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1. 发明授权

KR1019970004067B1 광학 장치 失效
标题翻译：光学装置
公开(公告)号：KR1019970004067B1
公开(公告)日：1997-03-24
申请号：KR1019890014310
申请日：1989-10-05
申请人： 에이티 앤드 티 코포레이션
发明人： 티루말라라야할레메인 , 스티븐케이코로트키
IPC分类号： G11C13/04
CPC分类号： G11C21/00 , G02F3/026 , G11C13/04
摘要： 없음

2. 发明授权

KR101885452B1 하이브리드 메모리 큐브 링크들을 이용하는 상호 접속 시스템들 및 방법들 有权
公开(公告)号：KR101885452B1
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：KR1020167034480
申请日：2015-05-01
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크
发明人： 레이델,존디.
IPC分类号： G06F13/16 , G06F13/42 , G06F13/40
CPC分类号： G06F3/0607 , G06F3/0659 , G06F3/0685 , G06F13/1621 , G06F13/1657 , G06F13/1673 , G06F13/1684 , G06F13/40 , G06F13/4022 , G06F13/4234 , G06F2212/205 , G11C7/1075 , G11C21/00
摘要： 시스템온 칩(SoC; System on a Chip)은로컬메모리패킷들및 시스템상호접속패킷들을전달하기위한두 개의패킷화된메모리버스를포함한다. 데이터프로세싱시스템의인 사이투(in situ) 구성에서, 두개 이상의 SoC는하나이상의하이브리드메모리큐브(HMC; hybrid memory cube)와결합된다. 메모리패킷들은소정의 SoC의메모리도메인에서의로컬 HMC들과의통신을가능하게한다. 시스템상호접속패킷들은 SoC들간 통신및 메모리도메인들간 통신을가능하게한다. 전용라우팅구성에서, 시스템에서의각 SoC는로컬 HMC들을어드레싱하기위한이 자체의메모리도메인및 HMC 허브들, HMC 메모리디바이스들, 또는시스템상호접속도메인에연결되는다른 SoC 디바이스들을어드레싱하기위한개별시스템상호접속도메인을갖는다.

3. 发明公开

KR1020170097003A 자전 디바이스들 및 인터커넥트 审中-实审
标题翻译：旋转设备和互连
公开(公告)号：KR1020170097003A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：KR1020177013330
申请日：2014-12-18
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 니코노브,드미트리이. , 마니파트루니,사시칸스 , 영,이안에이.
IPC分类号： H01L43/08 , H01L43/10 , G11C11/16 , G11C21/00 , G11C15/00
CPC分类号： H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/22 , G11C21/00 , H01L41/12 , H01L43/10 , H03K19/20 , H03K19/23 , G11C15/00 , H01L43/02
摘要： 제1 자전재료층에결합되는강자성층을갖는제1 단부; 및강자성층에결합되는제2 자전재료층을갖는제2 단부를포함하는인터커넥트가설명되며, 강자성층은제1 단부로부터제2 단부로연장된다. 강자성층; 및강자성층에결합되는제1, 제2, 제3, 및제4 자전재료층들을포함하는다수결게이트디바이스가설명된다. 제1 자전재료층에결합되는강자성층을갖는제1 단부; 및강자성층에결합되는터널접합디바이스를갖는제2 단부를포함하는장치가설명된다. 터널링접합디바이스에결합되는제1 단자; 터널링접합디바이스및 자전디바이스를결합하는층에결합되는제2 단자; 및자전디바이스에결합되는제3 단자를포함하는장치가설명된다.
摘要翻译：第一端，其具有耦合到第一纺丝材料层的铁磁层; 并且第二端具有结合到铁磁层的旋转材料的第二层，铁磁层从第一端延伸到第二端。铁磁层; 以及耦合到铁磁层的第一，第二，第三和第四旋转磁性材料层。第一端，其具有耦合到第一纺丝材料层的铁磁层; 并且第二端具有耦合到铁磁层的隧道结器件。耦合到隧道结装置的第一端子; 耦合到连接隧道结装置和旋转装置的层的第二端子; 以及耦合到旋转装置的第三端子。

