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1. 发明公开

KR20180006697A 플라즈마 화학기상증착 장치 및 이를 이용한 Li 기반의 박막 형성방법 审中-公开
标题翻译： Li等离子体化学气相沉积设备和形成Li基薄膜的方法
公开(公告)号：KR20180006697A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：KR20160087382
申请日：2016-07-11
申请人： SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
发明人： LEE JOO HO , KIM YONG SUNG , SONG SANG HOON , YANG WOO YOUNG , LEE CHANG SEUNG , LIM SUNG JIN , HWANG JUN SIK
IPC分类号： C23C16/505 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01M10/0562
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/00 , C23C16/06 , C23C16/4408 , C23C16/50 , H01J37/32 , H01J37/3244 , H01J2237/3321 , H01M4/0428 , H01M4/13 , H01M10/052 , H01M2220/30 , H01M2300/0068
摘要： 기판의표면에 Li 기반의박막을증착하는플라즈마화학기상증착장치및 이를이용한 Li 기반의박막형성방법이개시된다. 개시된플라즈마화학기상증착장치는기판이내부에마련되는반응챔버와, 상기반응챔버내부에소스물질들을공급하는제1 및제2 소스공급유닛과, 상기반응챔버내부에플라즈마를발생시키는에너지를공급하는파워공급유닛과, 상기파워공급장치를제어하는제어부를포함한다. 제1 소스공급유닛은상기반응챔버내부에 Li 소스물질을공급하며, 제2 소스공급유닛은상기반응챔버내부에 P 및 O 소스물질과, N 소스물질을공급한다. 그리고, 제어부는파워공급장치를제어하여상기반응챔버내부에발생되는플라즈마의온-오프를조절한다.
摘要翻译：一种用于在基板的表面上沉积锂（Li）基膜的等离子体增强化学气相沉积设备包括：反应室，所述基板设置在所述反应室中; 第一源供应器，被配置为将Li源材料供应到所述反应室中; 第二源供应器，其被配置为将磷（P）和氧（O）源材料和氮（N）源材料供应到反应室中; 电源，被配置为将电力供应到反应室中以在反应室中产生等离子体; 以及控制器，被配置为控制电源以开启或关闭等离子体的产生。

2. 发明授权

KR101782981B1 픽셀화된 캐패시턴스 제어형 ESC 有权
公开(公告)号：KR101782981B1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：KR1020167016439
申请日：2015-02-09
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 사드자디,레자 , 보이드,웬델글렌주니어 , 파케,비제이디. , 노기노브,맥심미하일로비치
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/285 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/28556 , C23C16/00 , G06K2009/00738 , H01J37/32697 , H01J37/32715 , H01J2237/334 , H01L21/02252 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0262 , H01L21/265 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/32136 , H01L21/67063 , H01L21/67103 , H01L21/6833 , H01L27/1255 , H01L29/93 , H04N7/181 , H04N7/188
摘要： 본원에서설명되는구현예들은, 정전척과그 위에배치된기판간의 RF 커플링(coupling)의측방향(lateral) 및방위각방향(azimuthal) 모두에서의튜닝(tuning)을가능하게하는픽셀화된(pixelated) 정전척을제공한다. 일실시예에서, 픽셀화된정전척(ESC)은, 상부에기판을수용하도록(accept) 구성된워크피스지지표면을갖는유전체본체(dielectric body), 픽셀화된 ESC 내에배치되는하나또는그 초과의척킹전극들, 및복수의픽셀전극(pixel electrode)들을포함할수 있다. 복수의픽셀전극들은플로팅상태(floating state)와접지상태(grounded state) 사이에서스위칭가능하며, 픽셀전극들은, 접지또는접지와플로팅상태모두에대해가변캐패시턴스(variable capacitance)를갖는다. 픽셀전극들및 척킹전극들은, 워크피스지지표면에기판을정전기적으로척킹하도록동작가능한회로를형성한다.

