基本信息:
- 专利标题： 연마용 조성물
- 专利标题（英）：Polishing composition
- 专利标题（中）：抛光组合物
- 申请号：KR1020110057412 申请日：2011-06-14
- 公开(公告)号：KR1020110084482A 公开(公告)日：2011-07-25
- 发明人： 마츠다츠요시 , 히라노다츠히코 , 오준휘 , 가와무라아츠노리 , 사카이겐지
- 申请人： 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드
- 申请人地址： *-*, Chiryo *-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi-ken, Japan
- 专利权人： 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드
- 当前专利权人： 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드
- 当前专利权人地址： *-*, Chiryo *-chome, Nishibiwajima-cho, Kiyosu-shi, Aichi-ken, Japan
- 代理人： 김윤배
- 优先权： JPJP-P-2003-342530 2003-09-30; JPJP-P-2003-342531 2003-09-30; JPJP-P-2003-352952 2003-10-10; JPJP-P-2003-394593 2003-11-25; JPJP-P-2003-396171 2003-11-26
- 主分类号： C09K3/14
- IPC分类号： C09K3/14 ; H01L21/304
摘要：
PURPOSE: A polishing composition is provided to suppress the occurrence of dishing when applied to the polishing for forming wiring in a semiconductor device. CONSTITUTION: A polishing composition comprises: a first silicon oxide in which a 50% particle diameter measured by a laser diffraction scattering method is 60~150 nm; a second silicon oxide in which a 50% particle diameter measured by a laser diffraction scattering method is 10~50 nm; at least one kind selected from carboxylic acids and α-amino acids; an anticorrosive; a surfactant; an oxidizing agent; and water.
摘要（中）：
目的：提供一种抛光组合物，用于在用于在半导体器件中形成布线的抛光时抑制凹陷的发生。 构成：抛光组合物包括：通过激光衍射散射法测量的50％粒径为60〜150nm的第一氧化硅; 通过激光衍射散射法测量的50％粒径的第二氧化硅为10〜50nm; 选自羧酸和α-氨基酸中的至少一种; 防腐; 表面活性剂; 氧化剂; 和水。
公开/授权文献:
- KR101074875B1 연마용 조성물 公开/授权日：2011-10-19
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C09 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用 |
| ----C09K | 不包含在其他类目中的各种应用材料；不包含在其他类目中的材料的各种应用 |
| ------C09K3/00 | 不包含在其他类目中的材料 |
| --------C09K3/14 | .防滑材料；研磨材料 |