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1. 发明公开

KR1020110002053A 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크 블랭크의 제조 방법 有权
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK，以及制造光电白皮书的方法
公开(公告)号：KR1020110002053A
公开(公告)日：2011-01-06
申请号：KR1020107024214
申请日：2009-03-31
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이와시따,히로유끼 , 시시도,히로아끼 , 고미나또,아쯔시 , 하시모또,마사히로 , 호소야,모리오
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/50
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , H01L21/0274 , H01L21/0276
摘要： ArF 엑시머 레이저광이 적용되는 포토마스크를 제작하기 위해 이용되는 포토마스크 블랭크로서, 투광성 기판 상에, 다층 구조의 박막을 갖고, 상기 박막의 최상층은, 크롬과, 질소, 산소 및 탄소 중 적어도 하나를 포함하는 재료로 이루어지는 아몰퍼스 구조인 포토마스크 블랭크이다.
摘要翻译：本发明提供一种用于制造施加了ArF准分子激光的光掩模的光掩模坯料，其中：在透光基板上设置有遮光膜; 遮光膜具有层叠结构，其中背面防反射层，遮光层和前表面抗反射层从靠近透光基板的一侧依次层叠; 整个遮光膜的厚度为60nm以下; 背面抗反射层由含有金属的膜制成，具有第一蚀刻速率; 前表面抗反射层由含有金属的膜制成，具有第三蚀刻速率; 遮光层由含有与背面防反射层或前表面反射防止层中所含金属相同的金属的膜制成，并且具有比第一蚀刻速率和第三蚀刻速率低的第二蚀刻速率 ; 遮光层的厚度为整个遮光膜的厚度的30％以下。

2. 发明公开

KR1020070041357A 다층 반사막 코팅 기판, 그 제조 방법, 반사형 마스크블랭크 및 반사형 마스크 有权
标题翻译：多层反射膜涂布的基底，其制造方法，反射掩模坯和反射掩模
公开(公告)号：KR1020070041357A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：KR1020060099352
申请日：2006-10-12
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 호소야,모리오 , 야마다,타케유키 , 이케다,아키라
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G02B5/0891 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C17/36 , C03C17/3613 , C03C17/3615 , C03C17/3636 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3665 , C03C17/40 , C03C2217/734 , G02B5/0875 , G03F1/24 , G21K1/062 , G21K2201/067
摘要： 본 발명의 다층 반사막 코팅 기판은 Mo/Si 교호 적층막을 포함하는 다층 하부막과, 노광광을 반사하기 위한 Mo/Si 교호 적층막을 포함하는 다층 반사막을 구비한다. 기판상에 다층 하부막과 다층 반사막이 순서대로 형성된다. 다층 하부막의 사이클 길이가 d bottom(단위:nm)이고 다층 반사막의 사이클 길이가 d top(단위:nm)로 주어지면, d bottom > d top인 경우,
(n + 0.15) xd top ≤ d bottom ≤ (n + 0.9) xd top
로 주어진 식 (1)의 관계를 만족하며, 여기서 n은 1 이상의 자연수이다.
摘要翻译：本发明的涂布多层反射膜的基板包括包含Mo / Si交替层压膜的多层下膜和包括用于反射曝光光的Mo / Si交替层压膜的多层反射膜。在基板上依次形成多层下膜和多层反射膜。当多层下膜的周期长度为d bottom（单位：nm）且多层反射膜的周期长度为d top（单位：nm）时，d bottom> d顶部，

3. 发明公开

KR1020170019484A 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 방법 有权
标题翻译：反光罩和反光罩制造方法
公开(公告)号：KR1020170019484A
公开(公告)日：2017-02-21
申请号：KR1020177003832
申请日：2009-12-24
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 호소야,모리오
IPC分类号： H01L21/033 , H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/0092 , G03F1/22 , G03F7/2002 , H01L21/0337 , G03F7/2008 , H01L21/0274
摘要： 파장 200㎚이하의검사광에대한검사시의콘트라스트를향상시키고, 마스크사용시의노광광에대한콘트라스트를향상시켜, 고해상도의미세패턴을형성할수 있는반사형마스크블랭크및 반사형마스크를제공한다. 기판(1)과, 그기판상에순차적으로형성된, 노광광을반사하는다층반사막(2)과, 다층반사막(2) 상의루테늄(Ru) 또는그 화합물을주성분으로하는보호막(6)과, 노광광을흡수하는흡수체막(4)을갖는반사형마스크블랭크(10)로서, 흡수체막(4)은, 최상층(4b)과하층(4a)으로이루어지는적층구조로되어있고, 최상층(4b)은, Si, Cr 중적어도 1 이상의원소의질화물, 산화물, 산화질화물, 탄화물, 질화탄화물, 또는산화질화탄화물을주성분으로하는재료로형성되어있다. 반사형마스크(20)는, 이반사형마스크블랭크의흡수체막에전사패턴을형성하여얻어진다.
摘要翻译：提供了能够提高检查中具有200nm以下的波长的检查光的对比度的反射性掩模坯料和反射性掩模，能够改善使用掩模时的曝光光的对比度，并能够形成高分辨率精细图案。反射掩模板10包括基板1和适于反射曝光的多层反射膜2，主要由钌（Ru）或其化合物组成的保护膜6在多层反射膜2上，以及吸收膜4，吸收在基板上依次形成的曝光光。吸收膜4具有包括最上层4b和下层4a的叠层结构。最上层4b由主要由选自Si和Cr中的至少一种元素的氮化物，氧化物，氮氧化物，碳化物，碳氮化物或碳氮氧化物组成的材料形成。通过在反射掩模板的吸收膜中形成转印图案来获得反射掩模20。

