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1. 发明公开

KR1020170137622A 실리카 유리 부재와 그 제조 방법 审中-实审
标题翻译：硅石玻璃构件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020170137622A
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：KR1020170060426
申请日：2017-05-16
申请人： 쿠어스택 가부시키가이샤
发明人： 후카사와유지 , 가토사치코
IPC分类号： C03C4/00 , C03B27/012 , G03F7/20
CPC分类号： C03C3/06 , C03B19/1461 , C03B25/02 , C03B27/02 , C03B27/028 , C03B27/04 , C03B32/00 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/12 , C03C4/0085
摘要： 본발명은진공자외광의광투과성이높고, 또한, 실온부근에서 4.0×10/K 이하라고하는저열팽창성을갖는실리카유리부재, 특히 ArF 엑시머레이저(193 ㎚)를광원으로하는더블패터닝노광공정에이용되는포토마스크기판으로서적합한실리카유리부재를제공한다. 상기실리카유리부재는, 진공자외광을광원으로하는광리소그래피공정에사용되는실리카유리로서, 불소농도가 1 wt% 이상 5 wt% 이하이고, 또한, 20℃∼50℃에있어서의열팽창계수가 4.0×10/K 이하이다.
摘要翻译：本发明恩金丘外部光的高透光性，并且还使用具有低的热膨胀的石英玻璃物质的双重图案化曝光步骤，特别是ArF准分子激光（193㎚）光源的4.0×10 / K或在约室温下较少提供适合作为光掩模基板的石英玻璃部件。其中所述二氧化硅玻璃构件是在真空紫外光的光刻步骤作为光源，1重量％或小于5重量％的氟浓度使用的石英玻璃，除此之外，20℃〜50℃4.0的热膨胀系数 ×10 / K以下。

2. 发明公开

KR1020170102911A 유리 제품을 열처리하는 방법 审中-实审
标题翻译：如何热处理玻璃器皿
公开(公告)号：KR1020170102911A
公开(公告)日：2017-09-12
申请号：KR1020177021197
申请日：2015-12-30
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 엘리손,아담제임스 , 키젠스키,티모시제임스 , 모리스,스테파니린 , 샤우트,로버트안토니 , 티트제,스티븐앨빈
IPC分类号： C03B32/00 , C03B25/08 , C03B27/03 , C03C21/00 , C03C23/00 , C03C3/087
CPC分类号： C03B32/00 , C03B25/00 , C03B25/08 , C03B25/093 , C03B27/03 , C03C3/087 , C03C21/002 , C03C23/007 , Y02P40/57
摘要： 하나의구체예에따르면, 유리제품을열처리하는방법은 5분이상의유지시간동안유리제품의어닐링온도 ± 15℃와동일한처리온도에서유리제품을유지하는단계를포함할수 있다. 그후, 상기유리제품은처리온도로부터유리제품의변형점을거쳐 0℃/min 미만및 -20℃/min 초과의제1 냉각속도 CR로냉각될수 있고, 냉각후에상기유리제품의밀도는 0.003 g/cc 이상이다. 상기유리제품은이어서제2 냉각속도 CR에서변형점아래로부터냉각되며, 여기서 |CR| > |CR|이다.
摘要翻译：根据一个实施例，它可以是热处理的玻璃产品，其包括维持玻璃的温度在退火玻璃制品的±15℃涡流相同的处理温度下进行至少5分钟保持时间的步骤的方法。此后，玻璃制品可以在通过从处理温度在玻璃产品的应变点CR的第一冷却速度进行冷却是玻璃制品的冷却后比密度低于0℃/分钟，-20℃/分钟，大于0.003克/ cc或更多。然后以第二冷却速率CR从应变点以下冷却玻璃产品，其中| CR | > | CR |。

