专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明授权

KR101216514B1 연마용 조성물 有权
标题翻译：磨料成分
公开(公告)号：KR101216514B1
公开(公告)日：2012-12-31
申请号：KR1020110057408
申请日：2011-06-14
申请人： 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드
发明人： 마츠다츠요시 , 히라노다츠히코 , 오준휘 , 가와무라아츠노리 , 사카이겐지
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要： 반도체디바이스의배선을형성하기위한연마에이용되는본 발명의연마용조성물은, 특정계면활성제와, 규소산화물과, 카르복실산및 α-아미노산으로부터선택된적어도한 종류와, 방식제와, 산화제와, 물을함유한다. 이연마용조성물에의하면, 디싱의발생이억제된다.
摘要翻译：本发明的抛光组合物在抛光用于形成半导体装置的布线一起使用，至少一种类型的从一个特定的表面活性剂，氧化硅，羧酸和α-氨基酸，和方法权利要求，和氧化剂和选择包含水。根据涂抹用组合物，凹陷的发生受到抑制。

2. 发明授权

KR101074875B1 연마용 조성물 有权
标题翻译：抛光组成
公开(公告)号：KR101074875B1
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：KR1020110057412
申请日：2011-06-14
申请人： 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드
发明人： 마츠다츠요시 , 히라노다츠히코 , 오준휘 , 가와무라아츠노리 , 사카이겐지
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要： 반도체디바이스의배선을형성하기위한연마에이용되는본 발명의연마용조성물은, 특정계면활성제와, 규소산화물과, 카르복실산및 α-아미노산으로부터선택된적어도한 종류와, 방식제와, 산화제와, 물을함유한다. 이연마용조성물에의하면, 디싱의발생이억제된다.

3. 发明授权

KR101110707B1 연마용 조성물 有权
标题翻译：抛光组成
公开(公告)号：KR101110707B1
公开(公告)日：2012-04-16
申请号：KR1020040077822
申请日：2004-09-30
申请人： 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드
发明人： 마츠다츠요시 , 히라노다츠히코 , 오준휘 , 가와무라아츠노리 , 사카이겐지
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要： 반도체 디바이스의 배선을 형성하기 위한 연마에 이용되는 본 발명의 연마용 조성물은, 특정 계면 활성제와, 규소산화물과, 카르복실산 및 α-아미노산으로부터 선택된 적어도 한 종류와, 방식제와, 산화제와, 물을 함유한다. 이 연마용 조성물에 의하면, 디싱의 발생이 억제된다.
연마, 조성물, 반도체 디바이스, 디싱, 계면 활성제, 규소산화물, 카르복실산, α-아미노산, 방식제, 산화제, 물

4. 发明授权

KR101064643B1 연마용 조성물 및 연마방법, 그리고 그 제조방법 有权
标题翻译：抛光组合物和方法及其制备方法
公开(公告)号：KR101064643B1
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：KR1020030067779
申请日：2003-09-30
申请人： 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드
发明人： 오노고지 , 호리카와지요 , 사카이겐지 , 이나가츠요시
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： 침식이 감소되고 반도체 장치 제조 공정의 최종 연마 단계에서 사용되는 연마제가 제공된다. 상기 연마제는 콜로이덜 실리카, 요오드산 합성물, 암모니아, 질산암모늄 및 물을 포함하고 그 pH는 1.8 내지 4.0이다.
연마용 조성물, 콜로이덜 실리카, 도체층, 절연체층, 오목부

5. 发明公开

KR1020050031992A 연마용 조성물 有权
标题翻译：抛光组合物
公开(公告)号：KR1020050031992A
公开(公告)日：2005-04-06
申请号：KR1020040077822
申请日：2004-09-30
申请人： 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드
发明人： 마츠다츠요시 , 히라노다츠히코 , 오준휘 , 가와무라아츠노리 , 사카이겐지
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要： A polishing composition is provided to prevent the occurrence of dishing upon polishing for forming an interconnection of a semiconductor device. The polishing composition comprises a surfactant, a silicon oxide, at least one selected from carboxylic acid and alpha-amino acid, an anti-corrosive agent, an oxidant and water, the surfactant contains at least one selected from a compound represented by any of the formula (1) to (7) and a salt thereof, wherein each of R1 and R4 is a C8-C16 alkyl group, R2 is a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, R3 is a C1-C8 alkylene group, -(CH2CH2O)l-, -(CH2CH(CH3)O)m or a combination thereof, each of R5 and R6 is a hydrogen atom, a hydroxy group or a C8-C16 alkyl group, each of Y1-Y3 is -(CH2CH2O)n-, -(CH2CH(CH3)O)p or a combination thereof, X1 is a carboxy group or a sulfone group, X2 is a phosphoric acid group or a sulfone group and Z is a phenyl or phenol functional group.
摘要翻译：提供抛光组合物以防止在抛光时产生凹陷，以形成半导体器件的互连。抛光组合物包含表面活性剂，氧化硅，选自羧酸和α-氨基酸中的至少一种，抗腐蚀剂，氧化剂和水，所述表面活性剂含有选自由式（1）〜（7）表示的化合物及其盐，其中R1和R4各自为C8-C16烷基，R2为氢原子，甲基或乙基，R3为C1-C8亚烷基， - （CH 2 CH 2 O）1 - ， - （CH 2 CH（CH 3）O）m或其组合，R 5和R 6各自为氢原子，羟基或C 8 -C 16烷基，Y 1 -Y 3为 - CH2CH2O）n - ， - （CH2CH（CH3）O）p或它们的组合，X1是羧基或砜基，X2是磷酸基或砜基，Z是苯基或酚官能团。

