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1. 发明授权

KR101922765B1 EUV 리소그래피에서의 사용을 위한 미러 기판용 TiO2-SiO2 유리의 블랭크 및 그 생산을 위한 방법 有权
公开(公告)号：KR101922765B1
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：KR1020157023004
申请日：2014-02-04
申请人： 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 & 컴파니 케이지
发明人： 토마스스테판 , 베커클라우스 , 오크스스테판
IPC分类号： C03C3/06 , C03B19/14 , C03B25/02 , C03B32/00 , G02B5/08 , G03F7/20
CPC分类号： C03C3/06 , C03B19/1453 , C03B19/1469 , C03B25/02 , C03B32/00 , C03B2201/21 , C03B2201/23 , C03B2201/42 , C03C2201/21 , C03C2201/23 , C03C2201/42 , C03C2203/40 , C03C2203/52 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70958
摘要： EUV 리소그래피에서의사용을위한미러기판용 TiO-SiO유리의블랭크를제공하기위해, 열팽창계수의진행을최적화하기위한적응이필요하며, 결과적으로또한영점교차온도(zero crossing temperature) T의진행이낮으며, TiO-SiO유리는 920℃내지 970℃사이의범위에있는가상온도 T의평균값을가지며, 미분계수 dT/dT로서표현되는가상온도 T에관한영점교차온도 T의의존성은 0.3보다작다.

2. 发明公开

KR20180041567A 투영 광학계, 노광 장치 및 물품 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180041567A
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：KR20170123990
申请日：2017-09-26
申请人： CANON KK
发明人： KONO MICHIO , FUKAMI KIYOSHI , FUKUOKA RYOUSUKE
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G02B17/084 , G02B17/0852 , G03F7/70316
摘要： 본발명은제1 오목반사면, 제1 볼록반사면, 제2 오목반사면및 제3 오목반사면을포함하는투영광학계를제공하며, 제1 오목반사면, 제1 볼록반사면, 제2 오목반사면및 제3 오목반사면은, 물체면으로부터의광이제1 오목반사면, 제1 볼록반사면, 제2 오목반사면, 제1 볼록반사면및 제3 오목반사면에의해열거된순서로반사됨으로써화상면상에화상을형성하도록배열된다.

3. 发明公开

KR1020170105509A 광학 시스템용, 특히 마이크로리소그래픽 투영 노광 유닛용 광학 요소의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：用于制造光学系统的光学元件的方法，特别是用于微光刻投影曝光单元的方法
公开(公告)号：KR1020170105509A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：KR1020177019005
申请日：2015-12-30
申请人： 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
发明人： 힐트커스틴 , 슈티켈프란츠-요세프 , 피히틀로버트 , 하르트예스요아힘
IPC分类号： G03F7/20 , G21K1/06 , G02B26/06 , G02B27/00
CPC分类号： G03F7/70266 , G02B26/06 , G02B27/0068 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G21K1/062 , G21K2201/067
摘要： 본발명은광학시스템용, 특히마이크로리소그래픽투영노광장치용광학요소를제조하기위한방법에관한것이다. 본발명에따른방법은기판(102)을제공하는단계와, 기판에층 시스템(103)을인가하는단계로서, 광학요소(100)의광학유효면(101)이형성되고층 시스템은광학유효면의기하학적형상을조작하기위해열변형가능한층(104)을갖는, 층시스템도포단계와, 광학시스템의지정된동작온도를초과하여열변형가능층을적어도영역적으로가열하면서광학요소에온도장을생성하는단계를포함하고, 온도장을광학요소에생성하기전에, 열변형가능층은온도장을인가할때 유도된변형이광학요소가지정된동작온도로냉각된후에적어도부분적으로유지되도록구성된다. 본발명은또한광학시스템용광학요소에관한것으로서, 광학요소(400)는광학유효면(401)을갖고, 기판(402), 및반사층시스템(406)을갖는기판(402) 상에위치된층 시스템(403)을갖고, 층시스템은형상기억합금을더 갖는다. 본발명에따르면, 광학시스템의동작중에발생하는광학유효면의변형은형상기억합금으로의열에너지의능동인가에의해적어도부분적으로보상될수 있다.
摘要翻译：用于制造光学系统的光学元件的方法技术领域本发明涉及一种用于制造用于光学系统的光学元件的方法，尤其涉及一种微光刻投影曝光设备根据本发明包括以下步骤的方法：将层系统103在步骤用中，衬底包括提供衬底102，在所述表面光学有效的释放和层系统的光学元件100的光学有效表面101 具有热变形甚至104操纵的几何形状，和施加步骤该层系统，在过量的光学系统中给定的用于产生温度场的光学元件的工作温度的同时至少领土加热热可变形层被配置成使得其包括的步骤中，产生温度场的光学元件之前，热可变形层是至少部分地保持之后施加温度场时引起的变形冷却至所述光学元件的工作温度被指定。本发明还涉及一种光学元件的光学系统中，光学元件400包括具有有效表面401，基板402，以及具有系统406定位在基板402上的反射层的光学系统403，并且层系统还具有形状记忆合金。根据本发明，光学有效表面的光学系统的操作过程中可能发生的变形可以通过热能的有效应用到形状记忆合金是至少部分补偿。

