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1. 发明授权

KR102289787B1 메모리 데이터에 기초하여 비교 정보를 결정하기 위한 장치, 시스템 및 방법 有权
公开(公告)号：KR102289787B1
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：KR1020177004309
申请日：2015-08-18
IPC分类号： G06F3/06 , G11C7/10 , G11C15/00
摘要： 메모리디바이스에서비교정보를결정하기위한기술및 메커니즘. 일실시예에서, 메모리디바이스는메모리디바이스의메모리위치에대응하는주소를포함하거나지시하는신호를메모리제어기로부터수신한다. 신호가비교동작을지시하는것으로결정되는경우, 메모리디바이스는메모리위치에저장된데이터를검색하고, 이데이터와수신된신호에포함되거나그에의해지시되는기준데이터값의비교를수행한다. 메모리디바이스는비교의결과를나타내는정보를메모리제어기로전송한다. 다른실시예에서, 메모리제어기는그러한메모리디바이스에의한비교동작을제어하기위한신호를제공한다.

2. 发明授权

KR101948126B1 반도체 기억 장치 有权
公开(公告)号：KR101948126B1
公开(公告)日：2019-02-14
申请号：KR1020147034459
申请日：2013-05-03
申请人： 고쿠리츠다이가쿠호진 도호쿠다이가쿠
发明人： 하뉴우다카히로 , 마쓰나가쇼운 , 오니자와나오야 , 가우뎃빈센트
IPC分类号： G11C15/04 , G11C15/00 , G11C7/12 , G06F16/00 , G11C8/08

3. 发明授权

KR101647086B1 연산을 수행하기 위해 기억 셀을 이용하는 장치 및 방법 有权
标题翻译：使用储存细胞进行计算
公开(公告)号：KR101647086B1
公开(公告)日：2016-08-09
申请号：KR1020127004150
申请日：2010-07-11
申请人： 쥐에스아이 테크놀로지 이스라엘 리미티드
发明人： 아케립아비단 , 아감오렌 , 어만일라이 , 메야세드모셰
IPC分类号： G11C7/10 , G11C8/10 , G11C15/00
CPC分类号： G11C29/34 , G11C15/043
摘要： 인-메모리프로세서는, 데이터를저장하는메모리어레이와메모리어레이의한 행내에서적어도 2개의셀을거의동시에활성화시킴으로써적어도 2개의셀의데이터에대한불리안함수출력을생성하는활성화유닛을포함한다. 또다른실시예에서는, 메모리어레이셀을이용하는컨텐츠어드레서블메모리(CAM)를제공한다.

4. 发明公开

KR1020160079925A 감지 회로를 사용하여 논리 연산들을 수행하기 위한 장치들 및 방법들 有权
标题翻译：使用感应电路执行逻辑操作的装置和方法
公开(公告)号：KR1020160079925A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：KR1020167017172
申请日：2014-02-20
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 마닝,트로이에이.
IPC分类号： G11C7/06 , G11C7/10 , G11C11/4091 , G11C15/00 , G06F12/00
CPC分类号： G11C7/065 , G06F12/00 , G11C7/1006 , G11C7/1051 , G11C11/4091 , G11C11/4093 , G11C11/4094 , G11C11/4096 , G11C15/00
摘要： 본개시는감지회로를사용하여논리연산들을수행하는것에관련된장치들및 방법들을포함한다. 예시적인장치는메모리셀들의어레이및 상기어레이에결합된감지회로를포함한다. 상기감지회로는제1 입력으로서감지라인에결합된제1 메모리셀에저장된데이터값 및제2 입력으로서상기감지라인에결합된제2 메모리셀에저장된데이터값을사용하여논리연산을수행하도록구성된다. 상기감지회로는감지라인어드레스액세스를통해데이터를전달하지않고상기논리연산을수행하도록구성된다.
摘要翻译：本公开包括与使用感测电路执行逻辑运算相关的装置和方法。示例性设备包括耦合到阵列的存储器单元阵列和感测电路。感测电路被配置为使用存储在耦合到感测线的第一存储器单元中的数据值作为第一输入和存储在耦合到感测线的第二存储器单元中的数据值作为第二输入来执行逻辑运算。感测电路被配置为执行逻辑操作而不经由感测线地址访问传送数据。