3. 发明公开

KR1020160126029A Tzc 구배를 유도하기 위한 실리카-티타니아 유리의 가열 처리 审中-实审
标题翻译： Tzc - 热处理二氧化硅 - 玻璃陶瓷以诱导Tzc梯度
公开(公告)号：KR1020160126029A
公开(公告)日：2016-11-01
申请号：KR1020167026242
申请日：2015-02-24
申请人： 코닝 인코포레이티드
发明人： 안나마라이,세즈히안 , 두란,카로스알버토
IPC分类号： C03B19/14 , C03B32/00 , C03B25/02
CPC分类号： C03B32/00 , C03B19/1453 , C03B25/02 , C03B2201/42
摘要： 실리카티타니아유리물품에서 T구배를형성하는방법이제공된다. 상기방법은상기유리물품의제 1 표면을가열장치의제 1 가열모듈의표면과접촉시키는단계및 상기유리물품의제 2 표면을상기가열장치의제 2 가열모듈의표면과접촉시키는단계를포함한다. 상기방법은상기유리물품의제 1 표면을가열하기위해상기제 1 가열모듈의온도를제 1 온도로상승시키는단계, 상기유리물품의제 2 표면을가열하기위해, 상기제 2 가열모듈의온도를제 2 온도로상승시키는단계 - 여기서상기제 1 온도는상기제 2 온도보다큼 - 상기유리물품을통해열 구배를형성하기위해, 미리결정된기간동안, 상기제 1 온도로상기제 1 가열모듈을, 그리고상기제 2 온도로상기제 2 가열모듈을유지시키는단계를더 포함한다. 상기방법은또한상기유리물품의두께를통해 T구배를형성하기위해유리물품을냉각시키는단계를포함한다.
摘要翻译：提供了一种在二氧化硅 - 二氧化钛玻璃制品中形成Tzc梯度的方法。该方法包括使玻璃制品的第一表面与加热装置的第一加热组件的表面接触，并将玻璃制品的第二表面与加热装置的第二加热模块的表面接触。该方法还包括将第一加热模块的温度升高到第一温度，将第二加热模块的温度升高到第二温度，并将第一加热模块保持在第一温度，将第二加热模块保持在第二温度预定的时间段，以形成通过玻璃制品的热梯度，第一温度大于第二温度。该方法还包括冷却玻璃制品以通过玻璃制品的厚度形成Tzc梯度。

4. 发明授权

KR101661485B1 글래스의 열 조절을 갖는 편평한 글래스의 표면을 처리하기 위한 유닛 및 방법 有权
标题翻译：用玻璃热调节处理平面玻璃表面的单元和工艺
公开(公告)号：KR101661485B1
公开(公告)日：2016-09-30
申请号：KR1020117004132
申请日：2009-07-24
申请人： 파이브스 스탕
发明人： 쿤볼프슈테판
IPC分类号： C03B18/14 , C03B25/08 , C03C17/00
CPC分类号： C03B23/02 , C03B29/08 , C03B32/00 , C03C17/002
摘要： 특히, 화학적, 광학적또는기계적특성을변경함으로써또는하나이상의얇은층의증착에의해, 특히리본또는플레이트의형태의편평한글래스의표면을처리하기위한유닛은글래스의두께를통한제어된온도구배를생성하기위한가열및 냉각수단과, 그표면의효과적인처리를얻는데필요한시간동안처리될면을항상필수온도가되게하기위해처리될면을가열하기위한수단과, 이대향면이 10dPas 내지 2.3×10dPas의점도를갖게하기위해대향면을냉각시키기위한수단을포함한다.

5. 发明公开

KR1020160060722A EUV 방사선 하에 팽창이 없는 EUV 리소그래피용 미러 블랭크 审中-实审
标题翻译： EUV EUV镜像的EUV镜像空白在EUV辐射下不扩展
公开(公告)号：KR1020160060722A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：KR1020167010644
申请日：2014-09-10
申请人： 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 & 컴파니 케이지
发明人： 벡커클라우스 , 토마스스테판
IPC分类号： G03F7/20 , C03C3/06 , G02B7/00 , G02B5/08 , C03B19/14 , C03B32/00 , G03F1/66
CPC分类号： G03F7/70958 , C03B19/1415 , C03B19/1453 , C03B32/00 , C03B2201/12 , C03B2201/23 , C03B2201/42 , C03C3/06 , C03C2201/42 , G02B5/0891 , G02B7/008
摘要： 본발명은통계적분포에서벗어난제로크로싱온도프로파일을포함하는 EUV 미러용기판에관한것이다. 본발명은또한기판에서의제로크로싱온도프로파일이미러의작동온도에적응되는 EUV 미러용기판의제조방법및 그사용뿐만아니라, 상기기판을이용하는리소그래피방법에관한것이다.
摘要翻译：提供一种EUV反射镜的基板，其包含偏离统计分布的零交叉温度曲线。还提供了一种用于制造用于EUV反射镜的基板的方法，其中基板中的过零温度分布适应于反射镜的工作温度。还描述了使用该基板的光刻方法。