4. 发明授权

KR101707591B1 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101707591B1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：KR1020117004623
申请日：2009-12-24
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 호소야,모리오
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/0092 , G03F1/22 , G03F7/2002
摘要： 파장 200㎚이하의검사광에대한검사시의콘트라스트를향상시키고, 마스크사용시의노광광에대한콘트라스트를향상시켜, 고해상도의미세패턴을형성할수 있는반사형마스크블랭크및 반사형마스크를제공한다. 기판(1)과, 그기판상에순차적으로형성된, 노광광을반사하는다층반사막(2)과, 다층반사막(2) 상의루테늄(Ru) 또는그 화합물을주성분으로하는보호막(6)과, 노광광을흡수하는흡수체막(4)을갖는반사형마스크블랭크(10)로서, 흡수체막(4)은, 최상층(4b)과하층(4a)으로이루어지는적층구조로되어있고, 최상층(4b)은, Si, Cr 중적어도 1 이상의원소의질화물, 산화물, 산화질화물, 탄화물, 질화탄화물, 또는산화질화탄화물을주성분으로하는재료로형성되어있다. 반사형마스크(20)는, 이반사형마스크블랭크의흡수체막에전사패턴을형성하여얻어진다.

5. 发明授权

KR100871047B1 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：反射罩坯，反射罩及其制造方法
公开(公告)号：KR100871047B1
公开(公告)日：2008-12-01
申请号：KR1020087001353
申请日：2003-04-11
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이시바시,신이치 , 쇼키,쯔토무 , 호소야,모리오 , 시오타,유키 , 구레이시,미쯔히로
IPC分类号： G03F1/52 , H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/58 , G03F1/74 , Y10T428/31616
摘要： 반사형 마스크 블랭크는 기판(11)을 가지고, 그 위에 극단 자외선 영역을 포함하는 단파장영역의 노광광을 반사하는 반사층(12) 및 노광광을 흡수하는 흡수체층(16)이 순차적으로 형성되어 있다. 흡수체층(16)이 극단자외선 영역을 포함하는 단파장 영역의 노광광의 흡수체로 구성되는 노광광 흡수층(14)을 하층으로 하고, 마스크 패턴의 검사에 사용되는 검사광의 흡수체로 구성되는 저반사율층(15)을 상층으로 하는 적어도 2층의 구조를 가진다. 상층은 탄탈(Ta)과 붕소(B)와 질소(N)을 포함하는 재료로 이루어지고, B의 함유율이 5at% ~ 30at%이고, 또 Ta와 N의 조성비(Ta:N)가 8:1 ~ 2:7 범위이다. 혹은 반사형 마스크 블랭크는 기판을 가지고, 그 기판상에 다층반사막 및 흡수체층이 순차적으로 형성되어 있는 것이어도 무방하다. 이 경우, 흡수체층이 탄탈(Ta)과 붕소(B)와 질소(N)를 포함하는 재료로 이루어지고, B의 함유율이 5at% ~ 25at%이고, 또 Ta와 N의 조성비(Ta:N)가 8:1 ~ 2:7의 범위이다.
摘要翻译：用反射型掩模具有衬底11，以及用于吸收反射层12和用于在短波长区域的反射光曝光的曝光光的吸收体层16依次形成，包括极紫外区域上。吸收体层16和低反射率层（15是曝光光吸收包括由下层极紫外区域和层14中的短波长区域由曝光光吸收体中的掩模图案的检查中使用的检查光吸收体构成）作为上层。上层是钽（Ta）和一个材料包括硼（B）形成，和氮（N），B的含量为5原子％〜30原子％，还的Ta和N的比（TA：N）为8：1 到2：7。或反射型掩模基板，而可以是甚至与所述基底，所述多层反射膜和吸收层被在基板上依次形成。在这种情况下，吸收层是钽（Ta），硼（B）和由含材料的氮（N）的，B的含量为5原子％〜25原子％，还的Ta和N的比（TA：N）在8：1到2：7的范围内。

