专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101895395B1 크로스-포인트 메모리에서의 가열기로서의 열 디스터브 有权
公开(公告)号：KR101895395B1
公开(公告)日：2018-09-06
申请号：KR1020167032560
申请日：2015-05-15
申请人： 인텔 코포레이션
发明人： 라오수부,가야트리 , 판갈,키란 , 프랭클린,네이단
IPC分类号： G11C29/52 , G06F11/10 , G11C7/04 , G11C13/00
CPC分类号： G11C29/52 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , G11C7/04 , G11C13/0004 , G11C13/0033 , G11C2013/008 , G11C2213/76
摘要： 본개시내용은크로스-포인트메모리에서의가열기로서의열 디스터브에관한것이다. 장치는메모리제어기를포함한다. 메모리제어기는, 타겟메모리셀과연관된선택실패및 세트페일메모리판독에러중 적어도하나에응답하여타겟메모리셀을식별하도록구성된다. 메모리제어기는타겟메모리셀에인접한제1 개수의선택된인접메모리셀들에복구펄스들의제1 시퀀스를인가하도록추가로구성되고, 복구펄스들의제1 시퀀스는타겟메모리셀에서의가열을유도하도록구성된다.

2. 发明授权

KR101800445B1 메모리 컨트롤러 및 메모리 컨트롤러의 동작 방법 有权
标题翻译：内存控制器和内存控制器如何工作
公开(公告)号：KR101800445B1
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：KR1020110043621
申请日：2011-05-09
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 공재필 , 조용원 , 송종욱
IPC分类号： G06F11/10 , H03M13/15 , H03M13/37 , H03M13/00 , G06F11/07
CPC分类号： G06F11/076 , G06F11/1048 , H03M13/152 , H03M13/1545 , H03M13/1555 , H03M13/3715 , H03M13/6502
摘要： 본발명은메모리장치를제어하도록구성되는메모리컨트롤러의동작방법에관한것이다. 본발명의동작방법은, 메모리장치로부터읽기벡터를읽는단계, 그리고읽기벡터의에러들의수에따라전력소모를조절하며읽기벡터의적어도하나또는그 이상의에러들을정정하는단계로구성된다.
摘要翻译：本发明涉及一种操作配置成控制存储器件的存储器控制器的方法。本发明的操作方法包括从存储器装置读取读取矢量并根据读取矢量的错误数量调整功耗并校正读取矢量的至少一个或多个错误。

3. 发明公开

KR1020170118291A 불휘발성 메모리 장치 및 컨트롤러를 포함하는 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법 审中-实审
标题翻译：包括非易失性存储器件和控制器的存储设备，以及存储设备的操作方法
公开(公告)号：KR1020170118291A
公开(公告)日：2017-10-25
申请号：KR1020160045672
申请日：2016-04-14
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 임혜진 , 이진엽 , 강경화 , 김민석 , 김민수 , 윤성원
IPC分类号： G06F3/06 , G06F12/02 , G06F11/10
CPC分类号： G06F3/0619 , G06F3/0653 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F11/1048 , G06F11/1068 , G11C11/5642 , G11C16/0483 , G11C16/26 , G11C29/52
摘要： 본발명은스토리지장치에관한것이다. 본발명의스토리지장치는, 불휘발성메모리장치, 그리고외부의호스트장치의요청에따라읽기커맨드를생성하여불휘발성메모리장치로전송하는컨트롤러를포함한다. 불휘발성메모리장치는읽기커맨드에응답하여읽기동작을수행하고, 읽혀진데이터를컨트롤러로출력하고, 그리고읽기동작의정보를내부의레지스터에저장한다.
摘要翻译：存储装置技术领域本发明涉及存储装置。本发明的存储设备包括非易失性存储设备和控制器，用于在外部主机设备的请求下产生读取命令并将读取的命令发送到非易失性存储设备。非易失性存储器件响应于读取命令执行读取操作，将读取的数据输出到控制器，并将读取操作的信息存储在内部寄存器中。