6. 发明公开

KR1020150138170A ＡｒＦ 엑시머 레이저 리소그래피에서의 사용을 위한 석영 유리로 만들어진 광학 컴포넌트 및 그 컴포넌트를 제조하는 방법 审中-实审
标题翻译：用于ARF EXCIMER激光光刻的QUARTZ玻璃的光学部件及其制造方法
公开(公告)号：KR1020150138170A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：KR1020157022805
申请日：2014-02-19
申请人： 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 & 컴파니 케이지
发明人： 퀸보도
IPC分类号： C03C4/00 , G02B1/02 , C03C3/06
CPC分类号： C03C3/06 , C03B19/1453 , C03B32/00 , C03B32/02 , C03B2201/07 , C03B2201/075 , C03B2201/21 , C03B2201/23 , C03B2201/24 , C03C4/04 , C03C2201/11 , C03C2201/12 , C03C2201/21 , C03C2201/23 , C03C2201/24 , C03C2203/54 , C03C2204/00 , G02B1/00 , G02B1/02 , Y02P40/57
摘要： 본발명은, 193 nm 의적용파장을갖는 ArF 엑시머레이저리소그래피프로세스에서의사용을위한합성석영유리로만들어지며, 실질적으로산소결함사이트가없는유리구조, 0.1 x 10molecule/cm내지 1.0 x 10molecule/cm범위의수소함량, 2 x 10molecule/cm미만의 SiH 기의함량, 및 0.1 과 100 wt. ppm 사이의범위의히드록실기의함량을포함하고, 상기유리구조가 1070℃미만의가상온도를갖는, 광학컴포넌트에관한것이다. 본발명의목적은 633 nm 의측정파장을이용하여압축거동의측정에기초한적용파장으로 UV 레이저방사선을이용할때 압축거동의신뢰적인예측을허용하는것이다. 이것은, 컴포넌트가, 펄스폭이 125 ns 이고 2000 Hz 의펄스반복주파수에서각각의에너지밀도가 500 μJ/cm인 5x10개펄스들을이용하여 193 nm 의파장을갖는방사선에의한조사에응답하여레이저유도굴절률변화를겪고, 상기변화는, 193 nm 의적용파장을이용한측정시제 1 측정값 M의합계를내고, 633 nm 의측정파장을이용하여측정시제 2 측정값 M의합계를내고, 여기서 M/M

7. 发明授权

KR101271292B1 유리판의 제조 방법 有权
标题翻译：玻璃板制造方法
公开(公告)号：KR101271292B1
公开(公告)日：2013-06-04
申请号：KR1020107010093
申请日：2008-11-05
申请人： 아사히 가라스 가부시키가이샤
发明人： 이가모또이찌 , 구로이와유따까
IPC分类号： C03C23/00 , C03B29/02 , C03B32/00 , G02F1/1333
CPC分类号： C03B29/025 , C03B29/08 , C03B32/00 , C03C23/0025 , C03C23/007 , G03F1/60 , G03F7/70791
摘要： 본 발명은, 레이저 광선 조사에 의한 유리판의 표면에 있어서의 국소적인 융기 형상의 발생, 유리판의 내부에서의 국소적인 잔류 응력이나 복굴절성의 발현 등을 발생시키지 않고, 디스플레이 기판용 유리판, 특히 플랫 패널 디스플레이 기판용 유리판, 혹은 포토마스크용 유리판으로서의 사용상 문제가 되는 거품이 존재하지 않는 유리판을 제조할 수 있는 유리판의 제조 방법을 제공하는 것이다. 본 발명은, 거품을 포함하는 유리판(또는 유리판 제조 공정에 있어서의 유리 리본)을 그 유리의 점도가 10
7 내지 10
14.5 dPaㆍs로 되는 온도 하에 있어서, 상기 유리판(또는 유리 리본)에 대한 흡수율이 30% 이상으로 되는 파장의 레이저 광선을 상기 유리판(또는 유리 리본) 중의 거품에 조사하여 상기 거품을 축소 또는 소실시키는 것을 특징으로 하는 유리판의 제조 방법에 관한 것이다.