3. 发明授权

KR101770970B1 이송 챔버 가스 퍼지 장치, 전자 디바이스 프로세싱 시스템들, 및 퍼지 방법들 有权
标题翻译：传输室气体吹扫装置，电子装置处理系统和吹扫方法
公开(公告)号：KR101770970B1
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：KR1020167011550
申请日：2014-09-26
申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
发明人： 엔지,에드워드 , 엔글하르트,에릭,에이. , 모레이,트래비스 , 마줌다르,아이안 , 홍캄,스티브,에스.
IPC分类号： H01L21/02 , F17D1/04 , H01L21/677 , H01L21/67
CPC分类号： F17D1/04 , B65G65/00 , C23C14/564 , C23C14/568 , C23C16/00 , C23C16/4401 , C23C16/54 , H01L21/00 , H01L21/67017 , H01L21/67196 , Y10T137/0318 , Y10T137/86292
摘要： 이송챔버가스퍼지장치가개시된다. 이송챔버가스퍼지장치는이송로봇의적어도일부를포함하도록적응되는이송챔버를가지며, 이송챔버는측벽들, 챔버리드, 및챔버플로어를포함하고, 챔버리드는복수의분배된챔버유입구들을갖는다. 복수의분배된챔버유입구들은확산엘리먼트들을포함할수 있다. 층류퍼지가스유동(laminar purge gas flow)이기판위에제공될수 있다. 다수의다른양태들과마찬가지로, 복수의분배된챔버유입구들을포함하는시스템들및 방법들이개시된다.
摘要翻译：公开了一种传送室气体净化装置。传送室气体净化装置具有传送室适于包含至少搬运机器人的一部分，转移腔室具有腔室盖的侧壁，并与一腔室底板，与腔室盖包括多个分配腔入口。多个分配室入口可以包括扩散元件。刮板上可以提供层流吹扫气流。像许多其他方面一样，公开了包括多个分配室入口的系统和方法。

4. 发明授权

KR101684997B1 가스 샤워용의 구조체 및 기판 처리 장치 有权
标题翻译：气体淋浴结构和底板加工设备
公开(公告)号：KR101684997B1
公开(公告)日：2016-12-09
申请号：KR1020110006962
申请日：2011-01-24
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 하야시다이스케 , 무라카미코이치
IPC分类号： H01L21/205 , H01L21/02 , H01L21/67
CPC分类号： B05B1/18 , C23C16/00 , C23C16/455 , C23F1/08
摘要： 천판에베이스판을적층하여이루어지고, 가스를처리분위기에샤워형상으로공급하기위한구조체에있어서, 양판의압착력을조립오차에의존하지않고적정한크기로설정할수 있고, 또한양자를고정하는고정부재와천판의마찰을방지하는것이다. 천판(32)의하면측에서나사부재(4)를삽입하여베이스판(31)에나사결합시키고, 나사부재(4)의헤드부와천판(32)의사이에링 형상의탄성체(51)를개재시키고, 탄성체(51)의복원력에의해천판(32)을베이스판(31)에압착시킨다. 이때, 상기헤드부와천판(32)의사이에는간극이형성된다. 또한, 상기헤드부의외연측에링 형상의탄성체(52)를개재시킨상태로당해헤드부에커버를씌운다. 다른예로서는, 베이스판(31)을천판(32)의외연보다돌출시키고, 천판(32)의외연부로부터외측에걸쳐위치하는링 형상의클램프부재와베이스판(31)의돌출부분을나사부재로고정하고, 또한클램프부재와천판(32)의사이에탄성체를개재시킨다.
摘要翻译：螺钉4从顶板32的底面插入并拧到基板31上，顶板32和基板31通过弹性件51的弹性恢复力彼此压接，螺钉4的头部和顶板32.在头部和顶板32之间形成有间隙。此外，头部的周围通过环形弹性构件52被盖覆盖。在另一个实施例中，基板31的周边从顶板32的周边突出，并且基板31的突出部分和位于顶板32的外侧的环形夹具通过螺钉接合。这里，弹性构件插入在夹具和顶板32之间。