4. 发明公开

KR1020140085467A 링 레지스터를 사용하는 시프트 가능형 메모리 审中-实审
标题翻译：可移动存储器使用环形寄存器
公开(公告)号：KR1020140085467A
公开(公告)日：2014-07-07
申请号：KR1020147011182
申请日：2011-10-27
申请人： 휴렛 팩커드 엔터프라이즈 디벨롭먼트 엘피
发明人： 피켓매튜디 , 윌리엄스알스탠리 , 리베이로길베르토엠
IPC分类号： G11C19/00 , G11C7/10
CPC分类号： G06F5/08 , G11C7/1012 , G11C7/1036 , G11C19/00 , G11C19/28 , G11C21/00 , G11C7/10
摘要： 시프트 가능형 메모리는 링 레지스터를 사용하여, 이 시프트 가능형 메모리 내부에서 링 레지스터들에 저장된 인접의 데이터 워드 서브세트를 시프트시킨다. 시프트 가능형 메모리는 내장된 워드-레벨 시프팅 능력을 갖는 메모리를 포함한다. 메모리는 데이터 워드를 저장하는 복수의 링 레지스터를 포함한다. 인접의 데이터 워드 서브세트는 메모리 내부에서 제 1 위치로부터 제 2 위치로 복수의 링 레지스터의 링 레지스터 집합 사이에 시프트 가능하다. 인접의 데이터 워드 서브세트는 메모리의 전체 크기보다 작은 크기를 갖는다. 인접의 데이터 워드 서브세트가 시프트될 때, 메모리는 이 인접의 데이터 워드 서브세트 내부에 저장된 데이터 워드만을 시프트시킨다.

5. 发明公开

KR1020080051766A 자구벽 이동을 이용한 데이터 저장 장치 및 그의 동작 방법 有权
标题翻译：使用磁场移动的数据存储装置及其操作方法
公开(公告)号：KR1020080051766A
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：KR1020060123383
申请日：2006-12-06
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임지경 , 유인경 , 좌성훈
IPC分类号： G11B5/02 , G11B5/012
CPC分类号： G11C11/14 , G11C19/0808 , G11C19/0841 , G11C21/00 , Y10T428/11
摘要： A data storage device using magnetic domain wall movement and a method of operating the same are provided to move magnetic domain walls in first and second ferromagnetic layers to record data, thereby improving stability of the magnetic domain wall movement and increasing recording density. A data storage device comprises first and second ferromagnetic layers(100,200), a data recording device(300), and multiple read heads(400a~400h). The first ferromagnetic layer has two magnetic domains(D). The second ferromagnetic layer is formed at one side of the first ferromagnetic layer to store data. The data recording device is connected with the two ferromagnetic layers. The read heads are attached to the second ferromagnetic layer. The first ferromagnetic layer is formed in a line or arc shape. The second ferromagnetic layer is partly-cut or linear-shaped.
摘要翻译：提供使用磁畴壁移动的数据存储装置及其操作方法来移动第一和第二铁磁层中的磁畴壁以记录数据，从而提高磁畴壁移动的稳定性并提高记录密度。数据存储装置包括第一和第二铁磁层（100,200），数据记录装置（300）和多个读取头（400a〜400h）。第一铁磁层具有两个磁畴（D）。第二铁磁层形成在第一铁磁层的一侧以存储数据。数据记录装置与两个铁磁层连接。读取头附接到第二铁磁层。第一铁磁层形成为直线或弧形。第二铁磁层是部分切割或线形的。