5. 发明授权

KR101635902B1 감지 회로를 사용하여 논리 연산들을 수행하기 위한 장치들 및 방법들 有权
标题翻译：用于使用感测电路来执行逻辑操作的设备和方法
公开(公告)号：KR101635902B1
公开(公告)日：2016-07-04
申请号：KR1020157027181
申请日：2014-02-20
申请人： 마이크론 테크놀로지, 인크.
发明人： 마닝,트로이에이.
IPC分类号： G11C7/06 , G11C7/10 , G11C11/4091 , G11C15/00 , G06F12/00
CPC分类号： G11C7/065 , G06F12/00 , G11C7/1006 , G11C7/1051 , G11C11/4091 , G11C11/4093 , G11C11/4094 , G11C11/4096 , G11C15/00
摘要： 본개시는감지회로를사용하여논리연산들을수행하는것에관련된장치들및 방법들을포함한다. 예시적인장치는메모리셀들의어레이및 상기어레이에결합된감지회로를포함한다. 상기감지회로는제1 입력으로서감지라인에결합된제1 메모리셀에저장된데이터값 및제2 입력으로서상기감지라인에결합된제2 메모리셀에저장된데이터값을사용하여논리연산을수행하도록구성된다. 상기감지회로는감지라인어드레스액세스를통해데이터를전달하지않고상기논리연산을수행하도록구성된다.
摘要翻译：本公开包括涉及使用感测电路来执行逻辑操作的设备和方法。示例性装置包括存储器单元阵列和耦合到阵列的感测电路。所述感测电路被配置为使用存储在耦合到所述感测线作为存储在耦合到所述感测作为第一输入线的存储器单元的第一数据值mitje第二类型的第二存储单元的数据值来执行逻辑运算。感测电路被配置为执行逻辑操作而不通过感测线地址访问来传输数据。

6. 发明授权

KR101585037B1 하이브리드 터너리 컨텐츠 어드레스가능 메모리 有权
标题翻译：混合内容可寻址记忆
公开(公告)号：KR101585037B1
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：KR1020157020259
申请日：2013-12-20
申请人： 퀄컴 인코포레이티드
发明人： 바티콘다,라케쉬 , 데사이,니시쓰 , 중,창호 , 윤,세이승 , 테르지오글루,에신
IPC分类号： G11C15/04 , G11C15/00 , G11C8/06 , G11C8/10
CPC分类号： G11C15/00 , G11C15/04
摘要： 하이브리드터너리컨텐츠어드레스가능메모리(TCAM; hybrid ternary content addressable memory) 내에서의방법은, 제 1 TCAM 스테이지에서검색워드의제 1 부분을저장된워드의제 1 부분과비교하는단계를포함한다. 이방법은, 제 1 TCAM 스테이지의출력을제 2 TCAM 스테이지의입력으로인터페이싱하는단계를더 포함한다. 이방법은또한, 검색워드의제 1 부분이저장된워드의제 1 부분과매칭할때, 제 2 TCAM 스테이지에서검색워드의제 2 부분을저장된워드의제 2 부분과비교하는단계를포함한다. 제 1 TCAM 스테이지는제 2 TCAM 스테이지와는상이하다.

7. 发明授权

KR101547708B1 컨텐트 어드레스가능 메모리（ＣＡＭ） 어레이 有权
标题翻译：内容可寻址存储器（CAM）阵列
公开(公告)号：KR101547708B1
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：KR1020100077264
申请日：2010-08-11
申请人： 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션
发明人： 몬토예,로버트,케빈 , 디틀로우,게리 , 지,브라이언,엘. , 창,리랜드
IPC分类号： G11C15/00 , G11C7/10
摘要： 하나 혹은 그 이상의 주소들을 저장하기 위한 메모리 장치는 매치 라인 그리고 2-비트 메모리 셀을 형성하는 제 1 및 제 2 메모리 셀들을 포함한다. 각각의 메모리 셀은 매치 라인에 결합된 두 개의 메모리 엘리먼트들 및 이들에 결합된 선택 라인들을 포함한다. 상기 선택 라인들은 적어도 두 개의 서로 다른 입력들의 논리 조합으로 이루어진 신호 표시를 제공한다.
摘要翻译：用于存储地址的一个或多个存储装置包括第一和第二存储器单元，以形成匹配线和两比特存储器单元。每个存储器单元包括耦合到匹配线的两个存储器元件和耦合到它们的选择线。选择线提供由至少两个不同输入的逻辑组合构成的信号表示。