5. 发明授权

KR101617693B1 기판 처리 장치, 메인티넌스 방법 및 기록 매체 有权
标题翻译：基板处理设备维护方法和非终端计算机可读记录介质
公开(公告)号：KR101617693B1
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：KR1020150037931
申请日：2015-03-19
申请人： 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키
发明人： 요네다아키히코 , 코타니히로시 , 미즈구치야스히로
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/677 , H01L21/66
CPC分类号： H01L21/67 , C23C16/00
摘要： 본발명은더미캐리어가재투입되었을때에각 더미기판의누적막두께값의재설정을수행할수 있도록한다. 소정매수의각 종기판을일괄하여처리하는처리실; 상기각 종기판의일종인제품기판을수납하는캐리어또는상기각 종기판의다른일종인더미기판을수납하는더미캐리어가재치되는기판수용부; 상기더미캐리어내의각 더미기판의막 두께값을저장하는기억부; 상기기억부가저장하는막 두께값에기초하여상기더미캐리어내의각 더미기판의막 두께값을설정하는관리부; 및상기더미캐리어를상기기판수용부로부터반출할때에, 상기더미캐리어내에수납되어있는각 더미기판에누적된막 두께값을상기기억부에저장시키고, 상기더미캐리어가상기기판수용부에재투입되면, 상기기억부가저장하고있는막 두께값에기초하여상기더미캐리어내의각 더미기판의막 두께값의재설정을상기관리부에수행시키고, 상기재설정이수행된후의막 두께값에따라상기더미기판을이용한처리를수행하도록제어하는제어부;를포함하는기판처리장치가제공된다.

6. 发明授权

KR101608554B1 내마모 및 내부식성의 층상 복합체 有权
标题翻译：耐磨和耐腐蚀层状复合材料
公开(公告)号：KR101608554B1
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：KR1020117004806
申请日：2009-08-26
申请人： 섀플러 테크놀로지스 아게 운트 코. 카게
发明人： 호젠펠트팀마티아스 , 하그베르트람 , 무자예프야샤르
IPC分类号： C23C28/00 , C23C14/00 , C23C16/00 , C23C30/00
CPC分类号： C23C14/00 , C23C16/00 , C23C28/321 , C23C28/322 , C23C28/341 , C23C28/347 , C23C30/00 , Y10T428/31678
摘要： 본발명은철재로만들어진기재를가진층상복합체에관한것으로, 상기기재는 PVD/PACVD 코팅및 부식방지층을구비하며, 상기부식방지층은상기 PVD/PACVD 코팅위에배치되어있고, 상기 PVD/PACVD 코팅은포어들을갖고있으며, 상기포어들안으로상기부식방지층이돌출한다.

7. 发明公开

KR1020150126714A 송전선을 위한 방빙 코팅 有权
标题翻译：用于电力传输线的防静电涂层
公开(公告)号：KR1020150126714A
公开(公告)日：2015-11-12
申请号：KR1020157030580
申请日：2014-03-26
申请人： 애드베니라 엔터프라이지즈, 인크.
发明人： 랴보바엘미라
IPC分类号： H01L41/318 , H01L41/35 , H01B9/00 , H01L41/18 , C23C16/00 , C23C18/00
CPC分类号： H02G7/16 , B05D1/18 , B05D3/002 , B05D3/067 , B05D3/141 , B05D7/20 , B05D2256/00 , C04B35/453 , C04B35/4682 , C04B35/472 , C04B35/491 , C04B35/495 , C04B35/624 , C04B35/6263 , C04B35/6264 , C04B35/6269 , C04B2235/441 , C23C16/00 , C23C18/00 , C23C18/12 , C23C18/1208 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C18/14 , G01N25/00 , H01B13/322 , H01L41/318
摘要： 졸-겔재료를이용하여전력선케이블상에압전성코팅을형성하기위한방법및 시스템이제공된다. 케이블은케이블의표면상에경화되지않은층을형성하도록압전성재료를갖는졸-겔재료를구비한용기를통해급송될수 있다. 이후, 상기층은예컨대, 적외, 자외및/또는다른유형의방사선을이용하여경화된다. 케이블은경화되지않은층이적절하게경화될때까지시스템의어떠한구성요소와도접촉하지않도록코팅시스템내에현수될수 있다. 경화된층의압전특성은제어피드백을제공하기위해시스템내에서시험될수 있다. 압전성코팅으로도지칭되는경화된층은환경적인자및 교류의전송으로인해케이블의진동중 케이블의외부표면에저항성발열을유발한다.

