 제조 방법이 기술되어 있고, 이온화된 수소화 붕소 분자 클러스터가 주입되어 P-타입 트랜지스터 구조를 형성한다. 예를 들어, 상보형 금속 산화막 반도체 (CMOS) 디바이스 제조시, 소스와 드레인 구조 및 폴리게이트를 위한 P-타입 도핑을 제공하기 위해 클러스터가 주입되고, 이러한 도핑 단계는 PMOS 트랜지스터를 형성하는데 결정적이다. 분자 클러스터 이온은 화학식 B
n H
x
+ 와 B
n H
x
- 를 갖고, 10 ≤n ≤100, 0 ≤x ≤n+4이다.

8. 发明公开

KR1020060118621A 자기 요크 어셈블리 有权
标题翻译：磁铁组件
公开(公告)号：KR1020060118621A
公开(公告)日：2006-11-23
申请号：KR1020067022361
申请日：2003-06-26
申请人： 세미이큅, 인코포레이티드
发明人： 호스키,토마스,엔. , 제이콥슨,데일,씨.
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26513 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J37/3172 , H01L21/26566 , H01L21/2658 , H01L29/6659
摘要： An ion implantation device and a method of manufacturing a semiconductor device is described, wherein ionized boron hydride molecular clusters are implanted to form P-type transistor structures. For example, in the fabrication of Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) devices, the clusters are implanted to provide P-type doping for Source and Drain structures and for Polygates; these doping steps are critical to the formation of PMOS transistors. The molecular cluster ions have the chemical form BnHx + and BnHx -, where where 10
摘要翻译：描述了离子注入装置和制造半导体器件的方法，其中注入离子化硼氢化物分子簇以形成P型晶体管结构。例如，在互补金属氧化物半导体（CMOS）器件的制造中，植入簇以提供用于源极和漏极结构的P型掺杂以及对于多栅极; 这些掺杂步骤对于PMOS晶体管的形成至关重要。分子簇离子具有化学形式BnHx +和BnHx-，其中10

9. 发明公开

KR1020060118019A 상보형 금속 산화막 반도체 디바이스, 및 금속 산화막 반도체 디바이스와 상보형 금속 산화막 반도체 디바이스를 형성하는 방법 有权
标题翻译：形成金属氧化物半导体器件的方法
公开(公告)号：KR1020060118019A
公开(公告)日：2006-11-17
申请号：KR1020067022376
申请日：2003-06-26
申请人： 세미이큅, 인코포레이티드
发明人： 호스키,토마스,엔. , 제이콥슨,데일,씨.
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/26513 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J37/3172 , H01L21/26566 , H01L21/2658 , H01L29/6659
摘要： An ion implantation device and a method of manufacturing a semiconductor device is described, wherein ionized boron hydride molecular clusters are implanted to form P-type transistor structures. For example, in the fabrication of Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) devices, the clusters are implanted to provide P-type doping for Source and Drain structures and for Polygates; these doping steps are critical to the formation of PMOS transistors. The molecular cluster ions have the chemical form BnHx + and BnHx -, where where 10
摘要翻译：描述了离子注入装置和制造半导体器件的方法，其中注入离子化硼氢化物分子簇以形成P型晶体管结构。例如，在互补金属氧化物半导体（CMOS）器件的制造中，植入簇以提供用于源极和漏极结构的P型掺杂以及对于多栅极; 这些掺杂步骤对于PMOS晶体管的形成至关重要。分子簇离子具有化学形式BnHx +和BnHx-，其中10

10. 发明公开

KR1020170077099A 에피택셜 웨이퍼, 접합 웨이퍼 및 이들의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：外延晶圆，键合晶圆及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170077099A
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：KR1020170080693
申请日：2017-06-26
申请人： 가부시키가이샤 사무코
发明人： 고가요시히로
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/324 , H01L21/18 , H01L21/66
CPC分类号： C30B29/06 , C30B25/186 , C30B33/06 , H01L21/2236 , H01L21/26506 , H01L21/26566 , H01L21/3223 , H01L21/76254 , H01L21/02123 , H01L21/02293 , H01L21/02694 , H01L21/187 , H01L21/265 , H01L21/3221 , H01L21/324 , H01L22/12
摘要： (과제) 게터링능력을갖는실리콘웨이퍼로서, 또한, 이실리콘웨이퍼를이용하여에피택셜웨이퍼또는접합웨이퍼를제작했을때에, 저항변동을발생시키지않는실리콘웨이퍼를제조하는방법을제공하는것을목적으로한다. (해결수단) 본발명의실리콘웨이퍼의제조방법은, 실리콘웨이퍼의앞면으로부터수소이온을 1.0×10∼3.0×10atoms/㎠의도즈량으로주입하여, 상기수소이온이고용(固溶)하여이루어지는게터링층을형성하는것을특징으로한다.
摘要翻译：本发明的再一个目的是提供一种制造硅晶片的方法，该方法在使用异晶晶片作为具有吸杂能力的硅晶片制造外延晶片或键合晶片时不会引起电阻波动的。根据本发明的用于制造硅晶片的方法包括以1.0×10 -3至3.0×10 6原子/ cm 2的量从硅晶片的前表面注入氢离子以形成吸杂的步骤形成一个图层。

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