8. 发明公开

KR1020150083762A 메모리 셀 有权
标题翻译：记忆体
公开(公告)号：KR1020150083762A
公开(公告)日：2015-07-20
申请号：KR1020140041204
申请日：2014-04-07
申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드
发明人： 존취랴우
IPC分类号： G11C15/00 , G11C15/04
CPC分类号： G11C15/04 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/0886 , H01L27/1052 , H01L2924/0002 , G11C15/00 , H01L2924/00
摘要： TCAM(ternary content addressable memory)과같은메모리셀에대한셀 레이아웃이논의된다. 일부셀 레이아웃은웰 스트랩구조물을포함한다. 셀레이아웃은레이아웃을따라순차적으로 p 도핑웰, n 도핑웰, 및 p 도핑웰을포함할수 있다. 다른셀 레이아웃은레이아웃을따라순차적으로 p 도핑웰, n 도핑웰, p 도핑웰, 및 n 도핑웰을포함할수 있다. 웰스트랩구조물은 p 도핑웰 또는 n 도핑웰에있을수 있다. 메시를갖는다양한금속층들이메모리셀 레이아웃에이용될수 있다. 일부개시된예제들에서, 제 1 금속층은 1개, 2개, 또는 4개의접지트레이스를가질수 있고, 제 2 금속층은 2개의접지트레이스를가질수 있다. 다야한접지트레이스는메시를형성하기위해함께전기적으로결합될수 있다.
摘要翻译：讨论了诸如三元内容可寻址存储器（TCAM）之类的存储单元的单元布局。一些单元布局包括井带结构。电池布局可以沿着布局依次包括p掺杂阱，n掺杂阱和p掺杂阱。其他电池布局依次包括p掺杂阱，n掺杂阱，p掺杂阱以及沿着布局的n掺杂阱。阱带结构可以在p掺杂良好或n掺杂良好。可以在存储单元布局中使用具有网格的各种金属层。在一些公开的示例中，第一金属层可以具有一个，两个或四个接地迹线，并且第二金属层可以具有两个接地迹线。各种接地迹线可以电耦合以形成网格。

9. 发明授权

KR101212679B1 반도체 메모리 장치 및 그 동작 방법 有权
公开(公告)号：KR101212679B1
公开(公告)日：2012-12-14
申请号：KR1020100139173
申请日：2010-12-30
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 강원경
IPC分类号： G11C29/42 , G11C15/00 , G11C29/52
摘要： 본발명의실시예에따른반도체메모리장치는, 동작제어를위한부가정보와, 페러티비트정보가저장되는캠블록들; 상기캠블록과동일한부가정보와페러티비트정보가저장되는백업블록들; 데이터저장을위한메모리셀들을포함하는메모리블록들; 및상기캠블록들의데이터독출을실시할때, 각각의캠블록을독출하고독출된페러티비트를이용한에러체크를실시한후, 에러가발생된캠블록에대한캠블록복원동작을실시하고, 캠블록의복원이실패한경우, 상기백업블록들에저장된부가정보를대신하여이용하여상기메모리블록에대한프로그램, 독출또는소거동작의제어를실시하는제어로직을포함한다.

10. 发明公开

KR1020120105155A 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법 无效
标题翻译：半导体存储器件及其操作方法
公开(公告)号：KR1020120105155A
公开(公告)日：2012-09-25
申请号：KR1020110022778
申请日：2011-03-15
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 이정환 , 박성제 , 김지환 , 조명 , 하범석
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/06 , G11C15/00
CPC分类号： G11C15/046 , G11C16/10
摘要： PURPOSE: A semiconductor memory device including a nonvolatile memory cell and an operating method thereof are provided to prevent operation errors by readjusting the levels of threshold voltages in memory cells according to the variation of the threshold voltages in the memory cells. CONSTITUTION: A memory array(110) includes memory cells which store input data and CAM cells which store set data to set an operation condition. An operation circuit performs a CAM read operation by applying a read voltage to the CAM cells, performs a test operation to detect instable CAM cells with a smaller range than an allowable difference range between the threshold voltage and the read voltage, and performs an erase operation or program operation of the CAM cells. A control circuit(120) controls an operation circuit to perform a program operation to store the set data in the CAM cells again if the number of the instable CAM cells is larger than an allowable value in the test operation. [Reference numerals] (120) Control circuit; (130) Voltage generating circuit; (140) Row decoder; (160) Column selection circuit; (170) Input and output circuit; (180) Pass/fail check circuit
摘要翻译：目的：提供包括非易失性存储单元及其操作方法的半导体存储器件，以通过根据存储单元中的阈值电压的变化重新调整存储器单元中的阈值电压的电平来防止操作错误。构成：存储器阵列（110）包括存储输入数据的存储器单元和存储设置数据以设置操作条件的CAM单元。操作电路通过向CAM单元施加读取电压来执行CAM读取操作，执行测试操作以检测具有比阈值电压和读取电压之间的允许差异范围更小的范围的不稳定的CAM单元，并执行擦除操作或CAM单元的编程操作。如果不稳定的CAM单元的数量大于测试操作中的允许值，则控制电路（120）控制操作电路执行编程操作以将设置数据再次存储在CAM单元中。（附图标记）（120）控制电路; （130）电压发生电路; （140）行解码器; （160）列选择电路; （170）输入输出电路; （180）通过/失败检查电路

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