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1. 发明授权

KR101821604B1 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 有权
标题翻译：非易失性存储器件的编程方法
公开(公告)号：KR101821604B1
公开(公告)日：2018-01-24
申请号：KR1020110073416
申请日：2011-07-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 조용성 , 이남희 , 윤상용
IPC分类号： G11C16/34 , G11C16/10 , G11C16/04
CPC分类号： G11C16/34 , G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3431 , G11C16/3436 , G11C16/3454 , G11C16/3459
摘要： 비휘발성메모리장치의프로그램방법에서, 멀티-비트데이터가페이지버퍼부에로드되고, 멀티-비트데이터에기초하여멀티-레벨셀 블록에포함된멀티-레벨셀들이복수의중간프로그램상태들로프로그램되며, 멀티-레벨셀들이복수의중간프로그램상태들로프로그램되었는지여부가검증된다. 복수의중간프로그램상태들각각에상응하는상위중간프로그램상태에대한검증의결과가소정의기준을만족하는지여부에기초하여복수의중간프로그램상태들각각에대한셀 그룹정보가생성된다. 셀그룹정보에기초하여멀티-레벨셀들이멀티-비트데이터에상응하는복수의목표프로그램상태들로프로그램된다.
摘要翻译：在用于非易失性存储器装置的编程方法，多比特数据在页缓冲器单元加载，位数据到多基础的多包含在水平单元块的多级单元与所述多个中间编程状态的编程验证多级单元是否已被编程为多个中间编程状态。基于对应于多个中间编程状态中的每一个的上部中间编程状态的验证结果是否满足预定标准来产生用于多个中间编程状态中的每一个的单元组信息。基于单元组信息，多级单元被编程有与多位数据相对应的多个目标编程状态。

2. 发明授权

KR101742462B1 메모리 디바이스들을 위한 선형 프로그래밍 기반 디코딩 有权
公开(公告)号：KR101742462B1
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：KR1020157023822
申请日：2013-02-27
申请人： 엠파이어 테크놀로지 디벨롭먼트 엘엘씨
发明人： 마쉬동
IPC分类号： G11C16/34 , G11C7/02 , G11C11/56 , G11C16/26
CPC分类号： G11C16/3431 , G11C7/02 , G11C11/5642 , G11C16/26
摘要： 메모리디바이스들을위한선형프로그래밍기반디코딩에대한기술들이여기에일반적으로기술된다. 일부예들에서, 메모리셀의셀 임계전압레벨이검출된다. 메모리셀과간섭하는간섭셀의간섭전압레벨이결정될수 있다. 셀임계전압레벨은메모리셀의값을결정하기위해빌리프들의세트에따라디코딩될수 있다. 빌리프들의세트는메모리셀과간섭셀 사이의셀간간섭을나타내는선형프로그램의목적함수의최소화를포함할수 있다.

3. 发明公开

KR1020170030702A 불휘발성 메모리 장치를 포함하는 메모리 시스템 审中-实审
标题翻译：一种包括非易失性存储器设备的存储器系统
公开(公告)号：KR1020170030702A
公开(公告)日：2017-03-20
申请号：KR1020150127749
申请日：2015-09-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 유상욱
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/30
CPC分类号： G11C16/3431 , G06F3/0611 , G06F3/0616 , G06F3/0634 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G11C16/10
摘要： 본발명은메모리시스템에관한것으로, 메모리시스템은제 1 프로그램모드또는상기제 1 프로그램모드보다높은읽기마진을갖도록데이터를프로그램하는제 2 프로그램모드를갖는불휘발성메모리장치그리고리드리클레임에따른프로그램동작시, 프로그램되는데이터를상기제 2 프로그램모드로프로그램하도록상기불휘발성메모리장치를제어하는메모리컨트롤러를포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种存储器系统中，存储器系统包括：第一程序模式或以具有比具有第二程序模式用于编程根据衣物权利要求中的数据和重新编程操作中的第一程序模式高的读取裕度的第二非易失性存储装置以及存储器控制器，用于控制非易失性存储器件在第二编程模式下编程要被编程的数据。

4. 发明公开

KR1020160108656A 반도체 장치 审中-实审
标题翻译： SEMICONDUCTOR APPARATUS
公开(公告)号：KR1020160108656A
公开(公告)日：2016-09-20
申请号：KR1020150030456
申请日：2015-03-04
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김우현
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/30 , G11C16/04 , G11C16/34
CPC分类号： G11C16/28 , G11C16/0483 , G11C16/349 , G11C16/26 , G11C16/04 , G11C16/30 , G11C16/3422 , G11C16/3427 , G11C16/3431
摘要： 반도체장치는메모리셀들, 메모리셀들의리드동작을실시하도록구성되는동작회로, 및리드동작에의해구분되는메모리셀들의개수들을카운팅하고비교하도록구성된체크회로를포함하며, 동작회로는비교결과에따라리드동작에서메모리셀들에인가될리드전압의레벨을변경하도록구성된다.
摘要翻译：半导体器件包括存储器单元，被配置为执行存储单元的读取操作的操作电路，以及配置为对由读取操作划分的存储器单元的数量进行计数和比较的校验电路。操作电路被配置为根据比较结果改变在读取操作中施加到存储单元的读取电压的电平。