8. 发明授权

KR101174807B1 실리카 유리판재 및 그 제조방법 有权
标题翻译：二氧化硅玻璃板构件及其制造方法相同
公开(公告)号：KR101174807B1
公开(公告)日：2012-08-17
申请号：KR1020050094106
申请日：2005-10-07
申请人： 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤
发明人： 니시무라히로유키 , 요시다노부마사 , 오시마다카유키
IPC分类号： G02F1/13 , H01L23/14
CPC分类号： C03B32/00 , C03B23/051
摘要： SiOH기를 1ppm 이상함유하는관상의합성실리카유리체의축 방향으로슬릿을형성하고, 상기슬릿이윗면이되도록노 내의내열성평판상에가만히놓고, 가열변형시키는것에의해평판상의실리카유리체를얻는공정과, 상기평판상의실리카유리체를 600~1200℃의온도에서열처리하는공정과, 상기평판상의실리카유리체의바깥둘레부분의오염부분을제거하는공정을가지도록했다.

9. 发明公开

KR1020110049817A 글래스 리본의 면들 중 하나 상에 구조를 생성하기 위한 방법 및 디바이스 有权
标题翻译：在玻璃纤维之一上生产结构的工艺和装置
公开(公告)号：KR1020110049817A
公开(公告)日：2011-05-12
申请号：KR1020117004133
申请日：2009-06-30
申请人： 파이브스 스탕
发明人： 쿤볼프슈테판 , 스트록베뜨랑 , 파머프랑수아 , 브레쎄에릭
IPC分类号： C03B18/14 , C03B23/02 , C03B23/00 , C03C23/00
CPC分类号： C03B23/02 , C03B29/08 , C03B32/00 , C03C17/002
摘要： 각인 디바이스를 사용하여 연속적으로 수행되는 글래스 리본의 면들 중 하나 상에 구조를 생성하기 위한 방법에서, 각인 디바이스(8)는 조각될 패턴의 특성, 각인 디바이스와 리본 사이의 압력 및 리본과 각인 디바이스 사이의 접촉 기간에 따라 각인 디바이스의 패턴을 리본 상에 각인하기 위해 불충분한 평균 온도(T1)에 리본(B)이 있는 구역(A)에 위치되고, 조각될 면은 조각될 패턴의 특성 및 각인 디바이스와 리본 사이의 압력 및 리본과 각인 디바이스 사이의 접촉 기간에 따라 각인 디바이스로부터 패턴을 리본 상에 각인하기 위해 필요한 온도(T2>T1)로 제한된 충분한 두께의 리본을 상승시키면서 T1에 근접한 온도로 리본의 나머지를 유지하기 위해 각인 디바이스의 상류측에서 가열되고, 가열 디바이스에 의해 리본에 전달된 열 플럭스는 "각인 수"(N
imp )가 0.05 mm
-1 내지 2.00 mm
-1 사이의 범위, 바람직하게는 0.3 mm
-1 이 되도록 이루어진다.

10. 发明公开

KR1020100016435A 실리콘 단결정 인상용 석영유리 도가니 및 그 제조방법 有权
标题翻译：用于硅单晶拉丝操作的QUARTZ玻璃结构及其制造方法
公开(公告)号：KR1020100016435A
公开(公告)日：2010-02-12
申请号：KR1020097023513
申请日：2008-05-23
申请人： 신에쯔 세끼에이 가부시키가이샤 , 헤래우스 크바르츠글라스 게엠베하 & 컴파니 케이지
发明人： 오하마야스오
IPC分类号： C30B15/10 , C03B20/00 , C30B29/06 , H01L21/02
CPC分类号： C03B19/095 , C03B32/00 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/10 , Y10T117/1032
摘要： A quartz glass crucible for silicon single crystal pulling operation that by a simple arrangement, attains prevention of any collapse onto the inside at a superior edge of straight trunk part; and a process for manufacturing the same. The quartz glass crucible for silicon single crystal pulling operation having a straight trunk part and a bottom part, is characterized in that at least the straight trunk part is provided with a gradient of fictive temperature so that the fictive temperature on the outermost side thereof is 25°C or more lower than the fictive temperature on the innermost side thereof.
摘要翻译：一种用于硅单晶拉制操作的石英玻璃坩埚，其通过简单的布置，可以防止在直的主干部分的上边缘处的任何内部折叠; 及其制造方法。用于具有直的主体部分和底部的用于硅单晶拉制操作的石英玻璃坩埚的特征在于，至少直的主干部分具有假想温度的梯度，使得其最外侧的假想温度为25 ℃或更低于其最内侧的假想温度。

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