6. 发明授权

KR101676052B1 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 방법 有权
标题翻译：反射掩模层及其制造方法
公开(公告)号：KR101676052B1
公开(公告)日：2016-11-14
申请号：KR1020117003902
申请日：2010-01-29
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 호소야,모리오
IPC分类号： G03F1/52 , G03F1/54 , G03F1/58 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/54
摘要： 기판(1)과, 그기판상에순차적으로형성된, 노광광을반사하는다층반사막(2)과, 버퍼막(3)과, 노광광을흡수하는흡수체막(4)을갖는반사형마스크블랭크(10)이다. 흡수체막(4)은, 최상층(4b)과하층(4a)으로이루어지는적층구조로되어있다. 최상층은 Ta의산화물, 산질화물또는탄화물중 어느하나를함유하는재료로형성되고, 굴절률 n이 0.95∼0.97, 감쇠계수 k가 -0.033∼-0.023이다. 하층은 Ta를함유하는재료로형성되고, 굴절률 n이 0.94∼0.97, 감쇠계수 k가 -0.050∼-0.036이다. 반사형마스크(20)는, 이반사형마스크블랭크의흡수체막에전사패턴을형성하여얻어진다.
摘要翻译：公开了一种反射掩模板（10），其包括基板（1），用于反射曝光光的多层反射膜（2），缓冲膜（3）和用于吸收曝光光的吸收膜（4），所述膜顺序形成在基板上。吸收膜（4）具有由最上层（4b）和下层（4a）构成的多层结构体。最上层由含有氧化物，氧氮化物或Ta的碳化物的材料形成，折射率（n）为0.95〜0.97，消光系数（k）为-0.033〜-0.23。下层由含Ta的材料形成，折射率（n）为0.94-0.97，消光系数（k）为-0.050〜-0.036。可以通过在反射掩模板的吸收膜上形成转印图案来获得反射掩模（20）。

7. 发明公开

KR1020160054612A 포토마스크 블랭크, 포토마스크 및 포토마스크 블랭크의 제조 방법 有权
标题翻译： PHOTOMASK BLANK，PHOTOMASK，以及制造光电白皮书的方法
公开(公告)号：KR1020160054612A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：KR1020167011171
申请日：2009-03-31
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이와시따,히로유끼 , 시시도,히로아끼 , 고미나또,아쯔시 , 하시모또,마사히로 , 호소야,모리오
IPC分类号： G03F1/22 , G03F1/46 , G03F1/54 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/22 , G03F1/46 , G03F1/54 , G03F1/80 , H01L21/0274
摘要： ArF 엑시머레이저광이적용되는포토마스크를제작하기위해이용되는포토마스크블랭크로서, 투광성기판상에, 다층구조의박막을갖고, 상기박막의최상층은, 크롬과, 질소, 산소및 탄소중 적어도하나를포함하는재료로이루어지는아몰퍼스구조인포토마스크블랭크이다.

