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1. 发明公开

KR20180061388A 양이온성 계면활성제 및 시클로덱스트린을 갖는 텅스텐-가공 슬러리 审中-公开
公开(公告)号：KR20180061388A
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：KR20187014471
申请日：2016-10-21
IPC分类号： C09G1/02 , B01J23/745 , C09G1/04 , C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/24 , C23F3/04 , C23F3/06
摘要： 양이온성계면활성제및 시클로덱스트린을함유하는화학-기계적연마조성물 (예를들어, 슬러리), 및텅스텐을함유하는기판의표면을화학-기계적연마 (또는평탄화)하기위해상기슬러리를사용하는방법이기술된다.

2. 发明公开

KR20180053463A 증착용 마스크로 사용되는 합금 금속박, 증착용 마스크 및 이들의 제조방법과 이를 이용한 유기 발광 소자 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：KR20180053463A
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：KR20160150279
申请日：2016-11-11
申请人： POSCO
发明人： JUNG GWAN HO , LEE JAE RYUNG , KIM KI SOO , LEE JAE KON , KIM JONG KWEON
IPC分类号： C23C14/04 , C22C38/08 , C23C14/12 , C23F1/02 , C23F3/04 , C25D1/10 , H01L51/00 , H01L51/56
CPC分类号： C23C14/042 , C22C38/08 , C23C14/12 , C23F1/02 , C23F3/04 , C25D1/10 , H01L51/0011 , H01L51/56
摘要： 본발명은금속박에복수개의미세한관통홀을형성한증착용마스크, 이에사용되는금속박및 그제조방법, 그리고, 상기증착용마스크를사용하여유기 EL 소자를제조하는방법에관한것으로서, Ni: 34~46중량%와잔부 Fe 및불가피불순물을포함하는증착용마스크로사용되는 Fe-Ni 합금금속박으로서, 상기금속박은적어도일면에패턴형성영역과무지영역을포함하되, 상기패턴형성영역은상기무지영역에비하여두께가얇고, 표면조도가작으며, 상기무지영역은상기금속박의가장자리에위치하여패턴형성영역을포위하는것인증착용마스크로사용되는 Fe-Ni 합금금속박을제공한다.

3. 发明公开

KR1020170076719A 코발트 연마 가속화제 审中-实审
标题翻译：钴研磨促进剂
公开(公告)号：KR1020170076719A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：KR1020177013245
申请日：2015-10-21
申请人： 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션
发明人： 크래프트,스티븐 , 울프,앤드류 , 카터,필립더블유. , 헤이즈,크리스틴 , 페트로,벤자민
IPC分类号： C09G1/02 , H01L21/321 , C09K3/14 , C23F3/04 , C23F11/10
CPC分类号： C09G1/02 , B24B37/044 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要： 본발명은 (a) 연마입자, (b) 화학식 NRRR(여기서, R, R, 및 R은수소, 카르복시알킬, 치환된카르복시알킬, 히드록시알킬, 치환된히드록시알킬및 아미노카르보닐알킬로부터독립적으로선택되고, R, R, 및 R중어느것도수소가아니거나, R, R, 및 R중하나는수소임)을갖는화합물; 디카르복시헤테로사이클; 헤테로시클릴알킬-α-아미노산; N-(아미도알킬)아미노산; 비치환된헤테로사이클; 알킬치환된헤테로사이클; 치환된-알킬치환된헤테로사이클; N-아미노알킬-α-아미노산; 및그들의조합으로부터선택된코발트촉진제(accelerator), (c) 코발트부식억제제, (d) 금속을산화시키는산화제, 및 (e) 물을포함하는화학적기계적연마조성물을제공하며, 여기서연마조성물은약 3 내지약 8.5의 pH를갖는다. 본발명은기재를본 발명의화학적기계적연마조성물로화학적으로기계적으로연마하는방법을추가로제공한다. 전형적으로, 기재는코발트를함유한다.
摘要翻译：本发明的（a）磨粒，（b）式NRRR（式中，R，R，和R独立地选自氢，羧基，取代的羧基烷基，羟基，取代的羟和氨基羰基烷基其中R，R和R不都是氢，或者R，R和R是氢; 二羧基杂环; 杂环烷基-α-氨基酸; N-（酰氨基烷基）氨基酸; 未取代的杂环; 烷基取代的杂环; 被取代的烷基取代的杂环; N-氨基烷基-α-氨基酸; （C）钴腐蚀抑制剂，（d）用于氧化所述金属的氧化剂，和（e）水，其中所述抛光组合物包含约3重量％至约10重量％的钴促进剂，并且具有约8.5的pH。本发明还提供了用本发明的化学机械抛光组合物化学机械抛光基材的方法。通常，基材含有钴。