4. 发明公开

KR1020170098538A 반도체 장치 및 그 구동 방법 审中-实审
标题翻译：半导体装置及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020170098538A
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：KR1020160020575
申请日：2016-02-22
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박민수
IPC分类号： G11C29/42 , G11C29/02 , G06F11/10 , G11C29/18
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/1048 , G11C11/406 , G11C11/40611 , G11C11/408 , G11C11/4096 , G11C29/4401 , G11C29/52 , G11C29/76 , G11C2211/4062
摘要： 본발명은반도체장치및 그구동방법에관한것으로, 에러정정코드(Error Correction Code) 회로를포함하는반도체장치에관한기술이다. 이러한본 발명은복수의데이터영역으로구분되며리프레쉬동작시 ECC(Error Correction Code) 어드레스에대응하여 ECC가수행되는데이터영역이순차적으로변경되는셀 어레이, 복수의데이터영역중 일부데이터영역에대응하여 ECC 동작이수행되며, 복수의데이터영역에대응하는패리티데이터가데이터영역별로순차적으로저장되는 ECC 영역, 및데이터영역을변경하기위한 ECC 어드레스를생성하며, 데이터영역의변경시셀 어레이의데이터와패리티데이터의리드/라이트동작을제어하는명령/어드레스생성부를포함한다.
摘要翻译：半导体器件及其驱动方法技术领域本发明涉及一种半导体器件及其驱动方法，并且涉及一种包括纠错码电路的半导体器件。本发明是一种单元阵列，其中在刷新操作中依次改变被划分成多个数据区域并且经历与ECC（纠错码）地址相对应的ECC纠正的数据区域，其中ECC 生成对于每个数据区域依次存储与多个数据区域对应的奇偶校验数据和用于改变数据区域的ECC地址的ECC区域，以及用于控制读/写操作的指令/地址生成单元。

5. 发明公开

KR1020170090683A 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 데이터 저장 장치의 동작 방법 审中-实审
标题翻译：非易失性存储设备，包括其的数据存储设备的操作方法
公开(公告)号：KR1020170090683A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：KR1020160011348
申请日：2016-01-29
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 홍지만
IPC分类号： G11C16/08 , G11C16/30 , G11C16/26 , G11C29/04 , G11C29/44 , G06F3/06
CPC分类号： G11C16/3418 , G06F11/1048 , G11C16/0483 , G11C16/08 , G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/28 , G11C16/3422 , G11C16/3427 , G11C16/3431
摘要： 비휘발성메모리장치는복수의워드라인들에연결된복수의메모리셀들을포함하는메모리블록및 타겟워드라인에연결된타겟메모리셀들에대한리드커맨드에응답하여리드동작을수행하도록구성된제어부를포함하고, 상기제어부는, 상기타겟워드라인으로리드바이어스를인가하고, 모니터링워드라인으로제1 패스바이어스를인가하고, 상기타겟워드라인에인접한하나이상의인접워드라인들로제2 패스바이어스를인가하고, 나머지워드라인들로제3 패스바이어스를인가함으로써, 상기리드동작을수행한다.
摘要翻译：非易失性存储器装置以及控制单元，被配置为响应执行读取操作，以用于耦合到所述存储器块和目标字线包括多个连接到多个字线的存储器单元，其中所述目标存储器单元的读取命令控制单元，所述目标是一个读偏压施加到字线，以及施加施加偏压的第一通，其中，相邻的一个或多个相邻的字线的Rosetta 2路径偏压到监视字线的目标字线，而其它字线读取操作通过应用桃红色3遍偏置来执行。