8. 发明授权

KR101565437B1 반도체 제조 장치용의 가스 공급 장치 有权
标题翻译：用于半导体制造设备的气体供应装置
公开(公告)号：KR101565437B1
公开(公告)日：2015-11-03
申请号：KR1020110039862
申请日：2011-04-28
申请人： 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
发明人： 오카베츠네유키
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/52 , C23C16/00 , C23C16/45561 , G05D7/0617 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/85938 , Y10T137/87249
摘要： (과제) 각처리반응로마다압력식유량제어기를설치할필요가없고, 그리고압력식유량제어기를콤팩트한구조로형성할수 있는가스공급장치(10)를제공한다. (해결수단) 가스공급장치(10)는가스공급원(11a, 11b)과, 가스도입관(13a, 13b)과, 가스집합관(15)과, 복수의분기관(21a, 21b)을구비하고있다. 가스집합관(15)과분기관(21a, 21b)에, 압력식유량제어기(30)가설치되어있다. 압력식유량제어기(30)는가스집합관(15)에설치된압력검출기(17)와, 분기관(21a, 21b)에설치된컨트롤밸브(23a, 23b) 및오리피스(22a, 22b)를갖고있다. 압력검출기(17)로부터의검출압력(P)에기초하여, 유량연산회로(40)에있어서유량(Qc)이구해지고, 유량설정회로(52)로부터의유량설정신호(Qs)와유량연산회로(40)로부터의유량(Qc)에기초하여연산제어회로(58)에의해컨트롤밸브(23a, 23b)가제어된다.

9. 发明授权

KR101550082B1 접합체 有权
标题翻译：联合产品
公开(公告)号：KR101550082B1
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：KR1020107021880
申请日：2009-03-27
申请人： 내셔날 인스티튜트 오브 어드밴스드 인더스트리얼 사이언스 앤드 테크놀로지 , 스미토모덴키고교가부시키가이샤 , 스미또모 덴꼬오 하드메탈 가부시끼가이샤
发明人： 오자키기미히로 , 고바야시게이조 , 모리구치히데키 , 이시다도모유키 , 이케가야아키히코 , 기타가와노부유키
IPC分类号： B23B27/18 , B23P15/28 , B23K1/19 , B23K1/00
CPC分类号： B23K1/19 , B22F7/064 , B23B2226/125 , B23B2226/315 , B23B2240/08 , B23K1/0004 , B23K11/16 , B23K11/3009 , B23K20/021 , B23K20/16 , B23K35/005 , B23K35/3033 , B23K35/3046 , B23K35/325 , B23K2201/20 , B23K2203/18 , C22C26/00 , C22C29/06 , C23C16/00 , Y10T407/26 , Y10T407/27 , Y10T428/30 , Y10T428/31678
摘要： 본발명은절삭중에, 납재가액상을생성하는온도를초과하는고온이되어도, 접합층의접합강도가저하되지않는, 고속절삭이나 CVD 코팅처리등에적합한절삭공구로서적절한접합체를제공하는것을목적으로한다. 구체적으로는, 초경합금소결체를제1 피접합재(1)로하고, cBN 소결체또는다이아몬드소결체를제2 피접합재(3)로하는접합체이다. 제1 피접합재(1) 및제2 피접합재(3)는양자사이에설치된 1000℃미만에서는액상을생성하지않는접합재(2)를통해접합되어있고, 상기접합은 0.1 MPa∼200 MPa의압력으로가압하면서통전가열하는것에의해행해지고있는접합체이다.

10. 发明公开

KR1020150059135A 표면―개질된 낮은 표면적 흑연, 그의 제조방법 및 그의 응용 审中-实审
标题翻译：表面改性低表面积石墨，其制造方法及其应用
公开(公告)号：KR1020150059135A
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020147031158
申请日：2013-03-15
申请人： 이머리스 그래파이트 앤드 카본 스위춰랜드 리미티드
发明人： 스파르,미하엘에. , 울만,피르민아. , 취르헤르,시모네 , 굴라스,미할 , 모르낙히니,플라피오
IPC分类号： C01B31/04 , C23C16/26 , C23C16/56 , H01M4/04 , H01M4/587
CPC分类号： H01M4/587 , C01B32/21 , C23C16/00 , C23C16/26 , C23C16/56 , Y10T428/2982
摘要： 본발명은 1.0 내지 4.0 m/g의 BET 비표면및 1 초과의결정크기 L에대한결정크기 L의비율을갖는표면-개질된낮은표면적인조흑연에관한것이다. 본발명은또한상기표면-개질된인조흑연물질, 상기흑연을제조하기위한표면개질방법및 본흑연의응용, 특히리튬-이온배터리에서의음극물질로서의응용에관한것이다.

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