4. 发明公开

KR1020170069820A 금속 배선 연마용 CMP 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 审中-实审
标题翻译：用于金属丝抛光的CMP浆料组合物及使用其的抛光方法
公开(公告)号：KR1020170069820A
公开(公告)日：2017-06-21
申请号：KR1020150177498
申请日：2015-12-11
申请人： 삼성에스디아이 주식회사
发明人： 이소형 , 도균봉 , 김동진 , 안강수 , 정영철
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , C23F3/04 , C23F11/04 , H01L21/3212
摘要： 본발명은연마입자; 산화제; 착화제; 부식억제제; 및탈이온수를포함하며, 상기부식억제제는아질산염및 질산암모늄으로이루어진군으로부터선택된 1종이상의무기계부식억제제를포함하는것인금속배선연마용 CMP 슬러리및 이를이용한연마방법에관한것이다.
摘要翻译：本发明涉及磨料颗粒; 氧化剂; 络合剂; 腐蚀抑制剂; 其中腐蚀抑制剂包括至少一种选自亚硝酸盐和硝酸铵的无机腐蚀抑制剂，以及使用该CMP浆料的抛光方法。

5. 发明公开

KR1020140047015A 금속-패시베이션화 ＣＭＰ 조성물 및 방법 审中-实审
标题翻译：金属钝化CMP组合物和方法
公开(公告)号：KR1020140047015A
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：KR1020137021062
申请日：2012-01-10
申请人： 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션
发明人： 켈러,제이슨 , 싱,판카지 , 브루식,블라스타
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09K8/528 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/3212
摘要： 본 발명은 구리- 및/또는 은-함유 기판을 연마하기 위한 화학적-기계적 연마 (CMP) 조성물 및 방법을 제공한다. 본 발명의 조성물은 수성 담체 내에 미립자 연삭재, 제1 필름-형성 금속-착화제 및 제2 필름-형성 패시베이션제를 포함한다. 본 발명의 조성물을 사용하여 기판을 연마하는 방법도 개시된다.

6. 发明授权

KR101372119B1 산화-안정화된 ＣＭＰ 조성물 및 방법 有权
标题翻译：氧化稳定的CMP组合物和方法
公开(公告)号：KR101372119B1
公开(公告)日：2014-03-07
申请号：KR1020087025360
申请日：2007-03-06
申请人： 캐보트 마이크로일렉트로닉스 코포레이션
发明人： 그럼빈,스티븐 , 조우,렌지에 , 첸,잔 , 카터,필립
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： H01L21/3212 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , C23F3/06
摘要： 본 발명은 아미노 화합물, 라디칼-형성 산화제, 아미노 화합물의 라디칼-유도 산화를 억제할 수 있는 라디칼 포획제 및 이들을 위한 수성 담체를 포함하는 화학적-기계적 연마 (CMP) 조성물을 제공한다. 라디칼 포획제는 히드록시-치환된 다가불포화 시클릭 화합물, 질소-함유 화합물 또는 이들의 배합물을 포함한다. 임의로는, 조성물은 금속 산화물 연마제 (예를 들어, 실리카, 알루미나, 티타니아, 세리아, 지르코니아, 또는 이들 연마제들의 2종 이상의 배합물)를 포함한다. 본 발명은 CMP 조성물을 사용하여 기판을 화학적-기계적으로 연마하는 방법뿐만 아니라 라디칼 포획제를 아민 및 라디칼-형성 산화제를 함유하는 CMP 조성물에 첨가하여 CMP 조성물을 저장 수명 (shelf-life)을 향상시키는 방법을 추가로 제공한다.
CMP 조성물, 라디칼 포획제, 아미노 화합물, 라디칼-형성 산화제

7. 发明公开

KR1020110084482A 연마용 조성물 有权
标题翻译：抛光组合物
公开(公告)号：KR1020110084482A
公开(公告)日：2011-07-25
申请号：KR1020110057412
申请日：2011-06-14
申请人： 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드
发明人： 마츠다츠요시 , 히라노다츠히코 , 오준휘 , 가와무라아츠노리 , 사카이겐지
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: A polishing composition is provided to suppress the occurrence of dishing when applied to the polishing for forming wiring in a semiconductor device. CONSTITUTION: A polishing composition comprises: a first silicon oxide in which a 50% particle diameter measured by a laser diffraction scattering method is 60~150 nm; a second silicon oxide in which a 50% particle diameter measured by a laser diffraction scattering method is 10~50 nm; at least one kind selected from carboxylic acids and α-amino acids; an anticorrosive; a surfactant; an oxidizing agent; and water.
摘要翻译：目的：提供一种抛光组合物，用于在用于在半导体器件中形成布线的抛光时抑制凹陷的发生。构成：抛光组合物包括：通过激光衍射散射法测量的50％粒径为60〜150nm的第一氧化硅; 通过激光衍射散射法测量的50％粒径的第二氧化硅为10〜50nm; 选自羧酸和α-氨基酸中的至少一种; 防腐; 表面活性剂; 氧化剂; 和水。