6. 发明公开

KR1020170076883A 메모리 시스템 및 그의 동작방법 审中-实审
标题翻译：存储器系统及其操作方法
公开(公告)号：KR1020170076883A
公开(公告)日：2017-07-05
申请号：KR1020150186110
申请日：2015-12-24
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김광수 , 이종민
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/34 , G11C29/00 , G06F11/10
CPC分类号： G06F11/076 , G06F11/1048 , G06F11/1072 , G11C29/42 , G11C29/44 , G11C29/50004 , G11C29/52 , G11C29/76 , G11C2029/0409
摘要： 본기술은복수의메모리블록들을포함하는메모리시스템및 그동작방법에관한것으로서, 상기복수의메모리블록들중 선택된메모리블록의페이지들을각각의프로그램시간에따라그룹화하는단계, 상기그룹들에대해순차적으로테스트리드를수행하는단계, 상기테스트리드된그룹의페이지들의에러를검출하는단계, 및상기에러검출결과에따라선택된페이지를재프로그램하는단계를제공한다.
摘要翻译：为了使这些技术中，根据与所述多个存储块中的存储器块中的所述页面的分组中选择的每个的编程时间中的一个，该组涉及存储器系统和操作的方法，包括多个存储器块的执行测试导线，检测测试读取组页面的错误，并根据错误检测结果重新编程所选页面。

7. 发明公开

KR1020170051039A 반도체 장치 및 그 구동 방법 审中-实审
标题翻译：半导体装置及其驱动方法
公开(公告)号：KR1020170051039A
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：KR1020150153361
申请日：2015-11-02
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 박민수 , 조진희
IPC分类号： G11C29/42 , G11C29/44 , G11C8/06 , G11C7/06
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/1048 , G11C7/14 , G11C11/5642 , G11C29/52 , G11C2029/0411
摘要： 본발명은반도체장치및 그구동방법에관한것으로, 에러정정코드(Error Correction Code) 회로를포함하는반도체장치에관한기술이다. 이러한본 발명은복수의메모리셀 들을포함하며데이터라인과연결되는복수의노말매트, 복수의노말매트의특정영역에배치되고, 특정단위의패리티라인을통해패리티비트가입출력되는복수의더미매트, 데이터라인과패리티라인을통해인가되는데이터에대응하여 ECC(Error Correction Code) 연산을수행하는복수의프리 ECC 연산기및 복수의프리 ECC 연산기로부터인가되는데이터를조합하여 ECC 연산을수행하는메인 ECC 연산기를포함한다.
摘要翻译：半导体器件及其驱动方法技术领域本发明涉及一种半导体器件及其驱动方法，并且涉及一种包括纠错码电路的半导体器件。本发明涉及一种半导体存储器件，包括：包括多个存储器单元并连接到数据线的多个常规垫，布置在多个常规垫的特定区域中的多个虚拟垫，响应于通过组合多个从多个预ECC运算单元施加用于执行操作所述预ECC计算和数据经由线和奇偶校验线ECC（错误校正码）应用于数据包括执行ECC运算的主ECC计算单元的。

8. 发明授权

KR101731576B1 반도체 기억장치 및 NAND 플래시 메모리의 프로그램 방법 有权
公开(公告)号：KR101731576B1
公开(公告)日：2017-04-28
申请号：KR1020140156192
申请日：2014-11-11
申请人： 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션
发明人： 야마우치,카즈키
IPC分类号： G11C29/42 , G11C16/34
CPC分类号： G11C29/52 , G06F3/0679 , G06F3/0688 , G06F11/00 , G06F11/10 , G06F11/1048 , G06F11/1052 , G06F11/1068 , G06F2212/2022 , G06F2212/214 , G06F2212/222 , G06F2212/403 , G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C2029/0411
摘要： [과제] 데이터의신뢰성을유지하면서프로그램시간의단축을도모할수 있는반도체기억장치를제공한다.[해결수단] 본발명의플래시메모리는, 메모리어레이(100)와, 페이지버퍼/센스회로(160)와, 외부입출력단자에접속된입출력버퍼(110)와, 데이터의오류검출및 정정을행하는 ECC 회로(120)를포함한다. 프로그램동작시, 입출력버퍼(110)는페이지버퍼/센스회로(160) 및 ECC 회로(120)에병렬로프로그램데이터를로드시키고, ECC 회로(120)는 ECC 연산에의해생성된패리티비트를페이지버퍼/센스회로(160)의스페어영역에기입한다. ECC 처리의종료후, 페이지버퍼/센스회로(160)에유지된데이터가선택된페이지에프로그램된다.