5. 发明公开

KR1020160088494A 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법 审中-实审
标题翻译：数据存储设备及其操作方法
公开(公告)号：KR1020160088494A
公开(公告)日：2016-07-26
申请号：KR1020150007473
申请日：2015-01-15
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김상식 , 이재윤
IPC分类号： G11C29/44 , G11C29/52 , G11C29/56 , G11C29/50 , G11C29/04
CPC分类号： G11C7/20 , G11C11/5628 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/16 , G11C16/26 , G11C16/3427 , G11C16/3431 , G11C2211/5648 , G11C29/44 , G11C29/50004 , G11C29/52 , G11C29/56008 , G11C2029/0411 , G11C2216/18
摘要： 데이터저장장치는서로인접한제1 메모리셀 및제2 메모리셀을포함하는불휘발성메모리장치및 상기제1 메모리셀에대한리드동작의페일여부에따라, 상기제2 메모리셀의문턱전압을조정하기위한분포조정동작을수행하도록구성된컨트롤러를포함한다.
摘要翻译：数据存储装置包括：非易失性存储装置，包括相邻的第一和第二存储器单元; 以及控制器，被配置为执行分配调整操作，以便根据对第一存储器单元的读取操作是否失败来调整第二存储器单元的阈值电压。根据本发明，数据存储装置可以提供改进的数据可靠性。

6. 发明授权

KR101633286B1 다수의 판독들 및／또는 빈들을 사용한 소프트 판독 값들의 생성 有权
标题翻译：使用多个读取和/或键生成软读取值
公开(公告)号：KR101633286B1
公开(公告)日：2016-07-08
申请号：KR1020147017552
申请日：2013-01-23
申请人： 에스케이 하이닉스 메모리 솔루션즈 인크.
发明人： 탕시앙유 , 리프레데릭케이.에이치. , 벨로라도제이슨 , 서브라마니안아룬쿠마르 , 젱링키
IPC分类号： G11C16/26 , G11C7/12
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/1048 , G06F11/1072 , G11C16/26 , G11C16/34 , G11C16/3431 , G11C16/349 , G11C29/52 , H03M13/1102
摘要： 개시판독임계치가수신된다. 제 1 오프셋및 제 2 오프셋이결정된다. 제 1 판독이개시판독임계치에서제 1 오프셋만큼오프셋되어수행되어제 1 하드판독값을얻고제 2 판독이개시판독임계치에서제 2 오프셋만큼오프셋되어수행되어제 2 하드판독값을얻는다. 소프트판독값은제 1 하드판독값 및제 2 하드판독값에적어도부분적으로기초하여생성된다.

7. 发明公开

KR1020150142613A 비휘발성 랜덤 액세스 메모리의 기억 영역의 리프레시 审中-实审
标题翻译：非易失性随机访问存储器的存储区刷新
公开(公告)号：KR1020150142613A
公开(公告)日：2015-12-22
申请号：KR1020150080341
申请日：2015-06-08
申请人： 로베르트 보쉬 게엠베하
发明人： 아위악셀
IPC分类号： G11C16/34 , G11C13/00 , G11C11/406 , G11C16/04
CPC分类号： G11C13/0033 , G06F11/1004 , G11C13/0002 , G11C13/0004 , G11C16/3418 , G11C16/3431 , G11C16/349 , G11C16/3495
摘要： 본발명은내장시스템(100)의비휘발성랜덤액세스메모리(120)의기억영역(121)의리프레시를수행하기위한방법에관한것으로, 상기방법에서는리프레시트리거기준이충족되면(204), 비휘발성랜덤액세스메모리(120)의기억영역(121)의리프레시가수행되고, 사전설정가능한시간간격으로리프레시트리거기준이충족되는지의여부가검사되며(201), 내장시스템(100)가사전설정가능한시간간격의경과후에비활성화되면, 내장시스템은자동으로활성화되고검사가수행된다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于执行嵌入式系统（100）的非易失性随机存取存储器（120）的存储区域（121）的刷新的方法。该方法包括以下步骤：如果满足刷新触发标准（204），则刷新非易失性随机存取存储器（120）的存储器区域（121）。以预定的时间间隔进行检查以确定是否满足刷新触发标准（201）; 以及自动激活所述嵌入式系统并且在以预定的间隔通过所述时间之后，执行所述嵌入式系统（100）是否被去激活的检查。