4. 发明公开

KR1020170031199A 극 자외선 캐핑 층 및 그 제조 및 리소그래피 방법 审中-实审
标题翻译：极紫外线覆盖层及其制造和光刻方法
公开(公告)号：KR1020170031199A
公开(公告)日：2017-03-20
申请号：KR1020177003861
申请日：2015-07-03
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 비즐리,카라 , 호프만,랄프 , 포아드,마지드에이. , 벡스트롬,루디3세
IPC分类号： G03F7/20 , G02B1/14 , G02B5/08
CPC分类号： G02B5/0891 , C23C14/083 , C23C14/14 , C23C14/568 , C23C14/5853 , C23C14/5873 , C23C28/32 , C23C28/3455 , G02B1/14 , G02B5/0816 , G02B5/085 , G03F1/24 , G03F1/48 , G03F7/20 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062
摘要： 극자외선반사엘리먼트의제조의방법은, 기판을제공하는단계; 기판상에다층스택을형성하는단계― 다층스택은브랙반사기를형성하기위해제 1 반사층 및제 2 반사층을갖는복수의반사층 쌍들을포함함―; 및다층스택상에그리고위에캐핑층을형성하는단계를포함하며, 캐핑층은티타늄산화물, 루테늄산화물, 니오븀산화물, 루테늄텅스텐, 루테늄몰리브덴, 또는루테늄니오븀으로형성되고, 캐핑층은산화및 기계적부식을감소시킴으로써다층스택을보호한다.
摘要翻译：一种制造远紫外线反射元件的方法，包括：提供衬底; 形成在衬底上的多层堆叠，所述多层堆叠包括多个对具有第一反射层mitje第二反射层以形成布拉格反射器的反射层的的; 上mitda堆和包括封盖以在所述覆盖层的覆盖层的工序中的氧化钛，氧化钌，氧化铌，氧化钌，钨，钌，钼或钌和铌的形成，覆盖层是氧化物和机械腐蚀保护多层叠层。

5. 发明公开

KR1020170029596A 다층 스택을 갖는 극 자외선 반사 엘리먼트 및 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：具有多层堆叠的极端超紫外反射元件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170029596A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：KR1020177003862
申请日：2015-07-03
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 호프만,랄프 , 하산,비나야크비쉬와나쓰 , 비즐리,카라 , 포아드,마지드에이.
IPC分类号： G03F7/20 , G03F1/24 , H01J37/34 , H01J37/32 , G21K1/06 , C23C14/06 , C23C14/14 , C23C16/44
CPC分类号： G03F7/702 , C23C14/0605 , C23C14/0635 , C23C14/14 , C23C16/44 , G02B1/14 , G02B5/085 , G02B5/0891 , G03F1/24 , G03F1/48 , G03F1/52 , G03F7/70033 , G03F7/70316 , G03F7/70916 , G03F7/70958 , G21K1/062 , H01J37/32798 , H01J37/3429
摘要： 극자외선반사엘리먼트의제조의장치및 방법은, 기판; 기판상의다층스택― 다층스택은, 브랙반사기를형성하기위해, 실리콘으로형성된제 1 반사층, 및니오븀또는니오븀탄화물로형성된제 2 반사층을갖는복수의반사층 쌍들을포함함―; 및산화및 기계적인부식을감소시킴으로써다층스택을보호하기위한, 다층스택상의그리고위의캐핑층을포함한다.
摘要翻译：一种制造极紫外反射元件的设备和方法包括：基片; 所述多层叠层包括多个反射层对，所述多个反射层对具有由硅形成的第一反射层和由用于形成布拉格反射器的铌或碳化铌形成的第二反射层; 以及在多层堆叠上和上方的覆盖层，用于通过减少氧化和机械侵蚀来保护多层堆叠。

