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1. 发明公开

KR1020150063803A 원자층 증착 공정 방법 및 원자층 층착 장치 无效
标题翻译：原子层沉积过程的方法和处理原子层析沉积过程的装置
公开(公告)号：KR1020150063803A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：KR1020130148622
申请日：2013-12-02
申请人： 신화일렉트론 주식회사
发明人： 이정현 , 신원호
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/45546 , C23C16/45527 , C23C16/4586 , C23C16/54
摘要： 복수의기판들에대하여개별적으로원자층증착공정을수행하는복수의처리공간들을제공하는처리용기들에서원자층증착공정의방법에서, a) 처리공간들중 제1 처리공간내부에제1 수평방향으로금속전구체를공급하여, 내부에배치된기판상에금속반응물을화학흡착시키고, b) 제1 처리공간내부에퍼지가스를공급하여, 제1 처리공간내부의잔류물을제거한다. 이후, c) 제1 처리공간내부에산화제를제2 수평방향으로공급하여금속반응물과산화제를반응시켜, 기판상에금속산화물을형성한다. 처리공간들내에서단계 a) 내지단계 c)를시차분할(time-divided) 방식으로수행된다.
摘要翻译：本发明涉及一种原子层沉积工艺的方法和一种用于原子层沉积工艺的设备。在处理容器中的原子层沉积工艺的方法以提供多个处理空间以在多个基板上单独进行自动层沉积工艺包括以下步骤：（a）将金属反应物化学吸附在布置的基板的顶部上通过在第一水平方向上的处理空间中的第一处理空间上提供金属前体; （b）通过向第一处理空间提供净化气体来除去第一处理空间内的残留物; 和（c）通过在第一水平方向上在第一处理空间上提供氧化剂使基板上形成金属氧化物，使金属反应物与氧化剂反应，其中步骤（a）至步骤（c）为使用时分方法在处理空间中进行。

2. 发明公开

KR1020150063789A 원자층 증착 방법을 이용하는 알루미늄 산화막의 형성 방법 无效
标题翻译：使用原子层析沉积法形成氧化铝层的方法
公开(公告)号：KR1020150063789A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：KR1020130148600
申请日：2013-12-02
申请人： 신화일렉트론 주식회사
发明人： 이정현 , 신원호
IPC分类号： C23C16/20 , C23C16/448
CPC分类号： C23C16/45527 , C07F5/063 , C23C16/403 , C23C16/45553
摘要： 원자층적층공정을이용하는알루미늄산화막의형성방법에있어서, a) 기판상에, 리간드를포함하는알루미늄전구체를공급하여상기기판상에상기알루미늄전구체를화학적으로흡착시킨다. b) 상기기판상에제1 산화제또는질화제를공급하여, 상기리간드가하이드록시기또는아민기로치환된중간생성물을생성한다. 이후, c) 상기기판상에제2 산화제를공급하여상기중간생성물및 상기제2 산화제를반응시켜, 상기기판상에알루미늄산화막을형성한다.
摘要翻译：本发明提供了使用原子层沉积工艺形成氧化铝膜以减少基板上的热冲击的方法。使用原子层沉积方法形成氧化铝膜的方法包括以下步骤：（a）通过将包含配体的铝前体提供到基底上来在基底的顶部上化学吸附铝前体; （b）通过向所述基材提供第一氧化剂或硝化剂来生成具有取代了配体的羟基或胺基的中间体; 和（c）通过向所述基板提供第二氧化剂，并使所述中间体与所述第二氧化剂反应，在所述基板的顶部上产生氧化铝膜。

3. 发明授权

KR101575434B1 금속 산화막 형성 장치 有权
标题翻译：用于形成金属氧化物层的装置
公开(公告)号：KR101575434B1
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：KR1020130161586
申请日：2013-12-23
申请人： 신화일렉트론 주식회사
发明人： 이정현 , 신원호
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/458
摘要： 금속산화막형성장치는원자층증착공정을수행하기위한공간을제공하는챔버와, 기판을지지하며, 상기기판의상부면과평행한방향으로상기기판을수평이동시키는이송부와, 상기기판의상부면과마주보도록구비되며, 상기기판을향해금속소스와산화제를공급하여원자층단위의금속산화막을형성하는가스공급부및 상기가스공급부를커버하도록구비되며, 상기기판상에잔류하는금속소스와상기산화제를분리하여외부로배출하기위한가스배출부를포함할수 있다. 상기금속소스와상기산화제를분리하여배출하므로, 상기금속산화물이상기기판이아닌상기가스공급부및 상기가스배출부에형성되는것을방지할수 있다.