8. 发明公开

KR1020110084481A 연마용 조성물 有权
标题翻译：抛光组合物
公开(公告)号：KR1020110084481A
公开(公告)日：2011-07-25
申请号：KR1020110057408
申请日：2011-06-14
申请人： 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드
发明人： 마츠다츠요시 , 히라노다츠히코 , 오준휘 , 가와무라아츠노리 , 사카이겐지
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: A polishing composition is provided to suppress the occurrence of dishing when used in polishing for forming wiring in a semiconductor device. CONSTITUTION: A polishing composition to be used in polishing for forming wiring in a semiconductor device comprises: an alpha-amino acid; a benzotriazole derivative represented by chemical formula; a silicon oxide; a surfactant; an oxidant; and water. In chemical formula, R^14 represents an alkyl group having a carboxy group, an alkyl group having a hydroxyl group and a tertiary amino group, an alkyl group having a hydroxyl group, or alkyl groups excluding them.
摘要翻译：目的：提供一种抛光组合物，用于在用于在半导体器件中形成布线的抛光中使用时抑制凹陷的发生。构成：用于在半导体器件中形成布线的抛光中使用的抛光组合物包括：α-氨基酸; 以化学式表示的苯并三唑衍生物; 氧化硅; 表面活性剂; 氧化剂和水。在化学式中，R 14表示具有羧基，具有羟基和叔氨基的烷基，具有羟基的烷基或不包括它们的烷基的烷基。

9. 发明公开

KR1020110079724A 연마용 조성물 无效
公开(公告)号：KR1020110079724A
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：KR1020117011243
申请日：2008-06-09
申请人： 니타 하스 인코포레이티드
发明人： 타나카,리카 , 노조,하루키 , 오타,요시하루
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09G1/02 , C09K3/1409 , C09K3/1463 , C23F3/04 , C23F3/06 , H01L21/3212
摘要： 본 발명의 금속막을 연마하는 연마용 조성물은 이른바 마무리연마에 매우 적합한 연마용 조성물이며, 연마용 입자로서 광산란법에 의해 구할 수 있는 평균입경이 20㎚ 이상 80㎚ 이하인 콜로이달 실리카와, 산화제로서 요오드산 및 그의 염으로부터 선택되는 적어도 일종을 포함하며, 잔부가 물이다. 이것들을 포함하는 것에 의하여 비선택성을 실현하는 것과 동시에 디싱(dishing) 및 침식(erosion)을 충분히 억제할 수 있다.

10. 发明授权

KR101020164B1 진보된 마이크로전자적 응용을 위한 평탄화 막, 및 이를제조하기 위한 장치 및 방법 失效
标题翻译：用于高级微电子应用的平面薄膜及其制造方法
公开(公告)号：KR101020164B1
公开(公告)日：2011-03-08
申请号：KR1020067001044
申请日：2003-10-27
申请人： 허니웰 인터내셔날 인코포레이티드
发明人： 후앙,웨이 , 케네디,조세프 , 캣세인스,로날드
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02118 , C04B26/12 , C04B2111/00482 , C08J7/02 , C08J2361/00 , C23F1/10 , C23F1/44 , C23F3/00 , C23F3/04 , H01L21/31051 , H01L21/312 , Y10T428/31942 , C04B2103/0093 , C04B2103/40
摘要： a) 구조적 성분; 및 b) 구조적 성분과 상용성이며, 평탄화 조성물의 분자간력 또는 표면력 성분중 하나 이상을 감소시키는 용매 시스템을 포함하는 평탄화 조성물이 본원에 개시되어 있다. 이러한 평탄화 조성물을 포함하는 막 또한 개시되어 있다. 또한, a) 크레졸 기재 중합체 화합물, 및 b) 하나 이상의 알코올 및 하나 이상의 에테르 아세테이트 기재 용매를 포함하는 또 다른 평탄화 조성물이 본원에 개시되어 있다. 이러한 평탄화 조성물을 포함하는 막 또한 개시되어 있다. 본원에는 또한 a) 표면 지형(topography)을 지닌 기판; 및 b) 본원에 개시된 것과 같은, 기판에 결합되는 평탄화 조성물 또는 막을 포함하는 층상 부품이 개시되어 있다. 또한, 본원에는, a) 구조적 성분을 제공하는 단계; b) 구조적 성분과 상용성이며, 평탄화 조성물의 분자간력 또는 표면력 성분중 하나 이상의 감소시키는 용매 시스템을 제공하는 단계; 및 c) 구조적 성분 및 용매 시스템을 배합시켜 평탄화 조성물을 형성시키는 단계를 포함하여, 평탄화 조성물을 형성시키는 방법이 개시되어 있다. 또한, 본원에는, a) 본원에서 개시된 것과 같은 평탄화 조성물을 제공하는 단계; 및 b) 용매 시스템의 일부 또는 전부를 증발시켜 막을 형성시키는 단계를 포함하여, 막을 형성시키는 방법이 개시되어 있다.

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