6. 发明公开

KR1020170024034A 광학 매니퓰레이터, 투영 렌즈 및 투영 노광 장치 审中-实审
标题翻译：光学手持机投影镜头和投影曝光装置
公开(公告)号：KR1020170024034A
公开(公告)日：2017-03-06
申请号：KR1020177002282
申请日：2015-06-26
申请人： 칼 짜이스 에스엠테 게엠베하
发明人： 에바에릭
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/7015 , G02B3/12 , G02B7/028 , G02B13/16 , G02B27/0031 , G02B27/0068 , G03F7/70266 , G03F7/70308 , G03F7/70958 , G03F7/0027 , G03F7/70258 , G03F7/70316 , G03F7/70833
摘要： 본발명은특히용융실리카로구성된광학요소(OE), 및광학요소(OE)의표면형태(SF)를가역적으로변경하기위한작동디바이스(DR)를포함하고, 작동디바이스(DR)는복수의접촉영역(K)에서광학요소(OE) 상에기계적으로작용하기위한복수의액추에이터(AK)를갖는광학매니퓰레이터(MAN)에관한것이다. 광학요소(OE)는액추에이터(AK)의접촉영역의적어도작용영역에서, 1 MPa 초과, 바람직하게는 100 MPa 초과, 특히바람직하게는 500 MPa 초과의압축응력으로예비응력을받게된다. 본발명은또한적어도하나의이러한광학매니퓰레이터(MAN)를포함하는투영렌즈, 이러한투영렌즈를포함하는투영노광장치, 및이러한광학매니퓰레이터(MAN)를제조하기위한방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种光学机械手（MAN），包括：光学元件（OE），特别是由熔融石英组成的光学元件（OE）和用于可逆地改变光学元件（OE）的表面形式（SF）的致动装置（DR），其中所述致动装置（DR）具有用于在多个接触区域处机械地作用在所述光学元件（OE）上的多个致动器（AK）。至少在致动器（AK）的接触区域的作用区域处的光学元件（OE）预应力为大于1MPa，优选大于100MPa，特别优选大于500MPa的压缩应力。本发明还涉及一种包括至少一个这种光学机械手（MAN）的投影透镜，涉及包括这种投影透镜的投影曝光装置，以及一种用于制造这种光学机械手（MAN）的方法。

7. 发明授权

KR101699574B1 ＥＵＶ 리소그래피용 반사층이 형성된 기판, ＥＵＶ 리소그래피용 반사형 마스크 블랭크, ＥＵＶ 리소그래피용 반사형 마스크, 및 그 반사층이 형성된 기판의 제조 방법 有权
标题翻译：用于EUV LITHOGRAPHY反射掩膜的EUV光刻反射掩模层的反射层设备基板和用于生产反射层的基板的工艺
公开(公告)号：KR101699574B1
公开(公告)日：2017-01-24
申请号：KR1020127012513
申请日：2010-12-09
申请人： 아사히 가라스 가부시키가이샤
发明人： 미카미마사키 , 고마키네미츠히코 , 이쿠타요시아키
IPC分类号： H01L21/027 , G02B5/22 , G02B1/11
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0891 , G03F7/70316 , G03F7/70958 , G03F7/70983
摘要： Ru 보호층으로부터의산화에의한반사율의저하가억제된 EUV 마스크블랭크, 및그 EUV 마스크블랭크의제조에사용되는반사층이형성된기판, 그리고그 반사층이형성된기판의제조방법의제공. 기판상에, EUV 광을반사하는반사층과, 그반사층을보호하는보호층이이 순서로형성된 EUV 리소그래피용반사층이형성된기판으로서, 상기반사층이, Mo/Si 다층반사막이고, 상기보호층이, Ru 층, 또는 Ru 화합물층이고, 상기반사층과상기보호층사이에, 질소를 0.5 ∼ 25 at% 함유하고, Si 를 75 ∼ 99.5 at% 함유하는중간층이형성되어있는것을특징으로하는 EUV 리소그래피용반사층이형성된기판.
摘要翻译：提供一种用于EUVL的多层反射镜，其中防止了由Ru保护层的氧化引起的反射率的劣化，以及其制备方法。一种用于EUV光刻的多层反射镜，其包括基板，以及用于反射EUV光的反射层和用于保护反射层的保护层，其依次形成在基板上，其中反射层为Mo / Si多层反射膜，保护层是Ru层或Ru化合物层，并且在反射层和保护层之间形成包含0.5至25at％的氮和75至99.5at％的Si的中间层。