4. 发明公开

KR1020150073634A 금속 산화막 형성 장치 有权
标题翻译：用于形成金属氧化物层的装置
公开(公告)号：KR1020150073634A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：KR1020130161586
申请日：2013-12-23
申请人： 신화일렉트론 주식회사
发明人： 이정현 , 신원호
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/458
CPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/458
摘要： 금속산화막형성장치는원자층증착공정을수행하기위한공간을제공하는챔버와, 기판을지지하며, 상기기판의상부면과평행한방향으로상기기판을수평이동시키는이송부와, 상기기판의상부면과마주보도록구비되며, 상기기판을향해금속소스와산화제를공급하여원자층단위의금속산화막을형성하는가스공급부및 상기가스공급부를커버하도록구비되며, 상기기판상에잔류하는금속소스와상기산화제를분리하여외부로배출하기위한가스배출부를포함할수 있다. 상기금속소스와상기산화제를분리하여배출하므로, 상기금속산화물이상기기판이아닌상기가스공급부및 상기가스배출부에형성되는것을방지할수 있다.
摘要翻译：形成金属氧化物膜的装置包括：提供进行原子层沉积工艺的空间的室; 支撑基板的转印单元，以及将基板水平地移动到与基板的上表面平行的方向; 气体供给单元，设置成面向基板的上表面，向基板供给金属源和氧化剂，形成原子层单元的金属氧化物膜; 以及气体排出单元，其设置成覆盖气体供给单元，分离残留在基板上的金属源和氧化剂以被排出到外部。金属源和氧化剂被分离以排出，从而防止在气体供给单元和气体排出单元中而不是在基板中形成金属氧化物。

5. 发明公开

KR1020150063819A 스퍼터링 공정용 은합금 타겟 조성물 有权
标题翻译：用于溅射过程的银合金靶的组成
公开(公告)号：KR1020150063819A
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：KR1020130148650
申请日：2013-12-02
申请人： 신화일렉트론 주식회사
发明人： 이정현 , 신원호
IPC分类号： C22C5/06 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/14 , C22C5/06 , C23C14/34
摘要： 스퍼터링공정용은합금타겟조성물은 0.4 내지 2.0 중량 %의팔라듐(palladium; Pd), 0.05 내지 0.6 중량 %의인듐(Indium; In) 및나머지은(silver; Ag)과불가피한불순물을포함한다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于溅射工艺的银合金靶材的组合物。更具体地，本发明是用于形成通过溅射工艺形成与诸如氧化铟锡（ITO）的透明导电膜电连接的导电结构的溅射工艺的银合金靶的组合物。用于溅射工艺的银合金靶的组成包括：0.4-2.0重量％的钯（Pd）; 0.05-0.6重量％的铟（In）; 其余由银（Ag）和不可避免的杂质组成。

6. 发明公开

KR1020150085236A 스퍼터링 공정용 은합금 타겟 조성물 无效
标题翻译：用于溅射过程的银合金靶的组成
公开(公告)号：KR1020150085236A
公开(公告)日：2015-07-23
申请号：KR1020140004901
申请日：2014-01-15
申请人： 신화일렉트론 주식회사 , 대성금속주식회사
发明人： 이정현 , 신원호 , 이성우 , 노윤구
IPC分类号： C22C5/06 , C23C14/34
CPC分类号： C23C14/14 , C22C5/06 , C23C14/34
摘要： 스퍼터링공정용은합금타겟조성물은 0.5 내지 2.0 중량 %의팔라듐(palladium; Pd), 0.1 내지 1.5 중량 %의백금(platinum; Pt) 및나머지은(silver; Ag)과불가피한불순물을포함한다.
摘要翻译：用于溅射工艺的银合金靶的组合物包含0.5-2.0重量％的钯（Pd），0.1-1.5重量％的铂（Pt），剩余的银（Ag）和不可避免的杂质。