6. 发明公开

KR1020180088526A 하이브리드 메모리 큐브 링크들을 이용하는 상호 접속 시스템들 및 방법들 有权
公开(公告)号：KR1020180088526A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：KR1020187021869
申请日：2015-05-01
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크
发明人： 레이델,존디.
IPC分类号： G06F13/16 , G06F13/42 , G06F13/40
CPC分类号： G06F3/0607 , G06F3/0659 , G06F3/0685 , G06F13/1621 , G06F13/1657 , G06F13/1673 , G06F13/1684 , G06F13/40 , G06F13/4022 , G06F13/4234 , G06F2212/205 , G11C7/1075 , G11C21/00
摘要： 시스템온 칩(SoC; System on a Chip)은로컬메모리패킷들및 시스템상호접속패킷들을전달하기위한두 개의패킷화된메모리버스를포함한다. 데이터프로세싱시스템의인 사이투(in situ) 구성에서, 두개 이상의 SoC는하나이상의하이브리드메모리큐브(HMC; hybrid memory cube)와결합된다. 메모리패킷들은소정의 SoC의메모리도메인에서의로컬 HMC들과의통신을가능하게한다. 시스템상호접속패킷들은 SoC들간 통신및 메모리도메인들간 통신을가능하게한다. 전용라우팅구성에서, 시스템에서의각 SoC는로컬 HMC들을어드레싱하기위한이 자체의메모리도메인및 HMC 허브들, HMC 메모리디바이스들, 또는시스템상호접속도메인에연결되는다른 SoC 디바이스들을어드레싱하기위한개별시스템상호접속도메인을갖는다.

7. 发明授权

KR101858930B1 상변화 메모리 장치 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템 有权
标题翻译：相变存储器件及包含其的计算系统
公开(公告)号：KR101858930B1
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：KR1020110088592
申请日：2011-09-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황주영
IPC分类号： G11C13/02
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C21/00
摘要： 상변화메모리장치는메모리셀 어레이, 레지스터부및 제어부를포함한다. 메모리셀 어레이는복수의상변화메모리셀들을구비한다. 레지스터부는원형큐(circular queue)를구비한다. 제어부는기입모드에서기입주소및 기입데이터를수신하여상변화메모리셀들중에서기입주소에상응하는기입메모리셀에기입데이터를프로그램하고기입데이터및 기입주소를레지스터부에제공하고, 레지스터부로부터제공되는제1 결과신호의논리레벨에기초하여기입완료신호를기입메모리셀의상(phase)이안정화되기이전또는안정화된이후에선택적으로출력한다. 상변화메모리장치는프로그램속도를향상시킬수 있다.

8. 发明授权

KR101847684B1 링 레지스터를 사용하는 시프트 가능형 메모리 有权
公开(公告)号：KR101847684B1
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：KR1020147011182
申请日：2011-10-27
申请人： 휴렛 팩커드 엔터프라이즈 디벨롭먼트 엘피
发明人： 피켓매튜디 , 윌리엄스알스탠리 , 리베이로길베르토엠
IPC分类号： G11C19/00 , G11C7/10
CPC分类号： G06F5/08 , G11C7/1012 , G11C7/1036 , G11C19/00 , G11C19/28 , G11C21/00
摘要： 시프트가능형메모리는링 레지스터를사용하여, 이시프트가능형메모리내부에서링 레지스터들에저장된인접의데이터워드서브세트를시프트시킨다. 시프트가능형메모리는내장된워드-레벨시프팅능력을갖는메모리를포함한다. 메모리는데이터워드를저장하는복수의링 레지스터를포함한다. 인접의데이터워드서브세트는메모리내부에서제 1 위치로부터제 2 위치로복수의링 레지스터의링 레지스터집합사이에시프트가능하다. 인접의데이터워드서브세트는메모리의전체크기보다작은크기를갖는다. 인접의데이터워드서브세트가시프트될때, 메모리는이 인접의데이터워드서브세트내부에저장된데이터워드만을시프트시킨다.