8. 发明授权

KR101694283B1 다층 거울 및 리소그래피 장치 有权
标题翻译：多层镜像和平面设备
公开(公告)号：KR101694283B1
公开(公告)日：2017-01-09
申请号：KR1020117018022
申请日：2010-01-11
申请人： 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
发明人： 글루쉬코프,데니스 , 바니네,바딤 , 스마에노크,레오니드 , 살라셴코,니콜라이 , 크할로,니콜라이
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G21K1/062 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G02B5/0816 , G02B5/085 , G02B5/0891 , G03F1/24 , G03F7/70316 , G03F7/70941 , G03F7/70958
摘要： 다층거울(1)은 2 내지 8 nm 범위의파장을갖는방사선을반사시키도록구성되고배치된다. 다층거울은교번층들(4, 6)을갖고, 상기교번층들은제 1 층및 제 2 층을포함하며, 상기제 1 및제 2 층들은, U 및 BC 층들, Th 및 BC 층들, La 및 BC 층들, La 및 BC 층들, U 및 BC 층들, Th 및 BC 층들, La 및 B 층들, U 및 B 층들, C 및 B 층들, Th 및 B 층들, U 화합물및 BC 층들, Th 화합물및 BC 층들, La 화합물및 BC 층들, La 화합물및 BC 층들, U 화합물및 BC 층들, Th 화합물및 BC 층들, La 화합물및 B 층들, U 화합물및 B 층들, 및 Th 화합물및 B 층들로구성된그룹으로부터선택되고, 상기제 1 층들중 적어도하나는상기제 1 층들중 적어도하나와제 2 층사이에배치된내부층(7)에의해상기제 2 층으로부터분리된다.
摘要翻译：用于反射波长在2-8nm范围内的辐射的多层反射镜具有交替层。交替层包括第一层和第二层。第一层和第二层选自：U和B4C层，Th和B4C层，La和B9C层，La和B4C层，U和B9C层，Th和B9C层，La和B层，U和 B层，C层和B层，Th和B层，U化合物和B4C层，Th化合物和B4C层，La化合物和B9C层，La化合物和B4C层，U化合物和B9C层，Th化合物和B9C层，La化合物和B层，U化合物和B层，以及Th化合物和B层。中间层设置在第一层和第二层中的至少一个之间。

9. 发明公开

KR1020160150609A 극자외선 리소그라피에서의 임계 치수 변동 정정 审中-实审
标题翻译：极端超紫外光谱的关键尺寸变化校正
公开(公告)号：KR1020160150609A
公开(公告)日：2016-12-30
申请号：KR1020160077962
申请日：2016-06-22
申请人： 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
发明人： 오셈코프,세르게이 , 크루글리야코프,블라디미르 , 블룸리치,프레데릭 , 페레츠,유발
IPC分类号： G03F1/22 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/033
CPC分类号： G03F1/24 , G03F1/22 , G03F7/70433 , G03F7/70625 , G03F7/2053 , G03F7/2059 , G03F7/70025 , G03F7/70033 , G03F7/70308 , G03F7/70316 , G03F7/705 , H01L21/0274 , H01L21/0337
摘要： 극자외선(EUV) 포토리소그라피에서임계치수(CD) 변동을정정하는방법은, EUV 포토리소그라피포토마스크를포함하는포토리소그라피시스템에의해형성되는웨이퍼노광필드의 CD 변동을매핑하는단계를포함한다. 포토마스크의반사성다층의구역에서 EUV 방사선의동작파장에서의반사도변화를발생시키는처리파라미터를결정하며, 반사도변화는매핑되는 CD 변동을정정하도록계산된다. 처리빔을구역에보낸다. 이구역은결정되는파라미터에따라빔으로처리한다.
摘要翻译：校正极紫外（EUV）光刻中的临界尺寸（CD）变化的方法包括映射由包括EUV光刻光掩模的光刻系统形成的晶片曝光场的CD变化。确定在光掩模的反射多层的区域中产生EUV辐射的工作波长的反射率变化的处理参数，计算反射率的变化以校正映射的CD变化。治疗束被引导到该区域。根据确定的参数用该束处理该区域。

10. 发明授权

KR101595259B1 반도체 제조 장치 有权
标题翻译：半导体制造设备
公开(公告)号：KR101595259B1
公开(公告)日：2016-02-18
申请号：KR1020100080577
申请日：2010-08-20
申请人： 삼성전자주식회사 , 매사추세츠 인스티튜트 오브 테크놀로지
发明人： 조지바바스타디스 , 조세안토니오도밍게스까발레로 , 이성진 , 사토시타카하시
IPC分类号： H01L21/26 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/70291 , G03F7/70316 , G03F7/70533
摘要： 반도체제조장치를개시한다. 반도체제조과정에서기판에형성되는광 스팟의위치와크기를정밀하게조절하여빠르고정확하게목적하는패턴을형성하거나또는불필요한패턴의제거가가능하도록하는데그 목적이있다. 반도체제조장치는, 광원과; 광원으로부터조사되는광을목적하는패턴에대응하도록복수의빔으로변조하는광 변조기와; 복수의빔 각각의진행방향을조절하는회절소자와; 회절소자에의해방향이제어된복수의빔들이목적하는크기의광 스팟을형성하도록하는제 3 광학계를포함한다.

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