7. 发明授权

KR101530445B1 금속 산화막 형성 장치 有权
公开(公告)号：KR101530445B1
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：KR1020130161576
申请日：2013-12-23
申请人： 신화일렉트론 주식회사
发明人： 이정현 , 신원호
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 금속산화막형성장치는원자층증착공정을수행하기위한공간을제공하는챔버와, 수평면에대해경사지도록기판을지지하며, 상기기판의상부면과평행한방향으로상기기판을수평이동시키는이송부및 상기기판의상부면과마주보도록구비되며, 상기기판을향해금속소스와산화제를공급하여원자층단위의금속산화막을형성하는가스공급부를포함할수 있다. 상기기판이경사지도록지지되므로, 상기가스공급부에형성된금속산화물이상기기판에부착되어파티클로작용하는것을최소화할수 있다.

8. 发明授权

KR101564291B1 스퍼터링 공정용 은합금 타겟 조성물 有权
标题翻译：用于溅射过程的银合金靶的组成
公开(公告)号：KR101564291B1
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：KR1020130148650
申请日：2013-12-02
申请人： 신화일렉트론 주식회사
发明人： 이정현 , 신원호
IPC分类号： C22C5/06 , C23C14/34
摘要： 스퍼터링공정용은합금타겟조성물은 0.4 내지 2.0 중량 %의팔라듐(palladium; Pd), 0.05 내지 0.6 중량 %의인듐(Indium; In) 및나머지은(silver; Ag)과불가피한불순물을포함한다.

9. 实用新型

KR2020150003900U 석탄 분쇄 장치 审中-实审
标题翻译：用于粉煤的设备
公开(公告)号：KR2020150003900U
公开(公告)日：2015-10-26
申请号：KR2020140003067
申请日：2014-04-16
申请人： 신화일렉트론 주식회사
发明人： 이정현
IPC分类号： B02C23/08 , B02C13/04 , B02C19/16 , B02C21/00
CPC分类号： B02C23/08 , B02C21/00 , B07B13/04
摘要： 석탄분쇄장치는석탄을제1 크기로분쇄하는제1 분쇄부와, 상기석탄을상기제1 크기를기준으로선별하는선별부와, 상기선별된석탄중 상기제1 크기보다작은크기의석탄을제2 크기로분쇄하는제2 분쇄부및 상기선별부에서선별된석탄중 상기제1 크기의석탄및 상기제2 분쇄부에서분쇄된제2 크기의석탄을저장하는용기부를포함한다. 따라서, 상기석탄을다양한크기로석탄을상기용기부에저장하여분석하거나보존할수 있다.

10. 发明公开

KR1020150073630A 금속 산화막 형성 장치 有权
标题翻译：用于形成金属氧化物层的装置
公开(公告)号：KR1020150073630A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：KR1020130161576
申请日：2013-12-23
申请人： 신화일렉트론 주식회사
发明人： 이정현 , 신원호
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 금속산화막형성장치는원자층증착공정을수행하기위한공간을제공하는챔버와, 수평면에대해경사지도록기판을지지하며, 상기기판의상부면과평행한방향으로상기기판을수평이동시키는이송부및 상기기판의상부면과마주보도록구비되며, 상기기판을향해금속소스와산화제를공급하여원자층단위의금속산화막을형성하는가스공급부를포함할수 있다. 상기기판이경사지도록지지되므로, 상기가스공급부에형성된금속산화물이상기기판에부착되어파티클로작용하는것을최소화할수 있다.
摘要翻译：用于形成金属氧化物层的装置可以包括：提供用于进行原子层沉积工艺的空间的腔室;支撑垂直于水平表面的衬底的水平移动衬底和沿着平行于所述基板和面向所述基板的上表面的气体供给部，并将金属源和氧化剂供给到所述基板，以形成原子层单元的金属氧化物层。由于衬底被支撑成倾斜，所以形成在气体供应部分中的金属氧化物被附着到衬底上。因此，可以最小化作为粒子的金属氧化物。

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