9. 发明公开

KR1020170030863A 메모리 시스템 및 그 동작 방법 审中-实审
标题翻译：存储器系统及其操作方法
公开(公告)号：KR1020170030863A
公开(公告)日：2017-03-20
申请号：KR1020150128307
申请日：2015-09-10
申请人： 에스케이하이닉스 주식회사
发明人： 김동현
IPC分类号： G11C29/02 , G11C29/12 , G11C16/26
CPC分类号： G11C16/26 , G06F11/1048 , G11C16/3454 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/06 , G11C29/52 , G11C2029/0411 , G11C2029/5004
摘要： 본기술은전자장치에관한것으로, 보다구체적으로는보다구체적으로는메모리시스템및 그동작방법에관한것이다. 본기술에따른진행성불량을검출하는방법은프로그램동작을수행한선택된워드라인에리드전압을인가하는단계, 상기선택된워드라인에인접한적어도하나이상의비선택워드라인에제1 패스전압을인가하는단계, 제1 기준시간이경과하면, 상기적어도하나이상의비선택워드라인에제2 패스전압을인가하는단계및 제2 기준시간이경과한뒤 상기선택된워드라인에연결된메모리셀들에대한리드동작을수행하는단계를포함할수 있다.
摘要翻译：存储系统及其操作方法技术领域本发明涉及电子设备，更具体地涉及存储系统及其操作方法。根据本发明的用于检测渐进故障的方法包括将读取电压施加到已经执行编程操作的选定字线，将第一通过电压施加到与所选字线相邻的至少一个或多个未选字线，当第一参考时间已过时，向至少一个或多个未选字线施加第二通过电压，并且在经过第二参考时间之后对连接到选定字线的存储单元执行读取操作它可以是一个一步。

10. 发明公开

KR1020170024429A 비휘발성 메모리 장치, 이의 동작 방법 및 이를 포함하는 에스에스디 审中-实审
标题翻译：非易失性存储器件的操作方法和包括其中的固态驱动
公开(公告)号：KR1020170024429A
公开(公告)日：2017-03-07
申请号：KR1020150119697
申请日：2015-08-25
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 심영섭 , 김재홍 , 차상수 , 한진만
IPC分类号： G11C16/10 , G11C16/26 , G11C16/16 , G11C16/08 , G11C16/30 , G06F12/02
CPC分类号： G06F11/1068 , G06F11/1048 , G11C16/10 , G11C16/20 , G11C16/26 , G11C16/349 , G11C16/3495 , G11C29/025 , G11C29/028 , G11C29/52 , G11C2029/0407 , G11C2029/0409 , G11C2029/0411 , G11C2029/5004
摘要： 비휘발성메모리장치의동작방법에서는기판위에수직하게형성되는, 메모리셀 어레이의복수의메모리블록들중 제1 메모리블록의복수의페이지들에대하여순차적으로프로그램루프를수행하고, 상기복수의페이지들중 선택된제1 페이지에대하여독출동작을수행하기전에상기메모리블록들중 적어도일부에대하여주기적인더미펄스를적어도한번인가한다. 따라서독출동작시에러비트가증가하는것을방지하여비휘발성메모리장치의성능을높일수 있다.
摘要翻译：在操作非易失性存储器件的方法中，对存储单元阵列的多个存储块的第一存储块的多页进行编程。在编程之后，在对多个页面之一执行读取操作之前，将至少一些多个存储器块中的虚拟脉冲施加至少一次。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式