6. 发明公开

KR1020110084482A 연마용 조성물 有权
标题翻译：抛光组合物
公开(公告)号：KR1020110084482A
公开(公告)日：2011-07-25
申请号：KR1020110057412
申请日：2011-06-14
申请人： 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드
发明人： 마츠다츠요시 , 히라노다츠히코 , 오준휘 , 가와무라아츠노리 , 사카이겐지
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: A polishing composition is provided to suppress the occurrence of dishing when applied to the polishing for forming wiring in a semiconductor device. CONSTITUTION: A polishing composition comprises: a first silicon oxide in which a 50% particle diameter measured by a laser diffraction scattering method is 60~150 nm; a second silicon oxide in which a 50% particle diameter measured by a laser diffraction scattering method is 10~50 nm; at least one kind selected from carboxylic acids and α-amino acids; an anticorrosive; a surfactant; an oxidizing agent; and water.
摘要翻译：目的：提供一种抛光组合物，用于在用于在半导体器件中形成布线的抛光时抑制凹陷的发生。构成：抛光组合物包括：通过激光衍射散射法测量的50％粒径为60〜150nm的第一氧化硅; 通过激光衍射散射法测量的50％粒径的第二氧化硅为10〜50nm; 选自羧酸和α-氨基酸中的至少一种; 防腐; 表面活性剂; 氧化剂; 和水。

7. 发明公开

KR1020110084481A 연마용 조성물 有权
标题翻译：抛光组合物
公开(公告)号：KR1020110084481A
公开(公告)日：2011-07-25
申请号：KR1020110057408
申请日：2011-06-14
申请人： 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드
发明人： 마츠다츠요시 , 히라노다츠히코 , 오준휘 , 가와무라아츠노리 , 사카이겐지
IPC分类号： C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/7684 , C09G1/02 , C09K3/1463 , C23F3/04 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: A polishing composition is provided to suppress the occurrence of dishing when used in polishing for forming wiring in a semiconductor device. CONSTITUTION: A polishing composition to be used in polishing for forming wiring in a semiconductor device comprises: an alpha-amino acid; a benzotriazole derivative represented by chemical formula; a silicon oxide; a surfactant; an oxidant; and water. In chemical formula, R^14 represents an alkyl group having a carboxy group, an alkyl group having a hydroxyl group and a tertiary amino group, an alkyl group having a hydroxyl group, or alkyl groups excluding them.
摘要翻译：目的：提供一种抛光组合物，用于在用于在半导体器件中形成布线的抛光中使用时抑制凹陷的发生。构成：用于在半导体器件中形成布线的抛光中使用的抛光组合物包括：α-氨基酸; 以化学式表示的苯并三唑衍生物; 氧化硅; 表面活性剂; 氧化剂和水。在化学式中，R 14表示具有羧基，具有羟基和叔氨基的烷基，具有羟基的烷基或不包括它们的烷基的烷基。

8. 发明公开

KR1020040032052A 연마용 조성물 및 연마방법, 그리고 그 제조방법 有权
标题翻译：在半导体器件生产中的最终抛光工艺中使用的具有减少的腐蚀的抛光组合物
公开(公告)号：KR1020040032052A
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：KR1020030067779
申请日：2003-09-30
申请人： 가부시키가이샤 후지미 인코포레이티드
发明人： 오노고지 , 호리카와지요 , 사카이겐지 , 이나가츠요시
IPC分类号： C09K3/14
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/31053 , H01L21/3212
摘要： PURPOSE: Provided is polishing composition having reduced corrosion and pH of 1.8 to 4.0 and used in final polishing process to form wires of semiconductor device. CONSTITUTION: The polishing composition comprises colloidal silica in amount of larger than 50g/l to less than 160g/l; per-iodic acid compound; ammonia; ammonium nitrate; and water, and has pH 1.8 to 4.0. The polishing composition is used in the final polishing process in production of semiconductor device comprising an insulating layer(11) having concaved parts(12) and conductive layer(13) formed on the insulating layer(11). The polishing process comprises a first polishing step to obtain the conductive layer(13) having thickness less than 200nm; and exposing surface of the insulating layer(11) using the polishing composition.
摘要翻译：目的：提供具有降低的腐蚀和pH值为1.8至4.0的抛光组合物，并用于最终抛光工艺以形成半导体器件的导线。构成：抛光组合物含有大于50g / l至小于160g / l的胶体二氧化硅; 碘酸化合物; 氨; 硝酸铵; 和水，pH值为1.8〜4.0。抛光组合物用于制造半导体器件的最终抛光工艺中，所述半导体器件包括具有形成在绝缘层（11）上的凹部（12）和导电层（13）的绝缘层（11）。抛光工艺包括获得厚度小于200nm的导电层（13）的第一抛光步骤; 以及使用所述抛光组合物暴露所述绝缘层（11）的表面。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式