8. 发明公开

KR1020110103386A 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크의 제조 방법 有权
标题翻译：反光罩和反光罩制造方法
公开(公告)号：KR1020110103386A
公开(公告)日：2011-09-20
申请号：KR1020117004623
申请日：2009-12-24
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 호소야,모리오
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
CPC分类号： G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/0092 , G03F1/22 , G03F7/2002 , H01L21/0337 , G03F7/2008 , H01L21/0274
摘要： 파장 200㎚ 이하의 검사광에 대한 검사 시의 콘트라스트를 향상시키고, 마스크 사용 시의 노광광에 대한 콘트라스트를 향상시켜, 고해상도의 미세 패턴을 형성할 수 있는 반사형 마스크 블랭크 및 반사형 마스크를 제공한다. 기판(1)과, 그 기판 상에 순차적으로 형성된, 노광광을 반사하는 다층 반사막(2)과, 다층 반사막(2) 상의 루테늄(Ru) 또는 그 화합물을 주성분으로 하는 보호막(6)과, 노광광을 흡수하는 흡수체막(4)을 갖는 반사형 마스크 블랭크(10)로서, 흡수체막(4)은, 최상층(4b)과 하층(4a)으로 이루어지는 적층 구조로 되어 있고, 최상층(4b)은, Si, Cr 중 적어도 1 이상의 원소의 질화물, 산화물, 산화 질화물, 탄화물, 질화 탄화물, 또는 산화 질화 탄화물을 주성분으로 하는 재료로 형성되어 있다. 반사형 마스크(20)는, 이 반사형 마스크 블랭크의 흡수체막에 전사 패턴을 형성하여 얻어진다.
摘要翻译：提供了能够提高检查中具有200nm以下的波长的检查光的对比度的反射性掩模坯料和反射性掩模，能够改善使用掩模时的曝光光的对比度，并能够形成高分辨率精细图案。反射掩模板10包括基板1和适于反射曝光的多层反射膜2，主要由钌（Ru）或其化合物组成的保护膜6在多层反射膜2上，以及吸收膜4，吸收在基板上依次形成的曝光光。吸收膜4具有包括最上层4b和下层4a的叠层结构。最上层4b由主要由选自Si和Cr中的至少一种元素的氮化物，氧化物，氮氧化物，碳化物，碳氮化物或碳氮氧化物组成的材料形成。通过在反射掩模板的吸收膜中形成转印图案来获得反射掩模20。

9. 发明授权

KR100922463B1 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 이들의 제조방법 有权
标题翻译：反射型遮罩和反射型掩膜及其生产方法
公开(公告)号：KR100922463B1
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：KR1020097009540
申请日：2003-04-11
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 이시바시,신이치 , 쇼키,쯔토무 , 호소야,모리오 , 시오타,유키 , 구레이시,미쯔히로
IPC分类号： G03F1/52 , H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/24 , G03F1/58 , G03F1/74 , Y10T428/31616
摘要： 반사형 마스크 블랭크는 기판(11)을 가지고, 그 위에 극단 자외선 영역을 포함하는 단파장영역의 노광광을 반사하는 반사층(12) 및 노광광을 흡수하는 흡수체층(16)이 순차적으로 형성되어 있다. 흡수체층(16)이 극단자외선 영역을 포함하는 단파장 영역의 노광광의 흡수체로 구성되는 노광광 흡수층(14)을 하층으로 하고, 마스크 패턴의 검사에 사용되는 검사광의 흡수체로 구성되는 저반사율층(15)을 상층으로 하는 적어도 2층의 구조를 가진다. 상층은 탄탈(Ta)과 붕소(B)와 질소(N)을 포함하는 재료로 이루어지고, B의 함유율이 5at% ~ 30at%이고, 또 Ta와 N의 조성비(Ta:N)가 8:1 ~ 2:7 범위이다. 혹은 반사형 마스크 블랭크는 기판을 가지고, 그 기판상에 다층반사막 및 흡수체층이 순차적으로 형성되어 있는 것이어도 무방하다. 이 경우, 흡수체층이 탄탈(Ta)과 붕소(B)와 질소(N)를 포함하는 재료로 이루어지고, B의 함유율이 5at% ~ 25at%이고, 또 Ta와 N의 조성비(Ta:N)가 8:1 ~ 2:7의 범위이다.

10. 发明授权

KR101219470B1 다층 반사막 코팅 기판, 그 제조 방법, 반사형 마스크블랭크 및 반사형 마스크 有权
标题翻译：多层反射膜涂层基板，其制造方法，反光掩模和反射掩模
公开(公告)号：KR101219470B1
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：KR1020060099352
申请日：2006-10-12
申请人： 호야 가부시키가이샤
发明人： 호소야,모리오 , 야마다,타케유키 , 이케다,아키라
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： G02B5/0891 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , C03C17/36 , C03C17/3613 , C03C17/3615 , C03C17/3636 , C03C17/3639 , C03C17/3649 , C03C17/3665 , C03C17/40 , C03C2217/734 , G02B5/0875 , G03F1/24 , G21K1/062 , G21K2201/067
摘要： 본 발명의 다층 반사막 코팅 기판은 Mo/Si의 교호 적층막을 포함하는 다층 하지막과, 노광광을 반사하기 위한 Mo/Si의 교호 적층막을 포함하는 다층 반사막을 구비한다. 기판상에 다층 하지막과 다층 반사막이 순서대로 형성된다. 다층 하지막의 주기 길이가 d bottom(단위:㎚)이고 다층 반사막의 주기 길이가 d top(단위:㎚)로 주어지면, d bottom > d top인 경우,
(n + 0.15) xd top ≤ d bottom ≤ (n + 0.9) xd top
로 주어진 식 (1)의 관계를 만족하며, 여기서 n은 1 이상의 자연수이다.

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