8. 发明公开

KR1020150096646A 비휘발성 메모리의 영역들로의 판독 액세스들에 대한 추적 审中-实审
标题翻译：跟踪非易失性存储区域的访问
公开(公告)号：KR1020150096646A
公开(公告)日：2015-08-25
申请号：KR1020157011763
申请日：2013-11-21
申请人： 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨
发明人： 드아브레유마뉴엘안토니오 , 스칼라스테판
IPC分类号： G11C16/34 , G06F12/02 , G11C16/26 , G11C16/10
CPC分类号： G06F12/0246 , G11C16/3431 , G11C16/349
摘要： 데이터 저장 디바이스는 메모리와 콘트롤러를 포함하며, 상기 콘트롤러에서, 특정 카운터에 의해서 추적되는 비휘발성 메모리의 특정 영역에 대한 판독 액세스에 응답하여, 카운터들의 세트 중에서 상기 특정 카운터의 값을 업데이트하는 단계를 포함하는 방법을 수행할 수 있다. 상기 비휘발성 메모리의 제 1 영역에 대한 판독 액세스들은 카운터들의 상기 세트 중 제 1 카운터에 의해서 추적되고, 상기 비휘발성 메모리의 제 2 영역에 대한 판독 액세스들은 카운터들의 상기 세트 중 제 2 카운터에 의해서 추적된다. 상기 방법은 상기 특정 영역에 대한 판독 액세스들의 카운트가 제 1 임계값과 같거나 제 1 임계값을 초과했음을 나타내는 상기 특정 카운터의 값에 응답하여, 상기 비휘발성 메모리의 상기 특정 영역에 대한 치유 행동을 개시하는 단계를 포함한다.

9. 发明公开

KR1020150032389A 불휘발성 메모리 및 그것의 프로그램 방법 审中-实审
标题翻译：非易失性存储器件及其使用的程序方法
公开(公告)号：KR1020150032389A
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：KR1020130111389
申请日：2013-09-16
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 곽동훈 , 박기태
IPC分类号： G11C16/10
CPC分类号： G11C16/24 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/3418 , G11C16/3422 , G11C16/3427 , G11C16/3431
摘要： 본 발명은 불휘발성 메모리 및 그것의 프로그램 방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 불휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법은 상기 불휘발성 메모리 장치는 수직으로 적층되며 하나의 비트 라인을 공유하는 적어도 두 개의 셀 스트링들을 포함하며, 상기 셀 스트링들 사이의 디스터브 환경을 기초로 프리차지 조건을 설정하는 단계, 상기 셀 스트링들 중 선택되지 않은 셀 스트링들을 상기 프리차지 조건에 응답하여 프리차지하는 단계 및 상기 셀 스트링들 중 선택된 셀 스트링에 포함된 메모리 셀들을 프로그램하는 단계를 포함한다. 본 발명의 불휘발성 메모리 및 그것의 프로그램 방법에 의하면, 비선택 비트라인에 대한 프리차지 동작이 디스터브 환경 적응적으로 수행될 수 있으므로 프로그램 디스터브가 방지되면서도 프로그램 속도가 빨라질 수 있다.
摘要翻译：非易失性存储器件及其编程方法技术领域本发明涉及非易失性存储器件及其编程方法。包括垂直堆叠并共享位线的至少两个单元串的非易失性存储器件的编程方法包括以下步骤：基于单元串之间的干扰环境设置预充电条件; 响应于所述预充电条件而不从所述单元串中选择的预充电单元串; 以及编程包括在从所述单元串中选择的至少一个单元串中的存储单元。因此，非易失性存储器件及其编程方法可以自适应地对干扰环境进行非选择位线的预充电操作，从而防止程序干扰并提高编程速度。

10. 发明公开

KR1020150024323A 불량 블록 관리 메커니즘 有权
标题翻译：边框管理机制
公开(公告)号：KR1020150024323A
公开(公告)日：2015-03-06
申请号：KR1020147033521
申请日：2013-06-03
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 라마누잔,라즈케이. , 힌턴,글렌제이. , 짐머맨,데이비드제이.
IPC分类号： G11C29/00 , G11C29/56 , G11C16/34 , G11B20/18
CPC分类号： G11B20/1883 , G11C29/82 , G11C29/886 , G11C16/3422 , G11C16/3431 , G11C29/56
摘要： 시스템은 NVRAM(non-volatile random access memory) 디바이스 및 이 디바이스 내에서 불량 블록을 검출하고, 불량 블록을 회수하고, 불량 블록의 주소를 교체 블록에 할당함으로써 불량 블록을 교체 블록으로 대체하는 제어기 로직을 포함한다.
摘要翻译：一种系统包括非易失性随机存取存储器（NVRAM）装置和控制器逻辑，用于检测装置内的坏块，通过将坏块的地址分配给替换来退出坏块并用替换块替换坏块块。

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