9. 发明公开

KR1020170002604A 하이브리드 메모리 큐브 링크들을 이용하는 상호 접속 시스템들 및 방법들 审中-实审
标题翻译：互连系统和使用混合存储器链接的方法
公开(公告)号：KR1020170002604A
公开(公告)日：2017-01-06
申请号：KR1020167034480
申请日：2015-05-01
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크
发明人： 레이델,존디.
IPC分类号： G06F13/16 , G06F13/42 , G06F13/40
CPC分类号： G06F3/0607 , G06F3/0659 , G06F3/0685 , G06F13/1621 , G06F13/1657 , G06F13/1673 , G06F13/1684 , G06F13/40 , G06F13/4022 , G06F13/4234 , G06F2212/205 , G11C7/1075 , G11C21/00
摘要： 시스템온 칩(SoC; System on a Chip)은로컬메모리패킷들및 시스템상호접속패킷들을전달하기위한두 개의패킷화된메모리버스를포함한다. 데이터프로세싱시스템의인 사이투(in situ) 구성에서, 두개 이상의 SoC는하나이상의하이브리드메모리큐브(HMC; hybrid memory cube)와결합된다. 메모리패킷들은소정의 SoC의메모리도메인에서의로컬 HMC들과의통신을가능하게한다. 시스템상호접속패킷들은 SoC들간 통신및 메모리도메인들간 통신을가능하게한다. 전용라우팅구성에서, 시스템에서의각 SoC는로컬 HMC들을어드레싱하기위한이 자체의메모리도메인및 HMC 허브들, HMC 메모리디바이스들, 또는시스템상호접속도메인에연결되는다른 SoC 디바이스들을어드레싱하기위한개별시스템상호접속도메인을갖는다.
摘要翻译：片上系统（SoC）设备包括用于传送本地存储器分组和系统互连分组的两个分组化存储器总线。在数据处理系统的原位配置中，两个或更多个SoC与一个或多个混合存储立方体（HMC）耦合。存储器分组使得能够与给定SoC的存储器域中的本地HMC进行通信。系统互连分组使得SoC之间的通信和存储器域之间的通信成为可能。在专用路由配置中，系统中的每个SoC都有自己的内存域来寻址本地HMC和单独的系统互连域，以解决连接在系统互连域中的HMC集线器，HMC存储设备或其他SoC设备。

10. 发明公开

KR1020130025211A 상변화 메모리 장치 및 이를 포함하는 컴퓨팅 시스템 审中-实审
标题翻译：相变存储器件和具有相同功能的计算系统
公开(公告)号：KR1020130025211A
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：KR1020110088592
申请日：2011-09-01
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 황주영
IPC分类号： G11C13/02
CPC分类号： G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C21/00
摘要： PURPOSE: A phase change memory device and a computing system including the same are provided to improve a program speed by programming write data in a write memory cell of a memory cell array in a write mode and outputting a write completion signal before the phase of a write memory cell is stabilized. CONSTITUTION: A memory cell array(100) includes a plurality of phase change memory cells. A register unit(200) includes a circular queue. A control unit(300) programs write data in a write memory cell corresponding to a write address by receiving the write address and the write data in a write mode, provides the write data and the write address to the register unit, and selectively outputs a write completion signal based on a logic level of a first result signal from the register unit before or after the phase of the write memory cell is stabilized.
摘要翻译：目的：提供一种相变存储器件和包括该相变存储器件的计算系统，以通过以写入模式将存储单元阵列的写入存储器单元中的写入数据进行编程来提高编程速度，并且在相位之前输出写入完成信号写入存储单元稳定。构成：存储单元阵列（100）包括多个相变存储单元。寄存器单元（200）包括循环队列。控制单元（300）通过以写入模式接收写入地址和写入数据来将与写入地址相对应的写入存储单元中的写入数据编程，将写入数据和写入地址提供给寄存器单元，并且选择性地输出在写入存储单元的相位稳定之前或之后，基于来自寄存器单元的第一结果信号的逻辑电平的写入完成信号。

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